KR100805155B1 - Organic light emitting diode display having thin film transistor and manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

An organic light emitting display device having a thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to prevent display quality by allowing a thin film transistor formed in a driving part and a thin film transistor formed in a pixel part to have active layer having different crystalline characteristics. A method for manufacturing an organic light emitting display device having a thin film transistor comprises the steps of: preparing a metallic substrate(110) in which a pixel part(A2) and a driving part(A1) are defined; depositing a glass silicon film onto the substrate; forming the glass silicon film pattern by patterning the glass silicon film of the driving part; forming a first active layer by the glass silicon film pattern of the driving part and forming a polysilicon film of a second grain size by the glass silicon film of the pixel part; and forming a second active layer of a second grain size in the pixel part by patterning the polysilicon film.

Description

박막 트랜지스터를 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY HAVING THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING THE SAME}Organic electroluminescent display device having thin film transistor and manufacturing method therefor {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY HAVING THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING THE SAME}

도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.1A to 1H are flowcharts illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 구동부에 형성된 폴리실리콘의 그레인을 나타내는 사진이다.Figure 2a is a photograph showing the grain of polysilicon formed in the drive unit according to an embodiment of the present invention.

도 2b은 본 발명의 실시예에 따른 화소부에 형성된 폴리실리콘의 그레인을 나타내는 사진이다.2B is a photograph showing grains of polysilicon formed in a pixel unit according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막 트랜지스터를 구비한 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device having a thin film transistor and a manufacturing method thereof.

유기 전계 발광 표시 장치 및 액정 표시 장치와 같은 표시 장치는 큰 부피와 고전압을 필요로 하는 음극선관과 달리 두께가 얇고 저전압으로 동작하는 장점이 있어 차세대 표시 장치로서 널리 이용되고 있다.Display devices such as organic light emitting display devices and liquid crystal display devices are widely used as next-generation display devices because they have a thin thickness and operate at a low voltage, unlike cathode ray tubes requiring a large volume and a high voltage.

특히, 유기 전계 발광 표시 장치는 양극(anode)과 음극(cathode)을 통하여 유기 물질에 주입된 전자와 정공이 재결합(recombination)하여 여기자(exciton)을 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생하는 현상을 이용한 자체 발광형 표시 장치이다. In particular, in the organic light emitting display device, electrons and holes injected into an organic material through an anode and a cathode recombine to form excitons, and a specific wavelength is determined by energy from the formed excitons. It is a self-luminous display device using the phenomenon that light is generated.

따라서, 유기 전계 발광 표시 장치는 백라이트와 같은 별도의 광원이 요구되지 않아 액정 표시 장치에 비해 소비 전력이 낮을 뿐만 아니라 광시야각 및 빠른 응답속도 확보가 용이하다는 장점이 있어 차세대 표시 장치로서 주목받고 있다.Therefore, the organic light emitting display device is attracting attention as a next-generation display device because it does not require a separate light source such as a backlight, so that power consumption is lower than that of the liquid crystal display device, and a wide viewing angle and fast response speed can be easily obtained.

상기 유기 전계 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 수동 구동형(passive matrix type)과 능동 구동형(active matrix type)으로 구분되는데, 최근에는 낮은 소비 전력, 고정세, 빠른 응답 속도, 광시야각 및 박형화 구현이 가능한 능동 구동형이 주로 적용되고 있다.The organic light emitting display device is classified into a passive matrix type and an active matrix type according to a driving method, and recently, low power consumption, high definition, fast response speed, wide viewing angle, and thinning are realized. This active driven type is mainly applied.

이러한 능동 구동형 유기 전계 발광 표시 장치는 적(red; R), 녹(green; G), 청(blue; B)의 부화소(sub pixel)들로 이루어진 화소(pixel)를 복수개 구비한다.The active driving organic light emitting display device includes a plurality of pixels including sub pixels of red (R), green (G), and blue (B).

