KR100786937B1 - 이차전지 보호장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리튬이온 이차전지가 외부환경변화, 외부충격 등으로 작동범위 이상의 고온에 노출되거나 전지의 내부적 결함으로 인한 자체 발열로 인해 전지의 온도가 상승할 경우 상기 리튬이온 이차전지를 방전시키는 이차전지 보호장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이러한 본 발명에 따르는 이차전지 보호장치는 애노드와 캐소드가 상기 이차전지의 양단과 각각 연결되며, 게이트 전류가 제공되면 상기 이차전지의 양단을 단락시키는 사이리스터; 상기 이차전지의 온도를 센싱하고, 상기 센싱된 온도가 소정 온도 이상이면 상기 게이트 전류를 상기 사이리스터에 공급하는 온도센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
외부 환경변화, 외부충격, 내부적 결함에 의한 전지 발열, 과충전 등 어떠한 이유를 통해서건 전지의 온도 상승이 있을 경우, 전지를 방전시켜 안전한 상태로 만들어 주기 때문에 전지의 폭발, 발화, 부품 등을 방지해 안전성을 향상 시킬 수 있다.

Description

이차전지 보호장치{APPARATUS FOR PROTECTION OF SECONDARY BATTERY}
도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 이차전지 보호장치의 회로도.
도 2는 NTC의 특성곡선을 도시한 도면.
도 3은 도 1의 이차전지 보호장치의 전류 흐름을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 이차전지 보호장치의 회로도.
도 5는 MIT의 특성곡선을 도시한 도면.
도 6은 도 4의 이차전지 보호장치의 전류 흐름을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 이차전지 보호장치의 회로도.
도 8은 제1사이리스터의 특성곡선을 도시한 도면.
도 9 및 도 10은 도 7의 이차전지 보호장치의 전류 흐름을 도시한 도면.
도 11은 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 이차전지 보호장치의 회로도.
도 12 및 도 13은 도 11의 이차전지 보호장치의 전류 흐름을 도시한 도면.
본 발명은 이차전지 보호장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이차전지가 외부환경 변화, 외부충격, 내부적 결함, 과충전 등에 의해 작동 범위이상의 고온에 노출되는 경우, 전지를 안전한 상태로 방전시켜서 이차전지가 부풀거나 발화하거나 폭발하지 않도록 보호하는 이차전지 보호장치에 관한 것이다.
일반적으로 전지는 크게 화학전지와 물리전지로 나뉘고, 화학전지는 일차전지 및 이차전지, 그리고 연료전지로 나눌 수 있다. 상기 이차전지로는 니켈/카드뮴(Ni-Cd) 이차전지, 니켈/수소(Ni-Mh) 이차전지, 밀폐납산(SLA) 이차전지, 리튬(Li)이온 이차전지, 리튬(Li)-중합체 이차전지 및 재사용 알카리(Reusable alkaline) 이차전지 등이 있다.
특히 상기 리튬이온 이차전지는 고 에너지 밀도, 저온 특성, 그리고 축적성 등에서 안정된 특성을 가지는 유기 전해약 전지류로서, 휴대용 컴퓨터의 배터리로 폭넓게 사용되고 있다. 여기서 에너지 밀도란 에너지의 충전 정도를 나타내는 것으로 용량을 체적이나 무게로 나눈 값을 말한다.
그런데 상기 리튬이온 이차전지는 사용자의 부주의 등으로 작동범위 이상의 고온 환경, 예를 들어 여름철 자동차안, 찜질방, 전기장판, 오븐(oven) 등에 노출될 수 있으며, 또한 전지의 내부적 쇼트(short), 과충전 등을 이유로 자체적으로 온도가 상승할 수 있다.
상기 리튬이온 이차전지가 일정온도 이상의 고온에 노출되거나 자체 발열에 의해 온도가 상승하게 되면 리튬이온 이차전지가 부풀거나 발화하거나 폭발할 수 있다.
