KR100752716B1 - 유기 전계발광디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계발광디바이스로부터의 전체 반사율을 감소시키는 광학간섭부재를 갖는 새로운 유기 전계발광디바이스를 제공한다. 특히 본 발명은 애노드, 전계발광층 및 캐소드를 갖고 적어도 하나의 광학간섭부재가 2개의 층 사이에 배치되고, 그래서 디스플레이를 여기시키는데 필요한 전기 회로의 일부를 형성하는 전류 구동 유기 디스플레이에 적당하다. 이 광학간섭부재는 디스플레이상에 입사된 주변광의 적어도 일부의 상쇄 광학 간섭을 일으키는 두께를 갖도록 선택된다. 또한, 이 광학간섭부재의 물질은 애노드, 캐소드 및 전계발광층에 관련된 광학간섭부재의 위치에 따라, 전계발광층의 최상위 점유 분자 오비탈 또는 최하위 미점유 분자 오비탈과 양립할 수 있는 일함수를 갖도록 선택된다. 물질을 적절하게 선택하면 디바이스를 흐르는 적합한 전류를 보장할 수 있고, 그래서 유기 전계발광층의 전기적인 브레이크다운등을 감소시키고 디바이스의 전체 에너지 효율을 향상시킬 수 있다.
Figure 112002002221104-pct00005
유기 전계발광디바이스, 광학간섭부재, 반사율, 애노드, 캐소드, 주변광, 전류원, 일함수, 에너지 특성

Description

유기 전계발광디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은 일반적으로 전계발광디바이스에 관한 것이고 보다 상세하게는 주변광으로부터의 반사율을 감소시키는 박막 광학 간섭층을 갖는 유기 전계발광디바이스에 관한 것이다.
전계발광디바이스(ELDs)는 잘 알려져 있고 일반적으로 상이한 물질의 다수의 층으로 구성되어 있다. 이러한 층은 전형적으로 투명한 전방 전극층, 전계발광층 및 후방 전극층으로 구성되어 있다. 전압이 이러한 전극에 인가될 때, 전계발광층은 활성화되어 이 전계발광층을 통과하는 전기 에너지의 일부를 광으로 변환시킨다. 그후에, 이러한 광은 정면 전극층을 통해 발광되는데, 이 정면 전극층은 발광된 광에 투명하여 디바이스의 사용자가 볼 수 있도록 되어 있다.
전계발광디바이스는 특히 컴퓨터 디스플레이로서 사용될 수 있고 일반적으로 컴퓨터 및, 고 신뢰도, 저중량, 및 저전력 소비와 같은 특징이 중요한 군사, 항공전자공학 및 항공 우주산업과 같은 특수한 용도에 사용되는 다른 전자 장치용 고품질 디스플레이로서 인식되고 있다. 또한 전계발광 디스플레이는 음극선관("CRT") 및 액정 디스플레이("LCD")와 같은 다른 디스플레이에 비해서 특정 장점을 가지고 있기 때문에, 자동차, 퍼스널 컴퓨터 및 다른 소비자 산업에서 그 품질로 인하여 인정을 받아가고 있다.
전계발광 디스플레이의 다른 특징은 디스플레이의 특성을 변화시키기 위해 층 사이에 박막을 더할 수 있다는 것이다. 신호 대 반사된 주변광 비(signal-to-reflected-ambient light ratio; "SRA") 및 콘트라스트비("CR")와 같은 선택된 디스플레이 특성을 향상시키기 위해 전계발광 디스플레이내에 박막층을 사용하는 것이 알려져 있다. 보다 분명히 하기 위해, 신호 대 반사된 주변광 비는
Figure 112002002221104-pct00001
와 같이 정의될 수 있는데, 여기에서,
SRA는 신호 대 반사된 주변광 비,
Lem은 디바이스의 방사된 휘도,
R은 디바이스의 반사율, 및
Lamb은 주변광 휘도, 또는 디스플레이 상에 입사된 주변광이고,
화소화된 디바이스에서 콘트라스트비는
Figure 112002002221104-pct00002
와 같이 정의될 수 있는데, 여기에서,
CR은 콘트라스트비,
Lon 은 활성 또는 "온" 화소의 방사된 휘도,
Loff은 비활성 또는 "오프" 화소의 방사된 휘도,
R은 디바이스의 반사율, 및
Lamb은 주변광 휘도, 또는 디스플레이 상에 입사된 주변광이다.
