KR20060059080A - Flat panel display - Google Patents

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KR20060059080A KR1020040098253A KR20040098253A KR20060059080A KR 20060059080 A KR20060059080 A KR 20060059080A KR 1020040098253 A KR1020040098253 A KR 1020040098253A KR 20040098253 A KR20040098253 A KR 20040098253A KR 20060059080 A KR20060059080 A KR 20060059080A
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Abstract

평판 표시 장치를 제공한다. 상기 장치는 플렉시블(flexible) 기판의 적어도 하부면에 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이로써, 건식 식각 공정시 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극과 플렉시블 기판 사이에서 발생할 수 있는 아킹(arcing) 현상을 방지할 수 있다.Provided is a flat panel display device. The device is characterized in that an insulating film is formed on at least the lower surface of the flexible substrate. As a result, it is possible to prevent an arcing phenomenon that may occur between the electrode formed in the dry etching apparatus and the flexible substrate during the dry etching process.

플렉시블(flexible) 기판, 아킹(arcing), 건식 식각Flexible substrates, arcing, dry etching

Description

평판 표시 장치{Flat Panel Display}Flat Panel Display {Flat Panel Display}

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조도,1 is a cross-sectional structural view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 제조함에 있어서, 식각 대상 물질이 형성된 플렉시블 기판이 투입된 건식 식각 장치의 모식도이다. FIG. 2 is a schematic view of a dry etching apparatus in which a flexible substrate on which an etching target material is formed is inserted in manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100, 250 ; 플렉시블 기판 110, 260 : 절연막100, 250; Flexible substrates 110 and 260: insulating film

200 : 건식 식각 장치 220 : 하위 전극200: dry etching device 220: lower electrode

230 : 상위 전극 240 : 플라즈마(plasma)230: upper electrode 240: plasma

270 : 식각 대상 물질270: material to be etched

본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플렉시블(flexible) 기판의 적어도 하부면에 절연막이 형성되어 있는 평판 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a flat panel display having an insulating film formed on at least a lower surface of a flexible substrate.

차세대 디스플레이로 불리우는 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display; LCD), 유기 전계 발광 표시 장치(organic light-emitting display device; OLED), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel; PDP) 및 전계 방출 표시 장치(field emission display; FED) 등이 있다. Flat panel displays, called next generation displays, include liquid crystal displays (LCDs), organic light-emitting display devices (OLEDs), plasma display panels (PDPs), and field emission displays. (field emission display; FED), and the like.

이러한 차세대 평판 표시 장치는 유리 기판을 사용하여 제작되는 경우가 일반적이다. 그러나, 미래에 요구되고 있는 두루마리 형태의 디스플레이, 전자책 등과 같은 디스플레이는 유리 기판을 가지고서는 실현하기 어렵다. 따라서, 플렉시블(flexible) 기판을 사용하여 유연한 평판 표시 장치를 구현하고자 하는 연구가 진행중이다. Such next-generation flat panel display devices are generally manufactured using a glass substrate. However, scroll-type displays, e-books, and the like, which are required in the future, are difficult to realize with glass substrates. Accordingly, research into realizing a flexible flat panel display using a flexible substrate is underway.

특히, OLED는 플라스틱 또는 금속 등과 같은 플렉시블 기판을 이용할 수 있어 가볍고 두루마리 형태의 평판 표시 장치, 즉 플렉시블 평판 표시 장치(Flexible Flat Panel Display)를 실현할 수 있는 가능성을 가지고 있다는 점에서 커다란 관심의 대상이 되고 있다.In particular, OLED is of great interest in that it has the potential to realize a flexible, flat panel display, that is, a flexible flat panel display, by using a flexible substrate such as plastic or metal. have.

