KR100764050B1 - Reflective-transmissive type thin film transistor liquid crystal display and method of forming the same - Google Patents

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Abstract

반사투과 복합형 액정표시장치 및 그 형성방법이 개시된다. 본 발명의 액정표시장치는, 기판과 기판에 형성되는 박막트랜지스터 및 그 배선, 박막트랜지스터 및 그 배선 위로 기판 전면에 걸쳐 적층되며 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극 일부를 드러내는 비아 홀이 형성된 절연막, 상기 절연막 위에서 화소전극 영역 전체를 커버하는 투명전극, 화소전극의 영역의 일부인 반사영역에서 상기 투명전극 위에 형성되는 반사전극 및 중간전극으로 이루어지는 불투명전극을 포함한다. 투명전극은 IZO(Indium Zinc Oxide)가 바람직하며, 반사전극은 알미늄 함유 물질로 이루어지며, 중간전극층은 텅스텐 몰리브덴층으로 이루어지는 것이 바람직하다.A reflective transmission liquid crystal display device and a method of forming the same are disclosed. According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes an insulating film having a via hole exposing a portion of a source electrode of the thin film transistor, the thin film transistor formed on the substrate and the wiring, the thin film transistor, and the wiring formed on the entire surface of the substrate. A transparent electrode covering the entire pixel electrode region, and an opaque electrode composed of a reflective electrode and an intermediate electrode formed on the transparent electrode in the reflective region which is part of the region of the pixel electrode. The transparent electrode is preferably indium zinc oxide (IZO), the reflective electrode is made of an aluminum-containing material, and the intermediate electrode layer is preferably made of a tungsten molybdenum layer.

Description

반사투과 복합형 액정표시장치 및 그 형성방법 {REFLECTIVE-TRANSMISSIVE TYPE THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF FORMING THE SAME}Reflective Composite Liquid Crystal Display and Formation Method {REFLECTIVE-TRANSMISSIVE TYPE THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD OF FORMING THE SAME}

도1 내지 도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사투과 복합형 액정표시장치의 형성방법의 중요 단계를 나타내는 공정 측단면도들이다.1 to 7 are process side cross-sectional views showing important steps in a method of forming a reflective transparent liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도8은 도7 상태에 대응하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 화소부 레이아웃을 나타내는 평면도.FIG. 8 is a plan view showing a pixel part layout of a thin film transistor liquid crystal display device corresponding to the FIG. 7 state; FIG.

도9는 본 발명 실시예에서 게이트 패드부 및 데이타 패드부의 측단면을 나타내는 Fig. 9 shows side cross-sectional views of the gate pad portion and the data pad portion in the embodiment of the present invention.

본 발명은 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a reflective transparent thin film transistor liquid crystal display device and a method of forming the same.

액정표시장치의 종류 및 제작방법은 트랜지스터의 구조, 반도체의 구체적 종류 등에 따라 다양한 구분이 있을 수 있다. 이런 구분들 가운데 하나로, 반사형 LCD와 투과형 LCD의 구분이 있다. 반사형은 화소전극으로 금속 같은 반사막으로 형 성하고, 외부 입사광을 반사하여 화상을 표시한다. 투과형은 판넬 뒤에 독립적인 광원인 백라이트를 설치하고 이 광원의 빛이 판넬을 통과하거나 통과하지 않도록 액정의 배열을 조절하여 화상과 색상을 구현할 수 있다. 따라서 투과형은 화소전극으로 투과막 즉, 투명 도전막을 사용하게 된다. The type and fabrication method of the liquid crystal display may vary depending on the structure of the transistor, the specific type of the semiconductor, and the like. One of these distinctions is the distinction between reflective and transmissive LCDs. The reflective type is a pixel electrode formed of a reflective film such as metal, and reflects external incident light to display an image. In the transmissive type, a backlight, which is an independent light source, may be installed behind a panel, and an image and a color may be realized by adjusting an arrangement of liquid crystals so that light of the light source does not pass through the panel. Therefore, the transmissive type uses a transmissive film, that is, a transparent conductive film, as the pixel electrode.

노트북 컴퓨터와 같이 대화면 고품위의 화상을 요구하는 곳에서 전력의 소모를 줄이면서 외광을 이용하여 최대한 고품위의 화상을 구현할 수 있는 반사형도 많이 모색이 되고 있다. 또한, 반사형과 투과형 두 가지 장점을 살려서 주변 광도의 변화에도 불구하고 사용 환경에 맞게 적절한 시인성을 확보할 수 있는 반사 투과 복합형 LCD도 이미 샤프사를 통해 소개된 바 있다. In places where a high quality image is required, such as a notebook computer, a lot of reflection type that can achieve the highest quality image using external light while reducing power consumption is being sought. In addition, a reflective and transmissive LCD has been introduced through Sharp, which can take advantage of both reflective and transmissive features to ensure proper visibility for use environments despite changes in ambient light.

소개된 샤프사의 반사투과 복합형 LCD는 기존의 TFT측 기판의 전극 형성 과정에서 투과막 화소전극을 소오스 전극과 연결되도록 형성한다. 그리고, 보호막을 적층하고, 보호막에 콘택 홀을 형성한다. 그 위에 금속층을 적층하고 패터닝하면 콘택 홀을 통해 소오스 전극과 금속층으로 이루어진 반사막 화소전극이 연결된다. 이때, 반사막 화소전극은 일부 화소 영역에서 제거된다. 따라서, 이 제거 영역 즉, 투광창에는 투과막 화소전극만 존재하여 투과영역을, 반사막이 존재하는 영역은 반사영역을 정의하게 된다.Introduced Sharp's reflective-transmission composite LCD forms a transmissive pixel pixel electrode connected to a source electrode during the electrode formation process of a conventional TFT-side substrate. And a protective film is laminated | stacked and a contact hole is formed in a protective film. When the metal layer is stacked and patterned thereon, the source electrode and the reflective pixel electrode made of the metal layer are connected through the contact hole. In this case, the reflective pixel electrode is removed in some pixel areas. Accordingly, only the transmissive membrane pixel electrode is present in the removal region, that is, the transmissive window, and the transmissive region is defined in the region where the reflective membrane is present.