전계발광디바이스내의 콘트라스트비를 향상시키기 위해 사용될 수 있는 한 특정 타입의 박막층은 미국 특허 5,049,780호[Dobrowolski]에 설명되어 있는 바와 같이, 전계발광디바이스의 하나 이상의 층 사이에 놓인 실질적으로 투명한 광학 간섭층이다. 당업자에게 명백한 바와 같이, 전계발광디바이스의 콘트라스트비의 향상은 일반적으로 바람직하고 특히 불량 콘트라스트 및 글레어가 심각한 결과를 초래할 수 있는 항공 전자 공학 및 군사 응용에 있어서 중요하다. 상쇄 간섭의 원리를 사용하여, 광학 간섭층은 박막층의 인터페이스에서 반사 및/또는 투과에 의해 발생될 수 있는 2개의 이상의 위상이 어긋난(out-of-phase) 전자파를 중첩시킴으로써 주변광의 진폭을 감소시킬 수 있다. 층의 적당한 두께를 선택함으로써 관심의 전자파장(전형적으로 디스플레이의 반사된 가시 주변광파)에서의 광학적인 상쇄 간섭은 예외적인 콘트라스트비 및/또는 신호 대 반사된 주변광 비가 가능하게 한다.
Dobrowolski는 일반적으로 전압 구동 무기 전계발광디바이스를 나타내고 있는데, 여기에서 전계발광층은 무기물질로 형성되고, 이 전압 구동 무기 전계발광디바이스는 전형적으로 무기 전계발광층의 전기적 브레이크다운을 감소시키기 위해 하나 이상의 추가 투명한 유전층을 필요로 한다. 그러한 무기 전계발광디바이스는 전형적으로 디바이스내의 전하 형성을 감소시키기 위해 교류 전류("ac")로 전압 구동되고 전력공급된다. Dobrowolski는 투명한 유전층이 없는 직류("dc") 전계발광디바이스의 사용을 생각하였지만, 그러한 무기 디바이스는 여전히 전압 구동되고 일반적으로 전계발광층을 절연파괴시키는 경향이 있다.
전압 구동 무기 전계발광디바이스에 비하여 (컬러 향상 및 필요한 구동 전압을 감소시키는 전류 흐름에 대한 감소된 배리어와 같은) 특정 장점을 제공하는 현대 전류 구동 유기 전계발광디바이스의 출현으로, 이러한 유기 디바이스의 콘트라스트비 및/또는 신호 대 주변광 비를 향상시킬 필요가 생겼고 종래 기술에서는 이러한 필요를 채우는 적합한 광학 간섭 전계발광디바이스를 찾을 수 없게 되었다.
광학 간섭을 사용하지 않고 향상된 콘트라스트를 유기 전계발광디바이스에 제공하는 방법이 알려져 있다. 예를 들어, G. Parthasrathy et. al., "A metal-free cathode for organic semiconductor devices", Applied Physics Letters, April 27, 1998 vol 72, no. 17 pp 2138-2140 ("Parthasrathy")는 전기적으로 액티브하고, 투명한 유기 전계발광디바이스(TOLEDs)의 범위내에서 사용되는 저 반사율, 고투명도, 비금속의 캐소드의 종류를 설명하고 있다. 따라서, 처음부터, Parthasrathy는 오직 TOLEDs를 가리킬 뿐이고, 캐소드 및 애노드중 하나가 전형적으로 불투명 및/또는 반사적인, 유기 전계발광디바이스(OLEDs)를 가리키는 넓은 범위의 전계발광디바이스에는 적용할 수 없다. 다른 말로 하면, Parthasrathy는 디바이스의 애노드 및 캐소드가 모두 투명하여서 뷰어가 직접 디바이스를 통하여 볼 수 있게 하는 투명한 유기 광방출 디바이스에 대해 설명하고 있다. 따라서, TOLEDs의 투명한 성질로 인해, 주변광의 반사광은 일반적으로 불투명한 OLEDs에서 보다는 덜 방출 된다. 어쨋든, Parthasrathy는 저전력, 무선 주파수로 스퍼터링된 산화주석인듐(ITO) 막으로 캐핑된 프탈로시아닌구리(CuPc)로 구성된 비금속의(metal-free) 투명한 캐소드에 대해 설명하고 있다. 이 CuPc는 주로 그 아래 위치한 유기 전계발광층의 손상을 방지하는 유익이 있다.
