KR100789146B1 - 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 외부 구동 시그널이 인가되도록 마련된 패드부의 일부에 형성된 핀 홀을 통하여 식각 용액이 침투하여 패드부가 부식 또는 식각 되는 것을 방지하기 위하여 패드부 중 핀 홀이 형성되는 부분에 형성된 패드 부식 방지부를 포함한다. 이로 인하여 패드부의 부식에 따른 전기적 특성 저하 및 패드부의 부식에 따른 단선을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
반사-투과형 액정표시패널

Description

반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법{PENETRATE-REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널의 개념도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널 중 TFT 기판의 개념도이다.
도 3a는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 크롬 박막 및 알루미늄 합금 박막이 복층으로 형성된 것을 도시한 공정도이다.
도 3b는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 게이트 전극 및 패드가 형성된 것을 도시한 공정도이다.
도 3c는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 3층막이 형성된 것을 도시한 공정도이다.
도 3d는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판에 형성된 3층막이 패터닝된 것을 도시한 공정도이다.
도 3e는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판의 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 형성한 것을 도시한 공정도이다
도 3f는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 기판의 상면에 유기 절연막을 더 형성한 것을 도시한 공정도이다.
도 3g는 본 발명의 일실시예에 의하여 유기 절연막에 엠보싱 및 콘택홀을 형성한 것을 도시한 공정도이다.
도 3h는 본 발명의 일실시예에 의하여 유리 절연막의 상면에 투명 도전막을 형성한 것을 도시한 공정도이다.
도 3i는 본 발명의 일실시예에 의하여 투명 전극의 상면에 메탈 물질을 더 형성한 것을 도시한 공정도이다.
도 3j는 본 발명의 일실시예에 의하여 완성된 반사-투과형 액정표시패널을 도시한 공정도이다.
본 발명은 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 외부로부터 구동 시그널이 인가되는 패드(pad)의 부식 및 부식에 따른 패드 단선이 발생하지 않도록 한 반사-투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 "LCD"라 불리는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device)는 액정의 고유한 전기적 특성 및 광학적 특성을 이용하여 디스플레이를 수행하는 표시장치이다.
이와 같은 액정표시장치를 구현하기 위해서는 액정뿐만 아니라 미세한 면적 단위로 액정에 전계를 가할 수 있는 기술, 광이 투과 가능하면서 도전성이 뛰어난 물질의 개발, 액정에 가해진 전계가 매우 빠르게 변경될 수 있도록 하는 기술을 필요로 한다.
미세한 면적 단위로 액정에 전계를 가할 수 있는 기술 및 액정에 가해진 전계를 매우 빠르게 변경하는 기술은 반도체 제조 기술에 의하여 제작되며, 크기가 매우 작고, 응답속도가 빠른 박막 트랜지스터에 의하여 구현이 가능하다. 한편, 광이 투과 가능하면서 도전성이 뛰어난 물질의 개발은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)라 불리는 투명한 도전성 산화막에 의하여 구현된다.
이외에도 액정표시장치가 영상을 디스플레이하기 위해서는 "광"을 필요로 한다. 이는 액정 자체는 광의 광량만을 미세 면적 단위로 제어하는 역할을 하기 때문이다.
이와 같은 이유로 액정표시장치는 "반사형 액정표시장치", "투과형 액정표시장치" 및 "반사-투과형 액정표시장치"로 구분된다.
이때, 반사형 액정표시장치는 태양광, 실내 조명등을 이용하여 디스플레이를 수행한다. 이와 같은 반사형 액정표시장치는 소비전력이 매우 낮음으로 특히 휴대용 정보처리장치, 예를 들면, 휴대용 컴퓨터, 시계, 휴대용 통신 장비 등에 특히 유용한 장점을 갖는다.
반면, 반사형 액정표시장치는 디스플레이 여부가 외부광의 존재 여부에 의존하는 단점을 갖는다. 즉, 반사형 액정표시장치는 외부광이 존재하지 않는 곳에서는 디스플레이를 수행할 수 없음을 의미한다.