종래에는 단순히 과충전에 따른 발열로 인해 리튬이온 이차전지가 손상되는 것을 방지하기 위해, 상기 리튬이온 이차전지의 발열에 따라 저항값이 증가하는 PTC(Positive Temperature Coefficiency resistor)를 상기 리튬이온 이차전지에 직렬 연결하였다.
상기 PTC는 상기 리튬이온 이차전지가 과열되면 상기 리튬이온 이차전지로의 전류 흐름을 억제하며, 전지가 더 이상 충전되는 것을 방지하였다.
그러나 상기한 리튬이온 이차전지는 과충전뿐만 아니라 외부환경의 변화, 내부 단락, 외부 충격 등을 이유로 인해 발열될 수 있고, 고온환경에 노출되는 경우에도 발열할 수 있으며, 상기 리튬이온 이차전지는 고온환경에 노출되거나 충전상태에서 발열하는 경우에는 비교적 쉽게 가스생성으로 인한 부품(swelling) 현상이 발생하고 심하면 폭발하거나 발화되는 문제가 있었다.
이에 종래에는 외부환경의 변화, 내부 단락, 외부 충격 등을 이유로 리튬이온 이차전지가 발열하거나, 고온환경에 노출되는 경우에, 상기 리튬이온 이차전지를 보호할 수 있는 기술의 개발이 절실히 요망되었다.
본 발명은 리튬이온 이차전지가 발열하거나 고온 환경에 노출되면 상기 리튬이온 이차전지를 방전시키는 이차전지 보호장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명의 다른 목적은 리튬이온 이차전지가 발열하거나 고온 환경에 노출될 때에 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터 또는 MIT(Metal Insulator Transition) 서미스터 및 스위칭 소자로 구성되는 간소한 이차전지 보호장치를 통해 리튬이온 이차전지를 보호할 수 있게 하는 이차전지 보호장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 또 다른 목적은 리튬이온 이차전지가 발열하거나 고온 환경에 노출될 때에 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터 또는 MIT(Metal Insulator Transition) 서미스터 및 사이리스터로 구성되는 간소한 이차전지 보호장치를 통해 리튬이온 이차전지를 보호할 수 있게 하는 이차전지 보호장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이차전지 보호장치는, 애노드와 캐소드가 상기 이차전지의 양단과 각각 연결되며, 게이트 전류가 제공되면 상기 이차전지의 양극을 단락시키는 사이리스터; 및 상기 이차전지의 온도를 센싱하고, 상기 센싱된 온도가 설정 온도 이상이면 상기 게이트 전류를 상기 사이리스터에 공급하는 온도센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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특히 상기 온도센서는 NTC 서미스터 또는 MIT 서미스터임을 특징으로 하며, 상기 사이리스터는, SCR, 역극성 사이리스터(N-Type Thyristor), 듀얼 게이트 사이리스터(Dual Gate Thyristor), 쌍방향 사이리스터(TRIAC) 및 GTO 사이리스터(gate turn off Thyristor) 중 어느 하나임을 특징으로 한다.
본 발명은 리튬이온 이차전지에 병렬로 이차전지 보호장치를 연결하여, 상기 리튬이온 이차전지의 발열 또는 고온환경에 노출됨이 감지되면 상기 리튬이온 이차전지를 강제 방전시킴으로써 상기 리튬이온 이차전지의 전해액을 안정화시켜 발화 또는 폭발 등을 미연에 방지한다.
이러한 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 이차전지 보호장치를 도 1을 참조하여 설명한다.
리튬이온 이차전지(100)와 이차전지 보호장치(102)는 병렬 연결되며, 이차전지 보호장치(102)는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터(104)와 제1트랜지스터(106)로 구성된다. NTC 서미스터(104)는 리튬이온 이차전지(100)의 양(+)극과 제1트랜지스터(106)의 베이스 단자 사이에 연결되며, 상기 제1트랜지스터(106)의 에미터 단자와 콜렉터 단자는 리튬이온 이차전지(100)의 양단과 각각 연결된다.
