KR100795006B1 - 오프셋 전압 측정 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 피드백 전압에 응답하여 전류 변화량을 가지는 복수개의 측정 노드를 구비하는 오프셋 전압 측정 수단; 및상기 오프셋 접압 측정 수단의 출력 신호가 출력되는 동일한 노드로부터 생성되는 상기 복수개의 피드백 전압을 상기 오프셋 전압 측정 수단에 피드백시키되, 상기 복수개의 피드백 전압은 일정한 비율로 가변되어 서로 다른 전압 레벨을 갖는 오프셋 전압 증폭 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 오프셋 전압 측정 수단은,상기 측정 노드로 동일 전류를 흐르게 하는 전류 미러부;상기 전류 미러부에 연결되고 상기 측정 노드를 구비하는 측정 노드부; 및상기 측정 노드부에 연결되고 구동 신호를 입력으로 하는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 측정 노드는 측정 소자와 연결되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 오프셋 전압 측정 수단은,차동 증폭기 형태임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 피드백 전압은 제 1 피드백 전압 및 제 2 피드백 전압으로 구성되고,상기 오프셋 전압 증폭 수단은,상기 출력 신호에 응답하여 외부 전원을 인가받아 상기 출력 전압을 출력하는 스위칭부;상기 스위칭부와 접지 전원 사이에 연결되어 상기 제 1 피드백 전압을 출력하는 제 1 피드백 전압 생성부; 및상기 스위칭부와 상기 접지 전원 사이에 상기 제 1 피드백 전압 생성부와 병렬로 연결되어 상기 제 2 피드백 전압을 출력하는 제 2 피드백 전압 생성부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 측정 노드부는 상기 전류 미러부와 연결되는 제 1 측정 노드와 제 2 측정 노드, 상기 구동부와 연결되는 제 3 측정 노드와 제 4 측정 노드를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 측정 노드 및 상기 제 3 측정 노드에 제 1 측정 소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 2 측정 노드 및 상기 제 4 측정 노드에 제 2 측정 소자가 연결되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 측정 소자 및 상기 제 2 측정 소자는 트랜지스터임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 전류 미러부는,소스 단이 상기 외부 전원에 연결되고 드레인 단이 상기 제 1 측정 노드와 연결되는 제 1 피모스 트랜지스터; 및소스 단이 상기 외부 전원에 연결되고 드레인 단이 상기 제 2 측정 노드와 연결되며 게이트 단이 상기 제 2 측정 노드와 상기 제 1 피모스 트랜지스터의 게이트 단과 연결되는 제 2 피모스 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 구동부는,게이트 단에 상기 구동 신호를 입력받고 드레인 단이 상기 제 3 측정 노드 및 상기 제 4 측정 노드에 연결되고 소스 단이 상기 접지 전원에 연결되는 제 1 엔모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 측정 소자는 게이트 단에 상기 제 1 피드백 전압을 입력 받고 드레인 단이 상기 제 1 측정 노드에 연결되고 소스 단이 상기 제 3 측정 노드에 연결되는 엔모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 측정 소자는 게이트 단에 상기 제 2 피드백 전압을 입력 받고 드레인 단이 상기 제 2 측정 노드에 연결되고 소스 단이 상기 제 4 측정 노드에 연결되는 엔모스 트랜지스터임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 피드백 전압 생성부는,상기 출력 전압에 응답하여, 상기 제 1 피드백 전압을 소정 레벨 만큼 변동 시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 피드백 전압 생성부는,상기 출력 전압에 응답하여, 상기 제 2 피드백 전압을 상기 소정 레벨보다 많이 변동시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 15 항에 있어서,상기 스위칭부는,게이트 단에 상기 출력 신호가 입력되고 소스 단이 상기 외부 전원에 연결되는 피모스 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 1 피드백 전압 생성부는,상기 피모스 트랜지스터의 드레인 단에 연결된 제 1 저항 소자; 및상기 제 1 저항 소자와 상기 접지 전원 사이에 연결된 다이오드 형태의 제 1 트랜지스터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 2 피드백 전압 생성부는,상기 피모스 트랜지스터의 드레인 단에 연결된 제 2 저항 소자;상기 제 2 저항 소자와 직렬로 연결된 제 3 저항 소자; 및상기 제 3 저항 소자와 상기 접지 전원 사이에 연결된 다이오드 형태의 제 2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 1 저항 소자 및 상기 제 2 저항 소자는 동일 저항 값을 갖는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 19 항에 있어서,상기 제 1 저항 소자 및 상기 제 1 트랜지스터의 접속 단에서 상기 제 1 피드백 전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 제 2 저항 소자 및 상기 제 3 저항 소자의 접속 단에서 상기 제 2 피드백 전압이 출력되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 21 항에 있어서,상기 제 1 트랜지스터 및 상기 제 2 트랜지스터는 바이폴라 졍션 트랜지스터 임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 1 피드백 전압 및 제 2 피드백 전압에 응답하여 전류 변화량을 가지는 복수개의 측정 노드를 구비하는 오프셋 전압 측정 수단; 및상기 오프셋 전압 측정 수단의 출력 신호에 응답하여, 상기 제 1 피드백 전압 및 상기 제 2 피드백 전압 사이의 차동 전압의 증폭에 응답하는 전압 변화량을 가지는 출력 전압을 출력하는 오프셋 전압 증폭 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 오프셋 전압 증폭 수단은,상기 출력 전압에 응답하여, 상기 제 1 피드백 전압 및 상기 제 2 피드백 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 오프셋 전압 측정 수단은,상기 측정 노드로 동일 전류를 흐르게 하는 전류 미러부;상기 전류 미러부에 연결되고 상기 측정 노드를 구비하는 측정 노드부; 및상기 측정 노드부에 연결되고 구동 신호를 입력으로 하는 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 