Parthasrathy가 제시하는 부수적인 유익으로는 캐소드의 반사율이 이제까지 TOLEDs에서 사용되었던 투명 금속 캐소드에 비하여 다소 감소되었다는 것이다. 그러나, 어쨋든, Parthasrathy의 도 3에 도시된 바와 같이, CuPc로 인해 감소된 제한된 양의 반사율은 주변광의 흡수로 인해 발생하고, 그렇지 않으면 반사되었을 광 에너지는 흡수되고 또 다른 형태의 에너지, 전형적으로는 열로서 CuPc 층에 의해 소산된다. 따라서, Parthasrathy는 고투명도 및 저반사율을 갖는 비금속 캐소드를 구비한 TOLED 디바이스를 설명하고 있는데, 여기에서 얻어진 저반사율은 주로 증가된 투명도를 통해서 얻어지고, 반사율의 부수적인 감소는 광 에너지의 흡수를 통해 얻어진다. Parthasrathy가 투명한 디바이스에 대해 설명하고 있기 때문에, 그의 설명은 불투명한 디바이스의 반사율의 감소에 대해서는 설명하지 않고 있다. 따라서, Parthasrathy의 설명은 불투명한 OLEDs에서의 주변광의 감소에 대해서는 유용하지 않다.
콘트라스트 강화 특성을 갖는 또 다른 유기 전계발광디바이스가 Idemitsu Kosan Company Ltd.("Idemitsu")에게 허여된 JP08222374에 설명되어 있다. Idemitsu는 적어도 하나가 투명하거나 반투명한 한 쌍의 전극 사이에 유기 이미터층과 함께 광 흡수/확산층을 갖는 유기 전계발광디바이스에 대해 설명하고 있다. Idemitsu가 감소된 반사율을 갖는 유기 전계발광디바이스에 대해 설명하고 있지만, 이 감소된 반사율은 Parthasrathy와 마찬가지로 흡수/확산을 통해 얻어진다. 본 발명의 발명자는 흡수/확산이 특정 상황에서 유익을 제공한다고 생각하지만, 다른 기술을 사용할 때 더 크게 감소된 반사율을 얻을 수 있고 및/또는 다른 상황에서 추가 유익을 제공할 수 있다고 생각하게 되었다.
또 다른 유기 전계발광디바이스가 TDK Corporation ("TDK")에게 허여된 EP0838976에 설명되어 있다. 보다 상세하게는, TDK는 상이한 물질로 만들어진 것을 제외하고는 Parthasrathy가 설명한 TOLED와 유사한 또 다른 TOLED 구조에 대해 설명하고 있다. Parthasrathy에 대해 설명한 바와 같이 이러한 TOLED는 자주 그 투명한 성질로 인하여 주변광의 반사율에 대하여 거의 어려움이 없는 것으로 여겨진다. 따라서, TDK는 단지 TOLED의 한 특정 구조에 대해서만 구체적으로 설명한 뿐이고, 불투명한 유기 전계발광디바이스에서의 반사율의 감소에 대해서는 설명하지 않고, 단지 설명된 구조의 종류로 인하여 불투명한 전계발광디바이스에서 반사율을 감소시킬 뿐이며, 상기 구조의 종류로부터 반사율을 감소시키는 것에 대한 어떤 구체적인 설명도 없다.