그리고, 각각의 부화소들은 제1 및 제2 전극과 이 전극들 사이에 배치된 유기막을 포함하는 유기 전계 발광 소자와, 상기 유기 전계 발광 소자들을 구동하기 위한 적어도 2개 이상의 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT, 이하 TFT라 칭함)들을 구비한다.Each of the subpixels includes an organic electroluminescent device including first and second electrodes and an organic film disposed between the electrodes, and at least two thin film transistors for driving the organic electroluminescent devices. TFTs, hereinafter referred to as TFTs).

한편, 상기한 부화소들은 상기 유기 전계 발광 소자에 의해 실질적으로 발광이 이루어지는 화소부와, 이 화소부 주변의 구동부로 구분될 수 있는데, 상기한 TFT들은 각 부화소의 화소부 또는 구동부 중 어느 한 영역에 형성된다.On the other hand, the subpixels may be divided into a pixel portion that emits light substantially by the organic electroluminescent element and a driving portion around the pixel portion, and the TFTs may be any one of the pixel portion or the driving portion of each subpixel. Is formed in the area.

이러한 구성의 유기 전계 발광 표시 장치에서 기판은 주로 유리나 플라스틱과 같은 절연 재질로 이루어지기 때문에 기판의 변형을 일으키지 않으면서 화소 동작에 유리한 특성을 가지는 TFT를 제조하는 것이 중요하다.  In the organic light emitting display device having such a configuration, since the substrate is mainly made of an insulating material such as glass or plastic, it is important to manufacture a TFT having advantageous properties for pixel operation without causing deformation of the substrate.

따라서, 유기 전계 발광 표시 장치에서는 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 레이저 결정화 등의 저온 결정화 공정에 의해 결정화한 폴리실리콘(poly crystalline silicon)을 액티브층으로 사용하는 폴리실리콘 TFT를 적용하고 있다.Therefore, in the organic light emitting display device, a polysilicon TFT using polysilicon (crystal crystalline silicon) in which amorphous silicon is crystallized by a low temperature crystallization process such as laser crystallization is used.

한편, 유기 전계 발광 표시 장치의 고속 동작을 확보하기 위해서는 구동부에 형성되는 TFT의 전자 이동도를 높여야 하고, 이를 위해서는 레이저 결정화 공정 시 레이저 에너지를 일정 수준 이상 증가시켜 폴리실리콘의 그레인(grain) 사이즈를 증가시켜야 한다.On the other hand, in order to ensure high-speed operation of the organic light emitting display device, the electron mobility of the TFT formed in the driving unit must be increased, and for this, the grain size of polysilicon is increased by increasing the laser energy by a certain level or more during the laser crystallization process. Should be increased.

그러나, 상기한 방법에 의해 폴리실리콘의 그레인 사이즈를 증가시키는 경우에는 그레인 균일도가 저하되어 TFT에 대한 균일한 소자 특성을 확보하기가 어려운 문제가 있다.However, when increasing the grain size of polysilicon by the above method, grain uniformity falls and it is difficult to ensure uniform device characteristics with respect to TFT.

따라서, 구동부와 화소부의 TFT를 동일한 에너지로 레이저 결정화하는 경우에는 구동부에 형성된 TFT의 동작 특성이 저하되거나, 화소부에 형성된 TFT의 소자 특성이 저하되고, 이로 인해 유기 전계 발광 표시 장치의 표시 품질이 저하되는 문제가 있다.Therefore, when laser crystallizing the TFTs of the driving unit and the pixel unit with the same energy, the operating characteristics of the TFTs formed in the driving unit are lowered, or the device characteristics of the TFTs formed in the pixel unit are lowered. There is a problem of deterioration.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 발광 소자에 대한 균일한 발광 특성을 확보하면서 고속 동작 확 보가 가능한 박막 트랜지스터를 구비한 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to manufacture an organic light emitting display device having a thin film transistor capable of ensuring high-speed operation while ensuring uniform light emission characteristics of a light emitting device. To provide a method.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조방법은 화소부 및 구동부가 정의된 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계, 상기 구동부의 비정질 실리콘막을 패터닝하여 비정질 실리콘막 패턴을 형성하는 단계, 레이저 결정화 공정을 수행하여 상기 구동부의 비정질 실리콘막 패턴을 제1 그레인 사이즈의 제1 액티브층으로 형성하고 상기 화소부의 비정질 실리콘막을 제2 그레인 사이즈의 폴리실리콘막으로 형성하는 단계 및 상기 화소부의 폴리실리콘막을 패터닝하여 상기 제2 그레인 사이즈의 제2 액티브층을 형성하는 단계를 포함한다..According to an exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing an organic light emitting display device includes preparing a substrate in which a pixel portion and a driver are defined, depositing an amorphous silicon film on the substrate, and patterning an amorphous silicon layer on the driver to form an amorphous silicon layer pattern. Forming a amorphous silicon film pattern of the driving part as a first active layer having a first grain size, and forming an amorphous silicon film of the pixel part as a polysilicon film having a second grain size; and Patterning the polysilicon film of the pixel portion to form a second active layer of the second grain size.

