KR101007723B1 - Array substrate, Method of manufacturing the same and Liquid crystal display having the same - Google Patents

Abstract

어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정표시장치가 개시되어 있다. 어레이 기판에 형성된 반사판은 스위칭 소자와 접속된 화소 전극 위에 형성되어 자연광을 반사하는 반사 영역과 인공광을 투과시키는 투과 영역을 정의한다. 상기 반사판은 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진다. 상기 투과 영역에 접하는 반사판의 경계부에서 제1 금속막 패턴이 제2 금속막 패턴에 비해 돌출되어 상기 경계부의 단차가 완만한 기울기를 갖는다. 따라서, 어레이 기판의 러빙 방향의 끝단에서 광 누설성 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

An array substrate, a method of manufacturing the same, and a liquid crystal display device having the same are disclosed. The reflecting plate formed on the array substrate is formed on the pixel electrode connected to the switching element to define a reflection region reflecting natural light and a transmission region transmitting artificial light. The reflective plate may include a first metal film pattern and a second metal film pattern stacked on the first metal film pattern. The first metal film pattern protrudes from the second metal film pattern at the boundary of the reflecting plate in contact with the transmissive region, so that the step difference is gradually inclined. Therefore, it is possible to prevent the light leaky afterimage from occurring at the end of the array substrate in the rubbing direction.

Description

어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정표시장치{Array substrate, Method of manufacturing the same and Liquid crystal display having the same}Array substrate, method for manufacturing same, and liquid crystal display having the same {Array substrate, Method of manufacturing the same and Liquid crystal display having the same}

도 1은 종래의 반투과형 액정표시장치의 어레이 기판을 나타낸 평면도이다.1 is a plan view illustrating an array substrate of a conventional transflective liquid crystal display device.

도 2a 및 도 2b는 단일 셀 갭 및 이중 셀 갭을 갖는 종래의 반투과형 액정표시장치에 있어서, 반사 영역과 투과 영역 간의 경계부를 도시한 단면도들이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a boundary between a reflective region and a transmissive region in a conventional transflective liquid crystal display having a single cell gap and a double cell gap.

도 3은 10시 방향의 시야각을 갖는 종래의 반투과형 액정표시장치에 있어서, 시간에 따른 광 누설 정도를 나타낸 도면이다.3 is a view showing the degree of light leakage with time in a conventional transflective liquid crystal display having a viewing angle in the 10 o'clock direction.

도 4는 12시 방향의 시야각을 갖는 반투과형 액정표시장치에 있어서, 시간에 따른 광 누설 정도를 나타낸 도면이다.4 is a view showing the degree of light leakage with time in the transflective liquid crystal display having a viewing angle in the 12 o'clock direction.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반투과형 액정표시장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of a transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6d는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반투과형 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위하여 반사 영역과 투과 영역과의 경계부를 발췌한 단면도들이다.6A and 6D are cross-sectional views illustrating a boundary between a reflection area and a transmission area in order to explain a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제2 실시예에 의한 반투과형 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위하여 반사 영역과 투과 영역과의 경계부를 발췌한 단면도들이다. 7A to 7D are cross-sectional views illustrating a boundary between a reflective region and a transmissive region in order to explain a method of manufacturing a transflective liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.                 

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 어레이 기판 101 : 제1 투명 기판100: array substrate 101: first transparent substrate

102 : 게이트 전극 104 : 게이트 절연막102 gate electrode 104 gate insulating film

106 : 액티브 패턴 108 : 오믹 콘택 패턴106: active pattern 108: ohmic contact pattern

110 : 소오스 전극 112 : 드레인 전극110 source electrode 112 drain electrode

115 : 박막 트랜지스터 116 : 유기 절연막115: thin film transistor 116: organic insulating film

117 : 요철 118 : 콘택홀117: unevenness 118: contact hole

120 : 화소 전극 122 : 제1 금속막 패턴120 pixel electrode 122 first metal film pattern

124 : 제2 금속막 패턴 126 : 반사판124: second metal film pattern 126: reflector plate

200 : 컬러 필터 기판 201 : 제2 투명 기판200: color filter substrate 201: second transparent substrate

205 : 컬러 필터층 210 : 공통 전극205: color filter layer 210: common electrode

300 : 액정층300: liquid crystal layer

본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 누설에 의한 잔상을 개선할 수 있는 반투과형 어레이 기판 및 이의 제조 방법과, 이를 갖는 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an array substrate and a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device having the same, and more particularly, to a semi-transmissive array substrate and a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device having the same. It is about.

반사형 액정 표시 장치는 외부로부터 입사되는 자연광을 사용하므로, 어두운 장소에서는 광량의 감소에 따라서 표시가 어두워져 디스플레이되는 화상을 제대로 볼 수 없다는 단점이 있다. 반면에, 투과형 액정 표시 장치는 액정 셀의 배면에 위치한 백라이트로부터 입사되는 인공광을 사용하므로 밝은 장소든 어두운 장소든 간에 관계없이 디스플레이되는 화상을 인식할 수 있는 장점이 있지만, 광원의 분량만큼 전력 소비가 커지고 전지에 의해 동작시키는 휴대용 표시 장치 등에는 적합하지 않다는 단점이 있다.Since the reflective liquid crystal display uses natural light incident from the outside, the display becomes dark due to a decrease in the amount of light in a dark place, and thus there is a disadvantage in that the displayed image cannot be properly viewed. On the other hand, the transmissive liquid crystal display uses an artificial light incident from the backlight positioned on the rear side of the liquid crystal cell, and thus has an advantage of recognizing the displayed image regardless of bright or dark places, but consumes power as much as the amount of light source. There is a disadvantage that it is not suitable for a portable display device that is large and operated by a battery.

이에 따라, 실내나 외부 광원이 존재하지 않는 어두운 곳에서는 표시소자 자체의 내장 광원을 이용하여 디스플레이하는 투과 표시모드로 작동하고, 실외의 고조도 환경에서는 외부의 입사광을 반사시켜 디스플레이하는 반사 표시모드로 작동하는 반투과형 액정표시장치가 개발되었다.Accordingly, in a dark place where there is no indoor or external light source, the display device operates in a transmissive display mode using a built-in light source of the display device itself. In an outdoor high-light environment, a reflective display mode reflects and displays external incident light. A transflective liquid crystal display has been developed.

일반적인 반투과형 액정표시장치는 반사 영역 및 투과 영역을 정의하는 반사판을 구비하는 어레이 기판과, 상기 어레이 기판에 대향하는 컬러 필터 기판 및 상기 어레이 기판과 컬러 필터 기판 사이에 형성된 액정층을 포함한다.A general transflective liquid crystal display device includes an array substrate having a reflection plate defining a reflection area and a transmission area, a color filter substrate facing the array substrate, and a liquid crystal layer formed between the array substrate and the color filter substrate.

