KR100771059B1 - 복수의 저소비 전력 모드를 구비한 반도체 기억 장치 - Google Patents
복수의 저소비 전력 모드를 구비한 반도체 기억 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (20)
- 기억 유지를 위해 복수의 메모리 영역에 설치된 메모리 셀(23a)의 리프레시를 정기적으로 실시하는 반도체 기억 장치에 있어서,상기 복수의 메모리 영역 중 적어도 하나의 영역에 있어서의 메모리셀을 리프레시하는 리프레시 모드를 구비하고,상기 메모리셀의 누설 전류가 적은 적어도 하나의 메모리 영역을 리프레시하는 영역으로서 선택하는 선택 회로(90)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 모든 메모리 영역에 있어서의 메모리셀(23a)에 대한 리프레시와, 상기 메모리셀을 포함하는 메모리 코어에 동작 전압을 공급하는 내부 전원 회로(22)를 정지하는 제1 저전력 소비 모드와,모든 메모리 영역에 있어서의 메모리 셀(23a)에 대한 리프레시를 정지하고, 상기 내부 전원 회로를 정지하지 않는 제2 저전력 소비 모드를 구비하며,상기 리프레시 모드는 적어도 하나의 메모리 영역에 있어서의 메모리셀(23a)을 리프레시하는 동시에, 상기 내부 전원 회로를 정지하지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 반도체 기억 장치는 메모리셀에 대하여 통상 동작을 행하는 통상 동작 모드를 구비하고, 상기 통상 동작 모드에 있어서 정기적으로 모든 메모리 영역에 있어서의 메모리 셀을 셀프 리프레시하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 통상 동작 모드와 상기 제1 및 제2 저전력 소비 모드 및 상기 리프레시 모드 중 하나의 전환을 내부에서 생성한 신호를 기준으로 하여 외부 단자에 공급되는 신호의 상태에 기초하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 내부에서 생성한 신호에 기초하여 상기 외부 단자에 공급되는 신호를 래치하여 파워다운 모드 신호를 출력하는 파워다운 모드 판정 회로(17)와,상기 파워다운 모드 신호에 기초하여 상기 제1 및 제2 저전력 소비 모드 및 상기 리프레시 모드 중 하나에 대응하는 리프레시 신호를 생성하는 리프레시 제어 회로(20)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 외부 단자는 모드 제어를 위한 외부 전용 단자인 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 리프레시 모드에 있어서 리프레시하는 메모리 영역의 설정을 상기 통상 동작 모드에 있어서의 대기 모드로부터 이행하는 프로그램 모드에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저전력 소비 모드 및 상기 리프레시 모드의 선택을 상기 통상 동작 모드의 대기 모드로부터 이행하는 프로그램 모드에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 프로그램 모드는 명령에 기초하여 이행하는 제1 프로그램 모드와, 외부 단자에 공급되는 신호에 기초하여 이행하는 제2 프로그램 모드 중 적어도 한쪽을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 프로그램 모드로의 이행은 상기 통상 동작 모드로 실행되지 않는 불법 명령에 기초하여 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
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