이러한 플렉시블 평판 표시 장치를 제작하는 여러 가지의 공정 중에는, 기판 상부에 형성된 막 등을 건식 식각(dry etching)을 이용하여 식각하는 공정이 많이 포함되어 있다. 이러한 건식 식각 공정은 건식 식각 장치 내에서 이루어지는바, 상기 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극 상에 식각 대상 물질이 형성된 플렉시블 기판이 놓여진다. 이때, 플렉시블 기판이 금속과 같은 물질로 이루어진 경우에는 높은 전압이 가해졌을 때 상기 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극과 금속으로 이루어진 플렉시블 기판 사이에서 아킹(arcing) 현상이 발생할 수 있다. 아킹 현상은 식각 대상 물질의 식각시 사용되는 높은 파워에 의해 전극이 녹거나 필링(peeling)이 일어나게 되는 현상을 말한다. 이로 인하여, 전극이 손상될 우려가 있 고 상기 플렉시블 기판 상에 파티클이 발생 할 수 있는 문제점이 있다. Among various processes of manufacturing such a flexible flat panel display device, a process of etching a film or the like formed on the substrate by dry etching is included. The dry etching process is performed in a dry etching apparatus, and a flexible substrate on which an etching target material is formed is placed on an electrode formed in the dry etching apparatus. In this case, when the flexible substrate is made of a material such as a metal, arcing may occur between an electrode formed in the dry etching apparatus and a flexible substrate made of metal when a high voltage is applied. Arcing refers to a phenomenon in which the electrode melts or peels due to high power used during etching of the material to be etched. For this reason, there is a risk that the electrode may be damaged and particles may occur on the flexible substrate.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 건식 식각 공정시 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극과 플렉시블 기판 사이에서 발생할 수 있는 아킹(arcing) 현상을 방지할 수 있는 평판 표시 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to solve the above-described problems of the prior art, it is possible to prevent the arcing (arcing) that may occur between the electrode and the flexible substrate formed in the dry etching apparatus during the dry etching process The purpose is to provide a flat panel display device.

상기 기술적 과제들을 이루기 위하여 본 발명은 평판 표시 장치를 제공한다. 상기 장치는 적어도 1 이상의 박막트랜지스터 및 디스플레이 소자가 형성되어 있는 평판 표시 장치에 있어서, 플렉시블(flexible) 기판의 적어도 하부면에 절연막이 형성되어 있다. 이로써, 건식 식각 공정시 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극과 플렉시블 기판 사이에서 발생할 수 있는 아킹(arcing)을 방지할 수 있다. 상기 절연막은 상기 플렉시블 기판의 하부면 및 측면에 형성되어 있을 수 있다. 즉, 플렉시블 기판의 하부면 뿐만 아니라 좌, 우 측면 및 앞, 뒤 측면에도 형성할 수 있다. In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a flat panel display. The device is a flat panel display device in which at least one thin film transistor and a display element are formed, and an insulating film is formed on at least a lower surface of the flexible substrate. As a result, arcing that may occur between the electrode formed in the dry etching apparatus and the flexible substrate during the dry etching process may be prevented. The insulating layer may be formed on the bottom and side surfaces of the flexible substrate. That is, it can be formed not only on the lower surface of the flexible substrate, but also on the left, right, and front and back sides.

상기 플렉시블 기판은 금속으로 이루어질 수 있으며 특히, SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 것일 수 있다. The flexible substrate may be made of metal, and in particular, may be made of SUS (Steel Use Stainless).

상기 절연막은 유기물질로 이루어진 것일 수 있으며 특히, SOG(Spin On Glass)로 이루어지는 것이 바람직하다. The insulating layer may be made of an organic material, and in particular, it is preferable that the insulating layer is made of SOG (Spin On Glass).

상기 절연막은 무기물질로 이루어진 것일 수 있으며, 그 중에서도 비정질 실 리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 무기물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연막은 화학기상증착(CVD)법 또는 물리기상증착(PVD)법에 의해 형성할 수 있다.The insulating film may be made of an inorganic material, and among them, may be made of any one inorganic material selected from the group consisting of amorphous silicon, silicon oxide film, silicon nitride film, and silicon oxynitride film. The insulating film may be formed by chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD).

