KR100789146B1 - Penetrate-reflection type liquid crystal display panel and method for fabricating thereof - Google Patents

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Abstract

반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 외부 구동 시그널이 인가되도록 마련된 패드부의 일부에 형성된 핀 홀을 통하여 식각 용액이 침투하여 패드부가 부식 또는 식각 되는 것을 방지하기 위하여 패드부 중 핀 홀이 형성되는 부분에 형성된 패드 부식 방지부를 포함한다. 이로 인하여 패드부의 부식에 따른 전기적 특성 저하 및 패드부의 부식에 따른 단선을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.Disclosed are a method of manufacturing a reflective-transmissive liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same. In order to prevent the etching solution from penetrating through the pin hole formed in a portion of the pad portion provided to the external drive signal to prevent corrosion or etching of the pad portion includes a pad corrosion prevention portion formed in the portion where the pin hole is formed. As a result, the electrical characteristics may be reduced due to the corrosion of the pad and the disconnection may be prevented due to the corrosion of the pad.

반사-투과형 액정표시패널Reflective-Transmissive Liquid Crystal Display Panel

Description

반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법{PENETRATE-REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}Reflective-transmissive liquid crystal display panel and its manufacturing method {PENETRATE-REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널 중 TFT 기판의 개념도이다.2 is a conceptual diagram of a TFT substrate in a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 크롬 박막 및 알루미늄 합금 박막이 복층으로 형성된 것을 도시한 공정도이다.3A is a process diagram illustrating that a chromium thin film and an aluminum alloy thin film are formed in a multilayer on a glass substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3b는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 게이트 전극 및 패드가 형성된 것을 도시한 공정도이다.3B is a flowchart illustrating a gate electrode and a pad formed on a glass substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3c는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 3층막이 형성된 것을 도시한 공정도이다.3C is a process diagram illustrating that a three-layer film is formed on a glass substrate according to one embodiment of the present invention.

도 3d는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 형성된 3층막이 패터닝된 것을 도시한 공정도이다.3D is a process diagram illustrating that a three-layer film formed on a glass substrate is patterned according to one embodiment of the present invention.

도 3e는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판의 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 형성한 것을 도시한 공정도이다3E is a flowchart illustrating a thin film transistor formed in an effective display area of a glass substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3f는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판의 상면에 유기 절연막을 더 형성한 것을 도시한 공정도이다. FIG. 3F is a flowchart illustrating the formation of an organic insulating film on the upper surface of the glass substrate according to one embodiment of the present invention. FIG.                 

도 3g는 본 발명의 일실시예에 의하여 유기 절연막에 엠보싱 및 콘택홀을 형성한 것을 도시한 공정도이다.3G is a flowchart illustrating embossing and contact holes formed on an organic insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3h는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 절연막의 상면에 투명 도전막을 형성한 것을 도시한 공정도이다.3H is a process diagram illustrating a transparent conductive film formed on the upper surface of the glass insulating film according to one embodiment of the present invention.

도 3i는 본 발명의 일실시예에 의하여 투명 전극의 상면에 메탈 물질을 더 형성한 것을 도시한 공정도이다.FIG. 3I is a process diagram illustrating further forming a metal material on the upper surface of the transparent electrode according to one embodiment of the present invention. FIG.

도 3j는 본 발명의 일실시예에 의하여 완성된 반사-투과형 액정표시패널을 도시한 공정도이다.3J is a flowchart illustrating a reflection-transmissive liquid crystal display panel completed according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 외부로부터 구동 시그널이 인가되는 패드(pad)의 부식 및 부식에 따른 패드 단선이 발생하지 않도록 한 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reflection-transmissive liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, and particularly, to a reflection-transmissive liquid crystal display panel and a panel disconnection caused by corrosion of a pad to which a driving signal is applied from the outside. It relates to a manufacturing method.

일반적으로 "LCD"라 불리는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)는 액정의 고유한 전기적 특성 및 광학적 특성을 이용하여 디스플레이를 수행하는 표시장치이다.Generally, a liquid crystal display device called a "LCD" is a display device which performs a display by using inherent electrical and optical characteristics of a liquid crystal.

이와 같은 액정표시장치를 구현하기 위해서는 액정뿐만 아니라 미세한 면적 단위로 액정에 전계를 가할 수 있는 기술, 광이 투과 가능하면서 도전성이 뛰어난 물질의 개발, 액정에 가해진 전계가 매우 빠르게 변경될 수 있도록 하는 기술을 필요로 한다.In order to realize such a liquid crystal display device, a technology capable of applying an electric field to a liquid crystal as well as a small area unit, a technology capable of transmitting light with excellent conductivity, and a technology to change an electric field applied to a liquid crystal very quickly need.

미세한 면적 단위로 액정에 전계를 가할 수 있는 기술 및 액정에 가해진 전계를 매우 빠르게 변경하는 기술은 반도체 제조 기술에 의하여 제작되며, 크기가 매우 작고, 응답속도가 빠른 박막 트랜지스터에 의하여 구현이 가능하다. 한편, 광이 투과 가능하면서 도전성이 뛰어난 물질의 개발은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)라 불리는 투명한 도전성 산화막에 의하여 구현된다.The technology for applying an electric field to the liquid crystal in minute area units and the technology for changing the electric field applied to the liquid crystal very quickly are manufactured by semiconductor manufacturing technology, and can be implemented by a thin film transistor having a very small size and a fast response speed. On the other hand, the development of a material that can transmit light and excellent conductivity is implemented by a transparent conductive oxide film called indium tin oxide (Indium Tin Oxide).