그런데, 이러한 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법에서, 절연막 위에 반사막과 투과막 화소전극을 적층할 경우 투광창을 정의하기 위해 화소전극 패터닝 외에 투광창 부분의 반사전극을 제거하기 위한 한 번의 노광공정이 더 필요하다. 그러므로 반사투과 복합형 액정표시장치는 통상의 투과형이나 반 사형에 비해 공정상 부담이 큰 문제가 있다. 또한, 투과막 화소전극과 반사막 화소전극의 재질에 따라 문제가 발생할 수 있다. 즉, 투과막 화소전극으로 가장 많이 사용되는 인듐 금속 산화물 계열인 ITO가 반사막 화소전극으로 가장 많이 사용하는 알미늄 함유 금속과 접하게 되면 계면에 절연성의 산화막이 형성되기 쉽다. 또한, 화소전극 패터닝 과정에서 현상액에 화소전극 표면이 노출되는 때에 바테리 효과로 불리는 전기화학적 현상으로 인하여 반사막을 이루는 알루미늄층이 상당부분 훼손되어 반사도를 떨어뜨리는 문제가 발생한다. However, in the method of manufacturing a reflective transparent thin film transistor liquid crystal display device, when the reflective film and the transmissive pixel pixel electrode are stacked on the insulating film, a method for removing the reflective electrode of the light transmitting window portion in addition to the pixel electrode patterning is used to define the light transmitting window. Further exposure steps are needed. Therefore, the reflective transmissive liquid crystal display device has a problem in that the process burden is greater than that of a conventional transmissive or reflective type. In addition, a problem may occur depending on the material of the transmission membrane pixel electrode and the reflection membrane pixel electrode. In other words, when ITO, which is an indium metal oxide-based oxide used most as a transmissive membrane pixel electrode, comes into contact with an aluminum-containing metal most frequently used as a reflective membrane pixel electrode, an insulating oxide film is easily formed at an interface. In addition, when the surface of the pixel electrode is exposed to the developer in the pixel electrode patterning process, the aluminum layer constituting the reflective film is largely damaged due to an electrochemical phenomenon called a battery effect, resulting in a drop in reflectivity.

본 발명은 상술한 종래의 반사투과 복합형 액정표시장치의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 통상의 투과형 혹은 반사형 액정표시장치의 공정에 비해 추가되는 공정 부담을 경감할 수 있는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법과 그 방법에 의해 형성될 수 있는 반사투과 복합형 액정표시장치를 제공함을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional transflective liquid crystal display device, and the transflective liquid crystal display which can reduce the additional process burden compared to the process of the conventional transmissive or reflective liquid crystal display device. An object of the present invention is to provide a method of forming a device and a reflective transparent liquid crystal display device that can be formed by the method.

또한, 본 발명은 부가적으로, 화소전극으로 투과막과 반사막을 사용하는 반사투과형 액정표시장치에서 반사막과 투과막 사이의 바테리 효과와 같은 전기화학적 현상으로 인한 문제점을 방지할 수 있는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법과 그 방법에 의해 형성될 수 있는 반사투과 복합형 액정표시장치를 제공함을 목적으로 한다.In addition, the present invention additionally, in the reflection type liquid crystal display device using the transmission film and the reflection film as the pixel electrode, the reflection transmission complex type that can prevent the problems caused by the electrochemical phenomenon such as the battery effect between the reflection film and the transmission film An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device forming method and a reflective transparent liquid crystal display device that can be formed by the method.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시장치는 기판과 기판에 형성되는 박막트랜지스터 및 그 배선, 박막트랜지스터 및 그 배선 위로 기판 전면에 걸쳐 적층되며 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극 일부를 드러내는 비아 홀이 형성된 절연막, 상기 절연막 위로 형성되며 상기 콘택홀을 통해 상기 소오스 전극과 연결되며 상기 박막트랜지스터와 대응관계에 있는 화소전극을 포함한다. 또한, 상기 화소전극은 상기 화소전극의 영역 전체를 커버하는 투명전극 및 상기 화소전극 영역의 일부인 반사영역에서 상기 투명전극 위에 형성되는 반사전극 및 중간전극으로 이루어지는 불투명전극을 포함한다. The liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a substrate and a thin film transistor formed on the substrate and the wiring, the thin film transistor and the wiring is stacked over the entire surface of the substrate is formed with a via hole exposing a portion of the source electrode of the thin film transistor And a pixel electrode formed over the insulating layer and connected to the source electrode through the contact hole and corresponding to the thin film transistor. The pixel electrode may include a transparent electrode covering the entire region of the pixel electrode, and an opaque electrode including a reflective electrode and an intermediate electrode formed on the transparent electrode in a reflective region that is part of the pixel electrode region.

상기 중간전극은 상기 투명전극 및 상기 반사전극 사이에 구비된다. 통상 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide)를 많이 사용하나, 본 발명에서의 상기 투명전극은 IZO(Indium Zinc Oxide)가 바람직하며, 상기 반사전극은 알미늄이나 알미늄 네디뮴 같은 알미늄 함유 물질로 이루어지는 것이 보통이나 APC와 같은 은 합금을 배재하는 것은 아니다. 상기 중간전극은 텅스텐 몰리브덴층 혹은 크롬층 가운데 하나를 고려할 수 있으며, 상기 투명전극과 상기 반사전극을 패터닝하는 과정에서 심각한 문제가 될 수 있는 바테리 효과를 효과적으로 저지할 수 있다. The intermediate electrode is provided between the transparent electrode and the reflective electrode. In general, the transparent electrode uses indium tin oxide (ITO) a lot, but the transparent electrode in the present invention is preferably indium zinc oxide (IZO), and the reflective electrode is usually made of an aluminum-containing material such as aluminum or aluminum neodymium. It does not exclude silver alloys such as APC. The intermediate electrode may consider one of a tungsten molybdenum layer or a chromium layer, and effectively prevent a battery effect that may be a serious problem in the process of patterning the transparent electrode and the reflective electrode.

또한, 박막트랜지스터 및 그 배선이라 함은 통상, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선, 드레인 전극 및 소오스 전극, 드레인 전극과 연결되며, 데이타 패드를 포함하는 데이타 배선, 상기 드레인 전극과 연결된 드레인 영역, 상기 소오스 전극과 연결된 소오스 영역, 상기 드레인 영역과 상기 소오스 영역 사이의 채널 영역을 구비한 반도체 패턴, 게이트 절연막을 포함한다. In addition, the thin film transistor and its wiring are generally connected to a gate wiring including a gate electrode and a gate pad, a drain electrode and a source electrode, and a drain electrode, and a data wiring including a data pad and a drain region connected to the drain electrode. And a semiconductor pattern having a source region connected to the source electrode, a channel region between the drain region and the source region, and a gate insulating layer.