반면, 투과형 액정표시장치는 램프를 이용하여 광을 생성한 후, 생성된 광을 액정에 제공하여 디스플레이를 수행한다. 이와 같은 투과형 액정표시장치는 광의 존재 유무에 상관없이 모든 곳에서 디스플레이를 수행할 수 있는 장점을 갖는다. 그러나, 이와 같은 투과형 액정표시장치는 충전된 전원을 소모하여 광을 생성함으로 소비전력량이 매우 큰 단점을 갖는다.
최근 들어, 이와 같은 반사형 액정표시장치의 문제점 및 투과형 액정표시장치의 문제점을 해결하는 반사-투과형 액정표시장치가 개발된 바 있다.
반사-투과형 액정표시장치는 어두운 곳에서는 투과형 액정표시장치처럼 램프에 의하여 광을 생성하여 디스플레이를 수행하고, 광량이 풍부한 곳에서는 마치 반사형 액정표시장치처럼 외부광을 반사시켜 디스플레이를 수행한다. 이로써 반사-투과형 액정표시장치는 낮은 소비전력 및 어느 곳에서나 디스플레이가 가능한 장점을 모두 갖는다.
이와 같은 반사-투과형 액정표시장치는 반사형 액정표시에서와 같이 외부에서 입사된 외부광을 반사하기에 적합한 반사 전극 구조 및 자체적으로 생성된 광이 반사 전극에 형성된 투과창을 경유하여 액정을 통과하기에 적합한 구조를 모두 만족시켜야 한다.
구체적으로, 반사-투과형 액정표시장치의 경우 먼저 기판의 유효 디스플레이 영역에 매트릭스 형태로 박막 트랜지스터를 형성 및 비유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터와 연결된 패드를 형성한다. 이때, 패드는 일례로 크롬 박막 및 알루미늄 합금 박막의 복층 구조를 갖는다. 이는 패드가 박막 트랜지스터의 복층 게이트 전극을 제작할 때 함께 형성되기 때문이다.
이때, 박막 트랜지스터의 게이트 전극에는 알루미늄 합금 박막이 필요하지만 패드에 형성된 알루미늄 합금 박막은 이후 패드의 전기적 성능을 크게 저하시킴으로 패드에 형성된 알루미늄 합금 박막은 제거된다.
이 과정에서 패드의 목(neck) 부분에는 언더 컷(under cut)에 의한 핀 홀(pin hole)이 형성된다. 이와 같이 핀 홀이 형성된 상태에서 박막 트랜지스터에는 다시 투명 전극 및 반사 전극이 연속하여 형성되는데, 핀 홀에는 반사 전극이 패터닝하는 과정에서 사용되는 식각 용액이 침투하여 패드를 부식 또는 부식에 따라 단선 시키는 문제점을 갖는다.
이를 방지하기 위해서는 게이트 전극을 단층으로 형성하기나, 게이트 전극을 복층으로 형성할 경우 1 매의 마스크를 더 사용하여 부식 및 단선을 방지할 수 있는 구조를 마련해야 한다.
그러나, 게이트 전극을 단층으로 형성할 경우, 배선 저항 및 배선 쇼트를 발생시킬 수 있으며, 게이트 전극을 복층으로 형성할 경우 마스크 수 증가에 따른 생산성이 크게 저하되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 제 1 목적은 복층 게이트 전극을 갖으면서도 추가적인 마스크 사용 없이 핀 홀에 의한 패드의 부식 및 부식에 따른 단선이 발생하지 않는 반사-투과형 액정표시장치의 제조 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 제 2 목적은 복층 게이트 전극을 갖으면서도 추가적인 마스크 사 용 없이 핀 홀에 의한 패드의 부식 및 부식에 따른 단선이 발생하지 않는 반사-투과형 액정표시장치를 제공함에 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1 목적을 구현하기 위한 반사 투과형 액정표시패널의 제조 방법은 (ⅰ) 유효 디스플레이 영역에 다중 메탈 박막층으로 게이트를 형성 및 기판의 비유효 디스플레이 영역에 형성된 다중 메탈 박막층을 패터닝하여 게이트와 연결된 게이트 패드부를 형성하는 단계, (ⅱ) 게이트의 상면에 채널층 및 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 제조하는 단계, (ⅲ) 유효 디스플레이 영역에는 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀, 비유효 디스플레이 영역에 패드부의 상면이 노출되도록 개구된 개구부를 갖는 절연막을 형성한 후, 패드부를 이루는 다중 메탈 박막 중 노출된 상부 메탈 박막을 식각 하는 단계, (ⅳ) 절연막의 상면에 투명 전극층을 형성한 후 패터닝하는 단계; 및 (ⅴ) 