이외에도 액정표시장치가 영상을 디스플레이하기 위해서는 "광"을 필요로 한다. 이는 액정 자체는 광의 광량만을 미세 면적 단위로 제어하는 역할을 하기 때문이다.In addition, the liquid crystal display requires "light" to display an image. This is because the liquid crystal itself plays a role of controlling only the light quantity of light in units of minute areas.

이와 같은 이유로 액정표시장치는 "반사형 액정표시장치", "투과형 액정표시장치" 및 "반사-투과형 액정표시장치"로 구분된다.For this reason, the liquid crystal display device is classified into a "reflective liquid crystal display device", a "transmissive liquid crystal display device", and a "reflective-transmissive liquid crystal display device".

이때, 반사형 액정표시장치는 태양광, 실내 조명등을 이용하여 디스플레이를 수행한다. 이와 같은 반사형 액정표시장치는 소비전력이 매우 낮음으로 특히 휴대용 정보처리장치, 예를 들면, 휴대용 컴퓨터, 시계, 휴대용 통신 장비 등에 특히 유용한 장점을 갖는다.In this case, the reflective liquid crystal display performs display using sunlight, room lighting, and the like. Such a reflective liquid crystal display device has a very low power consumption, and thus has a particularly useful advantage such as a portable information processing device, for example, a portable computer, a clock, a portable communication device, and the like.

반면, 반사형 액정표시장치는 디스플레이 여부가 외부광의 존재 여부에 의존하는 단점을 갖는다. 즉, 반사형 액정표시장치는 외부광이 존재하지 않는 곳에서는 디스플레이를 수행할 수 없음을 의미한다.On the other hand, the reflective liquid crystal display device has a disadvantage in that the display depends on the presence of external light. That is, the reflective liquid crystal display device may not perform the display where no external light exists.

반면, 투과형 액정표시장치는 램프를 이용하여 광을 생성한 후, 생성된 광을 액정에 제공하여 디스플레이를 수행한다. 이와 같은 투과형 액정표시장치는 광의 존재 유무에 상관없이 모든 곳에서 디스플레이를 수행할 수 있는 장점을 갖는다. 그러나, 이와 같은 투과형 액정표시장치는 충전된 전원을 소모하여 광을 생성함으로 소비전력량이 매우 큰 단점을 갖는다.On the other hand, the transmissive liquid crystal display generates light using a lamp and then provides the generated light to the liquid crystal to perform display. Such a transmissive liquid crystal display device has an advantage that display can be performed everywhere regardless of the presence or absence of light. However, such a transmissive liquid crystal display device has a disadvantage in that the amount of power consumption is very large by generating light by consuming charged power.

최근 들어, 이와 같은 반사형 액정표시장치의 문제점 및 투과형 액정표시장치의 문제점을 해결하는 반사-투과형 액정표시장치가 개발된 바 있다.Recently, a reflection-transmissive liquid crystal display device has been developed that solves the problems of such a reflective liquid crystal display device and a problem of a transmissive liquid crystal display device.

반사-투과형 액정표시장치는 어두운 곳에서는 투과형 액정표시장치처럼 램프에 의하여 광을 생성하여 디스플레이를 수행하고, 광량이 풍부한 곳에서는 마치 반사형 액정표시장치처럼 외부광을 반사시켜 디스플레이를 수행한다. 이로써 반사-투과형 액정표시장치는 낮은 소비전력 및 어느 곳에서나 디스플레이가 가능한 장점을 모두 갖는다.The reflection-transmissive liquid crystal display performs display by generating light by a lamp in a dark place like a transmissive liquid crystal display, and performs reflection by reflecting external light like a reflective liquid crystal display in a place where the amount of light is abundant. As a result, the reflective-transmissive liquid crystal display device has both low power consumption and an advantage of allowing display anywhere.

이와 같은 반사-투과형 액정표시장치는 반사형 액정표시에서와 같이 외부에서 입사된 외부광을 반사하기에 적합한 반사 전극 구조 및 자체적으로 생성된 광이 반사 전극에 형성된 투과창을 경유하여 액정을 통과하기에 적합한 구조를 모두 만족시켜야 한다.Such a reflection-transmissive liquid crystal display device has a reflective electrode structure suitable for reflecting external light incident from the outside, as in a reflective liquid crystal display, and the generated light passes through the liquid crystal via a transmission window formed in the reflective electrode. All structures suitable for

구체적으로, 반사-투과형 액정표시장치의 경우 먼저 기판의 유효 디스플레이 영역에 매트릭스 형태로 박막 트랜지스터를 형성 및 비유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터와 연결된 패드를 형성한다. 이때, 패드는 일례로 크롬 박막 및 알루미늄 합금 박막의 복층 구조를 갖는다. 이는 패드가 박막 트랜지스터의 복층 게이트 전극을 제작할 때 함께 형성되기 때문이다. Specifically, in the case of a reflective-transmissive liquid crystal display, first, a thin film transistor is formed in a matrix form in an effective display area of a substrate and a pad connected to the thin film transistor is formed in an ineffective display area. In this case, the pad has a multilayer structure of, for example, a chrome thin film and an aluminum alloy thin film. This is because the pads are formed together when fabricating the multilayer gate electrode of the thin film transistor.                         

이때, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에는 알루미늄 합금 박막이 필요하지만 패드에 형성된 알루미늄 합금 박막은 이후 패드의 전기적 성능을 크게 저하시킴으로 패드에 형성된 알루미늄 합금 박막은 제거된다.In this case, an aluminum alloy thin film is required for the gate electrode of the thin film transistor, but the aluminum alloy thin film formed on the pad subsequently deteriorates the electrical performance of the pad, thereby removing the aluminum alloy thin film formed on the pad.