본 발명의 화소전극 영역 가운데 투명전극만을 구비하는 투과영역은 불투명전극 내의 창(window)의 형태로 이루어질 수 있으며, 절연막은 감광성 유기 절연막으로 이루어질 수 있다. 이때, 절연막을 액정층과 동일한 두께로 형성하고 투명전극만을 구비하는 투과영역에서 비아 콘택 홀 형성단계를 통해 절연막을 제거하면 투과 영역과 반사 영역 모두에서 액정배열이 최고로 빛을 통과시킬 수 있도록 이루어지므로 바람직하다. 또한, 절연막 상부는 집광기능을 하는 마이크로 렌즈를 이루도록 엠보싱이 형성되는 것이 바람직하다.The transparent region including only the transparent electrode of the pixel electrode region of the present invention may be formed in the form of a window in the opaque electrode, and the insulating layer may be formed of the photosensitive organic insulating layer. At this time, if the insulating film is formed to the same thickness as the liquid crystal layer and the insulating film is removed through the via contact hole forming step in the transparent region including only the transparent electrode, the liquid crystal array can pass the light in both the transmissive region and the reflective region at the maximum. desirable. In addition, it is preferable that the upper surface of the insulating film is embossed to form a micro lens that functions as a light collecting function.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법은, 기판에 박막트랜지스터 및 연관 배선들을 형성하는 단계, 박막트랜지스터 및 연관 배선들이 형성된 기판에 절연막을 적층하고 패터닝하여 박막트랜지스터의 소오스 전극을 드러내는 콘택 홀을 형성하는 단계, 절연막 위에 투명전극층을 적층하는 단계, 적어도 반사전극층을 포함하는 불투명 전극층을 반사전극층이 위에 있도록 적층하는 단계, 반사전극층 위에 포토레지스트막을 도포하고 화소전극 영역을 제외한 영역은 완전노광을, 상기 화소전극 영역 가운데 투과영역은 부분노광을 하는 차별노광과 현상을 실시하여 화소전극에 대응되는, 2단 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 2단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 불투명 전극층과 투명전극층을 제거하는 단계, 2단 포토레지스트 패턴을 전반적으로 일정 두께씩 제거하여 부분노광된 상기 투과영역에서 포토레지스트가 제거된 1단 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 1단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 불투명 전극층을 식각하여 상기 투과영역에서 상기 투명전극층만 가지는 화소전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어진다. In accordance with an aspect of the present invention, there is provided a method for forming a reflective transparent liquid crystal display device, including forming a thin film transistor and associated wirings on a substrate, and stacking and patterning an insulating film on a substrate on which the thin film transistors and associated wirings are formed. Forming a contact hole exposing the source electrode, laminating a transparent electrode layer over the insulating film, laminating an opaque electrode layer including at least a reflective electrode layer thereon with the reflective electrode layer thereon, applying a photoresist film over the reflective electrode layer and Forming a two-stage photoresist pattern corresponding to the pixel electrode by performing differential exposure and development in which the excluded region is completely exposed and the transmissive region among the pixel electrode regions is partially exposed, and etching the two-stage photoresist pattern Removing the opaque electrode layer and the transparent electrode layer Removing the two-stage photoresist pattern by a predetermined thickness to form a one-stage photoresist pattern in which the photoresist is removed from the partially exposed transmissive region, and forming the opaque electrode layer using the one-stage photoresist pattern as an etch mask. Etching to form a pixel electrode having only the transparent electrode layer in the transmission area.

본 방법에서 불투명 전극층은 크롬이나 텅스텐 몰리브덴 같은 금속을 중간 금속층으로 적층하고, 그 위에 반사도가 띄어난 알미늄 함유 물질도 반사전극층을 적층하여 이루어지거나, 반사전극층만으로 이루어질 수 있다.In the method, the opaque electrode layer may be formed by stacking a metal, such as chromium or tungsten molybdenum, as an intermediate metal layer, and an aluminum-containing material having high reflectivity thereon, or a reflective electrode layer.

한편, 본 발명의 차별노광은 상기 포토레지스트막을 완전노광되는 영역에 대한 패턴만 형성된 포토마스크로 일정시간 T1, 완전노광되는 영역과 부분노광되는 영역에 대한 패턴이 형성된 포토마스크로 일정시간 T2 만큼 연속적으로 노광하는 방법으로 실시될 수 있다. On the other hand, the differential exposure of the present invention is a photomask in which only a pattern for the fully exposed region of the photoresist film is formed for a predetermined time T1, and a photomask in which the pattern for the fully exposed region and the partially exposed region is continuously formed for a predetermined time T2. It can be carried out by the method of exposing.

그리고, 본 발명에서 화소전극을 형성하는 패터닝 과정의 식각공정은 액정표시장치 형성을 위한 대부분의 식각이 습식이나, 건식 이방성 식각으로 이루어지는 것이 바람직하다. In the etching process of the patterning process for forming the pixel electrode in the present invention, most of the etching for forming the liquid crystal display is wet or dry anisotropic etching.