이러한 반투과형 액정표시장치에서는 도 1에 도시한 바와 같이, 반사 영역(R)과 투과 영역(T)으로 구분되는 어레이 기판의 러빙 방향의 끝단에서 광 누설성 잔상(A)이 지속적으로 나타나는 문제가 발생한다.In such a transflective liquid crystal display, as shown in FIG. 1, there is a problem in that the light leakage afterimage A continuously appears at the end of the rubbing direction of the array substrate divided into the reflection region R and the transmission region T. Occurs.

도 2a는 투과 모드 및 반사 모드에 대해 동일한 셀 갭(cell gap)을 갖는 단일 셀 갭 구조의 반투과형 액정표시장치에 있어서, 반사 영역과 투과 영역의 경계부를 도시한 단면도이다.FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a boundary between a reflective region and a transmissive region in a transflective liquid crystal display having a single cell gap structure having the same cell gap for a transmissive mode and a reflective mode.

도 2a를 참조하면, 어레이 기판(10) 상에 박막 트랜지스터의 게이트 절연막(12) 및 유기 절연막(14)이 순차적으로 적층되고, 상기 유기 절연막(14) 상 에 ITO(Indium-Tin-Oxide) 또는 IZO(Indium-Zinc-Oxide)로 이루어진 화소 전극(16)이 형성된다. 상기 화소 전극(16) 상에는 알루미늄 네오디뮴(AlNd)(20)과 몰리텅스텐(MoW)(18)의 이중막으로 이루어지고, 반사 영역(R) 및 투과 영역(T)을 정의하는 반사판(22)이 형성된다.Referring to FIG. 2A, the gate insulating layer 12 and the organic insulating layer 14 of the thin film transistor are sequentially stacked on the array substrate 10, and indium-tin-oxide (ITO) or ITO is disposed on the organic insulating layer 14. A pixel electrode 16 made of indium-zinc-oxide (IZO) is formed. On the pixel electrode 16, a reflecting plate 22 made of a double layer of aluminum neodymium (AlNd) 20 and molybdenum (MoW) 18 and defining a reflection area R and a transmission area T is formed. Is formed.

상술한 단일 셀 갭의 반투과형 액정표시장치에서는, 어레이 기판(10)의 러빙 공정이 투과 영역(T)에 대응하여 종료하는 부위, 즉 러빙 방향의 끝단에 위치한 투과 영역(T)과 반사 영역(R) 간의 경계부(B)에서 광 누설성 잔상이 발생한다.In the above-described single cell gap transflective liquid crystal display, the rubbing process of the array substrate 10 ends corresponding to the transmissive region T, that is, the transmissive region T and the reflecting region (located at the end of the rubbing direction). Light leaking afterimages occur at the boundary portion B between R).

도 2b는 투과 모드와 반사 모드에 대해 서로 다른 셀 갭을 갖는 이중 셀 갭 구조의 반투과형 액정표시장치에 있어서, 반사 영역과 투과 영역의 경계부를 도시한 단면도이다.FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a boundary between a reflective region and a transmissive region in a transflective liquid crystal display having a double cell gap structure having different cell gaps for a transmissive mode and a reflective mode.

도 2b를 참조하면, 어레이 기판(50) 상에 박막 트랜지스터의 게이트 절연막(52) 및 유기 절연막(54)이 순차적으로 적층된다. 상기 유기 절연막(54)에 투과 영역(T)을 정의하는 홀(55)이 형성된다. 상기 유기 절연막(54) 및 홀(55) 상에 ITO 또는 IZO로 이루어진 화소 전극(56)이 형성된다. 투과 영역(T)을 제외한 반사 영역(R)에 대응되는 화소 전극(56) 상에는 알루미늄 네오디뮴(60)과 몰리텅스텐(58)의 이중막으로 이루어진 반사판(62)이 형성된다.Referring to FIG. 2B, the gate insulating layer 52 and the organic insulating layer 54 of the thin film transistor are sequentially stacked on the array substrate 50. A hole 55 defining a transmission region T is formed in the organic insulating layer 54. The pixel electrode 56 made of ITO or IZO is formed on the organic insulating layer 54 and the hole 55. On the pixel electrode 56 corresponding to the reflective region R except for the transparent region T, a reflecting plate 62 made of a double layer of aluminum neodymium 60 and molybdenum tungsten 58 is formed.

상술한 이중 셀 갭의 반투과형 액정표시장치 역시, 도 2a에 도시한 단일 셀 갭 구조와 마찬가지로 어레이 기판(50)의 러빙 방향의 끝단에 위치한 투과 영역(T)과 반사 영역(R) 간의 경계부(C)에서 광 누설성 잔상이 발생한다.Like the single cell gap structure shown in FIG. 2A, the transflective liquid crystal display device having the double cell gap described above also has a boundary between the transmissive region T and the reflective region R positioned at the end of the rubbing direction of the array substrate 50. In C), light leaking afterimages occur.

즉, 종래의 단일 셀 갭 구조나 이중 셀 갭 구조의 반투과형 액정표시장치에 서는, 약 2000Å 두께의 알루미늄 네오디뮴과 약 500Å 두께의 몰리텅스텐의 이중막으로 이루어진 반사판의 투과 영역에 대한 경계부가 높은 단차를 갖는다. 따라서, 반사판의 높이에 따른 단차가 어레이 기판의 러빙에 영향을 주어 액정의 응답 속도를 지연시킴으로써, 광 누설성 잔상을 발생시키게 된다.That is, in the conventional single cell gap structure or the double cell gap structure, the transflective liquid crystal display device has a high stepped boundary with respect to the transmissive region of the reflecting plate made of a double film of aluminum neodymium of about 2000 μs thick and molybdenum of about 500 μs thick. Has Therefore, the step according to the height of the reflecting plate affects the rubbing of the array substrate, thereby delaying the response speed of the liquid crystal, thereby generating light leaking afterimages.

도 3은 종래의 반투과형 액정표시장치가 10시 방향의 시야각을 갖는 경우의 시간에 따른 광 누설 정도를 나타낸 도면이고, 도 4는 12시 방향의 시야각을 갖는 경우의 시간에 따른 광 누설 정도를 나타낸 도면이다.3 is a view showing the degree of light leakage with time when the conventional transflective liquid crystal display device has a viewing angle in the 10 o'clock direction, and FIG. The figure shown.

도 3 및 도 4를 참조하면, 주 시야각이 12시 방향이 되도록 어레이 기판의 러빙 방향을 변경시킬 경우 광 누설성 잔상 자체를 제거할 수는 없으나, 광 누설이 남는 길이가 줄어들게 함으로써 잔상 유지 시간을 줄일 수 있게 된다.Referring to FIGS. 3 and 4, when the rubbing direction of the array substrate is changed so that the main viewing angle is 12 o'clock, the light leakage afterimage cannot be removed, but the afterimage retention time is reduced by reducing the length of light leakage. Can be reduced.