상기 평판 표시 장치는 유기 전계 발광 표시 장치일 수 있으며, 상기 박막트랜지스터는 유기 박막트랜지스터 또는 나노 입자로 이루어진 박막트랜지스터일 수 있다.The flat panel display may be an organic light emitting display, and the thin film transistor may be an organic thin film transistor or a thin film transistor formed of nanoparticles.

이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings in order to describe the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 단면 구조도이다.1 is a cross-sectional structural view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 플렉시블 표시 장치를 구현하기 위하여 플렉시블 기판(100)이 구비되어 있다. 상기 플렉시블 기판(100)은 잘 휠 수 있는 유연한 기판으로서, 금속으로 이루어진 기판일 수 있다. 상기 플렉시블 기판(100)으로 사용되는 금속으로서 SUS(Steel Use Stainless)를 흔히 사용할 수 있다. SUS는 스테인레스강을 의미하며, JIS(일본공업규격)의 재료 표기 기호이다. KS(한국공업규격)에서의 재료표기인 STS와 같은 뜻이다. Referring to FIG. 1, a flexible substrate 100 is provided to implement a flexible display device. The flexible substrate 100 is a flexible substrate that can be bent well, and may be a substrate made of metal. Stainless steel (SUS) may be commonly used as the metal used as the flexible substrate 100. SUS stands for stainless steel and is a material notation symbol of JIS (Japanese Industrial Standard). It is the same as STS, the material notation in KS (Korean Industrial Standard).

상기 플렉시블 기판(100) 하부면에 절연막(110)이 형성되어 있다. 상기 절연막(110)은 후속 공정인 건식 식각 공정 중에 발생할 수 있는 아킹(arcing) 현상을 방지하기 위하여 형성한 막이다. 도 1에서는 플렉시블 기판(100) 하부면에 상기 절연막(110)이 형성된 것을 예시하였으나 이에 한하지 않고, 상기 플렉시블 기판 (100)의 하부면을 비롯하여 좌, 우 측면 및 앞, 뒤 측면에도 형성할 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 플렉시블 기판(100)의 모든 면에 절연막을 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 플렉시블 기판(100) 상에 형성되는 절연막은 후술할 버퍼층의 역할을 담당할 수 있다.An insulating layer 110 is formed on the lower surface of the flexible substrate 100. The insulating layer 110 is a film formed to prevent an arcing phenomenon that may occur during the dry etching process, which is a subsequent process. In FIG. 1, the insulating layer 110 is formed on the lower surface of the flexible substrate 100. have. In addition, an insulating film may be formed on all surfaces of the flexible substrate 100. In this case, the insulating film formed on the flexible substrate 100 may serve as a buffer layer to be described later.

상기 절연막(110)은 유기물질을 이용하여 형성할 수 있다. 특히, SOG(Spin On Glass)를 이용하여 형성할 수 있다. 상기 SOG는 반도체, 평판 표시 장치 분야에서 많이 사용하고 있는 물질로서, 코팅(coating)과 베이킹(baking)의 공정으로 이루어진다. 상기 SOG는 간단한 공정으로 막을 형성할 수 있다는 장점이 있다.The insulating layer 110 may be formed using an organic material. In particular, it may be formed using spin on glass (SOG). The SOG is a material widely used in the field of semiconductors and flat panel displays, and is made of a coating and baking process. The SOG has an advantage of forming a film by a simple process.

또한, 상기 절연막(110)은 무기물질을 이용하여 형성할 수 있다. 특히, 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 등으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 무기물질을 이용하여 형성할 수 있다. In addition, the insulating layer 110 may be formed using an inorganic material. In particular, it may be formed using any one inorganic material selected from the group consisting of amorphous silicon, silicon oxide film, silicon nitride film and silicon oxynitride film.