이때, 상기 구동부의 비정질 실리콘막 패턴에는 이 패턴 사이의 공간을 통해 기판에 입사된 후 반사된 레이저빔이 더욱 조사되는 것이 바람직하다.In this case, the amorphous silicon film pattern of the driving unit may be further irradiated with the laser beam reflected after being incident on the substrate through the space between the patterns.

또한, 상기 기판은 SUS 기판으로 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the substrate is preferably made of a SUS substrate.

또한, 상기 레이저 결정화 공정에 의해 상기 구동부에 형성된 폴리실리콘막 패턴으로 이루어지는 제1 액티브층의 그레인 사이즈는 상기 화소영역에 형성된 폴리실리콘막의 그레인 사이즈보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the grain size of the first active layer formed of the polysilicon film pattern formed on the driving unit by the laser crystallization process is larger than the grain size of the polysilicon film formed on the pixel region.

또한, 상기 레이저 결정화 공정은 엑시머 레이저를 이용하여 250mJ/cm2 내지 400mJ/cm2의 레이저 파워에서 수행하는 것이 바람직하다.In addition, the laser crystallization process is preferably performed at a laser power of 250mJ / cm 2 to 400mJ / cm 2 using an excimer laser.

또한, 상기 기판 상에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계 전에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것이 바람직하다.The method may further include forming a buffer layer on the substrate before depositing an amorphous silicon film on the substrate.

한편, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 구동부 및 화소부가 정의된 SUS 기판, 상기 구동부에 형성되며, 엑시머 레이저 및 상기 SUS 기판에 반사된 엑시머 레이저에 의해 결정화되는 제1 그레인 사이즈의 제1 액티브층 및 상기 화소부에 형성되며 엑시머 레이저에 의해 결정화된 제2 그레인 사이즈의 제2 액티브층을 포함하고, 상기 제1 그레인 사이즈는 상기 제2 그레인 사이즈보다 크게 형성된다.Meanwhile, the organic light emitting display device according to the present invention includes a SUS substrate having a driving unit and a pixel unit defined therein, a first active having a first grain size formed by an excimer laser and an excimer laser reflected by the SUS substrate. And a second active layer of a second grain size formed in the pixel portion and crystallized by an excimer laser, wherein the first grain size is formed larger than the second grain size.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In addition, in the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be on or on another part, this includes not only being directly above the other part but also having another part in the middle. On the contrary, when a part is just above another part, it means that there is no other part in the middle.

이하, 도 1a 내지 도 1h를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 TFT 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a TFT manufacturing method of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 1H.

도 1a를 참조하면, 구동부(A1) 및 화소부(A2)가 정의된 기판(110) 위에 버퍼층(120)을 형성한다. Referring to FIG. 1A, a buffer layer 120 is formed on a substrate 110 on which a driving unit A1 and a pixel unit A2 are defined.

상기 기판(110)은 스테인레스 스틸(stainless steel; SUS)과 같은 금속 물질로 이루어질 수 있고, 금속 물질로 이루어지는 경우 기판(110) 위에 절연막을 더 형성할 수 있다.The substrate 110 may be made of a metal material such as stainless steel (SUS), and in the case of the metal material, an insulating film may be further formed on the substrate 110.