이 과정에서 패드의 목(neck) 부분에는 언더 컷(under cut)에 의한 핀 홀(pin hole)이 형성된다. 이와 같이 핀 홀이 형성된 상태에서 박막 트랜지스터에는 다시 투명 전극 및 반사 전극이 연속하여 형성되는데, 핀 홀에는 반사 전극이 패터닝하는 과정에서 사용되는 식각 용액이 침투하여 패드를 부식 또는 부식에 따라 단선 시키는 문제점을 갖는다.In this process, a pin hole is formed by an under cut in the neck portion of the pad. As described above, the transparent electrode and the reflective electrode are successively formed in the thin film transistor while the pinholes are formed. In this case, the etching solution used in the process of patterning the reflective electrode penetrates, thereby causing the pad to be disconnected due to corrosion or corrosion. Has

이를 방지하기 위해서는 게이트 전극을 단층으로 형성하기나, 게이트 전극을 복층으로 형성할 경우 1 매의 마스크를 더 사용하여 부식 및 단선을 방지할 수 있는 구조를 마련해야 한다.In order to prevent this, the gate electrode is formed in a single layer, but when the gate electrode is formed in multiple layers, a structure that can prevent corrosion and disconnection should be provided by using one more mask.

그러나, 게이트 전극을 단층으로 형성할 경우, 배선 저항 및 배선 쇼트를 발생시킬 수 있으며, 게이트 전극을 복층으로 형성할 경우 마스크 수 증가에 따른 생산성이 크게 저하되는 문제점을 갖는다.However, when the gate electrode is formed in a single layer, wiring resistance and wiring short may be generated, and in the case where the gate electrode is formed in multiple layers, productivity due to the increase in the number of masks is greatly reduced.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제 1 목적은 복층 게이트 전극을 갖으면서도 추가적인 마스크 사용 없이 핀 홀에 의한 패드의 부식 및 부식에 따른 단선이 발생하지 않는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention contemplates such a conventional problem, and the first object of the present invention is a reflection-transmissive type having a multi-layered gate electrode but without corrosion of the pad due to pinholes and corrosion due to the pinhole without using an additional mask. A method of manufacturing a liquid crystal display device is provided.

본 발명의 제 2 목적은 복층 게이트 전극을 갖으면서도 추가적인 마스크 사 용 없이 핀 홀에 의한 패드의 부식 및 부식에 따른 단선이 발생하지 않는 반사-투과형 액정표시장치를 제공함에 있다.It is a second object of the present invention to provide a reflection-transmissive liquid crystal display device having a multilayer gate electrode but not causing corrosion of the pads due to pin holes and disconnection due to the use of an additional mask.

이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위한 반사 투과형 액정표시패널의 제조 방법은 (ⅰ) 유효 디스플레이 영역에 다중 메탈 박막층으로 게이트를 형성 및 기판의 비유효 디스플레이 영역에 형성된 다중 메탈 박막층을 패터닝하여 게이트와 연결된 게이트 패드부를 형성하는 단계, (ⅱ) 게이트의 상면에 채널층 및 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 제조하는 단계, (ⅲ) 유효 디스플레이 영역에는 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀, 비유효 디스플레이 영역에 패드부의 상면이 노출되도록 개구된 개구부를 갖는 절연막을 형성한 후, 패드부를 이루는 다중 메탈 박막 중 노출된 상부 메탈 박막을 식각 하는 단계, (ⅳ) 절연막의 상면에 투명 전극층을 형성한 후 패터닝하는 단계; 및 (ⅴ) 투명 전극층의 상면에 적어도 1 층 이상의 반사 전극층을 형성한 후 유효 디스플레이 영역에는 투과창이 형성되도록 반사 전극층을 패터닝하고, 비유효 디스플레이 영역에는 상부 메탈 박막을 패터닝하는 과정에서 발생한 핀 홀(pin-hole) 부분이 덮이도록 반사 전극층을 패터닝하여 패드 부식 방지수단을 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a reflective transmissive liquid crystal display panel for implementing the first object of the present invention is (i) forming a gate in a multi-metal thin film layer in the effective display area and patterning the multi-metal thin film layer formed in the non-effective display area of the substrate Forming a gate pad portion connected to the gate; (ii) forming a channel layer, a source electrode, and a drain electrode on an upper surface of the gate to fabricate a thin film transistor in an effective display region; and (i) exposing a drain electrode in the effective display region. Forming an insulating film having an opening opening such that the upper surface of the pad portion is exposed in the contact hole and the ineffective display region, and then etching the exposed upper metal thin film among the multiple metal thin films constituting the pad portion, (i) on the upper surface of the insulating film Patterning after forming the transparent electrode layer; And (i) forming at least one reflective electrode layer on the upper surface of the transparent electrode layer, and then patterning the reflective electrode layer so as to form a transmission window in the effective display area, and patterning the upper metal thin film in the ineffective display area. patterning the reflective electrode layer to cover the pin-hole portion to form pad anti-corrosion means.

