KR100806892B1 - 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로, 화질 불량을 방지하기 위하여, 한측에만 데이터선이 있는 화소 전극의 다른 일측에 더미 데이터선을 형성한다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 다수개의 게이트선과 다수개의 데이터선이 교차하고 있으며, 다수개의 박막 트랜지스터가 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되어 있고, 박막 트랜지스터 각각에는 다수개의 화소 전극이 형성되어 있다. 다수개의 화소 전극 중 한 측에만 데이터선이 이웃하는 화소 전극의 다른 한측에 더미 데이터선이 형성되어 있고, 다수개의 데이터선 중 더미 데이터선이 이웃하는 화소 전극에 이웃하는 데이터선을 제외한 다른 데이터선들 중 하나의 데이터선과 더미 데이터선을 전기적으로 연결하는 연결 패턴이 형성되어 있다.
화질 개선, 더미 데이터선, 커플링 캐패시턴스, 화소 전극, 밝기
Description
도 1은 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 구조도이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 구조도이고,
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고,
도 4 및 도 5는 도 3에 보인 절단선 Ⅳ-Ⅳ' 및 Ⅴ-Ⅴ'에 따른 박막 트랜지스터 기판의 단면도이고,
도 6a는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 제조하기 위한 첫 번째 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 6b 및 도 6c는 도 6a에 도시한 기판을 절단선 Ⅵb-Ⅵb' 및 Ⅵc-Ⅵc'을 나타낸 단면도이고,
도 7a는 도 6a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 7b 및 도 7c는 도 7a에 도시한 기판을 절단선 Ⅶb-Ⅶb' 및 Ⅶc-Ⅶc'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 8a는 도 7a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 8b 및 도 8c는 도 8a에 도시한 기판을 절단선 Ⅷb-Ⅷb' 및 Ⅷc-Ⅷc'을 따라 나타낸 단면도이고,
도 9a는 도 8a의 다음 제조 단계에서의 기판의 배치도이고,
도 9b 및 도 9c는 도 9a에 도시한 기판을 절단선 Ⅸb-Ⅸb' 및 Ⅸc-Ⅸc'을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로 특히, 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중의 하나로서, 전기장을 생성하는 다수의 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판 즉, 박막 트랜지스터 기판 및 이에 대향되어 있는 대향 기판과 두 기판 사이의 액정층, 각각의 기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판으로 이루어지며, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
도 1은 종래 기술에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 배치도를 나타낸 것이다.
박막 트랜지스터 기판은, M개의 게이트선(110)과 N개의 데이터선(120)이 서로 교차하여 매트릭스 형상으로 배열되는 M ×N 개의 화소 영역을 정의하고 있다. 각각의 게이트선(110) 및 데이터선(120)의 끝단에는 게이트 패드(112) 및 데이터 패드(122)가 형성되어 있다.
여기서, M개의 게이트선(110)은 제1 게이트선(G1), 제2 게이트선(G2),…, 제M 게이트선(GM)이 상측에서부터 하측을 향하여 소정의 간격을 두고 배열되어 있다. 또한, N개의 데이터선(120)은 제1 데이터선(D1), 제2 데이터선(D2), …, 제N-1 데이터선(DN-1), 제N 데이터선(DN)이 좌측에서부터 우측을 향하여 소정의 간격을 두고 배열되어 있다,
화소 영역 각각에는 게이트선(110)과 데이터선(120)에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)와 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 화소 전극(130)이 형성되어 있다.
여기서, 제1 데이터선(D1), 제2 데이터선(D2), …, 제N-1 데이터선(DN-1), 제N 데이터선(DN)에 연결된 화소 전극(130)을 각각 제1형 화소 전극(P1), 제2형 화소 전극(P2), …, 제N-1형 화소 전극(PN-1), 제N형 화소 전극(PN)으로 정의한다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에서, 화소 전극(130)과 이에 이웃하는 데이터선(120) 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(coupling capacitance)는 화소 전극에 걸리는 화소 전극 전압에 영향을 주는 기생 캐패시턴스로 작용한다.
예로써, 제1 데이터선(D1)에 연결된 제1형 화소 전극(P1)은 그의 좌우에 위치하는 제1 및 제 2 데이터선(D1, D2)과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(C1, C2)에 영향을 받아 △Vp1 만큼의 변동이 생긴다. 이러한 화소 전극의 변동은 제n 데이터선(DN)에 연결된 제N형 화소 전극(PN)을 제외한 다른 화소 전극(P2, …, PN-1)에서 동일하게 일어난다.