상기 무기물질을 이용한 절연막(110)은 증착에 의하여 형성할 수 있다. 증착 방법으로서 여러가지 방법을 이용할 수 있으며, 화학기상증착(CVD)법 또는 물리기상증착(PVD)법에 의해 형성할 수 있다.The insulating layer 110 using the inorganic material may be formed by deposition. Various methods can be used as the vapor deposition method, and can be formed by chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD).

화학기상증착법은 화학 반응을 통하여 원하는 물질의 박막을 얻는 방법으로서, 상기 무기 절연막을 형성하는데 이용할 수 있다. Chemical vapor deposition is a method of obtaining a thin film of a desired material through a chemical reaction, it can be used to form the inorganic insulating film.

물리기상증착법은 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동 에너지를 가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 하여 박막층이 만들어지게 하는 방법으로써, 스퍼터링과 진공 증착으로 나눌 수 있다. Physical vapor deposition is a method in which sputtering and vacuum deposition are performed by applying energy to a substrate or agglomerate of a desired thin film material so that the material having kinetic energy is physically separated and stacked on another substrate to form a thin film layer.

상기 절연막(110)이 형성된 플렉시블 기판(100) 상에 버퍼층(120)이 형성되 어 있다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.The buffer layer 120 is formed on the flexible substrate 100 on which the insulating layer 110 is formed. The buffer layer 120 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a multilayer thereof.

상기 버퍼층(120) 상에 반도체층(130)이 형성되어 있다. 상기 반도체층(130)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 반도체층(130) 상에 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(140)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산질화막 또는 이들의 다중층일 수 있다.The semiconductor layer 130 is formed on the buffer layer 120. The semiconductor layer 130 may be an amorphous silicon film or a polycrystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film. The gate insulating layer 140 is formed on the semiconductor layer 130. The gate insulating layer 140 may be a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a multilayer thereof.

상기 게이트 절연막(140) 상에 상기 반도체층(130)과 중첩하는 게이트 전극(145)이 형성되고, 상기 게이트 전극(145) 및 상기 반도체층(130) 상에 제 1 층간절연막(150)이 형성되어 있다. 상기 제 1 층간절연막(150) 내에 상기 반도체층(130)의 양 단부들을 각각 노출시키는 콘택홀들이 형성된다. 형성된 콘택홀들을 통하여 상기 노출된 반도체층(130)의 양 단부들에 각각 접하는 소오스 전극(160)과 드레인 전극(165)이 형성되어 있다. 상기 반도체층(1300), 상기 게이트 전극(145), 상기 소오스 전극(160) 및 상기 드레인 전극(165)은 박막트랜지스터를 형성한다. A gate electrode 145 overlapping the semiconductor layer 130 is formed on the gate insulating layer 140, and a first interlayer insulating layer 150 is formed on the gate electrode 145 and the semiconductor layer 130. It is. Contact holes are formed in the first interlayer insulating layer 150 to expose both ends of the semiconductor layer 130, respectively. Source electrodes 160 and drain electrodes 165 are formed to contact both ends of the exposed semiconductor layer 130 through the formed contact holes. The semiconductor layer 1300, the gate electrode 145, the source electrode 160, and the drain electrode 165 form a thin film transistor.