이하 도면을 참조하면서 실시예를 통해 본 발명을 좀 더 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도1을 참조하면, 먼저 기판에 박막트랜지스터 구조를 형성한다. 박막트랜지스터 구조를 형성하기 위해서 먼저 유리 기판(10)에 게이트 패턴(11)을 형성한다. 게이트 패턴(11)은 알루미늄과 크롬의 2중층으로 혹은 단일 금속층으로 형성할 수 있다. 게이트 패턴(11)과 함께 통상 스트리지 라인이 형성될 수 있다. 게이트 패턴(11) 위로 게이트 절연막(13)을 형성한다. 게이트 절연막(13)은 액정표시장치에서는 CVD 방법으로 실리콘 산화막, 실리콘 질화막을 적층하여 형성하는 것이 일반적이다. 게이트 절연막(13) 위로 아몰퍼스 실리콘을 역시 CVD 방법으로로 적층하고, 연속하여 불순물이 도핑된 아몰퍼스 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(Ohmic contact layer) 및 소오스 드레인 전극층을 적층한다. 소오스 드레인 전극층을 패 터닝하여 소오스/드레인 전극(19) 및 도시되지 않은 데이타 라인을 형성하고, 계속 오믹 콘택층 및 아몰퍼스 실리콘 활성층을 식각하여 박막트랜지스터 구조를 이루게 된다. 단, 채널 영역에서는 부분 노광을 통해 소오스 드레인 전극층과 오믹 콘택층 및 활성층 일부만 제거되도록 한다. 박막트랜지스터 영역과 데이타 라인을 식각 마스크로 보호하면서 하부 반도체층을 식각하여 제거한다. 결과, 오믹 콘택 패턴(17), 활성 영역 패턴(15)이 형성된다. 이상의 예는 활성 영역을 아몰퍼스 실리콘으로 형성하는 바텀 게이트 방식의 박막트랜지스터 액정표시장치를 형성하기 위해 4매 마스크 방식을 사용한 경우를 나타내고 있다. 그러나, 5매의 노광 마스크를 사용하는 경우와 같이 공정을 달리하는 경우, 또는, 형태를 달리하는 탑 게이트형 박막트랜지스터 액정표시장치에도 본 발명은 동일 방식으로 적용될 수 있다. Referring to FIG. 1, first, a thin film transistor structure is formed on a substrate. In order to form a thin film transistor structure, the gate pattern 11 is first formed on the glass substrate 10. The gate pattern 11 may be formed of a double layer of aluminum and chromium or a single metal layer. In addition to the gate pattern 11, a normal streak line may be formed. The gate insulating layer 13 is formed on the gate pattern 11. In the liquid crystal display device, the gate insulating film 13 is generally formed by stacking a silicon oxide film and a silicon nitride film by a CVD method. Amorphous silicon is also deposited on the gate insulating film 13 by a CVD method, and an ohmic contact layer and a source drain electrode layer made of amorphous silicon doped with impurities are successively stacked. The source drain electrode layer is patterned to form a source / drain electrode 19 and an unillustrated data line, followed by etching the ohmic contact layer and the amorphous silicon active layer to form a thin film transistor structure. In the channel region, only a part of the source drain electrode layer, the ohmic contact layer, and the active layer is removed through partial exposure. The lower semiconductor layer is etched and removed while protecting the thin film transistor region and the data line with an etch mask. As a result, the ohmic contact pattern 17 and the active region pattern 15 are formed. In the above example, the four-mask method is used to form a bottom gate thin film transistor liquid crystal display device in which the active region is formed of amorphous silicon. However, the present invention can be applied to a top gate type thin film transistor liquid crystal display device having a different process or having a different shape, such as when using five exposure masks.

또한, 아몰퍼스 실리콘 형성 후 레이져 어닐링을 거쳐 활성 영역을 다결정 실리콘으로 형성하는 저온 폴리실리콘형 박막트랜지스터 액정표시장치에서도 본 발명의 적용은 가능하다. 폴리실리콘형에서는 주로 탑 게이트 방식을 사용하게 되는데, 도시되지 않지만 한 예를 살펴보면, 기판에 아몰퍼스 실리콘층을 형성하고 레이져 어닐링을 통해 폴리실리콘층으로 변화시킨다. 그리고, 폴리실리콘층을 패터닝하여 활성 영역을 형성한다. 활성 영역 위로 게이트 절연막을 적층한다. 게이트 절연막은 실리콘 산화막 혹은 실리콘 질화막을 CVD 방법으로 적층하여 형성한다. 게이트 절연막 위로 게이트 배선을 형성한다. 게이트 배선은 단일층 혹은 복수의 금속층으로 이루어지며, 게이트 전극, 게이트 패드를 포함하는 개념이다. 게이트 전극 위로 주로 실리콘 산화막을 CVD로 적층하여 층간 절연막을 형성한다. 소오스 드 레인 영역에서 층간 절연막과 게이트 절연막을 제거하여 활성 영역을 드러내는 콘택 홀을 형성한다. 그리고, 텅스텐 몰리브덴, 알미늄 내드늄, 텅스텐 몰리브덴의 3중층을 스퍼터링 방법으로 기판 전체에 적층한다. 또한, 동일한 식각 마스크를 이용하여 이들 3중층을 연속적으로 패터닝하여 소오스 드레인 전극과 데이타 라인을 형성한다. 이로써 기판에 박막트랜지스터 구조가 형성된다.In addition, the present invention can be applied to a low temperature polysilicon thin film transistor liquid crystal display device in which an active region is formed of polycrystalline silicon through laser annealing after forming amorphous silicon. In the polysilicon type, a top gate method is mainly used. Although not shown, an example is shown, an amorphous silicon layer is formed on a substrate and converted into a polysilicon layer through laser annealing. Then, the polysilicon layer is patterned to form an active region. The gate insulating film is stacked over the active region. The gate insulating film is formed by laminating a silicon oxide film or a silicon nitride film by a CVD method. A gate wiring is formed over the gate insulating film. The gate wiring is formed of a single layer or a plurality of metal layers, and includes a gate electrode and a gate pad. A silicon oxide film is mainly deposited on the gate electrode by CVD to form an interlayer insulating film. The interlayer insulating film and the gate insulating film are removed in the source drain region to form a contact hole exposing the active region. Then, a triple layer of tungsten molybdenum, aluminum nadium and tungsten molybdenum is laminated on the entire substrate by a sputtering method. In addition, these triple layers are successively patterned using the same etching mask to form a source drain electrode and a data line. As a result, a thin film transistor structure is formed on the substrate.

도2를 참조하면, 박막트랜지스터가 형성된 기판에 절연막(21)을 적층한다. 본 예에서 절연막(21)은 감광성 유기 절연막을 사용하며, 두께는 액정층의 두께와 비슷한 4um 정도로 한다. 적층 방법은 포토레지스트와 유사하게 도포방법을 사용한다. 이미 형성한 박막트랜지스터의 소오스 전극을 드러내는 비아 홀을 만들기 위해 패터닝을 실시한다. 이때 절연막(21) 자체가 노광과 현상을 통해 패터닝 되므로 별도의 식각을 실시할 필요가 없다. Referring to FIG. 2, an insulating film 21 is stacked on a substrate on which a thin film transistor is formed. In this example, the insulating film 21 uses a photosensitive organic insulating film, and its thickness is about 4 um, similar to that of the liquid crystal layer. The lamination method uses a coating method similar to photoresist. Patterning is performed to make via holes that expose the source electrodes of the already formed thin film transistors. At this time, since the insulating film 21 itself is patterned through exposure and development, there is no need to perform separate etching.