또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위한 반사 투과형 액정표시패널은 (a) 유효 디스플레이 영역 내부에 복수개로 개별 전원이 인가되며, 다층 메탈 박막으로 이루어진 게이트 전극, 채널층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트 랜지스터 및 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 투명 전극층, 투명 전극층의 상면에 일부가 개구되도록 형성된 반사 전극층을 포함하는 화소, (b) 화소의 게이트 전극에 일측이 연결되고, 타측은 유효 디스플레이 영역을 감싸는 비유효 디스플레이 영역까지 연장되며 비유효 디스플레이 영역에서는 다중 메탈 박막의 최상층이 제거된 전극 패드, (c) 다중 메탈 박막의 최상층을 제거하는 과정에서 발생한 핀 홀 부위를 감싸는 위치에 핀 홀 내부가 부식되면서 전극 패드가 부식되는 것을 방지한 전극 패드 부식 방지부를 포함하는 제 1 기판, 제 1 기판과 대향하며 반사 전극층과 대향하는 공통전극이 형성된 제 2 기판 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함한다.In addition, the reflective transmissive liquid crystal display panel for implementing the second object of the present invention (a) a plurality of individual power is applied to the inside of the effective display area, the gate electrode, channel layer, source electrode and drain electrode made of a multilayer metal thin film A pixel including a thin film transistor having a thin film transistor and a transparent electrode layer connected to a drain electrode of the thin film transistor, a reflective electrode layer formed to partially open on an upper surface of the transparent electrode layer, and (b) one side thereof is connected to the gate electrode of the pixel, and the other side is effective. An electrode pad extending to an invalid display area surrounding the display area, in which the uppermost layer of the multi-metal thin film is removed, and (c) a pinhole at a position surrounding the pin hole portion generated in removing the uppermost layer of the multi-metal thin film. Electrode Pad Corrosion Room to prevent corrosion of the electrode pads Opposite to the first substrate, the first substrate containing part, and a second substrate and the first substrate and the second liquid crystal injected between the substrate having a common electrode opposed to the reflective electrode layer.

이하, 본 발명에 의한 반사 투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a reflective transmissive liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 첨부된 도 1에는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널이 도시되어 있다.First, FIG. 1 shows a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 반사-투과형 액정표시패널(300)은 다시 구동 모듈(100) 및 액정표시패널(200)로 구성된다. 이때, 구동 모듈(100)은 외부에서 인가된 구동 시그널을 처리하여 게이트 구동 시그널 및 데이터 구동 시그널 및 타이밍 신호를 액정표시패널(200)로 전송하는 역할을 한다.Referring to FIG. 1, the reflection-transmissive liquid crystal display panel 300 is composed of the driving module 100 and the liquid crystal display panel 200 again. In this case, the driving module 100 processes the driving signal applied from the outside to transmit the gate driving signal, the data driving signal, and the timing signal to the liquid crystal display panel 200.

액정표시패널(200)은 다시 TFT 기판(210), 액정, 컬러필터기판(290)을 포함한다.The liquid crystal display panel 200 again includes a TFT substrate 210, a liquid crystal, and a color filter substrate 290.

TFT 기판(210)은 도 2에 도시된 바와 같이 다시 화상이 형성되는 "유효 디스 플레이 영역(211)" 및 화상이 형성되지 않으며 패드 등이 형성되는 "비유효 디스플레이 영역(212)"으로 나뉘어진다.The TFT substrate 210 is divided into an "effective display area 211" in which an image is formed again as shown in FIG. 2 and an "invalid display area 212" in which an image is not formed and a pad or the like is formed. .

첨부된 도 2를 참조하면, 유효 디스플레이 영역(211)에는 화상을 디스플레이 하는데 필요한 "화소(220)"들이 형성되고, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 구동 모듈(110,120)로부터 화소(220)로 구동 시그널이 전달되도록 하는 패드(230,240)들이 형성된다.Referring to FIG. 2, "pixels 220" necessary to display an image are formed in the effective display area 211, and the pixels 220 are driven from the driving modules 110 and 120 in the invalid display area 212. Pads 230 and 240 are formed to allow a signal to be transmitted.

다시 도 2를 참조하면, 화소(220)는 다시 박막 트랜지스터(221), 투명 전극(228) 및 반사 전극(229)으로 구성된다.Referring back to FIG. 2, the pixel 220 is composed of the thin film transistor 221, the transparent electrode 228, and the reflective electrode 229.

박막 트랜지스터(221)는 첨부된 도 2 또는 도 3j에 보다 구체적으로 도시되어 있다. 첨부된 도면을 참조하면, 박막 트랜지스터(211)는 다시 게이트 전극(222), 채널층(223), 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225), 게이트 라인(222e) 및 데이터 라인(222f)으로 구성된다.The thin film transistor 221 is shown in more detail in the accompanying FIG. 2 or FIG. 3J. Referring to the accompanying drawings, the thin film transistor 211 is again divided into a gate electrode 222, a channel layer 223, a source electrode 224 and a drain electrode 225, a gate line 222e, and a data line 222f. It is composed.

게이트 전극(222)은 일실시예로 크롬 박막(222c)의 상부에 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 연속하여 형성된 복층 구조를 갖는다. 이 게이트 전극(222)이 형성되는 과정에서 게이트 전극(222)과 연결된 게이트 라인(222e)도 함께 형성된다.In an embodiment, the gate electrode 222 has a multilayer structure in which an aluminum-neodymium thin film 222d is continuously formed on the chromium thin film 222c. In the process of forming the gate electrode 222, the gate line 222e connected to the gate electrode 222 is also formed.

한편, 기판의 전면적에 걸쳐 절연층(222h)이 형성된 상태에서, 절연층(222h) 중 게이트 전극(222)의 상면에는 채널층(223)이 형성된다. 이 채널층(223)은 일실시예로 아몰퍼스 실리콘층(223c)과 n+ 이온으로 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)의 복층 구조를 갖는다. Meanwhile, in a state in which the insulating layer 222h is formed over the entire surface of the substrate, the channel layer 223 is formed on the upper surface of the gate electrode 222 of the insulating layer 222h. In one embodiment, the channel layer 223 has a multilayer structure of an amorphous silicon layer 223c and an n + amorphous silicon layer 223d doped with n + ions.