상기 박막트랜지스터로서 상술한 무기 박막트랜지스터 뿐만 아니라, 유기 박막트랜지스터(OTFT: Organic TFT) 또는 나노(nano) 입자로 이루어진 박막트랜지스터를 사용할 수 있다. 상기 유기 박막트랜지스터는 반도체층이 유기막으로 이루어진 박막트랜지스터를 의미하고, 상기 반도체층을 비롯한 모든 구성요소가 유기물로 이루어지는 것이 바람직하다. 이러한 OTFT를 표시 장치에 적용할 경우, 유기물의 특성인 유연성(flexibility)으로 인해 무기 박막트랜지스터로는 구현하기 힘든 두 루마리 표시 장치, 전자책 등에 적용할 수 있다. 상기 나노 입자로 이루어진 박막트랜지스터라 함은 반도체층이 나노(10억 분의 1m) 입자로 이루어진 박막트랜지스터를 의미하고, 탄소나노튜브를 이용한 박막트랜지스터를 사용할 수 있다. As the thin film transistor, not only the above-described inorganic thin film transistor, but also a thin film transistor made of an organic thin film transistor (OTFT: Organic TFT) or nanoparticles may be used. The organic thin film transistor means a thin film transistor in which a semiconductor layer is formed of an organic film, and preferably, all components including the semiconductor layer are made of an organic material. When the OTFT is applied to a display device, it may be applied to a scroll display device or an e-book which is difficult to implement in an inorganic thin film transistor due to flexibility, which is a characteristic of an organic material. The thin film transistor made of nanoparticles means a thin film transistor made of nanoparticles (1 billionth of a meter) of the semiconductor layer, and a thin film transistor using carbon nanotubes may be used.

상기 소오스/드레인 전극들(160, 165) 상에 제 2 층간절연막(170)이 형성되어 있다. 상기 제 2 층간절연막(170)은 패시베이션막, 평탄화막 또는 이들의 이중층일 수 있다. 상기 패시베이션막은 기체 및 수분을 효과적으로 차단할 수 있는 막으로 실리콘 질화막인 것이 바람직하다. 상기 평탄화막은 하부 단차를 완화할 수 있는 막으로 BCB(benzocyclobutene)막, 폴리이미드막 또는 폴리아크릴막일 수 있다.A second interlayer insulating layer 170 is formed on the source / drain electrodes 160 and 165. The second interlayer insulating film 170 may be a passivation film, a planarization film, or a double layer thereof. The passivation film is a silicon nitride film that can effectively block gas and moisture. The planarization film may be a benzocyclobutene (BCB) film, a polyimide film, or a polyacrylic film as a film that can alleviate lower steps.

상기 제 2 층간절연막(170) 내에 상기 드레인 전극(165)을 노출시키는 비아홀이 형성되어 있다. 비아홀 통해 상기 노출된 드레인 전극(132)에 접속하는 제 1 전극(180)이 형성되어 있다. 상기 제 1 전극(180)은 애노드일 수 있으며, 이 경우, 상기 제 1 전극(180)은 투명전극일 수 있다. 상기 투명전극은 ITO (Indium Tin Oxide)막 또는 IZO (Indium Zinc Oxide)막일 수 있다.A via hole exposing the drain electrode 165 is formed in the second interlayer insulating layer 170. A first electrode 180 is connected to the exposed drain electrode 132 through a via hole. The first electrode 180 may be an anode, and in this case, the first electrode 180 may be a transparent electrode. The transparent electrode may be an indium tin oxide (ITO) film or an indium zinc oxide (IZO) film.

상기 제 1 전극(180) 상에 상기 제 1 전극(180)의 적어도 일부영역을 노출시키는 개구부를 갖는 화소정의막(pixel defining layer; 185)이 형성되어 있다. 상기 개구부에 의해 유기전계발광표시장치의 발광영역이 정의된다. 상기 화소정의막(185)은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴계 포토레지스트, 페놀계 포토레지스트, 이미드계 포토레지스트로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.A pixel defining layer 185 having an opening exposing at least a portion of the first electrode 180 is formed on the first electrode 180. The light emitting area of the organic light emitting display device is defined by the opening. The pixel defining layer 185 may be formed using one material selected from the group consisting of benzocyclobutene (BCB), acrylic photoresist, phenolic photoresist, and imide photoresist.