상기한 NTC 서미스터(104)는 높은 안정성, 생산성 및 저항률, 온도계수를 가지는 서미스터로서 전기 저항의 온도계수가 금속에 비해 5~10배 높으며 다양한 형상으로의 가공이 용이하다. 이러한 NTC 서미스터(104)는 주로 온도감지, 온도보상, 액위, 풍속, 진공검출, 돌입전류방지, 지연소자 등으로 사용되며, 현재 온도센 서로 가장 널리 사용되고 있다.
상기한 NTC 서미스터(104)의 특성을 도 2를 참조하여 좀더 설명한다. NTC 서미스터(104)는 온도가 상승함에 따라 저항이 감소하며, 상기 저항감소 정도는 해당 NTC 서미스터(104)의 저항계수에 따른다. 즉, NTC 서미스터(104)는 소자(R10K3000, R10K4000, R10K8000)에 따라 저항계수가 상이하므로, 상기 온도상승에 따른 저항감소 정도가 상이하다. 이에, 본 발명에 따라 소정 온도에서 제1트랜지스터(106)를 도통시키기 위해서는 다양한 종류의 NTC 서미스터 중 어느 하나가 선택되거나 저항 등이 조합된 전압분배회로가 부가될 수 있다.
상기 도 1에서는 스위칭 소자로서 PNP 트랜지스터를 제1트랜지스터(106)로 채용한 것을 예시하였으나, 소정 제어신호에 따라 단락(short)되거나 개방(open)되는 다양한 스위칭 소자가 채용될 수 있다. 즉, PNP 트랜지스터뿐만 아니라, NPN 트랜지스터 등이 상기 도 1의 제1트랜지스터(106)로 대체될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이제 상기한 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 이차전지 보호장치의 동작을 도 3을 참조하여 설명한다.
외부환경의 변화, 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(100)가 발열하거나 고온 환경에 노출되는 것은 NTC 서미스터(104)에 의해 센싱된다. 즉, NTC 서미스터(104)는 리튬이온 이차전지(100)가 소정 온도로 발열하여 NTC 서미스터(104)의 저항값이 소정 저항값으로 감소되면, 상기 NTC 서미스터(104)는 리튬이온 이차전지(100)로부터의 제어전류(I1)를 제1트랜지스터(106)의 베이스 단자로 공급한다. 제1트랜지스터(106)는 NTC 서미스터(104)를 통해 유입되는 제어 전류(I1)에 따라 도통한다.
상기한 제1트랜지스터(106)가 도통하면, 리튬이온 이차전지(100)의 양단이 단락(SHORT)되어, 리튬이온 이차전지(100)의 전류(I2)는 제1트랜지스터(106)를 통해 흐르게 된다. 이에 따라 리튬이온 이차전지(100)는 강제 방전된다.
상기한 바와 같이 본 발명의 바람직한 제1실시예는 NTC 서미스터(104) 및 제1트랜지스터(106)로 구성되는 간소한 구조의 이차전지 보호장치(102)를 통해 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(100)가 발열하거나 고온환경에 노출됨에 따른 발화 또는 폭발을 제한할 수 있다.
이제 본 발명의 바람직한 제2실시예를 도 4를 참조하여 설명한다.
리튬이온 이차전지(200)와 이차전지 보호장치(202)는 병렬 연결되며, 이차전지 보호장치(202)는 MIT(Metal Insulator Transition) 서미스터(204)와 제2트랜지스터(206)로 구성된다. MIT 서미스터(204)는 리튬이온 이차전지(200)의 양(+)극과 제2트랜지스터(206)의 베이스 단자 사이에 연결되며, 제2트랜지스터(206)의 에미터 단자와 콜렉터 단자는 리튬이온 이차전지(200)의 양단과 각각 연결된다.