이 때, 제N형 화소 전극(PN)은 그의 좌측에 위치하는 제N 데이터선(DN)에만 이웃하고 있기 때문에 제N 데이터선(DN)과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(CN)에 영향을 받아 △Vp2 만큼의 변동이 생긴다.
이러한 화소 전극의 변동량의 차이에 의하여, 제N형 화소 전극(PN)과 제N형 화소 전극(PN)이 아닌 다른 화소 전극(P1, P2, …, PN-1))에는 서로 다른 양의 전하가 충전된다. 즉, 제N형 화소 전극(PN)은 하나의 데이터선과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스에 의해 변동이 생기므로, 두 개의 데이터선과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스에 영향을 받는 다른 화소 전극(P1, P2, …, PN-1)에 비하여 충전되는 전하량이 크게 된다.
이러한 이유로, 제N형 화소 전극(PN)이 보여주는 상은 다른 화소 전극(P1, P2, …, PN-1)이 보여주는 상에 비하여 2-3 그레이(grey) 이상 밝게 되어 화면 전체에 라인 불량을 일으키는 등의 화질 불량을 유발한다.
본 발명은 화질 불량을 방지하는 박막 트랜지스터 기판을 제공하고자 한다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에서는 한측에만 데이터선이 있는 화소 전극의 다른 일측에 더미 데이터선을 형성한다.
상세하게, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 다수개의 게이트선과 다수개의 데이터선이 교차하고 있으며, 다수개의 박막 트랜지스터가 게이트선 및 데이터선에 전기적으로 연결되어 있고, 박막 트랜지스터 각각에는 다수개의 화소 전극이 형성되어 있다. 다수개의 화소 전극 중 한 측에만 데이터선이 이웃하는 화소 전극의 다른 한측에 더미 데이터선이 형성되어 있고, 다수개의 데이터선 중 더미 데이터선이 이웃하는 화소 전극에 이웃하는 데이터선을 제외한 다른 데이터선들 중 하나의 데이터선과 더미 데이터선을 전기적으로 연결하는 연결 패턴이 형성되어 있다.
여기서, 데이터선의 일단에 형성되는 데이터 패드 및 게이트선의 일단에 형성되는 게이트 패드를 더 포함하고, 연결 패턴은 데이터 패드의 주변에 위치하도록 형성될 수 있다. 또한, 연결 패턴은 화소 전극을 형성하는 물질로 형성될 수 있고, 더미 데이터선은 데이터선을 형성하는 물질로 형성될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시에에 따른 박막 트랜지스터 기판의 개략적인 평면도를 나타낸 것이다.
M개의 게이트선(110)과 N개의 데이터선(120)이 서로 교차하여 매트릭스 형상으로 배열되는 M ×N 개의 화소 영역을 정의하고 있다. 각각의 게이트선(110) 및 데이터선(120)의 끝단에는 게이트 패드(112) 및 데이터 패드(122)가 형성되어 있다.
여기서, M개의 게이트선(110)은 제1 게이트선(G1), 제2 게이트선(G2),…, 제M 게이트선(GM)이 기판의 상측에서부터 하측을 향하여 배열되어 있다. 또한, N개의 데이터선(120)은 제1 데이터선(D1), 제2 데이터선(D2), …, 제N-1 데이터선(DN-1), 제N 데이터선(DN)이 기판의 좌측에서부터 우측을 향하여 배열되어 있다,
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는, 제N 데이터선(DN)의 우측에 더미 데이터선(200)이 제N 데이터선(DN)과 소정의 간격을 두고 형성되어 있다.
화소 영역 각각에는 게이트선(110)과 데이터선(120)에 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터(TFT)와 박막 트랜지스터(TFT)에 전기적으로 연결되는 화소 전극(130)이 형성되어 있다.
여기서, 제1 데이터선(D1), 제2 데이터선(D2), …, 제N-1 데이터선(DN-1), 제N 데이터선(DN)에 연결된 화소 전극(130)을 각각 제1형 화소 전극(P1), 제2형 화소 전극(P2), …, 제N-1형 화소 전극(PN-1), 제N형 화소 전극(PN)으로 정의한다.