투명 전극층의 상면에 적어도 1 층 이상의 반사 전극층을 형성한 후 유효 디스플레이 영역에는 투과창이 형성되도록 반사 전극층을 패터닝하고, 비유효 디스플레이 영역에는 상부 메탈 박막을 패터닝하는 과정에서 발생한 핀 홀(pin-hole) 부분이 덮이도록 반사 전극층을 패터닝하여 패드 부식 방지수단을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 제 2 목적을 구현하기 위한 반사 투과형 액정표시패널은 (a) 유효 디스플레이 영역 내부에 복수개로 개별 전원이 인가되며, 다층 메탈 박막으로 이루어진 게이트 전극, 채널층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트 랜지스터 및 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 투명 전극층, 투명 전극층의 상면에 일부가 개구되도록 형성된 반사 전극층을 포함하는 화소, (b) 화소의 게이트 전극에 일측이 연결되고, 타측은 유효 디스플레이 영역을 감싸는 비유효 디스플레이 영역까지 연장되며 비유효 디스플레이 영역에서는 다중 메탈 박막의 최상층이 제거된 전극 패드, (c) 다중 메탈 박막의 최상층을 제거하는 과정에서 발생한 핀 홀 부위를 감싸는 위치에 핀 홀 내부가 부식되면서 전극 패드가 부식되는 것을 방지한 전극 패드 부식 방지부를 포함하는 제 1 기판, 제 1 기판과 대향하며 반사 전극층과 대향하는 공통전극이 형성된 제 2 기판 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함한다.
이하, 본 발명에 의한 반사 투과형 액정표시패널 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 첨부된 도 1에는 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널이 도시되어 있다.
도 1을 참조하면, 반사-투과형 액정표시패널(300)은 다시 구동 모듈(100) 및 액정표시패널(200)로 구성된다. 이때, 구동 모듈(100)은 외부에서 인가된 구동 시그널을 처리하여 게이트 구동 시그널 및 데이터 구동 시그널 및 타이밍 신호를 액정표시패널(200)로 전송하는 역할을 한다.
액정표시패널(200)은 다시 TFT 기판(210), 액정, 컬러필터기판(290)을 포함한다.
TFT 기판(210)은 도 2에 도시된 바와 같이 다시 화상이 형성되는 "유효 디스 플레이 영역(211)" 및 화상이 형성되지 않으며 패드 등이 형성되는 "비유효 디스플레이 영역(212)"으로 나뉘어진다.
첨부된 도 2를 참조하면, 유효 디스플레이 영역(211)에는 화상을 디스플레이 하는데 필요한 "화소(220)"들이 형성되고, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 구동 모듈(110,120)로부터 화소(220)로 구동 시그널이 전달되도록 하는 패드(230,240)들이 형성된다.
다시 도 2를 참조하면, 화소(220)는 다시 박막 트랜지스터(221), 투명 전극(228) 및 반사 전극(229)으로 구성된다.
박막 트랜지스터(221)는 첨부된 도 2 또는 도 3j에 보다 구체적으로 도시되어 있다. 첨부된 도면을 참조하면, 박막 트랜지스터(211)는 다시 게이트 전극(222), 채널층(223), 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225), 게이트 라인(222e) 및 데이터 라인(222f)으로 구성된다.
게이트 전극(222)은 일실시예로 크롬 박막(222c)의 상부에 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 연속하여 형성된 복층 구조를 갖는다. 이 게이트 전극(222)이 형성되는 과정에서 게이트 전극(222)과 연결된 게이트 라인(222e)도 함께 형성된다.
한편, 기판의 전면적에 걸쳐 절연층(222h)이 형성된 상태에서, 절연층(222h) 중 게이트 전극(222)의 상면에는 채널층(223)이 형성된다. 이 채널층(223)은 일실시예로 아몰퍼스 실리콘층(223c)과 n+ 이온으로 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)의 복층 구조를 갖는다.