상기 버퍼층(120)은 이후 수행될 비정질 실리콘막의 레이저 결정화 공정 시 기판(110) 표면에 존재하는 불순물들이 용출되어 비정질 실리콘막으로 확산하는 것을 방지하며, 일례로 실리콘 질화물(SiN) 또는 실리콘 질화물(SiN)과 실리콘 산화물(SiO2)의 적층 구조로 이루어질 수 있다.The buffer layer 120 prevents impurities present on the surface of the substrate 110 from being eluted and diffused into the amorphous silicon film during the laser crystallization process of the amorphous silicon film to be performed later. For example, silicon nitride (SiN) or silicon nitride (SiN) ) And silicon oxide (SiO 2 ).

도 1b를 참조하면, 상기 버퍼층(120) 위에 비정질 실리콘막(130)을 증착한다.Referring to FIG. 1B, an amorphous silicon film 130 is deposited on the buffer layer 120.

도 1c를 참조하면, 비정질 실리콘막(130) 중에서 상기 구동부(A1)만을 패터닝하여 비정질 실리콘막 패턴(131)을 형성한다. Referring to FIG. 1C, only the driving unit A1 of the amorphous silicon layer 130 is patterned to form an amorphous silicon layer pattern 131.

도 1c 및 1d를 함께 참조하면, 다음으로 구동부(A1)의 비정질 실리콘막 패턴(131)과 화소부(A2)의 비정질 실리콘막(135)에 레이저빔(200)을 조사하는 레이저 결정화 공정을 수행한다. 이때, 바람직하게 상기 레이저 결정화 공정은 엑시머 레이저 어닐링(excimer laser annealing; ELA)으로 수행한다.Referring to FIGS. 1C and 1D, a laser crystallization process of irradiating the laser beam 200 to the amorphous silicon film pattern 131 of the driving unit A1 and the amorphous silicon film 135 of the pixel unit A2 is performed. do. In this case, the laser crystallization process is preferably performed by excimer laser annealing (ELA).

이때, 레이저빔(200)이 조사되면, 구동부(A1)의 비정질 실리콘막은 레이저 결정화 공정 전에 이미 패터닝되어 비정질 실리콘막 패턴(131)을 형성하고 있으므로, 조사된 레이저빔(200)이 비정질 실리콘막 패턴(131)의 사이를 통과할 수 있다. 이때, 통과된 레이저빔(200)은 SUS 기판(110)에 반사되어 다시 상기 비정질 실리콘막 패턴(131)을 조사하게 된다.In this case, when the laser beam 200 is irradiated, the amorphous silicon film of the driving unit A1 is already patterned before the laser crystallization process to form the amorphous silicon film pattern 131, so that the irradiated laser beam 200 is an amorphous silicon film pattern. It can pass between 131. At this time, the passed laser beam 200 is reflected on the SUS substrate 110 to irradiate the amorphous silicon film pattern 131 again.

즉, 상기 비정질 실리콘막 패턴(131)에는 레이저빔(200)이 직접 조사될 뿐만 아니라, 반사로 인해 재조사되게 되므로, 단위 면적당 레이저빔의 조사량 측면에서 상기 화소부(A2)의 비정질 실리콘막(135) 보다 구동부(A1)의 비정질 실리콘막 패턴(131)에 많은 양의 레이저빔이 조사된다. 따라서, 상기 구동부(A1)에 형성된 제1 액티브층(132)의 제1 그레인 사이즈의 크기는 상기 화소부(A2)에 형성된 폴리실리콘막(136)의 제2 그레인 사이즈보다 크게 형성되게 된다. That is, since the laser beam 200 is directly irradiated to the amorphous silicon film pattern 131 and re-illuminated due to reflection, the amorphous silicon film 135 of the pixel portion A2 in terms of the irradiation amount of the laser beam per unit area. A large amount of laser beam is irradiated onto the amorphous silicon film pattern 131 of the driving unit A1. Therefore, the size of the first grain of the first active layer 132 formed in the driving unit A1 is larger than the size of the second grain of the polysilicon layer 136 formed in the pixel unit A2.