또한, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판에서는, 더미 데이터선(200)과 제N-1 데이터선(DN-1)을 연결하는 연결 패턴(210)이 형성되어 있다. 이 연결 패턴(210)은 화소 영역에서 떨어진 데이터 패드(122) 주변에 위치하고 있다. 이러한 연결 패턴(210)에 의하여 더미 데이터선(200)에는 제N-1 데이터선(DN-1)으로 들어오는 데이터 신호와 동일한 신호가 인가된다.
이러한 박막 트랜지스터 기판에서, 화소 전극(130)과 이에 이웃하는 데이터선(120) 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(coupling capacitance)는 화소 전극에 걸리는 화소 전극 전압에 영향을 주는 기생 캐패시턴스로 작용한다.
예로써, 제1 데이터선(D1)에 연결된 제1형 화소 전극(P1)은 그의 좌우에 위치하는 제1 및 제 2 데이터선(D1, D2)과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(C1, C2)에 영향을 받아 △Vp1 만큼의 변동이 생긴다. 이러한 화소 전극의 변동은 기판 의 모든 화소 전극(P2, …, PN-1, PN)에서 동일하게 일어난다.
제N형 화소 전극(PN)의 경우, 그의 좌측에 위치하는 제N 데이터선(DN)과 그의 우측에 위치하는 더미 데이터선(200)과의 사이에 생기는 커플링 캐패시턴스(CN, Cq)에 영향을 받아 △Vp2 만큼의 변동이 생긴다.
여기서, △Vp1, △Vp2는, 둘 다 화소 전극과 이에 이웃하는 두 데이터선 사이의 커플링 캐패시턴스에 영향을 받게 되므로, 동일한 값은 가지게 된다. 이러한 이유로, 모든 화소 전극에는 동일한 양의 전하가 충전되어 동일한 밝기의 상을 나타낸다. 따라서, 화면 전체 밝기가 균일하게 되어 화질 특성을 개선할 수 있다.
여기서, 연결 패턴(220)은 제N-1 데이터선(DN-1) 이외에 제N 데이터선(DN)을 제외한 다른 데이터선(D1, D2, …)에 더미 데이터선(200)을 연결하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
상술한 본 발명의 제1 실시예에서는, 화소 전극을 좌측에 위치하는 데이터선에 연결함으로써, 기판의 마지막 라인에 배열되어 있는 제N형 화소 전극(PN)의 우측, 즉, 제N 데이터선(DN)의 우측에 더미 데이터선(200)을 형성하는 구조를 제시하고 있다. 그러나, 본 발명은 이러한 구조 이외에 다양한 방식으로 적용할 수 있다. 예로써, 화소 전극을 우측에 위치하는 데이터선에 연결함으로써, 기판의 첫 번째 라인에 배열되어 있는 제1형 화소 전극(P1)의 좌측, 즉, 제1 데이터선(D1)의 좌측에 더미 데이터선을 형성하는 구조를 제안할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 4 및 도 5는 도 3에 보인 절단선 Ⅳ-Ⅳ' 및 Ⅴ-Ⅴ'에 따른 박막 트랜지스터 기 판의 단면도이다.
절연 기판(10) 위에 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 크롬 또는 크롬 합금, 탄탈륨 또는 탄탈륨 합금, 티타늄 또는 티타늄 합금 등의 금속으로 이루어진 게이트 배선이 다수개 형성되어 있다.
각각의 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22), 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 외부로부터의 게이트 신호를 인가받아 게이트선(22)으로 전달하는 게이트 패드(24) 및 게이트선(22)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다.
여기서, 게이트 배선은 이중층 이상의 구조를 가지도록 형성될 수 있는데, 이 경우, 한 층은 저항이 작은 알루미늄 계열의 도전 물질로 형성되고, 다른 층은 다른 물질과의 접촉 특성이 좋은 물질로 형성되는 것이 유리하다. 그 예로는 Cr/Al(또는 Al 합금) 또는 Al/Mo 등을 들 수 있다.
절연 기판(10) 위에는 질화 규소 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 게이트 배선(22, 24, 26, 27, 29)을 덮고 있다.
게이트 절연막(30) 상부에는 게이트 전극(26)에 대응하여 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체 패턴(42)이 형성되어 있으며, 반도체 패턴(42)의 상부에는 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 비정질 규소 등으로 이루어진 저항성 접촉 패턴(55, 56)이 각각 형성되어 있다.