그러나, 고객에 따라 12시 방향의 주 시야각을 원하지 않는 경우가 발생할 수 있기 때문에, 어레이 기판의 러빙 방향을 변경하여 광 누설성 잔상 현상을 개선하는 방법에는 한계가 있다.However, since a case in which a main viewing angle in the 12 o'clock direction is not desired may occur depending on a customer, there is a limit to a method of improving the light leakage afterimage phenomenon by changing the rubbing direction of the array substrate.

따라서, 본 발명의 제1의 목적은 광 누설성 잔상을 제거할 수 있는 어레이 기판을 제공하는데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide an array substrate capable of removing light leaky afterimages.

본 발명의 제2의 목적은 상기한 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는데 있다.A second object of the present invention is to provide a method of manufacturing the above array substrate.

본 발명의 제3의 목적은 상기한 어레이 기판을 갖는 액정표시장치를 제공하는데 있다.A third object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having the above-mentioned array substrate.

상술한 제1의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 어레이 기판은, 기판; 상기 기판 상에 형성된 스위칭 소자; 상기 스위칭 소자 및 상기 기판 상에 형성되고, 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극; 및 상기 화소 전극 상에 형성되어 반사 영역과 투과 영역을 정의하고, 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 구비하며, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴이 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출되어 상기 경계부의 단차가 완만한 기울기를 갖는다.In order to achieve the above-described first object, an array substrate according to the present invention includes a substrate; A switching element formed on the substrate; A pixel electrode formed on the switching element and the substrate and connected to the switching element; And a reflecting plate formed on the pixel electrode to define a reflecting region and a transmitting region, the reflecting plate comprising a first metal layer pattern and a second metal layer pattern stacked on the first metal layer pattern. The first metal film pattern protrudes from the boundary of the reflector compared to the second metal film pattern, so that the step difference of the boundary part has a gentle slope.

바람직하게는, 상기 제1 금속막 패턴은 상기 제2 금속막 패턴에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다.Preferably, the first metal film pattern is made of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal film pattern.

상술한 제2의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판 상에 스위칭 소자를 형성하는 단계; 상기 스위칭 소자 및 상기 기판 상에, 상기 스위칭 소자와 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 상에 반사 영역과 투과 영역을 정의하고 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 형성하되, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴을 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출시켜 상기 경계부의 단차를 완화시키는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법을 제공한다.The present invention to achieve the above-described second object, forming a switching element on a substrate; Forming a pixel electrode connected to the switching element on the switching element and the substrate; A reflective plate may be formed on the pixel electrode to form a reflective plate and a reflective plate including a first metal layer pattern and a second metal layer pattern stacked on the first metal layer pattern, wherein the reflective plate is in contact with the transmissive region. The method provides a method of manufacturing an array substrate, wherein the first metal film pattern protrudes relative to the second metal film pattern to mitigate the step difference between the boundary parts.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 상기 반사판을 형성하는 단계는, 상기 화소 전극 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 순차적으로 증착하는 단계; 상기 제2 금속막 상에 투과 영역을 오픈하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 금속막을 과도 식각하여 상기 포토레지스트 패턴의 하부에 언더컷을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the forming of the reflector may include sequentially depositing a first metal film and a second metal film on the pixel electrode; Forming a photoresist pattern opening a transmission region on the second metal film; Overetching the second metal layer using the photoresist pattern to form an undercut under the photoresist pattern; Etching the first metal layer using the photoresist pattern; And removing the photoresist pattern.

본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면, 상기 반사판을 형성하는 단계는, 상기 화소 전극 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 순차적으로 증착하는 단계; 투과 영역에 대응되어 부분 노광 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 이용하여 제2 금속막 상에 투과 영역을 오픈하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 금속막 및 제1 금속막을 차례로 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 식각하는 단계; 잔류하는 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 금속막을 식각하는 단계; 및 상기 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.According to another exemplary embodiment of the present invention, the forming of the reflector may include sequentially depositing a first metal film and a second metal film on the pixel electrode; Forming a photoresist pattern opening the transmission region on the second metal film by using a photo mask having a partial exposure pattern corresponding to the transmission region; Sequentially etching the second metal film and the first metal film by using the photoresist pattern; Partially etching the photoresist pattern; Etching the second metal film using the remaining photoresist pattern; And removing the remaining photoresist pattern.

상술한 제3의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반투과형 액정표시장치는, 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극 위에 형성되어 반사 영역과 투과 영역을 정의하고 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 구비하며, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴이 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출되어 상기 경계부의 단차가 완만한 기울기를 갖는 하부 기판; 상기 하부 기판과 대향하여 형성된 상부 기판; 및 상기 상부 기판과 하부 기판 간에 형성된 액정층을 구비한다. In order to achieve the above-mentioned third object, the transflective liquid crystal display according to the present invention includes a switching element, a pixel electrode connected to the switching element, and formed on the pixel electrode to define a reflection area and a transmission area. And a second metal film pattern laminated on the first metal film pattern and the first metal film pattern, wherein the first metal film pattern is formed at the boundary of the reflector plate in contact with the transmission region. A lower substrate protruding from the lower substrate having a moderate slope of the boundary portion; An upper substrate formed to face the lower substrate; And a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the lower substrate.                     

본 발명에 의하면, 제1 금속막 패턴과 제2 금속막 패턴이 적층된 이중막으로 이루어진 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴을 제2 금속막 패턴에 비해 도출시킨다. 따라서, 투과 영역에 접하는 반사판의 경계부에서 단차가 완화되므로, 어레이 기판의 러빙시 러빙 방향의 끝단에 위치한 투과 영역과 반사 영역 간의 경계부에서 광 누설성 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
According to the present invention, the first metal film pattern is derived compared to the second metal film pattern at the boundary portion of the reflecting plate formed of the double film in which the first metal film pattern and the second metal film pattern are stacked. Therefore, since the step is relaxed at the boundary of the reflecting plate in contact with the transmissive region, it is possible to prevent the occurrence of light leakage afterimage at the boundary between the transmissive region and the reflective region located at the end of the rubbing direction when rubbing the array substrate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반투과형 액정표시장치의 단면도로서, 단일 셀 갭을 갖는 하부-게이트(bottom gate) 구조의 비정질실리콘 박막 트랜지스터-액정표시장치를 도시한다.FIG. 5 is a cross-sectional view of a transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and illustrates an amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device having a bottom gate structure having a single cell gap.

도 5를 참조하면, 본 발명에 의한 반투과형 액정표시장치는 어레이 기판(100), 상기 어레이 기판(100)과 대향하는 컬러 필터 기판(200) 및 상기 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200)과의 사이에 형성된 액정층(300)을 포함한다.Referring to FIG. 5, the transflective liquid crystal display according to the present invention includes an array substrate 100, a color filter substrate 200 facing the array substrate 100, and the array substrate 100 and the color filter substrate 200. ) And a liquid crystal layer 300 formed therebetween.