이때, n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)은 아몰퍼스 실리콘층(223c)의 상면에 상호 쇼트 되지 않도록 2 개의 부분으로 나뉘어진다. 이때, 2 개로 나뉘어진 n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)의 상면에는 각각 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225)이 형성된다. 이때, 소오스 전극(224)에는 데이터 라인(222f)이 연결된다.In this case, the n + amorphous silicon layer 223d is divided into two parts so as not to be shorted to the upper surface of the amorphous silicon layer 223c. At this time, the source electrode 224 and the drain electrode 225 are formed on the upper surface of the n + amorphous silicon layer 223d divided into two. In this case, the data line 222f is connected to the source electrode 224.

한편, 유리 기판에는 데이터 라인(222f)이 개구되도록 콘택홀(226a) 및 표면이 올록볼록하게 엠보싱 처리된 유기 절연막(226)이 배치된다. 엠보싱 처리된 유기 절연막(226)의 표면에는 전면적에 걸쳐 투명 전극(227a)이 형성되고, 투명 전극(227a)의 상면에는 일부분이 개구된 반사 전극(228)이 배치되어 화소(220)가 형성된다.On the other hand, the contact hole 226a and the organic insulating film 226 which embossed the surface so that the data line 222f may be opened are arrange | positioned on the glass substrate. A transparent electrode 227a is formed on the entire surface of the embossed organic insulating layer 226, and a reflective electrode 228 having a part of an opening is disposed on the upper surface of the transparent electrode 227a to form a pixel 220. .

한편, 유효 디스플레이 영역(211)의 외곽에 형성된 비유효 디스플레이 영역(212)에는 화소(220)를 구동하는데 필요한 패드(230,240), 구동 모듈(110,120) 및 플랙시블 프린티드 서킷(130) 등이 형성된다.Meanwhile, pads 230 and 240, a driving module 110 and 120, a flexible printed circuit 130, and the like necessary for driving the pixel 220 are formed in the ineffective display area 212 formed outside the effective display area 211. do.

이 패드(230,240)는 게이트 라인(222e) 및 데이터 라인(222f)의 단부에 형성된다. 이때, 특히 게이트 라인(222e)에 형성되는 패드(230)를 "게이트 패드"라 정의하기로 하며, 데이터 라인(222f)의 단부에 형성되는 패드(240)를 "데이터 패드"라 정의하기로 한다.The pads 230 and 240 are formed at ends of the gate line 222e and the data line 222f. In this case, in particular, the pad 230 formed on the gate line 222e will be defined as a “gate pad”, and the pad 240 formed at the end of the data line 222f will be defined as a “data pad”. .

이때, 게이트 라인(222e)은 게이트 전극(222)과 마찬가지로 크롬 박막 및 알루미늄-네오디뮴 합금으로 이루어진 복층 구조를 갖지만 게이트 패드(230)는 단지 크롬 박막(222c)만으로 구성된다. 이는 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 게이트 패 드(230)에 형성되어 있을 경우 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)의 산화에 따른 게이트 패드(230)의 성능 저하가 발생하기 때문이다.In this case, like the gate electrode 222, the gate line 222e has a multilayer structure made of a chromium thin film and an aluminum-neodymium alloy, but the gate pad 230 includes only the chromium thin film 222c. This is because when the aluminum-neodymium thin film 222d is formed on the gate pad 230, the performance of the gate pad 230 is reduced due to the oxidation of the aluminum-neodymium thin film 222d.

그러나, 이와 같은 이유로 게이트 패드(230)에 형성되어 있던 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)을 식각 할 경우, 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 제거되면서 게이트 라인(222e)과 게이트 패드(230)의 경계(이하, 패드 넥(neck)이라 칭하기로 한다) 부분에 핀 홀(pin-hole;222g)이 발생된다. 즉, 패드 넥 부분에 외부로 노출된 핀 홀이 발생된다.However, when the aluminum-neodymium thin film 222d formed on the gate pad 230 is etched for the same reason, the aluminum-neodymium thin film 222d is removed and the boundary between the gate line 222e and the gate pad 230 is formed. Hereinafter, a pin-hole (222g) is generated in a portion of the pad neck). That is, a pin hole exposed to the outside in the pad neck portion is generated.

이 핀 홀(222g)은 투명 전극(227a)에도 완전히 가려지지 않게 됨으로 투명 전극(227a)의 상면에 반사 전극()이 패터닝되는 과정에서 핀 홀(222g) 내부로 식각 용액이 침투되어 게이트 패드(230)의 패드 넥의 일부가 부식되거나 쇼트 된다.Since the pin hole 222g is not completely covered by the transparent electrode 227a, an etching solution penetrates into the pin hole 222g in the process of patterning the reflective electrode on the upper surface of the transparent electrode 227a, so that the gate pad ( Part of the pad neck of 230) is corroded or shorted.

이를 방지하기 위해서 패드 넥 부분에는 반사 전극(228)의 일부가 제거되지 않고 남겨져 패드 부식 방지부(228e)를 이룬다.To prevent this, a portion of the reflective electrode 228 is left without being removed in the pad neck portion to form the pad corrosion prevention portion 228e.