저항성 접촉 패턴(55, 56) 및 게이트 절연막(30) 위에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 크롬 또는 크롬 합금, 탄탈륨 또는 탄탈 륨 합금, 또는, 티타늄 또는 티타늄 합금 등의 금속으로 이루어진 다수개의 데이터 배선이 형성되어 있다.
각각의 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)에 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터선(62), 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 외부로부터의 화상 신호를 인가받는 데이터 패드(64), 데이터선(62)에서 돌출되어 저항성 접촉 패턴(55)에 접촉되는 소스 전극(65), 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽 저항성 접촉 패턴(56)에 접촉되어 있는 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터선부(62, 64, 65, 66)와 데이터선(62)에 평행하게 배열되어 게이트선(22)과 교차하는 더미 데이터선(68)을 포함한다.
여기서, 설명의 편의를 위하여, 다수의 데이터선을 게이트 패드(24)에서 가까운 순으로 제1 데이터선(D1), 제2 데이터선(D2), …으로 정의한다.
더미 데이터선(68)은 일측에만 데이터선이 위치하는 화소 영역의 다른 일측에 형성된다. 도 3에 보인 바와 같이, 제1 데이터선(D1)이 우측에 위치하기 때문에 좌측에 배선이 위치하지 않는 화소 영역에는 그의 우측에 더비 데이터선(68)이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 모든 화소 영역은 그의 좌측 및 우측에 데이터선 혹은 더미 데이터선이 위치하게 된다.
데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68) 및 박막 트랜지스터 상부에는 질화 규소로 이루어진 보호막(70)이 형성되어 있다.
보호막(70)에는 드레인 전극(66)을 드러내는 제1 접촉 구멍(72), 데이터 패드(64)를 드러내는 제2 접촉 구멍(74), 더미 데이터선(68)의 에지 부분을 드러내는 제3 접촉 구멍(75), 제2 데이터선(D2)을 드러내되, 제3 접촉 구멍(75)과 나란하게 위치하는 제4 접촉 구멍(76)이 형성되어 있다. 또한, 보호막(70)과 게이트 절연막(30)에는 게이트 패드(24)를 드러내는 제5 접촉 구멍(78)이 형성되어 있다.
보호막(70) 위에는 제1 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(82), 제2 접촉 구멍(74)을 통하여 데이터 패드(64)에 연결되는 보조 데이터 패드(84) 및 제5 접촉 구멍(78)을 통하여 게이트 패드(24)에 연결되는 보조 게이트 패드(86)가 형성되어 있고, 제3 접촉 구멍(75) 및 제4 접촉 구멍(76)을 통하여 더미 데이터선(68)과 제2 데이터선(D2)을 연결하는 연결 패턴(88)이 형성되어 있다. 이 때, 화소 전극(82), 보조 데이터 패드(84), 보조 게이트 패드(86) 및 연결 패턴(88)은 ITO 또는 IZO로 형성될 수 있다.
여기서, 연결 패턴(88)은 제2 데이터선(D2) 이외에 제1 데이터선(D1)을 제외한 다른 데이터선에 연결될 수 있다.
그러면, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 6a 내지 도 9c및 앞의 도 3, 도 4 및 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.
우선, 도 6a, 도 6b 및 도 6c에 도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 크롬 또는 크롬 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 티타늄 또는 티타늄 합금 혹은, 탄탈륨 또는 탄탈륨 합금으로 이루어진 금속층을 증착한 후, 이 금속층을 사진 식각 공정에 의하여 패터닝하여 게이트선(22), 게이트 패드(24) 및 게이트 전극(26)을 포함하는 게이트 배선을 형성한다.
다음, 도 7a, 도 7b 및 도 7c에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(30), 반도 체층, 불순물이 도핑된 반도체층의 삼층막을 연속하여 적층한 후, 불순물이 도핑된 반도체층 및 반도체층을 사진 식각 공정에 의하여 패터닝하여 게이트 전극(26) 상부에 저항성 접촉층 패턴(52) 및 반도체 패턴(42)을 형성한다.