이 경우 상기 레이저빔(200)의 파워는 SUS 기판(110)에 반사되는 정도와 화소부(A2)에서의 형성된 폴리실리콘(136)의 그레인 사이즈를 감안하여 250mJ/cm2 내지 400mJ/cm2으로 설정한다.In this case, the power of the laser beam 200 is in view of the grain size of the polysilicon 136 formed on the degree of the pixel section (A2) which is reflected in the SUS substrate 110 to 250mJ / cm 2 to 400mJ / cm 2 Set it.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 구동부에 형성된 폴리실리콘의 제1 그레인 및 화소부에 형성된 폴리실리콘의 제2 그레인을 나타내는 사진이다. 도시된 바와 같이, 구동부(A1)에 형성된 폴리실리콘의 제1 그레인 사이즈(600nm)는 화소부(A2)에 형성된 폴리실리콘의 제2 그레인 사이즈(300nm)보다 크게 형성되므로 TFT의 전자 이동도가 높아지고, 화소부(A2)에 형성된 폴리실리콘의 제2 그레인 사 이즈들은 균일하므로 유기 전계 발광 표시 장치의 표시 품질 저하를 막을 수 있다.2A to 2B are photographs showing first grains of polysilicon formed in the driving unit and second grains of polysilicon formed in the pixel unit according to the exemplary embodiment of the present invention. As shown, the first grain size (600 nm) of the polysilicon formed in the driving unit A1 is larger than the second grain size (300 nm) of the polysilicon formed in the pixel portion A2, so that the electron mobility of the TFT is increased. Since the second grain sizes of the polysilicon formed in the pixel portion A2 are uniform, the display quality of the organic light emitting display device may be prevented.

이상과 같이 레이저 결정화 공정을 수행하여, 상기 구동부(A1)에는 비정질 실리콘막 패턴(131)이 제1 그레인 사이즈의 폴리실리콘막으로 이루어지는 제1 액티브층(132)이 되고, 상기 화소부(A2)에는 폴리실리콘막(136)이 형성된다. By performing a laser crystallization process as described above, an amorphous silicon film pattern 131 is a first active layer 132 formed of a polysilicon film having a first grain size in the driving unit A1, and the pixel unit A2. A polysilicon film 136 is formed in this.

도 1e를 참조하면, 화소부(A2)의 폴리실리콘막(136)를 패터닝하여 제2 액티브층(137)을 형성한다.Referring to FIG. 1E, the polysilicon layer 136 of the pixel portion A2 is patterned to form a second active layer 137.

도 1f를 참조하면, 제1 및 제2 액티브층(132, 137)을 덮도록 기판(110)의 전면 위로 게이트 절연막(140)을 형성한다. 그 다음, 게이트 절연막(140) 위로 게이트 전극 물질막을 증착하고 패터닝하여 제1 및 제2 액티브층(132, 137)에 대응하는 게이트 절연막(140) 위로 제1 및 제2 게이트 전극(151, 152)을 각각 형성한다. Referring to FIG. 1F, the gate insulating layer 140 is formed on the entire surface of the substrate 110 to cover the first and second active layers 132 and 137. Next, a gate electrode material layer is deposited and patterned on the gate insulating layer 140 to form the first and second gate electrodes 151 and 152 on the gate insulating layer 140 corresponding to the first and second active layers 132 and 137. Form each.

도 1g를 참조하면 제1 및 제2 액티브층(132, 137)의 양측으로 N형 또는 P형 불순물을 각각 주입하여 제1 소오스 및 드레인 영역(161, 162)과 제2 소오스 및 드레인 영역(165, 166)을 각각 형성한다.Referring to FIG. 1G, N-type or P-type impurities are implanted into both sides of the first and second active layers 132 and 137, respectively, so that the first source and drain regions 161 and 162 and the second source and drain regions 165 are provided. , 166, respectively.