상기 어레이 기판(100)은 제1 투명 기판(101) 상에 형성되고 스위칭 소자로 제공되는 박막 트랜지스터(115), 상기 박막 트랜지스터(115)와 접속된 화소 전극(120) 및 상기 화소 전극(120) 위에 형성되고 자연광을 반사하는 반사 영역과 인공광을 투과시키는 투과 영역(T)을 정의하는 반사판(126)을 구비한다.The array substrate 100 is formed on the first transparent substrate 101 and provided as a switching element, the thin film transistor 115, the pixel electrode 120 connected to the thin film transistor 115, and the pixel electrode 120. And a reflecting plate 126 which is formed thereon and defines a reflecting region for reflecting natural light and a transmitting region T for transmitting artificial light.

상기 박막 트랜지스터(115)는 상기 제1 투명 기판(101) 상에 형성된 게이트 전극(102), 상기 게이트 전극(102) 및 기판(101) 상에 형성된 게이트 절연막(104), 상기 게이트 전극(102) 위의 게이트 절연막(104) 상에 순차적으로 형성된 액티브 패턴(106) 및 오믹 콘택 패턴(108), 그리고 상기 액티브 패턴(106) 위에서 서로 이격되어 형성된 소오스 전극(110) 및 드레인 전극(112)을 포함한다.The thin film transistor 115 may include a gate electrode 102 formed on the first transparent substrate 101, a gate insulating layer 104 formed on the substrate 101, and a gate electrode 102. An active pattern 106 and an ohmic contact pattern 108 sequentially formed on the gate insulating layer 104, and a source electrode 110 and a drain electrode 112 formed to be spaced apart from each other on the active pattern 106. do.

상기 박막 트랜지스터(115)를 포함한 제1 투명 기판(101) 상에는 층간 절연막 및 보호막으로 사용되는 유기 절연막(116)이 형성된다. 상기 유기 절연막(116)의 표면에 광 산란을 위한 다수의 요철(117)이 형성된다.On the first transparent substrate 101 including the thin film transistor 115, an organic insulating layer 116 used as an interlayer insulating layer and a protective layer is formed. A plurality of irregularities 117 for light scattering are formed on the surface of the organic insulating layer 116.

상기 유기 절연막(116) 상에는 드레인 전극(112) 위로 유기 절연막(116)을 관통하여 형성된 콘택홀(118)을 통해 상기 드레인 전극(112)과 접속되는 화소 전극(120)이 형성된다. 상기 화소 전극(120)은 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막으로 이루어지며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 구획되는 화소부 내에 형성된다. 상기 화소 전극(120)은 박막 트랜지스터(115)의 드레인 전극(112)으로부터 화상 신호를 받아 상부 기판(200)의 공통 전극(210)과 함께 전계를 생성하는 역할을 한다.The pixel electrode 120 connected to the drain electrode 112 is formed on the organic insulating layer 116 through a contact hole 118 formed through the organic insulating layer 116 over the drain electrode 112. The pixel electrode 120 is formed of a transparent conductive film such as ITO or IZO, and is formed in a pixel portion partitioned by the gate line and the data line. The pixel electrode 120 receives an image signal from the drain electrode 112 of the thin film transistor 115 and generates an electric field together with the common electrode 210 of the upper substrate 200.

상기 화소 전극(120) 상에는 제1 금속막 패턴(122)과 제2 금속막 패턴(124)이 적층된 이중막으로 이루어진 반사판(126)이 형성된다. 상기 반사판(126)이 형성된 영역은 자연광을 반사시키는 반사 영역으로 정의되고, 상기 반사판(126)이 형성되지 않은 영역은 인공광을 투과시키는 투과 영역(T)으로 정의된다. 상기 반사판(126)은 상기 유기 절연막(126)의 표면과 동일한 요철 구조를 갖는다. 따라서, 상기 반사판(126)의 요철 구조는 마이크로 렌즈의 역할을 수행하여 정반사 성분을 억제하고 입사광의 산란 효율 및 반사 효율을 증가시킨다. On the pixel electrode 120, a reflective plate 126 formed of a double layer in which the first metal layer pattern 122 and the second metal layer pattern 124 are stacked is formed. The region where the reflective plate 126 is formed is defined as a reflective region that reflects natural light, and the region where the reflective plate 126 is not formed is defined as a transmission region T that transmits artificial light. The reflective plate 126 has the same concave-convex structure as the surface of the organic insulating layer 126. Therefore, the uneven structure of the reflecting plate 126 serves as a micro lens to suppress the specular reflection component and increase the scattering efficiency and reflection efficiency of incident light.                     

상기 반사판(126)의 제1 금속막 패턴(122)은 임의의 습식 식각 공정시 상기 제2 금속막 패턴에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다. 바람직하게는, 상기 제1 금속막 패턴(122)은 약 500Å 두께의 크롬(Cr)으로 형성하고, 상기 제2 금속막 패턴(124)은 약 2000Å 두께의 알루미늄 네오디뮴(AlNd)으로 형성한다. 상기 투과 영역(T)에 접하는 상기 반사판(126)의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴(122)은 상기 제2 금속막 패턴(124)에 비해 돌출되도록 형성된다. 따라서, 상기 반사판(126)의 경계부에서 단차가 완화되어 어레이 기판(100)의 러빙시 러빙 방향의 끝단에 위치한 투과 영역(T)과 반사 영역 간의 경계부에서 광 누설성 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.The first metal film pattern 122 of the reflective plate 126 is made of a material having a low etch selectivity with respect to the second metal film pattern in any wet etching process. Preferably, the first metal film pattern 122 is formed of chromium (Cr) having a thickness of about 500 GPa, and the second metal film pattern 124 is formed of aluminum neodymium (AlNd) having a thickness of about 2000 GPa. The first metal film pattern 122 is formed to protrude relative to the second metal film pattern 124 at the boundary of the reflective plate 126 in contact with the transmission region T. Accordingly, the step is alleviated at the boundary of the reflective plate 126 to prevent light leakage afterimage at the boundary between the transparent region T and the reflective region located at the end of the rubbing direction during rubbing of the array substrate 100. have.

상기 컬러 필터 기판(200)은 제2 투명 기판(201) 상에 순차적으로 형성된 R, G, B 색화소로 이루어진 컬러 필터층(205) 및 투명 공통 전극(210)을 포함한다. 또한, 상기 컬러 필터 기판(200)은 상기 R, G, B 색화소 각각을 구획하여 색화소의 경계부에서 빛이 새는 것을 방지하고, 표시 영역 외부의 불필요한 광을 차단하는 블랙 매트릭스층(도시하지 않음)을 더 포함한다.The color filter substrate 200 includes a color filter layer 205 made of R, G, and B color pixels sequentially formed on the second transparent substrate 201, and a transparent common electrode 210. In addition, the color filter substrate 200 partitions each of the R, G, and B color pixels to prevent light leakage from the boundary of the color pixels, and blocks the unnecessary light outside the display area (not shown). More).