상기 노출된 제 1 전극(180) 상에 적어도 발광층을 구비하는 유기막층 패턴(190)을 형성한다. 상기 유기막층 패턴(190)은 상기 발광층의 상부 또는 하부에 위치하는 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 층을 더 구비하도록 형성될 수 있다.An organic layer pattern 190 including at least a light emitting layer is formed on the exposed first electrode 180. The organic layer pattern 190 may be formed to further include at least one layer selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer positioned above or below the emission layer. Can be.

상기 유기막층 패턴(190) 상에 제 2 전극(195)을 형성한다. 상기 제 2 전극은 캐소드일 수 있다. 이 경우, 상기 불순물은 인(phosphorous) 또는 비소(arsenic)일 수 있다. 상기 제 1 전극(180), 상기 유기막층 패턴(190), 상기 제 2 전극은 유기전계발광다이오드를 형성한다. The second electrode 195 is formed on the organic layer pattern 190. The second electrode may be a cathode. In this case, the impurities may be phosphorous or arsenic. The first electrode 180, the organic layer pattern 190, and the second electrode form an organic light emitting diode.

도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 제조함에 있어서, 식각 대상 물질이 형성된 플렉시블 기판이 투입된 건식 식각 장치의 모식도이다. 건식 식각이라 함은 이온 충격에 의한 물리적 방법이나 플라즈마 속에서 발생된 반응 물질들의 화학작용 또는, 이온, 전자, 광자 등에 의해 이루어지는 화학작용으로서 물리적 화학적 두 현상이 동시에 적용된 방법을 이용하여 식각하는 방법을 말한다. FIG. 2 is a schematic view of a dry etching apparatus in which a flexible substrate on which an etching target material is formed is inserted in manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. Dry etching refers to a method of etching using a physical method by ion bombardment or a chemical reaction of reactants generated in plasma, or a chemical reaction by ions, electrons, photons, etc. Say.

도 2를 참조하면, 상기 건식 식각 장치(200)는 반응 이온 식각 장치(RIE:Reactive Ion Etcher)로서, 건식 식각 공정에서 사용할 수 있는 다양한 건식 식각 장치 중 하나로서 예를 든 것이다. Referring to FIG. 2, the dry etching apparatus 200 is a reactive ion etching apparatus (RIE: Reactive Ion Etcher), which is an example of one of various dry etching apparatuses that may be used in a dry etching process.

상기 반응 이온 식각 장치는 반응 스퍼터 또는 저압 다이오드 반응 식각 장치라고도 한다. 챔버(210) 내부에는 하위 전극(220)과 상위 전극(230)이 구비되어 있고, 상기 하위 전극(220) 및 상위 전극(230)은 상기 챔버(210) 외부에 장착된 RF발생기와 연결되어 있다. 진공펌프를 이용하여 상기 챔버(210) 내부를 진공으로 유 지한다. 상기 하위 전극(220) 상에는 절연막(260)이 형성되어 있는 금속으로 이루어진 플렉시블 기판(250)이 놓여져 있으며, 상기 플렉시블 기판(250) 상에는 건식 식각에 의한 식각 공정이 요구되는 식각 대상 물질(270)이 형성되어 있다. The reactive ion etching device may also be referred to as a reactive sputter or a low voltage diode reactive etching device. The lower electrode 220 and the upper electrode 230 are provided in the chamber 210, and the lower electrode 220 and the upper electrode 230 are connected to an RF generator mounted outside the chamber 210. . A vacuum pump is used to maintain the inside of the chamber 210 in a vacuum. A flexible substrate 250 made of a metal on which the insulating layer 260 is formed is disposed on the lower electrode 220, and an etching target material 270 that requires an etching process by dry etching is disposed on the flexible substrate 250. Formed.