이때, n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)은 아몰퍼스 실리콘층(223c)의 상면에 상호 쇼트 되지 않도록 2 개의 부분으로 나뉘어진다. 이때, 2 개로 나뉘어진 n+ 아몰퍼스 실리콘층(223d)의 상면에는 각각 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225)이 형성된다. 이때, 소오스 전극(224)에는 데이터 라인(222f)이 연결된다.
한편, 유리 기판에는 데이터 라인(222f)이 개구되도록 콘택홀(226a) 및 표면이 올록볼록하게 엠보싱 처리된 유기 절연막(226)이 배치된다. 엠보싱 처리된 유기 절연막(226)의 표면에는 전면적에 걸쳐 투명 전극(227a)이 형성되고, 투명 전극(227a)의 상면에는 일부분이 개구된 반사 전극(228)이 배치되어 화소(220)가 형성된다.
한편, 유효 디스플레이 영역(211)의 외곽에 형성된 비유효 디스플레이 영역(212)에는 화소(220)를 구동하는데 필요한 패드(230,240), 구동 모듈(110,120) 및 플랙시블 프린티드 서킷(130) 등이 형성된다.
이 패드(230,240)는 게이트 라인(222e) 및 데이터 라인(222f)의 단부에 형성된다. 이때, 특히 게이트 라인(222e)에 형성되는 패드(230)를 "게이트 패드"라 정의하기로 하며, 데이터 라인(222f)의 단부에 형성되는 패드(240)를 "데이터 패드"라 정의하기로 한다.
이때, 게이트 라인(222e)은 게이트 전극(222)과 마찬가지로 크롬 박막 및 알루미늄-네오디뮴 합금으로 이루어진 복층 구조를 갖지만 게이트 패드(230)는 단지 크롬 박막(222c)만으로 구성된다. 이는 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 게이트 패 드(230)에 형성되어 있을 경우 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)의 산화에 따른 게이트 패드(230)의 성능 저하가 발생하기 때문이다.
그러나, 이와 같은 이유로 게이트 패드(230)에 형성되어 있던 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)을 식각 할 경우, 알루미늄-네오디뮴 박막(222d)이 제거되면서 게이트 라인(222e)과 게이트 패드(230)의 경계(이하, 패드 넥(neck)이라 칭하기로 한다) 부분에 핀 홀(pin-hole;222g)이 발생된다. 즉, 패드 넥 부분에 외부로 노출된 핀 홀이 발생된다.
이 핀 홀(222g)은 투명 전극(227a)에도 완전히 가려지지 않게 됨으로 투명 전극(227a)의 상면에 반사 전극()이 패터닝되는 과정에서 핀 홀(222g) 내부로 식각 용액이 침투되어 게이트 패드(230)의 패드 넥의 일부가 부식되거나 쇼트 된다.
이를 방지하기 위해서 패드 넥 부분에는 반사 전극(228)의 일부가 제거되지 않고 남겨져 패드 부식 방지부(228e)를 이룬다.
이 패드 부식 방지부(228e)에 의하여 패드 넥 부분에 형성된 핀 홀(222g) 내부로는 식각 용액이 침투하지 못하게 되어 게이트 패드(230)의 부식 및 부식에 따른 게이트 패드(230)의 단선을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도 3a 내지 도 3j를 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법을 설명하기로 한다.
첨부된 도 3a의 도면번호 201은 TFT 기판(210)을 이루는 모재료인 유리 기판으로, 유리 기판(201)은 유효 디스플레이 영역(211) 및 비유효 디스플레이 영역(212)으로 구분된다.
이때, 유리 기판(201)의 전체 면적에는 크롬 박막층(222a) 및 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)이 순차적으로 형성된다.
이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이 복층 구조를 갖는 크롬 박막층(222a) 및 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)은 첫 번째 패턴 마스크를 사용하여 패터닝되어 게이트 전극(222) 및 게이트 라인(222e)이 형성되고 비유효 디스플레이 영역(212)에는 게이트 라인(222e)의 단부에 형성된 패드(230)가 형성된다. 이때, 패드(230)의 상면에는 알루미늄-네오디뮴 박막(222b)이 패터닝되어 형성된 알루미늄-네오디뮴 패턴(230a)도 형성된다. 이 알루미늄-네오디뮴 패턴(230a)은 이후 식각 되어 제거된다.