상기 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200)과의 사이에는 액정층(300)이 형성되어 상기 어레이 기판(100)의 화소 전극(120)에 인가되는 전원과 상기 컬러 필터 기판(200)의 공통 전극(210)에 인가되는 전원에 응답하여 상기 컬러 필터 기판(200)을 경유하는 자연광을 투과시키거나, 상기 투과 영역(T)을 경유하는 인공광을 투과시킨다. 상기 투과 영역(T)에 형성되는 액정층과 상기 반사 영역에 형성되는 액정층은 동일한 셀 갭을 갖는다. The liquid crystal layer 300 is formed between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 to supply power to the pixel electrode 120 of the array substrate 100 and the color filter substrate 200. Natural light passing through the color filter substrate 200 may be transmitted or artificial light passing through the transmission region T may be transmitted in response to a power applied to the common electrode 210. The liquid crystal layer formed in the transmission region T and the liquid crystal layer formed in the reflective region have the same cell gap.                     

이하, 상술한 구조를 갖는 반투과형 액정표시장치의 제조 방법을 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the transflective liquid crystal display device having the above-described structure will be described in detail.

먼저, 유리, 석영 또는 사파이어로 이루어진 제1 투명 기판(101) 상에 약 500Å의 크롬(Cr) 및 약 2500Å의 알루미늄-네오디뮴(AlNd)으로 이루어진 제1 금속막을 증착한 후, 사진식각 공정으로 상기 제1 금속막을 패터닝하여 제1 방향으로 신장되는 게이트 라인(도시하지 않음)과 상기 게이트 라인으로부터 분기된 박막 트랜지스터(115)의 게이트 전극(102)을 형성한다.First, a first metal film made of about 500 kV of chromium (Cr) and about 2500 kW of aluminum-neodymium (AlNd) is deposited on the first transparent substrate 101 made of glass, quartz, or sapphire. The first metal film is patterned to form a gate line (not shown) extending in the first direction and a gate electrode 102 of the thin film transistor 115 branched from the gate line.

상기 게이트 라인 및 게이트 전극(102)이 형성된 제1 기판(101)의 전면에 실리콘 질화물을 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 방법에 의해 약 4000∼4500Å의 두께로 증착하여 게이트 절연막(104)을 형성한다.Silicon nitride is deposited on the entire surface of the first substrate 101 on which the gate line and the gate electrode 102 are formed by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method to form a gate having a thickness of about 4000 to 4500 Å. The insulating film 104 is formed.

상기 게이트 절연막(104) 상에 액티브층으로서, 예컨대 비정질실리콘층을 PECVD 방법에 의해 약 2000∼2500Å의 두께로 증착하고, 그 위에 오믹 콘택층으로서, 예컨대 n⁺ 도핑된 비정질실리콘층을 PECVD 방법에 의해 약 500Å의 두께로 증착한다. 바람직하게는, 상기 액티브층 및 오믹 콘택층은 PECVD 설비의 동일 챔버 내에서 인-시튜(in-situ)로 증착한다. 이어서, 사진식각 공정으로 상기 막들을 패터닝하여 게이트 전극(102) 위의 게이트 절연막(104) 상에 비정질실리콘으로 이루어진 액티브 패턴(106) 및 n⁺ 도핑된 비정질실리콘으로 이루어진 오믹 콘택 패턴(108)을 형성한다. An active silicon layer, for example, an amorphous silicon layer is deposited on the gate insulating film 104 to a thickness of about 2000 to 2500 mW by a PECVD method, and an n ⁺ doped amorphous silicon layer is deposited thereon as an ohmic contact layer thereon. By a thickness of about 500 kPa. Preferably, the active layer and the ohmic contact layer are deposited in-situ in the same chamber of the PECVD facility. Subsequently, the layers are patterned by photolithography to form an active pattern 106 made of amorphous silicon and an ohmic contact pattern 108 made of n ⁺ doped amorphous silicon on the gate insulating layer 104 on the gate electrode 102. Form.

상기 액티브 패턴(106) 및 오믹 콘택 패턴(108)을 포함한 게이트 절연막(104) 상에 크롬(Cr)이나 알루미늄(Al)과 같은 제2 금속막을 약 1500∼4000Å의 두께로 증착한 후, 사진식각 공정으로 상기 제2 금속막을 패터닝하여 상기 게이트 라인에 직교하는 제2 방향으로 신장되는 데이터 라인(도시하지 않음) 및 상기 데이터 라인으로부터 분기된 박막 트랜지스터(115)의 소오스 전극(110) 및 드레인 전극(112)을 형성한다.After depositing a second metal film such as chromium (Cr) or aluminum (Al) on the gate insulating film 104 including the active pattern 106 and the ohmic contact pattern 108 to a thickness of about 1500 ~ 4000Å, photolithography In the process, the second metal film is patterned to extend in a second direction orthogonal to the gate line, and a source electrode 110 and a drain electrode of the thin film transistor 115 branched from the data line (not shown). 112).

그런 다음, 상기 제2 금속막을 패터닝하는데 사용되었던 포토레지스트 패턴을 제거하지 않은 상태에서, 상기 소오스 전극(110)과 드레인 전극(112) 사이의 노출된 오믹 콘택 패턴(108)을 반응성 이온 식각(reactive ion etching; RIE) 방법에 의해 제거해낸다. 그러면, 상기 소오스 전극(110)과 드레인 전극(112) 사이의 노출된 액티브 패턴 영역이 박막 트랜지스터(115)의 채널 영역으로 제공된다.The exposed ohmic contact pattern 108 between the source electrode 110 and the drain electrode 112 is then reactively ion etched without removing the photoresist pattern that was used to pattern the second metal film. Removal by ion etching (RIE) method. Then, the exposed active pattern region between the source electrode 110 and the drain electrode 112 is provided to the channel region of the thin film transistor 115.

이어서, 상기 박막 트랜지스터(115)를 포함한 제1 기판(101)의 전면에 감광성 아크릴계 수지로 이루어진 유기 절연막(116)을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 진행하여 상기 유기 절연막(116)의 표면에 다수의 요철(117)을 형성함과 동시에 상기 드레인 전극(112)을 노출시키는 콘택홀(118)을 형성한다.Subsequently, an organic insulating film 116 made of photosensitive acrylic resin is formed on the entire surface of the first substrate 101 including the thin film transistor 115, and then an exposure and development process is performed to the surface of the organic insulating film 116. A plurality of recesses and protrusions 117 are formed and a contact hole 118 exposing the drain electrode 112 is formed.

상기 콘택홀(118) 및 유기 절연막(116) 상에 ITO 또는 IZO와 같은 투명 도전막을 증착하고 이를 사진식각 공정으로 패터닝하여 상기 콘택홀(118)을 통해 박막 트랜지스터(115)의 드레인 전극(112)과 접속되는 화소 전극(120)을 형성한다.A transparent conductive film such as ITO or IZO is deposited on the contact hole 118 and the organic insulating layer 116 and patterned by a photolithography process to drain the electrode 112 of the thin film transistor 115 through the contact hole 118. And a pixel electrode 120 to be connected with each other.