상기한 MIT 서미스터(204)의 특성을 도 5를 참조하여 좀더 설명한다. MIT 서미스터(204)는 소정 온도에서 저항이 급격하게 감소하며, 상기 저항 감소 지점은 해당 MIT 서미스터(204)의 저항계수에 따른다. 즉, MIT 서미스터(204)는 소자에 따라 저항계수가 상이하므로, 상기 저항이 급격하게 감소하는 온도가 상이하다. 이에, 본 발명에 따라 소정 온도에서 제2트랜지스터(206)를 도통시키기 위해서는 다양한 종류의 MIT 서미스터 중 어느 하나가 선택될 수 있다.
상기 도 4에서는 스위칭 소자로서 PNP 트랜지스터를 제2트랜지스터(206)로 채용한 것을 예시하였으나, 소정 제어신호에 따라 단락(short)되거나 개방(open)되는 다양한 스위칭 소자가 채용될 수 있다. 즉, PNP 트랜지스터뿐만 아니라, NPN 트랜지스터 등이 상기 도 4의 제2트랜지스터(206)로 대체될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이제 상기한 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 이차전지 보호장치(202)의 동작을 도 6을 참조하여 설명한다.
내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(200)가 발열하거나 고온 환경에 노출되는 것은 MIT 서미스터(204)에 의해 센싱된다. 즉, MIT 서미스터(204)는 리튬이온 이차전지(200)가 소정 온도로 발열하여 MIT 서미스터(204)의 저항값이 소정 저항값으로 감소되면, 상기 MIT 서미스터(204)는 리튬이온 이차전지(200)로부터의 제어전류(I3)를 제2트랜지스터(206)의 베이스 단자로 공급한다. 제2트랜지스터(206)는 MIT 서미스터(204)를 통해 유입되는 제어 전류(I3)에 따라 도통한다.
상기한 제2트랜지스터(206)가 도통하면, 리튬이온 이차전지(200)의 음(-)극과 양(+)극이 단락(short)되어, 리튬이온 이차전지(200)의 전류(I4)는 제2트랜지스터(206)를 통해 흐르게 된다. 이에 따라 리튬이온 이차전지(200)는 강제 방전된다.
상기한 바와 같이 본 발명의 바람직한 제2실시예는 MIT 서미스터(204) 및 제2트랜지스터(206)로 구성되는 간소한 구조의 이차전지 보호장치(202)를 통해 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(200)가 발열하거나 고온환경에 노출됨에 따른 발화 또는 폭발을 제한할 수 있다.
이제, 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 이차전지 보호장치를 도 7을 참조하여 설명한다.
리튬이온 이차전지(300)와 이차전지 보호장치(302)는 병렬 연결되며, 이차전지 보호장치(302)는 NTC(Negative Temperature Coefficient) 서미스터(304)와 제1사이리스터(306)로 구성된다. NTC 서미스터(304)는 리튬이온 이차전지(300)의 양(+)극과 제1사이리스터(Thyristor)(306)의 게이트 단자 사이에 연결되며, 상기 제1사이리스터(306)의 애노드 단자와 캐소드 단자는 리튬이온 이차전지(300)의 양극과 음극에 각각 연결된다.
상기한 NTC 서미스터(304)는 높은 안정성, 생산성 및 저항률, 온도계수를 가지는 서미스터로서 전기 저항의 온도계수가 금속에 비해 5~10배 높으며 다양한 형상으로의 가공이 용이하다. 이러한 NTC 서미스터(304)는 주로 온도감지, 온도보상, 액위, 풍속, 진공검출, 돌입전류방지, 지연소자 등으로 사용되며, 현재 온도센서로 가장 널리 사용되고 있다.
상기한 NTC 서미스터(304)의 특성을 도 2을 참조하여 좀더 설명한다. NTC 서미스터(304)는 온도가 상승함에 따라 저항이 감소하며, 상기 저항감소 정도는 해당 NTC 서미스터(304)의 저항계수에 따른다. 즉, NTC 서미스터(304)는 소자(R10K3000, R10K4000, R10K8000)에 따라 저항계수가 상이하므로, 상기 온도상승에 따른 저항감소 정도가 상이하다. 이에, 본 발명에 따라 소정 온도에서 제1사이리스터(306)를 도통시키기 위해서는 다양한 종류의 NTC 서미스터 중 어느 하나가 선택되거나 저항 등이 조합된 전압분배회로가 부가될 수 있다.
