KR100799121B1 - 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66568—Lateral single gate silicon transistors
- H01L29/66613—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation
- H01L29/66621—Lateral single gate silicon transistors with a gate recessing step, e.g. using local oxidation using etching to form a recess at the gate location
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 상부에 희생산화막패턴이 형성된 반도체 기판을 선택적으로 소정식각하여 제1리세스를 형성하는 단계;상기 제1리세스의 측벽에 스페이서산화막을 형성하는 단계;Cl2 또는 HBr을 첨가한 플라즈마로 제1리세스 아래의 반도체 기판을 등방성 식각하여 제1리세스보다 폭이 크고 라운드진 제2리세스를 형성하는 단계;상기 스페이서산화막을 제거하는 단계; 및상기 제1리세스와 제2리세스로 이루어진 리세스에 일부 매립되고 일부는 반도체 기판 상에 돌출되는 게이트패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,제2리세스를 형성하는 단계는,CF4, He 및 O2 의 혼합가스를 메인가스로 실시하되, 상기 Cl2 또는 HBr을 첨가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 삭제
- 제2항에 있어서,상기 혼합가스에서,CF4는 30sccm∼80sccm의 유량, He는 50sccm∼300sccm의 유량, O2는 10sccm∼50sccm의 유량으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서,상기 스페이서산화막과의 고선택비를 갖는 가스는,CF4가스의 1/3∼1/5의 유량을 사용하되, 6sccm∼27sccm의 유량으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항 내지 제5항에 있어서,상기 제2리세스를 형성하는 단계는,TCP, ICP, MDS, ECR 또는 헬리칼타입의 플라즈마 소스에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 제2리세스를 형성하는 단계는,20mT∼100mT의 압력, 500W∼1500W의 소스파워를 인가하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1리세스와 제2리세스를 형성하는 단계는,동일챔버에서 인시튜로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 삭제
- 제9항에 있어서,상기 스페이서산화막은 500℃∼700℃의 중온에서 제1리세스의 측벽에 50Å∼100Å의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2리세스를 형성한 후,플라즈마 산화공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제11항에 있어서,상기 플라즈마 산화공정은 CDE공법으로 실시하되, CF4/He/O2를 12:100:30의 비율로 혼합하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 플라즈마 산화공정은 50Å을 타겟으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반 도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 스페이서산화막을 제거하는 단계는,습식식각을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 습식식각은 HF 또는 BOE로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050127736A KR100799121B1 (ko) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
US11/411,891 US7507651B2 (en) | 2005-12-22 | 2006-04-27 | Method for fabricating semiconductor device with bulb shaped recess gate pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050127736A KR100799121B1 (ko) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070066484A KR20070066484A (ko) | 2007-06-27 |
KR100799121B1 true KR100799121B1 (ko) | 2008-01-29 |
Family
ID=38194408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050127736A KR100799121B1 (ko) | 2005-12-22 | 2005-12-22 | 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7507651B2 (ko) |
KR (1) | KR100799121B1 (ko) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100799121B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2008-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
US7422960B2 (en) | 2006-05-17 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming gate arrays on a partial SOI substrate |
US7537994B2 (en) * | 2006-08-28 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices, assemblies and constructions |
KR100869359B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 리세스 게이트 제조 방법 |
KR100819671B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 형성 방법 |
KR20080037809A (ko) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 형성 방법 |
US7858476B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-12-28 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for fabricating semiconductor device with recess gate |
KR100823176B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2008-04-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 형성 방법 |
KR100910870B1 (ko) * | 2007-06-26 | 2009-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직 채널 트랜지스터를 구비한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR101374335B1 (ko) * | 2007-09-10 | 2014-03-17 | 삼성전자주식회사 | 국부적으로 두꺼운 유전막을 갖는 리세스 채널트랜지스터의 제조방법 및 관련된 소자 |
KR100929308B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2009-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2012134395A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9263455B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-02-16 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an array of conductive lines and methods of forming an array of recessed access gate lines |
DE102014104239A1 (de) | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zur Beschichtung von Kavitäten eines Halbleitersubstrats |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4763179A (en) | 1984-12-05 | 1988-08-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
JP2001244325A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子 |
JP2003007676A (ja) | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100539265B1 (ko) * | 2004-05-28 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 리세스 채널 mosfet 제조방법 |
US20060113590A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming a recess structure, recessed channel type transistor and method of manufacturing the recessed channel type transistor |
US7560359B2 (en) * | 2004-11-26 | 2009-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming asymmetric recesses and gate structures that fill such recesses and related methods of forming semiconductor devices that include such recesses and gate structures |
KR100744068B1 (ko) * | 2005-04-29 | 2007-07-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
KR100625126B1 (ko) * | 2005-08-16 | 2006-09-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 이의 제조 방법 |
KR100707803B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2007-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100700332B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-03-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라스크형 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100733446B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2007-06-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라스크형 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100744658B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플라스크형 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100799121B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2008-01-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 벌브 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100720232B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 핀 구조의 반도체 소자의 형성방법 |
KR100735534B1 (ko) * | 2006-04-04 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 나노 크리스탈 비휘발성 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조방법 |
KR100739532B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-07-13 | 삼성전자주식회사 | 매몰 비트라인 형성 방법 |
US7572704B2 (en) * | 2006-12-27 | 2009-08-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming metal pattern and method for forming gate electrode in semiconductor device using the same |
-
2005
- 2005-12-22 KR KR1020050127736A patent/KR100799121B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-27 US US11/411,891 patent/US7507651B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4763179A (en) | 1984-12-05 | 1988-08-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
JP2001244325A (ja) | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子 |
JP2003007676A (ja) | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7507651B2 (en) | 2009-03-24 |
US20070148934A1 (en) | 2007-06-28 |
KR20070066484A (ko) | 2007-06-27 |
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161125 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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|
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