한편, 절연막 상면에는 반사영역에서 반사광에 대한 집광 렌즈의 역할을 하도록 엠보싱 형태의 마이크로 렌즈를 형성할 수 있다. 그리고, 일정 화소전극 영역, 즉, 투과영역의 절연막을 함께 제거할 수도 있다. 투과영역에서 액정층 두께와 비슷한 두께의 절연막을 제거하면 이 부분은 통과하는 편광이 반파장에 해당하는 위상변위를 일으켜 반사영역과 투과영역 모두가 가능한 최대 밝기를 나타낼 수 있다는 장점을 가질 수 있다.Meanwhile, an embossed micro lens may be formed on the upper surface of the insulating layer to serve as a condenser lens for the reflected light in the reflective region. In addition, the insulating film of the predetermined pixel electrode region, that is, the transmissive region may be removed together. If the insulating layer having a thickness similar to the thickness of the liquid crystal layer is removed from the transmission region, this portion may have an advantage that the polarization passing through may cause a phase shift corresponding to half wavelength, thereby showing the maximum brightness of both the reflection region and the transmission region.

도3을 참조하면, 절연막(21) 위에 기판(10) 전면에 걸쳐서 투명전극층(23)으로 IZO(Indium Zinc Oxide)가 1000 내지 1500 옹스트롬 두께로 형성된다. 연속하여, 중간전극층(25)으로 텅스텐 몰리브덴이 500 내지 1000 옹스트롬, 반사전극층(27)으로 알미늄이 1500 옹스트롬 두께로 형성된다. 이들 도전층은 통상 스퍼터링 방식으로 형성한다. 이때 중간전극층(25)은 형성되지 않을 수도 있으며, 반사전극층(27)은 알미늄 외에 은 합금인 APC를, 투명전극층(23)은 ITO를 사용할 수도 있다. 그러나, 통상 ITO 위에 알미늄 함유 금속을 바로 형성하는 경우는 생각하기 어렵다.Referring to FIG. 3, indium zinc oxide (IZO) is formed on the insulating film 21 to the transparent electrode layer 23 over the entire surface of the substrate 10 to a thickness of 1000 to 1500 angstroms. Subsequently, tungsten molybdenum is formed in the intermediate electrode layer 25 to 500 to 1000 angstroms, and aluminum is formed in the reflective electrode layer 27 to 1500 angstroms in thickness. These conductive layers are usually formed by sputtering. In this case, the intermediate electrode layer 25 may not be formed, and the reflective electrode layer 27 may use APC made of silver alloy in addition to aluminum, and the ITO may be used for the transparent electrode layer 23. However, it is usually difficult to think of the case where an aluminum-containing metal is directly formed on ITO.

도4를 참조하면, 알미늄 반사전극층(27) 위에 포토레지스트막를 도포한다. 그리고 포토마스크를 이용하여 노광을 실시한다. 노광을 할 때 영역별로 차별노광을 실시한다. 차별노광은 화소전극이 형성되지 않는 부분에 대해서는 포토레지스트막을 광원에 충분한 시간 노출시키는 완전노광을 실시하고, 한편 화소전극이 형성되는 부분에서 투과 영역에서는 포토레지스트막을 불충분한 시간만큼 노출시키는 부분노광을 실시하는 방법으로 이루어진다. 가령, 완전노광되는 영역에 대해 투명하게 형성된 포토마스크1로 일정시간 T1, 완전노광되는 영역과 부분노광되는 영역에 대해 투명하게 형성된 포토마스크2로 일정시간 T2 만큼 연속적으로 노광하는 방법으로 실시될 수 있다. T1, T2는 포토레지스트의 종류와 특성, 2단으로 형성될 포토레지스트 패턴의 필요 단차 등을 고려하여 결정한다. 이외에 차별노광의 방법으로 부분노광되는 영역에 대해서는, 반투명 패턴을 가지거나 불투명 패턴에 많은 투명 슬릿을 가지는 포토마스크를 사용하는 방법을 생각할 수 있다.Referring to FIG. 4, a photoresist film is coated on the aluminum reflective electrode layer 27. Then, exposure is performed using a photomask. When exposing, differential exposure is performed for each area. The differential exposure is performed by fully exposing the photoresist film to the light source for a portion where the pixel electrode is not formed, and while partially exposing the photoresist film for an insufficient time in the transmissive region in the portion where the pixel electrode is formed. It is done by the method. For example, the method may be performed by continuously exposing the photomask 1 formed transparently to the fully exposed region for a predetermined time T1, and continuously exposing the photomask 2 transparently formed to the fully exposed region and partially exposed region for a predetermined time T2. have. T1 and T2 are determined in consideration of the type and characteristics of the photoresist and the necessary step of the photoresist pattern to be formed in two stages. In addition, for a region partially exposed by the differential exposure method, a method of using a photomask having a translucent pattern or having a large number of transparent slits in the opaque pattern can be considered.

노광 후에는 현상을 통해 화소전극 외의 영역은 포토레지스트가 완전히 제거되고, 화소전극의 투과영역은 상부 일정 두께의 포토레지스트가 제거되어 상면에 단차를 가지는 2단 포토레지스트 패턴(31)이 형성된다. 이때 포토레지스트가 제거 되면서 현상액이 노출된 반사전극층에 닿게 되어도 알미늄 반사전극층이 현상액에 닿아 훼손되지 않게 된다. 이는 중간 전극층의 완충작용에 의해 투명전극층에 알미늄 함유층이 바로 형성된 상태에서 심각하게 일어나는 바테리 효과가 억제되기 때문이다. After exposure, the photoresist is completely removed from the region other than the pixel electrode through the development, and the photoresist having a predetermined thickness is removed from the transmissive region of the pixel electrode to form a two-stage photoresist pattern 31 having a step on the upper surface. At this time, even when the photoresist is removed and the developer is exposed to the exposed electrode layer, the aluminum reflector layer is not damaged due to the developer. This is because the battery effect that occurs seriously in the state in which the aluminum-containing layer is directly formed on the transparent electrode layer is suppressed by the buffering action of the intermediate electrode layer.