다음, 도 8a, 도 8b 및 도 8c에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(30) 및 반도체 패턴(42) 위에 크롬 또는 크롬 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 티타늄 또는 티타늄 합금, 탄탈륨 또는 탄탈륨 합금으로 이루어진 금속층을 증착한 후, 이 금속층을 사진 식각 공정에 의하여 패터닝하여 데이터선(62), 데이터 패드(64), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)을 포함하는 데이터선부(62, 64, 65, 66)과 더미 데이터선(68)을 포함하는 데이터 배선(62, 64, 65, 66, 68)을 형성한다.
이어, 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)을 마스크로 그 하단에 위치하는 섬모양의 저항성 접촉층 패턴(52)을 식각하여 소스 전극(65)에 접촉되는 저항성 접촉층 패턴(55)과 드레인 전극(66)에 접촉하는 저항성 접촉층 패턴(56)으로 분리한다.
다음, 도 9a, 도 9b 및 도 9c에 도시한 바와 같이, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 덮는 질화 규소로 이루어진 보호막(70)을 형성한다.
이어, 사진 식각 공정에 의하여 보호막(70) 및 게이트 절연막(30)을 사진 식각하여 드레인 전극(66)을 드러내는 제1 접촉 구멍(72), 데이터 패드(64)를 드러내는 제2 접촉 구멍(74), 더미 데이터선(68)의 에지 부분을 드러내는 제3 접촉 구멍(75), 제2 데이터선(D2)을 드러내되, 제3 접촉 구멍(75)과 나란하게 위치하는 제4 접촉 구멍(76)을 형성하고, 게이트 패드(24)를 드러내는 제5 접촉 구멍(78)을 형성한다.
다음, 다시, 도 3, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 보호막(70)을 포함하는 기판의 노출된 전면에 IZO 또는 ITO로 이루어진 투명 도전막을 증착한 후, 이 투명 도전막을 사진 식각 공정에 의하여 패터닝하여 제1 접촉 구멍(72)을 통하여 드레인 전극(66)에 접촉하는 화소 전극(82), 제2 접촉 구멍(74)을 통하여 데이터 패드(64)에 연결되는 보조 데이터 패드(84), 제5 접촉 구멍(78)을 통하여 게이트 패드(24)에 연결되는 보조 게이트 패드(86), 제3 접촉 구멍(75) 및 제4 접촉 구멍(76)을 통하여 더미 데이터선(68)과 제2 데이터선(D2)을 연결하는 연결 패턴(88)을 형성한다.
이어, 후속 공정을 진행하여 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정을 완료한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 한측에만 데이터선이 있는 화소 전극의 다른 일측에 더미 데이터선을 형성함으로써, 기판의 모든 화소 전극에 영향을 주는 커플링 캐패시턴스의 크기를 동일하게 해준다.
본 발명은 모든 화소 전극에 일어나는 화소 전극 변동량을 동일하도록 조정함으로써, 모든 화소 전극에 충전되는 전하량을 동일하게 해준다. 그 결과, 기판의 모든 화소 전극은 동일한 밝기의 상을 나타나게 되어 화면의 밝기 균일성을 확보할 수 있어서 화질을 개선할 수 있다.
Claims (4)
- 다수개의 게이트선;상기 게이트선 각각에 교차하는 다수개의 데이터선;상기 게이트선 및 상기 데이터선에 전기적으로 연결되는 다수개의 박막 트랜지스터;상기 박막 트랜지스터 각각에 연결되는 다수개의 화소 전극;상기 다수개의 화소 전극 중 한 측에만 데이터선이 이웃하는 화소 전극의 다른 한측에 형성되는 더미 데이터선;상기 다수개의 데이터선 중 상기 더미 데이터선과 인접한 상기 화소 전극에 연결된 상기 데이터선을 제외한 다른 데이터선들 중 하나의 데이터선과 상기 더미 데이터선을 전기적으로 연결하는 연결 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 데이터선의 일단에 형성되는 데이터 패드 및 상기 게이트선의 일단에 형성되는 게이트 패드를 더 포함하고,상기 연결 패턴은 상기 데이터 패드와 상기 화소 전극 사이에 위치하도록 형성하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 연결 패턴 및 화소 전극은 ITO 또는 IZO로 이루어지는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1항에서,상기 더미 데이터선 및 상기 데이터선은 크롬 또는 크롬 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금, 티타늄 또는 티타늄 합금, 탄탈륨 또는 탄탈륨 합금으로 이루어지는 박막 트랜지스터 기판.
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