상기한 제1사이리스터(306)는 실리콘 제어정류기(silicon controlled rectifier:SCR)라고도 하며, 애노드(anode), 캐소드(cathode), 게이트(gate)의 3단자로 구비하며, 상기 게이트 신호가 인가되면 애노드와 캐소드 사이에 전류가 흐르고, 게이트 신호가 없으면 양극과 음극 사이에 전류는 흐르지 않고 높은 전압이 유지된다. 이러한 제1사이리스터(306)는 P-N-P-N 4층 구조를 가지며, 6000[V]이상의 전압을 견딜 수 있고, 3,000[A]이상의 전류를 제어할 수 있다.
여기서, 제1사이리스터(306)의 특성을 도시한 도 8을 참조하면, 상기 제1사이리스터(306)에 소정의 게이트 전류(Ig)가 인가될 때 도통하여 애노드와 캐소드 사이에 전류(Ia)가 흐른다.
또한 상기 도 7에는 스위칭 소자로서 제1사이리스터(306)를 채용한 것만을 예시하였으나, 소정 제어신호에 따라 단락(short)되거나 개방(open)되는 다양한 스위칭 소자를 채용할 수도 있다. 예를 들어, 역극성 사이리스터(N-Type Thyristor), 듀얼 게이트 사이리스터(Dual Gate Thyristor), 쌍방향 사이리스터(TRIAC), GTO 사이리스터(gate turn off Thyristor) 등이 상기 스위칭 소자로서 채용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
이제 상기한 본 발명의 바람직한 제3실시예에 따른 이차전지 보호장치(302)의 동작을 도 9 및 도 10을 참조하여 설명한다.
외부환경의 변화, 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전 지(300)가 발열하거나 고온환경에 노출되는 것은 NTC 서미스터(304)에 의해 센싱된다. 즉, NTC 서미스터(304)는 리튬이온 이차전지(300)가 소정 온도로 발열하여 NTC 서미스터(304)의 저항값이 소정 저항값으로 감소되면, 상기 NTC 서미스터(304)는 리튬이온 이차전지(300)로부터의 전류(I1)를 게이트 전류로서 제1사이리스터(306)의 게이트 단자로 공급한다. 제1사이리스터(306)는 NTC 서미스터(304)를 통해 유입되는 게이트 전류(I1)에 따라 도통한다.
상기한 제1사이리스터(306)가 도통하면, 리튬이온 이차전지(300)의 양단이 단락(SHORT)되어 리튬이온 이차전지(300)의 전류(I2)는 제1사이리스터(306)를 통해 흐르게 된다. 이에 따라 리튬이온 이차전지(300)는 강제 방전된다.
상기한 바와 같이 본 발명의 바람직한 제3실시예는 NTC 서미스터(304) 및 제1사이리스터(306)로 구성되는 간소한 구조의 이차전지 보호장치(302)를 통해 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(300)가 발열하거나 고온환경에 노출됨에 따른 발화 또는 폭발을 제한할 수 있다.
이제 본 발명의 바람직한 제4실시예를 도 11을 참조하여 설명한다.
리튬이온 이차전지(400)와 이차전지 보호장치(402)는 병렬 연결되며, 이차전지 보호장치(402)는 MIT(Metal Insulator Transition) 서미스터(404)와 제2사이리스터 (406)로 구성된다. MIT 서미스터(404)는 리튬이온 이차전지(400)의 양(+)극과 제2사이리스터(406)의 게이트 단자 사이에 연결되며, 제2사이리스터(406)의 애노드 단자와 캐소드 단자는 리튬이온 이차전지(400)의 양극 및 음극과 각각 연결된다.