이 패드 부식 방지부(228e)에 의하여 패드 넥 부분에 형성된 핀 홀(222g) 내부로는 식각 용액이 침투하지 못하게 되어 게이트 패드(230)의 부식 및 부식에 따른 게이트 패드(230)의 단선을 방지할 수 있다.The pad corrosion protection part 228e prevents the etching solution from penetrating into the pin hole 222g formed in the pad neck portion, thereby preventing the gate pad 230 from disconnecting due to the corrosion and corrosion of the gate pad 230. can do.

이하, 첨부된 도 3a 내지 도 3j를 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법을 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3J.

첨부된 도 3a의 도면번호 201은 TFT 기판(210)을 이루는 모재료인 유리 기판으로, 유리 기판(201)은 유효 디스플레이 영역(211) 및 비유효 디스플레이 영역(212)으로 구분된다. The attached reference numeral 201 of FIG. 3A is a glass substrate that is a base material of the TFT substrate 210, and the glass substrate 201 is divided into an effective display area 211 and an invalid display area 212.                     

이때, 유리 기판(201)의 전체 면적에는 크롬 박막층(222a) 및 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)이 순차적으로 형성된다.In this case, the chromium thin film layer 222a and the aluminum-neodymium thin film 222b are sequentially formed in the entire area of the glass substrate 201.

이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이 복층 구조를 갖는 크롬 박막층(222a) 및 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)은 첫 번째 패턴 마스크를 사용하여 패터닝되어 게이트 전극(222) 및 게이트 라인(222e)이 형성되고 비유효 디스플레이 영역(212)에는 게이트 라인(222e)의 단부에 형성된 패드(230)가 형성된다. 이때, 패드(230)의 상면에는 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)이 패터닝되어 형성된 알루미늄-네오디뮴 패턴(230a)도 형성된다. 이 알루미늄-네오디뮴 패턴(230a)은 이후 식각 되어 제거된다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, the chromium thin film layer 222a and the aluminum-neodymium thin film 222b having a multilayer structure are patterned using a first pattern mask to form a gate electrode 222 and a gate line 222e. In the invalid display area 212, a pad 230 formed at an end of the gate line 222e is formed. In this case, the aluminum-neodymium pattern 230a formed by patterning the aluminum-neodymium thin film 222b is also formed on the top surface of the pad 230. The aluminum-neodymium pattern 230a is then etched away.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)에는 전면적에 걸쳐 절연막(222h), 아몰퍼스 실리콘 박막(223a), n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b) 및 소오스 드레인 메탈 박막(224a)이 화학 기상 증착 등의 방법에 의하여 순차적으로 형성된다.3C, an insulating film 222h, an amorphous silicon thin film 223a, an n + amorphous silicon thin film 223b, and a source drain metal thin film 224a are deposited on the glass substrate 201 over the entire area. It is formed sequentially by such a method.

이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이 유효 디스플레이 영역(211)에서는 소오스 드레인 메탈 박막(224a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b) 및 아몰퍼스 실리콘 박막(223a)이 두 번째 마스크를 사용하여 순차적으로 패터닝되어 데이터 라인(222f; 도 2참조)이 형성된다. 반면, 비유효 디스플레이 영역(212)에서는 데이터 라인(222f)의 단부에 형성된 패드(240)가 남겨지고 나머지 부분, 예를 들면 패드(230)의 상면에 형성된 박막들은 모두 제거된다. 3D, the source drain metal thin film 224a and the n + amorphous silicon thin film 223b and the amorphous silicon thin film 223a are sequentially patterned using the second mask, as shown in FIG. 3D. Data line 222f (see Fig. 2) is formed. On the other hand, in the ineffective display area 212, the pad 240 formed at the end of the data line 222f is left and the remaining portions, for example, the thin films formed on the upper surface of the pad 230 are removed.

이후, 도 3e에 도시된 바와 같이 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b)은 식각 되어 유효 디스플레이 영역(211)에는 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225)이 분리된 박막 트랜지스터(220)가 형성된다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3E, the n + amorphous silicon thin film 223b is etched to form a thin film transistor 220 in which the source electrode 224 and the drain electrode 225 are separated from the effective display area 211.

이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 유기 절연막(226)이 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 3F, an organic insulating film 226 is formed over the entire surface of the glass substrate 201.

한편, 도 3g를 참조하면, 유기 절연막(226)이 형성된 상태에서 세 번째 마스크를 사용하여 유기 절연막(226)중 박막 트랜지스터(220)의 드레인 전극(225)의 일부가 노출되도록 유기 절연막(226)에는 콘택홀(226a)이 형성된다. 이 과정에서 유기 절연막(226)의 표면에는 올록볼록한 엠보싱 공정이 수행된다. 이처럼 유기 절연막(226)을 패터닝하는 과정에서 비유효 디스플레이 영역(212)에 형성된 게이트 라인(222e)과 연결된 패드(230)를 덮고 있던 절연막(222h)도 함께 패터닝되어 패드(230)의 상면에 덮여 있던 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)이 외부에 대하여 노출된다. 이때, 패드(230)의 상면을 덮고 있던 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)은 도 3g에 도시된 바와 같이 공기 중에서 부식되어 접촉저항이 매우 커짐으로 이를 방지하기 위해서 식각 되어 제거된다.Meanwhile, referring to FIG. 3G, the organic insulating layer 226 is exposed such that a part of the drain electrode 225 of the thin film transistor 220 of the organic insulating layer 226 is exposed using the third mask while the organic insulating layer 226 is formed. The contact hole 226a is formed in this. In this process, a convex embossing process is performed on the surface of the organic insulating layer 226. In the process of patterning the organic insulating layer 226, the insulating layer 222h covering the pad 230 connected to the gate line 222e formed in the ineffective display area 212 is also patterned and covered on the upper surface of the pad 230. The aluminum-neodymium alloy 230a that was present is exposed to the outside. At this time, the aluminum-neodymium alloy 230a covering the upper surface of the pad 230 is corroded in air as shown in FIG. 3g and is etched and removed in order to prevent this because the contact resistance becomes very large.