이후, 도 3c에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)에는 전면적에 걸쳐 절연막(222h), 아몰퍼스 실리콘 박막(223a), n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b) 및 소오스 드레인 메탈 박막(224a)이 화학 기상 증착 등의 방법에 의하여 순차적으로 형성된다.
이어서, 도 3d에 도시된 바와 같이 유효 디스플레이 영역(211)에서는 소오스 드레인 메탈 박막(224a) 및 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b) 및 아몰퍼스 실리콘 박막(223a)이 두 번째 마스크를 사용하여 순차적으로 패터닝되어 데이터 라인(222f; 도 2참조)이 형성된다. 반면, 비유효 디스플레이 영역(212)에서는 데이터 라인(222f)의 단부에 형성된 패드(240)가 남겨지고 나머지 부분, 예를 들면 패드(230)의 상면에 형성된 박막들은 모두 제거된다.
이후, 도 3e에 도시된 바와 같이 n+ 아몰퍼스 실리콘 박막(223b)은 식각 되어 유효 디스플레이 영역(211)에는 소오스 전극(224) 및 드레인 전극(225)이 분리된 박막 트랜지스터(220)가 형성된다.
이어서, 도 3f에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 유기 절연막(226)이 형성된다.
한편, 도 3g를 참조하면, 유기 절연막(226)이 형성된 상태에서 세 번째 마스크를 사용하여 유기 절연막(226)중 박막 트랜지스터(220)의 드레인 전극(225)의 일부가 노출되도록 유기 절연막(226)에는 콘택홀(226a)이 형성된다. 이 과정에서 유기 절연막(226)의 표면에는 올록볼록한 엠보싱 공정이 수행된다. 이처럼 유기 절연막(226)을 패터닝하는 과정에서 비유효 디스플레이 영역(212)에 형성된 게이트 라인(222e)과 연결된 패드(230)를 덮고 있던 절연막(222h)도 함께 패터닝되어 패드(230)의 상면에 덮여 있던 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)이 외부에 대하여 노출된다. 이때, 패드(230)의 상면을 덮고 있던 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)은 도 3g에 도시된 바와 같이 공기 중에서 부식되어 접촉저항이 매우 커짐으로 이를 방지하기 위해서 식각 되어 제거된다.
이후, 도 3h에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 투명한 도전성 박막(227)이 형성된다. 이때, 투명한 도전성 박막(227)은 예를 들어, 인듐주석산화막(Indium Tin Oxide)을 사용하는 것이 바람직하다.
이때, 도 3h에 도시된 바와 같이 비유효 디스플레이 영역(211)중 알루미늄- 네오디뮴 합금(230a)이 식각 되어 노출된 패드(230)에는 알루미늄-네오디뮴 합금(230a)이 식각 되는 과정에서 핀 홀(pin-hole;222g)이 형성되고, 핀 홀(222g) 부분에는 도전성 박막(227)이 완전히 덮이지 못함을 알 수 있다.
이와 같은 상태에서 도 3i에 도시된 바와 같이 도전성 박막(227)은 패터닝되어 투명 전극(227a)이 형성된다. 이때, 네 번째 마스크가 사용된다.
이후, 도 3i에 도시된 바와 같이 유리 기판(201)의 전면적에 걸쳐 MoW 합금 박막(228a) 및 알루미늄-네오디뮴 합금 박막(228b)이 연속하여 형성되고, 이 위에는 포토레지스트 박막(228c)이 형성된다.
이후, 포토레지스트 박막(228c)은 패터닝되는데, 유효 디스플레이 영역(211)에는 개구창(W)이 형성될 부분에 형성된 포토레지스트 박막만이 노광-현상 후 제거된다.
도 3j에 도시된 바와 같이, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 앞서 핀 홀(222g)이 형성된 부분에 해당하는 부분에만 포토레지스트 박막이 남겨진다.