도5를 참조하면, 2단 포토레지스트 패턴(31)을 가지고 도4의 반사전극층(23), 중간전극층(25) 및 투명전극층(27)을 식각한다. 따라서 화소별 분리가 이루어진 화소전극(33,35,37)이 이루어진다. 이때 식각에는 이방성 건식 식각을 실시하는 것이 바람직하다. 건식 식각을 할 경우 식각 단계에서 이미 언급한 바테리 효과는 보다 적절히 방지될 수 있으며, 이방성 식각이 패턴 주변을 깨끗하고 손상이 적도록 식각하는 데 적합하기 때문이다.  Referring to FIG. 5, the reflective electrode layer 23, the intermediate electrode layer 25, and the transparent electrode layer 27 of FIG. 4 are etched using the two-stage photoresist pattern 31. Accordingly, the pixel electrodes 33, 35, and 37 separated by pixel are formed. At this time, it is preferable to perform anisotropic dry etching for etching. When dry etching, the battery effects already mentioned in the etching step can be more appropriately prevented, because anisotropic etching is suitable for etching clean and less damage around the pattern.

도6을 참조하면, 도5의 상태에서 2단 포토레지스트 패턴(31)에 대해 상부를 일정 두께 제거하는 작업이 이루어진다. 이는 포토레지스트 패턴에 대한 일종의 에치 백으로, 기판 전면에 산소 플라즈마를 작용시키는 애싱을 일정 시간 실시함으로써 이루어질 수 있다. 즉, 화소전극의 투과영역에는 얇은 두께를 가지도록 2단 포토레지스트 패턴이 형성되어 있으므로 이 두께만큼 위로부터 포토레지스트를 제거한다면 투과영역에는 포토레지스트가 남지 않게 되고, 포토레지스트가 두껍게 형성되어 있던 반사영역에서는 2단 포토레지스트 패턴의 상면 단차만큼의 두께를 가진 1단 포토레지스트 패턴(41)이 형성되는 것이다.Referring to FIG. 6, the thickness of the upper portion of the two-stage photoresist pattern 31 is removed in the state of FIG. 5. This is a kind of etch back for the photoresist pattern, which can be done by conducting ashing for a certain time to apply an oxygen plasma to the entire surface of the substrate. That is, since the two-stage photoresist pattern is formed in the transmissive region of the pixel electrode to have a thin thickness, if the photoresist is removed from the upper portion by this thickness, no photoresist remains in the transmissive region, and the reflection in which the photoresist is thickly formed. In the region, the one-stage photoresist pattern 41 having a thickness corresponding to the top level of the two-stage photoresist pattern is formed.

도7을 참조하면, 화소전극의 반사영역만을 커버하고 있는 1단 포토레지스트 패턴(41)을 식각 마스크로 반사전극층(47)과 중간전극층(45)에 대한 식각을 실시한 다. 중간전극층(45)으로 크롬에 비해 텅스텐 몰리브덴을 사용하는 것이 알미늄 반사전극층(47)과 중간전극층(45)을 함께 식각하기 편리하다는 점에서 바람직하다. 또한, 습식 식각에 비해 이방성 건식 식각을 실시하는 것이 바람직하다. 단, 시간조절을 통해 하부의 투명전극층이 많이 손상되지 않도록 한다. 이로써 반사투과 복합형 화소전극이 형성된다. 잔여 포토레지스트 패턴은 제거된다. Referring to FIG. 7, the reflective electrode layer 47 and the intermediate electrode layer 45 are etched using the one-stage photoresist pattern 41 covering only the reflective region of the pixel electrode as an etching mask. It is preferable to use tungsten molybdenum as the intermediate electrode layer 45 as compared with chromium in that it is convenient to etch the aluminum reflective electrode layer 47 and the intermediate electrode layer 45 together. In addition, it is preferable to perform anisotropic dry etching compared to wet etching. However, the time is adjusted so that the lower transparent electrode layer is not damaged much. As a result, a reflective transparent pixel electrode is formed. The remaining photoresist pattern is removed.

이때, 투과 영역은 도8에 도시된 바와 같이 반사영역 가운데 형성된 하나의 창(51)의 형태로 나타날 수 있고, 또는, 반사영역의 주변 일부를 차지할 수도 있다. 도8은 도7의 상태에 대응하는 박막트랜지스터 액정표시장치 평면 레이아웃을 나타내는 도면이며, 도7은 도8의 ⅠⅠ선에 따라 절개할 때 나타나는 측단면에 해당한다. 단, 도7에서는 도8에 도시된 스토리지 라인(53)은 표현되지 않았다. In this case, the transmission region may be in the form of one window 51 formed in the reflection region as shown in FIG. 8, or may occupy a part of the periphery of the reflection region. FIG. 8 is a view showing a planar layout of a thin film transistor liquid crystal display device corresponding to the state of FIG. 7, and FIG. 7 corresponds to a side cross section that appears when cut along line II of FIG. 8. However, in FIG. 7, the storage line 53 shown in FIG. 8 is not represented.