이어서, 상기 화소 전극(120) 상에 반사 영역과 투과 영역(T)을 정의하는 반사판(126)을 형성한다. 상기 반사판(126)을 형성하는 공정에 대해 반사 영역과 투 과 영역(T)과의 경계부를 발췌한 도 6a 및 도 6d를 참조하여 설명하고자 한다.Subsequently, a reflection plate 126 defining a reflection area and a transmission area T is formed on the pixel electrode 120. A process of forming the reflective plate 126 will be described with reference to FIGS. 6A and 6D, which extract the boundary between the reflective area and the transmission area T. FIG.

도 6a를 참조하면, 상기 화소 전극(120) 및 유기 절연막(116) 상에 제1 금속막(121)을 약 500Å의 두께로 증착하고 그 위에 제2 금속막(123)을 약 2000Å의 두께로 증착한다. 상기 제1 금속막(121)은 임의의 습식 식각 공정시 상기 제2 금속막(123)에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성한다. 바람직하게는, 상기 제1 금속막(121)은 크롬(Cr)으로 형성하고, 상기 제2 금속막(123)은 알루미늄 네오디뮴(AlNd)으로 형성한다.Referring to FIG. 6A, a first metal film 121 is deposited on the pixel electrode 120 and the organic insulating layer 116 to a thickness of about 500 GPa, and a second metal film 123 is formed on the pixel electrode 120 and the organic insulating film 116 to about 2000 GPa. Deposit. The first metal layer 121 is formed of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal layer 123 during any wet etching process. Preferably, the first metal layer 121 is formed of chromium (Cr), and the second metal layer 123 is formed of aluminum neodymium (AlNd).

상기 제2 금속막(123) 상에 포토레지스트막을 도포하고 이를 노광 및 현상하여 투과 영역(T)을 오픈하는 포토레지스트 패턴(130)을 형성한다.A photoresist film is coated on the second metal film 123, and the photoresist pattern 130 is formed by exposing and developing the photoresist film to open the transmission region T.

도 6b를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(130)을 식각 마스크로 이용하여 제1 에천트로 상기 제2 금속막(123)을 습식 식각하여 제2 금속막 패턴(124)을 형성한다. 이때, 상기 제2 금속막(123)에 대해 과도 식각(over etching)을 진행하여 상기 포토레지스트 패턴(130)의 하부에 언더컷(125)을 형성한다. 상기 제2 금속막(123)에 대해 낮은 습식 식각 선택비를 갖는 제1 금속막(121)은 상기 습식 식각 공정시 식각되지 않고 그대로 잔류한다.Referring to FIG. 6B, the second metal layer 123 is wet-etched with a first etchant using the photoresist pattern 130 as an etching mask to form a second metal layer pattern 124. In this case, an over etching is performed on the second metal layer 123 to form an undercut 125 under the photoresist pattern 130. The first metal layer 121 having a low wet etching selectivity with respect to the second metal layer 123 is not etched and remains as it is during the wet etching process.

도 6c를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(130)을 식각 마스크로 이용하여 제2 에천트로 상기 제1 금속막(121)을 식각하여 제1 금속막 패턴(122)을 형성한다. 이때, 상기 제1 금속막(121)에 대해 정상적인 식각을 진행한다.Referring to FIG. 6C, the first metal layer 121 is etched with a second etchant to form the first metal layer pattern 122 using the photoresist pattern 130 as an etching mask. In this case, normal etching is performed on the first metal layer 121.

도 6d를 참조하면, 스트립 공정으로 상기 포토레지스트 패턴(130)을 제거함으로써, 투과 영역(T)에 대한 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴(122)이 제2 금속막 패턴(124)에 비해 돌출된 반사판(126)을 형성한다.Referring to FIG. 6D, by removing the photoresist pattern 130 by a strip process, the first metal film pattern 122 protrudes in comparison to the second metal film pattern 124 at the boundary portion of the transmission region T. The reflective plate 126 is formed.

상술한 공정을 통해 반사판(126)을 형성한 후, 상기 반사판(126) 상에 레지스트를 도포하고 러빙(rubbing) 처리 등을 통해 액정층 내의 액정 분자들을 선택된 각으로 프리틸팅시키는 제1 배향막(도시하지 않음)을 형성함으로써, 어레이 기판(100)을 완성한다.After forming the reflecting plate 126 through the above-described process, a first alignment layer (not shown) for applying a resist on the reflecting plate 126 and pretilting the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer at a selected angle through a rubbing process or the like. Not formed), thereby completing the array substrate 100.

계속해서, 도 5를 참조하면, 상기 제1 투명 기판(101)과 동일한 물질로 구성된 제2 투명 기판(201) 상에 컬러 필터층(205), 공통 전극(210) 및 제2 배향막(도시하지 않음)을 순차적으로 형성하여 컬러 필터 기판(200)을 완성한다. 이때, 상기 제2 투명 기판(201) 상의 컬러 필터층(205)을 제외한 영역에는 블랙 매트릭스가 형성된다.5, the color filter layer 205, the common electrode 210, and the second alignment layer (not shown) are formed on the second transparent substrate 201 made of the same material as the first transparent substrate 101. ) Are sequentially formed to complete the color filter substrate 200. In this case, a black matrix is formed in an area except the color filter layer 205 on the second transparent substrate 201.

이어서, 상기 컬러 필터 기판(200)이 어레이 기판(100)에 대향하도록 배치한 다음, 어레이 기판(100)과 컬러 필터 기판(200) 사이에 스페이서(도시하지 않음)를 개재하여 접합함으로써 두 기판(100, 200) 사이에 소정의 공간이 형성되도록 한다. 그런 후, 상기 컬러 필터 기판(200)과 어레이 기판(100) 사이의 공간에 액정 물질을 주입하여 액정층을 형성함으로써, 본 발명에 의한 반투과형 액정표시장치의 액정표시패널을 완성한다.
Subsequently, the color filter substrate 200 may be disposed to face the array substrate 100, and then the two substrates may be bonded between the array substrate 100 and the color filter substrate 200 through spacers (not shown). The predetermined space is formed between 100 and 200. Thereafter, a liquid crystal material is formed by injecting a liquid crystal material into a space between the color filter substrate 200 and the array substrate 100 to complete the liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display device according to the present invention.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 제2 실시예에 의한 반투과형 액정표시장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들로서, 반사 영역과 투과 영역(T)과의 경계부를 발췌한 7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a transflective liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and extract a boundary between a reflective region and a transparent region T. FIG.                     