상기한 MIT 서미스터(404)의 특성을 도 5를 참조하여 좀더 설명한다. MIT 서미스터(404)는 소정 온도에서 저항이 급격하게 감소하며, 상기 저항 감소 지점은 해당 MIT 서미스터(404)의 저항계수에 따른다. 즉, MIT 서미스터(404)는 소자에 따라 저항계수가 상이하므로, 상기 저항이 급격하게 감소하는 온도가 상이하다. 이에, 본 발명에 따라 소정 온도에서 제2사이리스터(406)를 도통시키기 위해서는 다양한 종류의 MIT 서미스터 중 어느 하나가 선택될 수 있다.
상기 도 11에서는 스위칭 소자로서 제2사이리스터(406)로 채용한 것을 예시하였으나, 소정 제어전류에 따라 단락 또는 개방하는 다양한 스위칭 소자를 채용하는 것도 당업자에게 자명하다.
이제 상기한 본 발명의 바람직한 제4실시예에 따른 이차전지 보호장치(402)의 동작을 도 12 및 13를 참조하여 설명한다.
외부환경의 변화, 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(400)가 발열하거나 고온환경에 노출되는 것은 MIT 서미스터(404)에 의해 센싱된다. 즉, MIT 서미스터(404)는 리튬이온 이차전지(400)가 소정 온도로 발열하여 MIT 서미스터(404)의 저항값이 소정 저항값으로 감소되면, 상기 MIT 서미스터(404)는 리튬이온 이차전지(400)로부터의 전류(I3)를 게이트 전류로서 제2사이리스터(406)의 게이트 단자로 공급한다. 제2사이리스터(406)는 MIT 서미스터(404)를 통해 유입되는 게이트 전류(I3)에 따라 도통한다.
상기한 제2사이리스터(406)가 도통하면, 리튬이온 이차전지(400)의 양단이 단락(SHORT)되어 리튬이온 이차전지(400)의 전류(I4)는 제2사이리스터(406)를 통해 흐르게 된다. 이에 따라 리튬이온 이차전지(400)는 강제 방전된다.
상기한 바와 같이 본 발명의 바람직한 제4실시예는 MIT 서미스터(404) 및 제2사이리스터(406)로 구성되는 간소한 구조의 이차전지 보호장치(402)를 통해 내부 단락, 외부 충격 등의 이유로 리튬이온 이차전지(400)가 발열하거나 고온환경에 노출됨에 따른 발화 또는 폭발을 제한할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명은 리튬이온 이차전지의 발열 또는 고온환경에 노출되는 경우에 상기 리튬이온 이차전지를 방전시켜 발화 또는 폭발 등의 위험으로부터 리튬이온 이차전지 및 사용자를 보호할 수 있는 효과가 있다.
더욱이 본 발명은 리튬이온 이차전지에 충전전류의 공급을 제한하여 발열을 중지시키는 것이 아니라 리튬이온 이차전지의 발열 또는 고온환경으로의 노출 시에 상기 리튬이온 이차전지를 방전시킴으로써, 충전상태의 리튬이온 이차전지가 발열하거나 고온환경에 노출되는 경우에도 리튬이온 이차전지의 폭발이나 발화를 제한할 수 있는 이점이 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 이차전지 보호장치에 있어서,
    애노드와 캐소드가 이차전지의 양단과 각각 연결되며, 게이트 전류가 제공되면 상기 이차전지의 양극을 단락시키는 사이리스터; 및
    상기 이차전지의 온도를 센싱하고, 상기 센싱된 온도가 설정 온도 이상이면 상기 게이트 전류를 상기 사이리스터에 공급하는 온도센서
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지 보호장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 온도센서는 NTC 서미스터 또는 MIT 서미스터임을 특징으로 하는 이차전지 보호장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 사이리스터는, SCR, 역극성 사이리스터(N-Type Thyristor), 듀얼 게이트 사이리스터(Dual Gate Thyristor), 쌍방향 사이리스터(TRIAC) 및 GTO 사이리스터(gate turn off Thyristor) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 이차전지 보호장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 온도센서는 일단이 상기 이차전지의 양극에 연결되고, 타단이 상기 사이리스터의 게이트 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 이차전지 보호장치.
  9. 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항의 이차전지 보호장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지.
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