한편, 도4 내지 도7의 과정을 적용함에 있어서, 게이트 및 데이타 배선의 패드부에도 포토레지스트막에 대한 부분 노광을 실시하는 것이 바람직하다. 패드부의 상층에 드러날 금속층으로 알미늄 함유 금속을 사용할 경우, 알미늄 함유 금속은 습기등에 노출됨에 따라 산화와 부식이 발생할 수 있다. 따라서 화소전극으로 투명전극을 사용하는 경우, 패드부를 투명전극층으로 마감하는 경우가 많다. 데이타 패드(109)와 게이트 패드(101)는 각각 데이타 배선 및 게이트 배선의 패터닝 과정에서 형성된다. 게이트 패드(101) 위로는 게이트 절연막(13), 유기 절연막(21)이 적층되고, 데이타 패드(109) 위로는 유기 절연막(21)이 적층된 뒤 유기 절연막(21) 패터닝 과정에서 게이트 패드(101) 및 데이타 패드(109)가 노출되도록 한다. 이 상태에서 패드부에 도4 내지 도7에 도시된 차별화된 노광방법을 적용할 경우, 패드부 는 화소전극의 투과영역과 같이 부분노광 영역으로 처리될 수 있다. 이 경우 도4 및 도5의 단계에서 패드부에는 낮은 두께의 포토레지스트 패턴이 형성된 상태가 되고, 반사전극층, 중간전극층, 투명전극층 3층으로 된 패드 패턴이 형성된다. 그리고, 도6의 단계에서 패드부의 포토레지스트 패턴은 식각으로 제거된다. 따라서 도7의 과정에서 반사전극층과 중간전극층에 대한 식각이 이루어질 때 패드 패턴에서도 반사전극층과 중간전극층이 식각으로 제거된다. 결과적으로, 도8의 ⅡⅡ절단선과 ⅢⅢ 절단선에 의한 측단면을 나타낸 도9에서와 같이 패드부에는 투명전극층으로 이루어진 패드(63,73)만 존재하게 되어 후속의 과정에서 패드부 부식을 막을 수 있다. On the other hand, in applying the process of Figs. 4 to 7, it is preferable to perform partial exposure to the photoresist film on the pad portions of the gate and data wiring. When the aluminum-containing metal is used as the metal layer to be exposed on the pad portion, the aluminum-containing metal may be oxidized and corroded as it is exposed to moisture. Therefore, when the transparent electrode is used as the pixel electrode, the pad part is often finished with the transparent electrode layer. The data pad 109 and the gate pad 101 are formed in the process of patterning the data wiring and the gate wiring, respectively. The gate insulating layer 13 and the organic insulating layer 21 are stacked on the gate pad 101, and the organic insulating layer 21 is stacked on the data pad 109, and then the gate pad 101 is patterned in the organic insulating layer 21 patterning process. ) And the data pad 109 are exposed. In this state, when the differentiated exposure method illustrated in FIGS. 4 to 7 is applied to the pad part, the pad part may be treated as a partial exposure area like the transmission area of the pixel electrode. In this case, a low thickness photoresist pattern is formed in the pad part in the steps of FIGS. 4 and 5, and a pad pattern including three layers of a reflective electrode layer, an intermediate electrode layer, and a transparent electrode layer is formed. 6, the photoresist pattern of the pad portion is removed by etching. Therefore, when the reflective electrode layer and the intermediate electrode layer are etched in the process of FIG. 7, the reflective electrode layer and the intermediate electrode layer are removed by etching in the pad pattern. As a result, only the pads 63 and 73 made of a transparent electrode layer exist in the pad portion as shown in FIG. 9 showing the side cross-sections of the II and III III cut lines of FIG. 8, thereby preventing corrosion of the pad portion in a subsequent process. have.

또한, 데이타 배선과 화소전극 사이에 절연막으로 유기 절연막을 사용할 경우, 패드부의 유기 절연막에 대해 패터닝할 때 패드부 인근에 대해서는 부분 노광을 실시하는 방법을 사용할 수 있다. 가령, COG(Chip On Glass)방식을 사용할 때, 패드부에는 구동 회로 단자와 접속을 위해 패드와 구동회로 단자 사이에 접속 볼을 넣고 이를 눌러서 접속이 이루어지도록 한다. 유기 절연막의 두께와 접속 볼의 두께가 큰 차이가 없는 경우, 접속 볼이 충분히 눌러지지 않고 도전체가 드러나지 않을 수 있다. 따라서, 유기 절연막 표면에 엠보싱을 설치하는 것과 동시에 패드부 인근을 부분노광으로 일부 두께를 제거할 경우, 구동회로 칩의 단자와 패드를 연결하기 위한 접속 볼이 잘 눌려지고 구동회로 단자와 패드가 용이하게 접속될 수 있다. In addition, when an organic insulating film is used as the insulating film between the data line and the pixel electrode, a method of performing partial exposure in the vicinity of the pad portion when patterning the organic insulating film of the pad portion can be used. For example, when using a chip on glass (COG) method, the pad part has a connection ball between the pad and the drive circuit terminal for connection with the drive circuit terminal, and the connection is made by pressing it. When there is no big difference between the thickness of the organic insulating film and the thickness of the connection ball, the connection ball may not be sufficiently pressed and the conductor may not be exposed. Therefore, when embossing is provided on the surface of the organic insulating film and at the same time the part of the pad portion is removed by partial exposure, the connection ball for connecting the terminal and the pad of the driving circuit chip is pressed well and the driving circuit terminal and the pad are easy. Can be connected.

본 발명에 따르면, 반사투과 복합형 액정표시장치를 통상의 반사형 혹은 투과형 액정표시장치의 형성방법에 비해 번거로운 부가공정 없이 형성할 수 있다. 또한, 부가적 구성에 의해 화소전극을 복층으로 사용하는 데 따른 바테리 효과와 같은 공정 저해 현상을 억제하는 데 효과를 가질 수 있다. According to the present invention, the reflective transmissive liquid crystal display device can be formed without the cumbersome additional process as compared with the conventional method of forming the reflective or transmissive liquid crystal display device. In addition, the additional configuration may have an effect of suppressing a process inhibition phenomenon such as a battery effect caused by using the pixel electrode as a multilayer.

Claims (14)