도 1h를 참조하면, 기판(110)의 전면 위로 층간 절연막(170)을 형성하고 층간 절연막(170)과 게이트 절연막(140)을 패터닝하여 제1 소오스 및 드레인 영역(161, 162)을 노출시키는 제1 콘택홀(141, 171) 및 제2 콘택홀(142, 172)과 제2 소오스 및 드레인 영역(165, 166)을 노출시키는 제3 콘택홀(145, 175) 및 제4 콘택홀(146, 176)을 각각 형성한다.Referring to FIG. 1H, an interlayer insulating film 170 is formed over the entire surface of the substrate 110, and the interlayer insulating film 170 and the gate insulating layer 140 are patterned to expose the first source and drain regions 161 and 162. The third contact holes 145 and 175 and the fourth contact hole 146 exposing the first contact holes 141 and 171 and the second contact holes 142 and 172 and the second source and drain regions 165 and 166. 176), respectively.

그 다음, 층간 절연막(170) 위로 소오스 및 드레인 전극 물질막을 증착하고 패터닝하여 구동부(A1)에 제1 소오스 및 드레인 영역(161, 162)과 콘택하는 제1 소 오스 및 드레인 전극(191, 192)을 형성하여 제1 TFT를 완성하고, 화소부(A2)에 제2 소오스 및 드레인 영역(165, 166)과 콘택하는 제2 소오스 및 드레인 전극(195, 196)을 형성하여 제2 TFT를 완성한다.Then, the first source and drain electrodes 191 and 192 contacting the first source and drain regions 161 and 162 to the driving unit A1 by depositing and patterning a source and drain electrode material layer on the interlayer insulating layer 170. Is formed to complete the first TFT, and second source and drain electrodes 195 and 196 in contact with the second source and drain regions 165 and 166 are formed in the pixel portion A2 to complete the second TFT. .

그 후, 도시되지는 않았지만, 기판(110)의 전면 위로 평탄화막을 형성하고, 화소부(A2)에 평탄화막의 비아홀을 통해 제2 TFT와 전기적으로 연결되는 발광 소자를 형성한다. 이때, 발광 소자는 양극의 제1 전극, 유기 발광층 및 음극의 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조로 이루어질 수 있고, 제1 전극은 화소 정의막에 의해 인접 화소의 제1 전극과 전기적으로 분리되고 화소 정의막에 구비된 개구부를 통해 유기 발광층과 접촉할 수 있다.Thereafter, although not shown, a planarization film is formed over the entire surface of the substrate 110, and a light emitting device is electrically connected to the second TFT through the via hole of the planarization film in the pixel portion A2. In this case, the light emitting device may have a structure in which a first electrode of an anode, an organic emission layer, and a second electrode of a cathode are sequentially stacked, and the first electrode is electrically separated from the first electrode of an adjacent pixel by a pixel defining layer. The organic light emitting layer may contact the organic light emitting layer through an opening provided in the pixel defining layer.

이와 같이 본 실시예에 의하면, 구동부에 형성되는 제1 TFT의 제1 액티브층이 큰 그레인 사이즈를 가지는 폴리실리콘막으로 이루어져 높은 이동도를 확보할 수 있으므로 유기 전계 발광 표시 장치의 고속 동작이 가능하게 된다.As described above, according to the present exemplary embodiment, since the first active layer of the first TFT formed in the driving unit is made of a polysilicon film having a large grain size, high mobility can be ensured, thereby enabling high-speed operation of the organic light emitting display device. do.

또한, 화소부에 형성되는 제2 TFT의 제2 액티브층이 균일한 그레인 크기를 갖는 폴리실리콘막으로 이루어져 균일한 소자 특성을 가지므로 발광 소자에 대한 균일한 발광 특성을 얻을 수 있다. Further, since the second active layer of the second TFT formed in the pixel portion is made of a polysilicon film having a uniform grain size and has uniform device characteristics, uniform light emission characteristics of the light emitting device can be obtained.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

상술한 바와 같이 본 발명은 구동부에 형성되는 TFT와 화소부에 형성되는 TFT가 서로 다른 결정 특성의 액티브층을 갖도록 함으로써, 유기 전계 발광 표시 장치의 고속 동작을 가능하게 하면서 표시 품질의 저하를 방지할 수 있다.As described above, the present invention allows the TFT formed in the driver portion and the TFT formed in the pixel portion to have an active layer having different crystal characteristics, thereby enabling high-speed operation of the organic electroluminescent display device and preventing degradation of display quality. Can be.