이후, 도 3h에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 투명한 도전성 박막(227)이 형성된다. 이때, 투명한 도전성 박막(227)은 예를 들어, 인듐주석산화막(Indium Tin Oxide)을 사용하는 것이 바람직하다.Thereafter, as illustrated in FIG. 3H, a transparent conductive thin film 227 is formed over the entire surface of the glass substrate 201. In this case, for example, the transparent conductive thin film 227 may be formed of indium tin oxide (Indium Tin Oxide).

이때, 도 3h에 도시된 바와 같이 비유효 디스플레이 영역(211)중 알루미늄- 네오디뮴 합금(230a)이 식각 되어 노출된 패드(230)에는 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)이 식각 되는 과정에서 핀 홀(pin-hole;222g)이 형성되고, 핀 홀(222g) 부분에는 도전성 박막(227)이 완전히 덮이지 못함을 알 수 있다.In this case, as illustrated in FIG. 3H, the aluminum-neodymium alloy 230a is etched in the ineffective display area 211 to expose the exposed pad 230. The pin-hole is etched in the process of etching the aluminum-neodymium alloy 230a. A hole 222g is formed, and the conductive thin film 227 is not completely covered in the pin hole 222g.

이와 같은 상태에서 도 3i에 도시된 바와 같이 도전성 박막(227)은 패터닝되어 투명 전극(227a)이 형성된다. 이때, 네 번째 마스크가 사용된다.In this state, as illustrated in FIG. 3I, the conductive thin film 227 is patterned to form a transparent electrode 227a. At this time, a fourth mask is used.

이후, 도 3i에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 MoW 합금 박막(228a) 및 알루미늄-네오디뮴 합금 박막(228b)이 연속하여 형성되고, 이 위에는 포토레지스트 박막(228c)이 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 3I, the MoW alloy thin film 228a and the aluminum-neodymium alloy thin film 228b are continuously formed over the entire surface of the glass substrate 201, and the photoresist thin film 228c is formed thereon. .

이후, 포토레지스트 박막(228c)은 패터닝되는데, 유효 디스플레이 영역(211)에는 개구창(W)이 형성될 부분에 형성된 포토레지스트 박막만이 노광-현상 후 제거된다.Thereafter, the photoresist thin film 228c is patterned, and only the photoresist thin film formed at the portion where the opening window W is to be formed in the effective display area 211 is removed after exposure-development.

도 3j에 도시된 바와 같이, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 앞서 핀 홀(222g)이 형성된 부분에 해당하는 부분에만 포토레지스트 박막이 남겨진다.As shown in FIG. 3J, the photoresist thin film is left only in a portion corresponding to a portion where the pinhole 222g is formed in the ineffective display region 212.

이후, 유효 디스플레이 영역(211) 및 비유효 디스플레이 영역(212)에 위치한 MoW 합금 박막(228a) 및 알루미늄-네오디뮴 합금 박막(228b)중 포토레지스트 박막(228c)에 의하여 보호되지 못하는 부분은 식각 되어 유효 디스플레이 영역(211)에는 투과창(T)이 형성되고, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 핀 홀(222g)을 보호하는 패드 부식 방지부(228e)가 형성된다.Subsequently, portions of the MoW alloy thin film 228a and the aluminum-neodymium alloy thin film 228b that are not protected by the photoresist thin film 228c in the effective display area 211 and the invalid display area 212 are etched to be effective. A transmission window T is formed in the display area 211, and a pad corrosion prevention part 228e is formed in the ineffective display area 212 to protect the pin hole 222g.

이와 같은 구성을 갖는 TFT 기판(220)의 상면에는 도 3j에 도시된 바와 같이 공통 전극(293) 및 색화소(292)가 유리 기판(290)에 형성된 컬러 필터 기판(290)이 형성된 상태에서 컬러 필터 기판(290) 및 TFT 기판(220)의 사이에는 액정(270)270이 주입되어 액정표시패널(200)이 제작된다.On the upper surface of the TFT substrate 220 having such a configuration, as shown in FIG. 3J, the color of the color filter substrate 290 having the common electrode 293 and the color pixel 292 formed on the glass substrate 290 is formed. Liquid crystals 270 and 270 are injected between the filter substrate 290 and the TFT substrate 220 to fabricate the liquid crystal display panel 200.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 패드부가 공정이 진행되는 과정에서 부식 및 부식에 따라 단선 되지 않도록 하는 효과를 갖는다.As described in detail above, the pad portion has an effect of preventing the wire from being disconnected due to corrosion and corrosion during the process.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (8)