기판,Board, 상기 기판에 적어도 하나 형성되는 박막트랜지스터 및 배선들,At least one thin film transistor and wirings formed on the substrate; 상기 박막트랜지스터 및 배선들 위로 상기 기판 전면에 걸쳐 적층되며 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극 일부를 드러내는 콘택 홀을 가지는 절연막, 및 An insulating film stacked over the entire surface of the thin film transistor and wirings and having a contact hole exposing a portion of a source electrode of the thin film transistor; 상기 절연막 위로 형성되며 상기 콘택 홀을 통해 상기 소오스 전극과 연결되며 상기 박막트랜지스터와 대응관계에 있는 화소전극을 포함하며, A pixel electrode formed over the insulating layer and connected to the source electrode through the contact hole and corresponding to the thin film transistor; 상기 화소전극은,The pixel electrode, 상기 화소전극의 최하층에서 상기 화소전극 영역 전체를 커버하며 상기 소오스 전극과 직접 연결되는 투명전극, 및A transparent electrode covering the entire pixel electrode region at a lowermost layer of the pixel electrode and directly connected to the source electrode, and 상기 화소전극의 영역의 일부인 반사영역에서 상기 투명전극 위에 형성되는 반사전극 및 중간전극으로 이루어지는 불투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치. And an opaque electrode formed of a reflective electrode and an intermediate electrode formed on the transparent electrode in a reflective region which is a part of the region of the pixel electrode. 제 1 항에 있어서, 상기 중간전극은 상기 투명전극 및 상기 반사전극 사이에 위치하고, 상기 중간전극이 상기 화소전극을 커버하는 영역은 상기 반사전극이 상기 화소전극을 커버하는 영역과 동일한 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치. The method of claim 1, wherein the intermediate electrode is positioned between the transparent electrode and the reflective electrode, and an area in which the intermediate electrode covers the pixel electrode is the same as an area in which the reflective electrode covers the pixel electrode. Reflective composite LCD. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 중간전극은 텅스텐 몰리브덴층 혹은 크롬층 가운데 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.The intermediate electrode may be formed of one of a tungsten molybdenum layer or a chromium layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명전극은 IZO(Indium Zinc Oxide)로, 상기 반사전극은 알미늄 함유 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.And the transparent electrode is indium zinc oxide (IZO), and the reflective electrode is formed of an aluminum-containing electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소전극 영역 가운데 상기 투명전극만을 구비하는 투과영역은 상기 불투명전극 내의 창(window)의 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.And a transparent region including only the transparent electrode in the pixel electrode region is formed in the form of a window in the opaque electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연막은 감광성 유기 절연막으로 이루어짐을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.And the insulating film is formed of a photosensitive organic insulating film. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연막은 액정층과 동일한 두께로 형성되며, 상기 투명전극만을 구비하는 투과영역에서 상기 절연막은 제거된 상태인 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.And the insulating film is formed to have the same thickness as the liquid crystal layer, and the insulating film is removed from the transparent region including only the transparent electrode. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연막 상부는 집광기능을 하는 마이크로 렌즈를 이루도록 엠보싱이 형성된 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.The upper portion of the insulating film is embossed to form a micro lens that functions to collect light, characterized in that the reflective liquid crystal display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 게이트 배선 및 데이타 배선의 단부에 형성되는 게이트 패드 및 데이타 패드는 각각 상기 절연막에 형성된 홀을 통해 상기 절연막 위쪽에 형성된 패드 패턴과 접속되며, 상기 패드 패턴은 투명전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시 장치.The gate pad and the data pad formed at the ends of the gate wiring and the data wiring are respectively connected to the pad pattern formed on the insulating film through holes formed in the insulating film, and the pad pattern is made of a transparent electrode. Type liquid crystal display device. 기판에 박막트랜지스터 및 연관 배선들을 형성하는 단계, Forming a thin film transistor and associated wirings on the substrate, 상기 박막트랜지스터 및 연관 배선들이 형성된 기판에 절연막을 적층하고 패터닝하여 상기 박막트랜지스터의 소오스 전극을 드러내는 콘택 홀을 형성하는 단계, Stacking and patterning an insulating layer on a substrate on which the thin film transistor and the associated wirings are formed to form a contact hole exposing a source electrode of the thin film transistor; 상기 절연막 위에 투명전극층을 적층하는 단계, Stacking a transparent electrode layer on the insulating film; 상기 투명전극층 위에 적어도 반사전극층을 포함하는 불투명 전극층을 상기 반사전극층이 위에 있도록 적층하는 단계, Stacking an opaque electrode layer including at least a reflective electrode layer on the transparent electrode layer such that the reflective electrode layer is on the transparent electrode layer; 상기 반사전극층 위에 포토레지스트막을 도포하고 화소전극 영역을 제외한 영역은 완전노광을, 상기 화소전극 영역 가운데 투과영역은 부분노광을 하는 차별노광과 현상을 실시하여 화소전극에 대응되는 2단 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, A photoresist film is coated on the reflective electrode layer, and a region except the pixel electrode region is completely exposed, and a transmissive region of the pixel electrode region is subjected to differential exposure and partial exposure to develop a two-stage photoresist pattern corresponding to the pixel electrode. Forming step, 상기 2단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 불투명 전극층과 투명전극층을 제거하는 단계, Removing the opaque electrode layer and the transparent electrode layer by using the two-stage photoresist pattern as an etching mask; 상기 2단 포토레지스트 패턴을 전반적으로 일정 두께씩 제거하여 부분노광된 상기 투과영역에서 포토레지스트가 제거된 1단 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, Removing the two-stage photoresist pattern by a predetermined thickness to form a one-stage photoresist pattern in which the photoresist is removed from the partially exposed transmissive region; 상기 1단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 불투명전극층을 식각하여 상기 투과영역에서 상기 투명전극층만 가지는 화소전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법.And etching the opaque electrode layer using the one-stage photoresist pattern as an etch mask to form a pixel electrode having only the transparent electrode layer in the transmissive region. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 2단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 투명전극층과 상기 불투명전극층을 제거하는 단계 및 상기 1단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 불투명전극층을 식각하는 단계는 이방성 건식 식각으로 이루어짐을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법.The removing of the transparent electrode layer and the opaque electrode layer using the two-stage photoresist pattern as an etch mask and the etching of the opaque electrode layer using the one-stage photoresist pattern as an etch mask are performed by anisotropic dry etching. Method of forming a transmission composite liquid crystal display device. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 차별노광은 상기 포토레지스트막을 완전노광되는 영역에 대한 패턴만 형성된 포토마스크로 일정시간 T1, 완전노광되는 영역과 부분노광되는 영역에 대한 패턴이 형성된 포토마스크로 일정시간 T2 만큼 연속적으로 노광하는 방법으로 실시됨을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법.The differential exposure is a method of continuously exposing the photoresist film with a photomask in which only a pattern for a fully exposed region is formed for a predetermined time T1, and a photomask in which a pattern for a fully exposed region and a partially exposed region is formed for a predetermined time T2. Method for forming a reflective transparent liquid crystal display device characterized in that carried out. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 불투명전극층을 적층하는 단계는 텅스텐 몰리브덴층을 중간 전극층으로 먼저 적층하고, 알미늄 함유층을 반사 전극층으로 연속하여 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법.The stacking of the opaque electrode layer may be performed by first stacking a tungsten molybdenum layer as an intermediate electrode layer and successively laminating an aluminum-containing layer as a reflective electrode layer. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 절연막을 적층하고 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계에서 게이트 패드 및 데이타 패드를 드러내는 패드 오픈이 이루어지고, In the step of stacking and patterning the insulating layer to form a contact hole, a pad opening exposing a gate pad and a data pad is formed. 상기 차별노광과 현상을 실시하여 화소전극에 대응되는 2단 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서 패드부에는 낮은 두께의 포토레지스트 패턴이 형성되어, In the step of forming the two-stage photoresist pattern corresponding to the pixel electrode by performing the differential exposure and development, a low thickness photoresist pattern is formed on the pad part. 상기 1단 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 상기 불투명전극층을 식각하는 단계에서 상기 투명전극층만 가지는 패드 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사투과 복합형 액정표시장치 형성방법.And forming a pad pattern having only the transparent electrode layer in the step of etching the opaque electrode layer by using the one-stage photoresist pattern as an etching mask.
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