25 항에 있어서,제 1 측정 소자 및 제 2 측정 소자가 상기 측정 노드에 연결되는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 23 항에 있어서,상기 오프셋 전압 측정 수단은,차동 증폭기 형태임을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 23 항 또는 제 25 항에 있어서,상기 오프셋 전압 증폭 수단은,상기 출력 신호에 응답하여 외부 전원을 인가받아 상기 출력 전압을 출력하는 스위칭부;상기 스위칭부와 접지 전원 사이에 연결되어 상기 제 1 피드백 전압을 출력하는 제 1 피드백 전압 생성부; 및상기 스위칭부와 상기 접지 전원 사이에 상기 제 1 피드백 전압 생성부와 병렬로 연결되어 상기 제 2 피드백 전압을 출력하는 제 2 피드백 전압 생성부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 피드백 전압 생성부는,상기 출력 전압에 응답하여, 상기 제 1 피드백 전압을 소정 레벨 만큼 변동시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
- 제 29 항에 있어서,상기 제 2 피드백 전압 생성부는,상기 출력 전압에 응답하여, 제 2 피드백 전압을 상기 소정 레벨보다 많이 변동시켜 출력하는 것을 특징으로 하는 오프셋 전압 측정 장치.
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11240613B2 (en) * | 2014-01-30 | 2022-02-01 | Cochlear Limited | Bone conduction implant |
KR102450508B1 (ko) * | 2015-07-09 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 클럭 신호 발생 장치 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970019101A (ko) * | 1995-09-04 | 1997-04-30 | 김광호 | 오프셋 보정회로 |
KR20030088322A (ko) * | 2002-05-14 | 2003-11-19 | 삼성전자주식회사 | 출력 피드백 신호를 사용하여 오프셋 전압을 조절하는입력 수신기 |
JP2004248098A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧電流変換回路 |
JP2005218115A (ja) | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 演算増幅器のオフセット電圧を無効化する装置及び方法 |
KR20070001460A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | Dc출력 오프셋을 제거할 수 있는 장치 및 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148115A (en) * | 1990-04-19 | 1992-09-15 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Load connection state detector circuit |
KR970001910B1 (ko) | 1993-11-27 | 1997-02-18 | 삼성전자 주식회사 | 음성 우편 시스템에서 톤 검출회로 및 방법 |
US6061192A (en) * | 1996-08-19 | 2000-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method and circuit for providing feedback in a pre-amplifier for a multi-head disk drive |
JP3551858B2 (ja) | 1999-09-14 | 2004-08-11 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ装置 |
JP4568982B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | 物理量検出装置 |
GB2394780B (en) * | 2002-10-29 | 2006-06-14 | Ifr Ltd | A method of and apparatus for testing for integrated circuit contact defects |
JP4332358B2 (ja) * | 2003-01-30 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 駆動回路 |
JP4258430B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-04-30 | 日本ビクター株式会社 | 電流センサ |
KR100535124B1 (ko) | 2004-03-24 | 2005-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 오프셋 전압의 증가를 억제시키기 위한 비트라인 센스앰프및 그 비트라인 센스앰프 형성 방법 |
US7221605B2 (en) | 2004-08-31 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Switched capacitor DRAM sense amplifier with immunity to mismatch and offsets |
KR100641704B1 (ko) | 2004-10-30 | 2006-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 및 그 비트라인 센스앰프 옵셋전압측정방법 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970019101A (ko) * | 1995-09-04 | 1997-04-30 | 김광호 | 오프셋 보정회로 |
KR20030088322A (ko) * | 2002-05-14 | 2003-11-19 | 삼성전자주식회사 | 출력 피드백 신호를 사용하여 오프셋 전압을 조절하는입력 수신기 |
JP2004248098A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧電流変換回路 |
JP2005218115A (ja) | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Samsung Electronics Co Ltd | 演算増幅器のオフセット電圧を無効化する装置及び方法 |
KR20070001460A (ko) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | 삼성전자주식회사 | Dc출력 오프셋을 제거할 수 있는 장치 및 방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102684575B1 (ko) | 2019-02-26 | 2024-07-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 수신 회로, 이를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 시스템 |
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