(ⅰ) 유효 디스플레이 영역에 다중 메탈 박막층으로 게이트를 형성 및 상기 기판의 비유효 디스플레이 영역에 형성된 상기 다중 메탈 박막층을 패터닝하여 상기 게이트와 연결된 게이트 패드부를 형성하는 단계;(V) forming a gate pad portion connected to the gate by forming a gate as a multi-metal thin film layer in an effective display area and patterning the multi-metal thin film layer formed in an invalid display area of the substrate; (ⅱ) 상기 게이트의 상면에 채널층 및 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 제조하는 단계;(Ii) forming a channel layer, a source electrode, and a drain electrode on an upper surface of the gate to fabricate a thin film transistor in an effective display area; (ⅲ) 상기 유효 디스플레이 영역에는 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀, 상기 비유효 디스플레이 영역에 상기 패드부의 상면이 노출되도록 개구된 개구부를 갖는 절연막을 형성한 후, 상기 패드부를 이루는 다중 메탈 박막 중 노출된 상부 메탈 박막을 식각 하는 단계;(Iii) forming an insulating film having a contact hole in the effective display area so as to expose the drain electrode and an opening opening in the ineffective display area so as to expose the upper surface of the pad part, and then exposing the multiple metal thin films forming the pad part; Etching the upper metal thin film; (ⅳ) 상기 절연막의 상면에 투명 전극층을 형성한 후 패터닝하는 단계; 및(Iii) forming a transparent electrode layer on the upper surface of the insulating film and then patterning the transparent electrode layer; And (ⅴ) 상기 투명 전극층의 상면에 적어도 1 층 이상의 반사 전극층을 형성한 후 유효 디스플레이 영역에는 투과창이 형성되도록 상기 반사 전극층을 패터닝하고, 상기 비유효 디스플레이 영역에는 상기 상부 메탈 박막을 패터닝하는 과정에서 발생한 핀 홀(pin-hole) 부분이 덮이도록 상기 반사 전극층을 패터닝하여 패드 부식 방지수단을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.(Iii) forming at least one reflective electrode layer on the upper surface of the transparent electrode layer, and then patterning the reflective electrode layer to form a transmission window in an effective display area, and patterning the upper metal thin film on the ineffective display area. And patterning the reflective electrode layer so as to cover a pin-hole portion to form a pad corrosion preventing means. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅰ) 단계에서, 다중 메탈 박막을 형성하는 단계는 상기 기판에 크롬(Cr) 박막을 형성하는 단계, 상기 크롬 박막의 상면에 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd) 합금 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the forming of the multi-metal thin film comprises: forming a chromium (Cr) thin film on the substrate, and forming an aluminum-neodymium (Al-Nd) alloy thin film on an upper surface of the chromium thin film. Method for manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel comprising the step of forming a. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅲ) 단계에는 상기 절연막의 표면에 엠보싱 돌기를 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.The method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the step (iii) further includes forming embossing protrusions on the surface of the insulating film. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅴ) 단계에서 상기 반사 전극층을 형성하는 단계는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금 박막을 형성한 후, 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd) 합금 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the forming of the reflective electrode layer in (iii) further comprises forming an aluminum-neodymium (Al-Nd) alloy thin film after forming a molybdenum-tungsten (MoW) alloy thin film. A method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display panel, characterized in that. (a) 유효 디스플레이 영역 내부에 복수개로 개별 전원이 인가되며, 다층 메탈 박막으로 이루어진 게이트 전극, 채널층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 투명 전극층, 상기 투명 전극층의 상면에 일부가 개구되도록 형성된 반사 전극층을 포함하는 화소,(a) A plurality of individual power sources are applied in an effective display area, and a thin film transistor having a gate electrode, a channel layer, a source electrode and a drain electrode made of a multilayer metal thin film, and a transparent electrode layer connected to the drain electrode of the thin film transistor, the transparent A pixel including a reflective electrode layer formed to partially open the upper surface of the electrode layer, (b) 상기 화소의 상기 게이트 전극에 일측이 연결되고, 타측은 유효 디스플레이 영역을 감싸는 비유효 디스플레이 영역까지 연장되며 상기 비유효 디스플레이 영역에서는 다중 메탈 박막의 최상층이 제거된 전극 패드,(b) an electrode pad having one side connected to the gate electrode of the pixel, the other side extending to an invalid display area surrounding the effective display area, wherein the top layer of the multi-metal thin film is removed from the invalid display area; (c) 상기 다중 메탈 박막의 최상층을 제거하는 과정에서 발생한 핀 홀 부위를 감싸는 위치에 핀 홀 내부가 부식되면서 전극 패드가 부식되는 것을 방지한 전극 패드 부식 방지부를 포함하는 제 1 기판;(c) a first substrate including an electrode pad corrosion prevention part which prevents the electrode pads from being corroded while the inside of the pinholes is corroded at a position surrounding the pinholes generated in the process of removing the top layer of the multi-metal thin film; 상기 제 1 기판과 대향하며 상기 반사 전극층과 대향하는 공통전극이 형성된 제 2 기판; 및A second substrate facing the first substrate and having a common electrode facing the reflective electrode layer; And 상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.And a liquid crystal injected between the first substrate and the second substrate. 제 5 항에 있어서, 상기 전극 패드 부식 방지부는 반사전극층의 일부인 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.6. The reflection-transmissive liquid crystal display panel according to claim 5, wherein the electrode pad corrosion preventing portion is part of a reflection electrode layer. 제 6 항에 있어서, 상기 전극 패드 부식 방지부는 몰리브덴-텅스텐 합금 박막의 상면에 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)합금 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.The reflective-transmission liquid crystal display panel of claim 6, wherein the electrode pad corrosion preventing part is formed of an aluminum-neodymium (Al-Nd) alloy thin film on an upper surface of the molybdenum-tungsten alloy thin film. 제 5 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 크롬 박막, 상기 크롬 박막의 상면에 형성된 알루미늄-네오디뮴 합금 박막으로 구성되며, 상기 전극 패드는 크롬 박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.The liquid crystal display panel according to claim 5, wherein the gate electrode is formed of a chromium thin film, an aluminum-neodymium alloy thin film formed on an upper surface of the chromium thin film, and the electrode pad is formed of a chromium thin film.
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