도 7a를 참조하면, 상술한 제1 실시예와 동일한 방법으로 어레이 기판(100)의 제1 투명 기판(101) 상에 박막 트랜지스터(115), 유기 절연막(116) 및 화소 전극(120)을 형성한 다음, 상기 화소 전극(120) 및 유기 절연막(116) 상에 제1 금속막(121)을 약 500Å의 두께로 증착하고 그 위에 제2 금속막(123)을 약 2000Å의 두께로 증착한다. 상기 제1 금속막(121)은 임의의 습식 식각 공정시 상기 제2 금속막(123)에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성한다. 바람직하게는, 상기 제1 금속막(121)은 크롬(Cr)으로 형성하고, 상기 제2 금속막(123)은 알루미늄 네오디뮴(AlNd)으로 형성한다.Referring to FIG. 7A, the thin film transistor 115, the organic insulating layer 116, and the pixel electrode 120 are formed on the first transparent substrate 101 of the array substrate 100 in the same manner as the first embodiment described above. Next, a first metal film 121 is deposited on the pixel electrode 120 and the organic insulating layer 116 to a thickness of about 500 mW, and a second metal film 123 is deposited on a thickness of about 2000 mW. The first metal layer 121 is formed of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal layer 123 during any wet etching process. Preferably, the first metal layer 121 is formed of chromium (Cr), and the second metal layer 123 is formed of aluminum neodymium (AlNd).

상기 제2 금속막(123) 상에 포토레지스트막을 도포하고, 투과 영역(T)에 대응하여 부분 노광 패턴, 즉 슬릿(slit)이 형성되어 있는 포토 마스크(150)를 이용하여 상기 포토레지스트막을 노광한다. 그러면, 상기 투과 영역(T)의 가장자리에서 상기 슬릿에 의해 포토레지스트막이 회절 노광된다. 그런 다음, 상기 노광된 포토레지스트막을 현상하면, 상기 투과 영역(T)의 가장자리에서 경사(slope)가 낮아진 포토레지스트 패턴(130)이 얻어진다.A photoresist film is coated on the second metal film 123, and the photoresist film is exposed using a photomask 150 in which a partial exposure pattern, that is, a slit, is formed corresponding to the transmission region T. FIG. do. Then, the photoresist film is diffracted by the slit at the edge of the transmission region T. Then, when the exposed photoresist film is developed, a photoresist pattern 130 having a low slope at the edge of the transmission region T is obtained.

도 7b를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(130)을 식각 마스크로 이용하여 제1 에천트로 상기 제2 금속막(123)을 습식 식각하여 제2 금속막의 제1 패턴(124a)을 형성한다. 이때, 상기 제2 금속막(123)에 대해 낮은 습식 식각 선택비를 갖는 제1 금속막(121)은 식각되지 않고 그대로 잔류한다.Referring to FIG. 7B, the second metal layer 123 is wet-etched with a first etchant using the photoresist pattern 130 as an etching mask to form a first pattern 124a of the second metal layer. In this case, the first metal layer 121 having the low wet etching selectivity with respect to the second metal layer 123 is not etched and remains as it is.

계속해서, 상기 포토레지스트 패턴(130)을 식각 마스크로 이용하여 제2 에천트로 노출된 상기 제1 금속막(121)을 습식 식각하여 제1 금속막 패턴(122)을 형성 한다.Subsequently, the first metal layer 121 is wet-etched using the photoresist pattern 130 as an etching mask to form a first metal layer pattern 122.

도 7c를 참조하면, 에싱 공정으로 상기 포토레지스트 패턴(130)을 부분적으로 식각하여 상기 제2 금속막의 제1 패턴(124a)의 일부분을 노출시킨다.Referring to FIG. 7C, a portion of the first pattern 124a of the second metal film is exposed by partially etching the photoresist pattern 130 by an ashing process.

도 7d를 참조하면, 상기 잔류하는 포토레지스트 패턴(130a)을 식각 마스크로 이용하여 상기 노출된 제2 금속막의 제1 패턴(124a)을 습식 식각함으로써, 제2 금속막 패턴(124)을 형성한다.Referring to FIG. 7D, the second metal layer pattern 124 is formed by wet etching the exposed first pattern 124a of the exposed second metal layer using the remaining photoresist pattern 130a as an etching mask. .

이어서, 스트립 공정으로 상기 잔류하는 포토레지스트 패턴(130a)을 제거함으로써, 투과 영역(T)에 대한 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴(122)이 제2 금속막 패턴(124)에 비해 돌출된 반사판(126)을 형성한다.Subsequently, by removing the remaining photoresist pattern 130a by a strip process, the reflective plate in which the first metal film pattern 122 protrudes relative to the second metal film pattern 124 at the boundary portion with respect to the transmission region T is formed. 126 is formed.

이와 같이 반사판(126)을 형성한 후, 상술한 제1 실시예와 동일하게 컬러 필터 기판(200) 및 액정층(300)을 형성하여 반투과형 액정표시장치의 액정표시패널을 완성한다.After the reflective plate 126 is formed in this manner, the color filter substrate 200 and the liquid crystal layer 300 are formed in the same manner as in the first embodiment described above to complete the liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display device.

상술한 제1 실시예 또는 제2 실시예의 방법에서, 상기 반사판(126)을 구성하는 제2 금속막 패턴(124)의 두께를 낮출 경우 단차 완화 효과를 더욱 증대시킬 수 있다.In the above-described method of the first embodiment or the second embodiment, when the thickness of the second metal film pattern 124 constituting the reflective plate 126 is reduced, the step difference alleviation effect may be further increased.

또한, 상술한 제1 실시예 및 제2 실시예는 단일 셀 갭의 반투과형 액정표시장치에 대해 설명하고 있으나, 투과 영역의 액정층 두께를 반사 영역의 액정층 두께보다 두껍게 하여 반사 모드와 투과 모드의 투과율을 동일하게 만드는 이중 셀 갭의 반투과형 액정표시장치에도 본 발명의 반사판 구조를 적용할 수 있음은 명백하다.In addition, although the above-described first and second embodiments have described a transflective liquid crystal display device having a single cell gap, the thickness of the liquid crystal layer in the transmissive region is greater than the thickness of the liquid crystal layer in the reflective region, so that the reflection mode and the transmissive mode are described. It is evident that the reflector structure of the present invention can be applied to a semi-transmissive liquid crystal display device having a double cell gap of the same.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 제1 금속막 패턴과 제2 금속막 패턴이 적층된 이중막으로 이루어진 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴을 제2 금속막 패턴에 비해 돌출시킨다. 따라서, 투과 영역에 접하는 반사판의 경계부에서 단차가 완화되므로, 어레이 기판의 러빙시 러빙 방향의 끝단에 위치한 투과 영역과 반사 영역 간의 경계부에서 광 누설성 잔상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, the first metal film pattern is protruded relative to the second metal film pattern at the boundary portion of the reflector formed of a double film in which the first metal film pattern and the second metal film pattern are stacked. Therefore, since the step is relaxed at the boundary of the reflecting plate in contact with the transmissive region, it is possible to prevent the occurrence of light leakage afterimage at the boundary between the transmissive region and the reflective region located at the end of the rubbing direction when rubbing the array substrate.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