마주 보고 있는 두 개의 평행판형 전극 즉, 하위 전극(220)과 상위 전극(230)에 RF파워를 인가하여 플라즈마(240)를 발생시키고, 상기 플라즈마(240) 상태에서 반응성가스를 활성화시켜 상기 식각 대상 물질(270)에 화학반응을 일으켜 휘발성물질로 만들어 식각한다. 식각 공정에 사용하는 반응성 가스로는 CF4, Ar, O2가스를 사용할 수 있다. Plasma 240 is generated by applying RF power to two parallel plate-shaped electrodes facing each other, that is, the lower electrode 220 and the upper electrode 230, and by activating a reactive gas in the plasma 240 state, the etching target Chemical reaction occurs on the material 270 to volatile the material. As the reactive gas used in the etching process, CF 4, Ar, O 2 gas may be used.

이때, 상기 하위 전극(220) 상에 놓여진 플렉시블 기판(250)은 SUS와 같은 금속으로 이루어졌으나, 상기 플렉시블 기판(260)의 적어도 하부면에 절연막(260)이 형성되어 있기 때문에 높은 RF파워가 가해지더라도 상기 하위 전극(220)과 금속으로 이루어진 상기 플렉시블 기판(260) 사이에 아킹(arcing) 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 아킹 현상에 의해 발생할 수 있는 파티클도 방지할 수 있게 된다. At this time, the flexible substrate 250 placed on the lower electrode 220 is made of a metal such as SUS, but since the insulating film 260 is formed on at least a lower surface of the flexible substrate 260, high RF power is applied. Even if it is possible to prevent the occurrence of arcing (arcing) between the lower electrode 220 and the flexible substrate 260 made of a metal. As a result, particles that may be generated due to arcing may be prevented.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 금속과 같은 플렉시블 기판의 적어도 하부면에 절연막을 형성하여 줌으로써, 건식 식각 공정시 건식 식각 장치 내에 형성되어 있는 전극과 플렉시블 기판 사이에서 발생할 수 있는 아킹(arcing) 현상을 방지할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 아킹이 발생할 때 형성될 수 있는 파티클을 방지할 수 있는 효과도 있다. As described above, according to the present invention, by forming an insulating film on at least a lower surface of a flexible substrate such as a metal, an arcing phenomenon that may occur between an electrode formed in the dry etching apparatus and the flexible substrate during a dry etching process. It provides an advantage that can be prevented. In addition, there is an effect that can prevent particles that can form when arcing occurs.                     

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

Claims (12)

적어도 1 이상의 박막트랜지스터 및 디스플레이 소자가 형성되어 있는 평판 표시 장치에 있어서,A flat panel display having at least one thin film transistor and a display element formed thereon, 플렉시블(flexible) 기판의 적어도 하부면에 절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.A flat panel display device, characterized in that an insulating film is formed on at least a lower surface of the flexible substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연막은 상기 플렉시블 기판의 하부면 및 측면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating film is formed on the bottom and side surfaces of the flexible substrate. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 플렉시블 기판은 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the flexible substrate is made of metal. 제 3 항에 있어서,       The method of claim 3, wherein 상기 플렉시블 기판은 SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치. And the flexible substrate is made of SUS (Steel Use Stainless). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연막은 유기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating layer is made of an organic material. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 절연막은 SOG(Spin On Glass)로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating layer is made of SOG (Spin On Glass). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연막은 무기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating layer is made of an inorganic material. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 절연막은 비정질 실리콘, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 무기물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating film is made of any one inorganic material selected from the group consisting of amorphous silicon, silicon oxide film, silicon nitride film, and silicon oxynitride film. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 절연막은 화학기상증착(CVD)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the insulating film is formed by chemical vapor deposition (CVD). 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 절연막은 물리기상증착(PVD)법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 평 판 표시 장치.And the insulating film is formed by physical vapor deposition (PVD). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 평판 표시 장치는 유기 전계 발광 표시 장치인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the flat panel display is an organic electroluminescent display. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막트랜지스터는 유기 박막트랜지스터 또는 나노 입자로 이루어진 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the thin film transistor is an organic thin film transistor or a thin film transistor made of nanoparticles.
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