Claims (7)

화소부 및 구동부가 정의된 금속의 기판을 준비하는 단계; Preparing a metal substrate having a pixel portion and a driver defined therein; 상기 기판 상에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계; Depositing an amorphous silicon film on the substrate; 상기 구동부의 비정질 실리콘막을 패터닝하여 비정질 실리콘막 패턴을 형성하는 단계; Patterning an amorphous silicon film of the driving unit to form an amorphous silicon film pattern; 상기 구동부의 비정질 실리콘 패턴 및 상기 화소부의 비정질 실리콘막에 레이저 결정화 공정을 동시에 수행하여 상기 구동부의 비정질 실리콘막 패턴을 제1 그레인 사이즈의 제1 액티브층으로 형성하고, 상기 화소부의 비정질 실리콘막을 제2 그레인 사이즈의 폴리실리콘막으로 형성하는 단계; 및 Simultaneously performing a laser crystallization process on the amorphous silicon pattern of the driving unit and the amorphous silicon film of the pixel unit to form the amorphous silicon film pattern of the driving unit as a first active layer having a first grain size, and forming the amorphous silicon layer of the pixel unit as a second active layer. Forming a grain size polysilicon film; And 상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 상기 화소부에 상기 제2 그레인 사이즈의 제2 액티브층을 형성하는 단계Patterning the polysilicon layer to form a second active layer having the second grain size in the pixel portion 를 포함하고,Including, 상기 레이저 결정화 공정시, 상기 구동부의 비정질 실리콘막 패턴 사이의 공간을 통해 기판에 입사된 후 반사된 레이저 빔이 상기 구동부의 비정질 실리콘막 패턴으로 재조사되는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법. In the laser crystallization process, a method of manufacturing an organic light emitting display device in which a laser beam, which is incident on a substrate through a space between amorphous silicon film patterns of the driving unit and then reflected, is irradiated to the amorphous silicon film pattern of the driving unit. 삭제delete 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 기판은 SUS 기판으로 이루어지는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The substrate is a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a SUS substrate. 제3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제1 그레인 사이즈는 상기 제2 그레인 사이즈보다 크게 형성하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.And forming the first grain size larger than the second grain size. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 레이저 결정화 공정은 엑시머 레이저를 이용하여 250mJ/cm2 내지 400mJ/cm2의 레이저 파워에서 수행하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.The laser crystallization process is performed using an excimer laser at a laser power of 250mJ / cm 2 to 400mJ / cm 2 . 제1 항, 제3항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 and 3 to 5, 상기 기판 상에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계 전에, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a buffer layer on the substrate before depositing an amorphous silicon film on the substrate. 구동부 및 화소부가 정의된 SUS 기판;A SUS substrate having a driving unit and a pixel unit defined therein; 상기 구동부에 형성되며, 엑시머 레이저 및 상기 SUS 기판에 반사된 엑시머 레이저에 의해 결정화되는 제1 그레인 사이즈의 제1 액티브층; 및A first grain size of a first grain size formed in the driving unit and crystallized by an excimer laser and an excimer laser reflected by the SUS substrate; And 상기 화소부에 형성되며, 엑시머 레이저에 의해 결정화되는 제2 그레인 사이즈의 제2 액티브층 A second active layer having a second grain size formed in the pixel portion and crystallized by an excimer laser; 을 포함하고,Including, 상기 제1 그레인 사이즈는 600nm 이고, 상기 제2 그레인 사이즈는 300nm 인 유기 전계 발광 표시 장치.And the first grain size is 600 nm and the second grain size is 300 nm.
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