Claims (15)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성된 스위칭 소자;A switching element formed on the substrate; 상기 스위칭 소자 및 상기 기판 상에 형성되고, 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극; 및A pixel electrode formed on the switching element and the substrate and connected to the switching element; And 상기 화소 전극 상에 형성되어 반사 영역과 투과 영역을 정의하고, 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 구비하며,A reflection plate formed on the pixel electrode to define a reflection area and a transmission area, the reflection plate including a first metal film pattern and a second metal film pattern stacked on the first metal film pattern, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴이 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출되어 상기 경계부의 단차가 완만한 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.And the first metal film pattern protrudes from the second metal film pattern at the boundary portion of the reflecting plate in contact with the transmission region, so that the step difference of the boundary portion has a gentle slope. 제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자는 게이트 전극, 게이트 절연막, 소오스/드레인 전극 및 액티브 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.The array substrate of claim 1, wherein the switching element is a thin film transistor including a gate electrode, a gate insulating layer, a source / drain electrode, and an active pattern. 제2항에 있어서, 상기 스위칭 소자 및 기판과 상기 화소 전극 사이에 형성되고, 상기 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출하는 콘택홀을 갖는 유기 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.The array substrate of claim 2, further comprising an organic insulating layer formed between the switching element and the substrate and the pixel electrode and having a contact hole exposing a drain electrode of the switching element. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속막 패턴은 상기 제2 금속막 패턴에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 어레이 기판.The array substrate of claim 1, wherein the first metal layer pattern is formed of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal layer pattern. 제4항에 있어서, 상기 제1 금속막 패턴은 크롬으로 이루어지고, 상기 제2 금속막 패턴은 알루미늄 네오디뮴으로 이루어진 것을 특징으로 하는 어레이 기판.The array substrate of claim 4, wherein the first metal film pattern is made of chromium, and the second metal film pattern is made of aluminum neodymium. 기판 상에 스위칭 소자를 형성하는 단계;Forming a switching element on the substrate; 상기 스위칭 소자 및 상기 기판 상에, 상기 스위칭 소자와 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계;Forming a pixel electrode connected to the switching element on the switching element and the substrate; 상기 화소 전극 상에 반사 영역과 투과 영역을 정의하고 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 형성하되, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴을 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출시켜 상기 경계부의 단차를 완화시키는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.A reflective plate may be formed on the pixel electrode to form a reflective plate and a reflective plate including a first metal layer pattern and a second metal layer pattern stacked on the first metal layer pattern, wherein the reflective plate is in contact with the transmissive region. The method of claim 1, wherein the first metal film pattern is protruded relative to the second metal film pattern to mitigate the step difference between the boundary parts. 제6항에 있어서, 상기 제1 금속막 패턴은 상기 제2 금속막 패턴에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the first metal film pattern is formed of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal film pattern. 제7항에 있어서, 상기 제1 금속막 패턴은 크롬으로 형성하고, 상기 제2 금속 막 패턴은 알루미늄 네오디뮴으로 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 7, wherein the first metal film pattern is formed of chromium, and the second metal film pattern is formed of aluminum neodymium. 제6항에 있어서, 상기 반사판을 형성하는 단계는,The method of claim 6, wherein the forming of the reflector is 상기 화소 전극 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 순차적으로 증착하는 단계;Sequentially depositing a first metal film and a second metal film on the pixel electrode; 상기 제2 금속막 상에 상기 투과 영역을 오픈하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a photoresist pattern opening the transmission region on the second metal film; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 금속막을 과도 식각하여 상기 포토레지스트 패턴의 하부에 언더컷을 형성하는 단계;Overetching the second metal layer using the photoresist pattern to form an undercut under the photoresist pattern; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 금속막을 식각하는 단계; 및Etching the first metal layer using the photoresist pattern; And 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.And removing the photoresist pattern. 제6항에 있어서, 상기 반사판을 형성하는 단계는,The method of claim 6, wherein the forming of the reflector is 상기 화소 전극 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 순차적으로 증착하는 단계;Sequentially depositing a first metal film and a second metal film on the pixel electrode; 상기 투과 영역에 대응되어 부분 노광 패턴이 형성되어 있는 포토 마스크를 이용하여 상기 제2 금속막 상에 상기 투과 영역을 오픈하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Forming a photoresist pattern opening the transmission region on the second metal film by using a photo mask having a partial exposure pattern corresponding to the transmission region; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 금속막을 식각하는 단계;Etching the second metal layer using the photoresist pattern; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 금속막을 식각하는 단계;Etching the first metal layer using the photoresist pattern; 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 식각하여 상기 제2 금속막의 일부분을 노출시키는 단계;Partially etching the photoresist pattern to expose a portion of the second metal film; 잔류하는 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 노출된 제2 금속막을 식각하는 단계; 및Etching the exposed second metal film using the remaining photoresist pattern; And 상기 잔류하는 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.And removing the remaining photoresist pattern. 제10항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 부분적으로 식각하는 단계는 에싱 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 10, wherein partially etching the photoresist pattern is performed by an ashing process. 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 접속된 화소 전극과, 상기 화소 전극 위에 형성되어 반사 영역과 투과 영역을 정의하고 제1 금속막 패턴과 상기 제1 금속막 패턴 상에 적층된 제2 금속막 패턴으로 이루어진 반사판을 구비하며, 상기 투과 영역에 접하는 상기 반사판의 경계부에서 상기 제1 금속막 패턴이 상기 제2 금속막 패턴에 비해 돌출되어 상기 경계부의 단차가 완만한 기울기를 갖는 하부 기판;A switching element, a pixel electrode connected to the switching element, a second metal film pattern formed on the pixel electrode to define a reflection area and a transmission area, and laminated on the first metal film pattern and the first metal film pattern. A lower substrate having a reflective plate, wherein the first metal film pattern protrudes from the second metal film pattern at a boundary portion of the reflecting plate in contact with the transmission region, and has a gentle slope of the boundary portion; 상기 하부 기판과 대향하여 형성된 상부 기판; 및An upper substrate formed to face the lower substrate; And 상기 상부 기판과 하부 기판 간에 형성된 액정층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.And a liquid crystal layer formed between the upper substrate and the lower substrate. 제12항에 있어서, 상기 제1 금속막 패턴은 상기 제2 금속막 패턴에 대해 낮은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.The transflective liquid crystal display of claim 12, wherein the first metal layer pattern is formed of a material having a low etching selectivity with respect to the second metal layer pattern. 제12항에 있어서, 상기 액정층은 상기 투과 영역 및 상기 반사 영역에서 단일 셀갭을 갖는 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.The transflective liquid crystal display of claim 12, wherein the liquid crystal layer has a single cell gap in the transmission region and the reflection region. 제12항에 있어서, 상기 액정층은 상기 반사 영역에 대응하여 제1 두께로 형성되고, 상기 투과 영역에 대응하여 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 반투과형 액정표시장치.The transflective liquid crystal display of claim 12, wherein the liquid crystal layer is formed to have a first thickness corresponding to the reflective region, and has a second thickness that is thicker than the first thickness to correspond to the transmissive region.

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