이후, 유효 디스플레이 영역(211) 및 비유효 디스플레이 영역(212)에 위치한 MoW 합금 박막(228a) 및 알루미늄-네오디뮴 합금 박막(228b)중 포토레지스트 박막(228c)에 의하여 보호되지 못하는 부분은 식각 되어 유효 디스플레이 영역(211)에는 투과창(T)이 형성되고, 비유효 디스플레이 영역(212)에는 핀 홀(222g)을 보호하는 패드 부식 방지부(228e)가 형성된다.
이와 같은 구성을 갖는 TFT 기판(220)의 상면에는 도 3j에 도시된 바와 같이 공통 전극(293) 및 색화소(292)가 유리 기판(290)에 형성된 컬러 필터 기판(290)이 형성된 상태에서 컬러 필터 기판(290) 및 TFT 기판(220)의 사이에는 액정(270)270이 주입되어 액정표시패널(200)이 제작된다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 패드부가 공정이 진행되는 과정에서 부식 및 부식에 따라 단선 되지 않도록 하는 효과를 갖는다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. (ⅰ) 유효 디스플레이 영역에 다중 메탈 박막층으로 게이트를 형성 및 상기 기판의 비유효 디스플레이 영역에 형성된 상기 다중 메탈 박막층을 패터닝하여 상기 게이트와 연결된 게이트 패드부를 형성하는 단계;
    (ⅱ) 상기 게이트의 상면에 채널층 및 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하여 유효 디스플레이 영역에 박막 트랜지스터를 제조하는 단계;
    (ⅲ) 상기 유효 디스플레이 영역에는 상기 드레인 전극이 노출되도록 콘택홀, 상기 비유효 디스플레이 영역에 상기 패드부의 상면이 노출되도록 개구된 개구부를 갖는 절연막을 형성한 후, 상기 패드부를 이루는 다중 메탈 박막 중 노출된 상부 메탈 박막을 식각 하는 단계;
    (ⅳ) 상기 절연막의 상면에 투명 전극층을 형성한 후 패터닝하는 단계; 및
    (ⅴ) 상기 투명 전극층의 상면에 적어도 1 층 이상의 반사 전극층을 형성한 후 유효 디스플레이 영역에는 투과창이 형성되도록 상기 반사 전극층을 패터닝하고, 상기 비유효 디스플레이 영역에는 상기 상부 메탈 박막을 패터닝하는 과정에서 발생한 핀 홀(pin-hole) 부분이 덮이도록 상기 반사 전극층을 패터닝하여 패드 부식 방지수단을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅰ) 단계에서, 다중 메탈 박막을 형성하는 단계는 상기 기판에 크롬(Cr) 박막을 형성하는 단계, 상기 크롬 박막의 상면에 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd) 합금 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅲ) 단계에는 상기 절연막의 표면에 엠보싱 돌기를 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 (ⅴ) 단계에서 상기 반사 전극층을 형성하는 단계는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금 박막을 형성한 후, 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd) 합금 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널의 제조 방법.
  5. (a) 유효 디스플레이 영역 내부에 복수개로 개별 전원이 인가되며, 다층 메탈 박막으로 이루어진 게이트 전극, 채널층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극에 연결된 투명 전극층, 상기 투명 전극층의 상면에 일부가 개구되도록 형성된 반사 전극층을 포함하는 화소,
    (b) 상기 화소의 상기 게이트 전극에 일측이 연결되고, 타측은 유효 디스플레이 영역을 감싸는 비유효 디스플레이 영역까지 연장되며 상기 비유효 디스플레이 영역에서는 다중 메탈 박막의 최상층이 제거된 전극 패드,
    (c) 상기 다중 메탈 박막의 최상층을 제거하는 과정에서 발생한 핀 홀 부위를 감싸는 위치에 핀 홀 내부가 부식되면서 전극 패드가 부식되는 것을 방지한 전극 패드 부식 방지부를 포함하는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 대향하며 상기 반사 전극층과 대향하는 공통전극이 형성된 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판 및 상기 제 2 기판 사이에 주입된 액정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 전극 패드 부식 방지부는 반사전극층의 일부인 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 전극 패드 부식 방지부는 몰리브덴-텅스텐 합금 박막의 상면에 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd)합금 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 크롬 박막, 상기 크롬 박막의 상면에 형성된 알루미늄-네오디뮴 합금 박막으로 구성되며, 상기 전극 패드는 크롬 박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 반사-투과형 액정표시패널.
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