상기 종래기술과는 대조적으로, Cambridge Display Corporation ("Cambridge")에게 허여된 공보 WO97/38452는 원형 편광자를 사용함으로써 감소된 반사율을 갖는 불투명 전계발광 디스플레이 장치에 대해 설명하고 있다. 편광 기술은 잘 알려져 있는데, 그 편광자는 "단일 평면내의 투과된 광을 제외하고 투과된 광으로부터의 모든 진동을 흡수하여서 자연광이 편광으로 나타나게 하는 장치(Academic Press Dictionary of Science Technology, ⓒ 1996 Academic Press Inc., http://www.academicpress.com/inscight/03261998/polariz1.htm에서 인용)"로서 설명될 수 있다. 특히, Cambridge는 유기 발광디바이스의 시야 표면의 정면에 배치된 원형 편광자의 사용에 대해 설명하고 있다. 편광자는 주변광의 반사율을 감소시킬 수 있는 것으로 인식되었지만, 그것은 또한 디바이스내의 전계발광층으로부터 방출되는 바람직하지 않은 양의 광을 흡수하는 것으로 알려져 있다. 요약하면, 편광자의 사용은 흡수의 특수화된 형태일 뿐이다. 그러나, 또한, Cambridge의 단점은 편광자가 전형적으로 발광디바이스의 실제 제조로부터 개별적인 프로세스를 사용하여 제조되어야 하고 편광자는 디바이스에 개별적으로 조립되어야 한다는 것이며, 따라서 제조 및 생산된 디바이스의 전체 비용을 증가시키게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 기술의 적어도 하나의 결점을 제거하거나 완화시키는 새로운 광학 간섭 유기 전계발광디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에서 디바이스의 정면에서 뷰어에게 이미지를 디스플레이하는 광학 간섭 전계발광디바이스를 제공하는데, 이 디바이스는 애노드층; 캐소드층(애노드층 및 캐소드층중 적어도 하나는 방출되는 전계발광의 적어도 일부에 실질적으로 투명하다); 애노드층 및 캐소드층 사이에 배치되고, 전계발광층의 최상위 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지량인 제1 에너지 특성 및 전계발광층의 최하위 미점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지량인 제2 에너지 특성을 갖는 적어도 하나의 유기 전계발광층; 및 2개의 층 사이에 배치되고, 광학간섭부재가 애노드 및 전계발광층 사이에 있을 때 제1 에너지 특성과 실질적으로 동일한 일함수를 갖고, 광학간섭부재가 캐소드 및 전계발광층 사이에 있을 때 제2 에너지 특성과 실질적으로 동일한 일함수를 갖고, 전계발광디바이스의 스펙트럼 반사율이 수정되어 뷰어로의 전계발광디바이스에 의해 주변광의 반사율이 감소되도록 하는 두께와 물질의 적어도 하나의 광학간섭부재를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 선택된 스펙트럼에 광을 방출하는 전계발광디바이스가 제공되는데, 이 전계발광디바이스는 애노드층 및 캐소드층을 포함하며, 이 애노드층 및 캐소드층중 하나는 전계발광디바이스에 의해 방출되는 선택된 스펙트럼의 적어도 일부에 실질적으로 투명하다. 이 전계발광디바이스는 애노드층 및 캐소드층 사이에 유기 전계발광층을 포함하는데, 이 전계발광층은 애노드층에 대하여 최상위 점유 분자 오비탈을 갖고 캐소드층에 대하여 최하위 미점유 분자 오비탈을 갖는다. 이 디바이스는 투명층을 통해 반사된 주변광을 감소시키도록 작동가능하고 선택된 일함수를 갖는 광학간섭부재를 더 포함하고, 이 광학간섭부재는 전계발광층 및 애노드층과 캐소드층중 하나 사이에 있으며, 각각의 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지 레벨 및 선택된 일함수사이의 차이는 제로에 접근하게 된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 디바이스의 정면에서 뷰어에게 이미지를 디스플레이하는 전계발광디바이스를 제조하는 방법을 제공하는데, 이 방법은
기판상에 애노드층을 증착하는 단계;
애노드층과 관련된 제1 에너지 특성 및 캐소드층과 관련된 제2 에너지 특성을 갖는 유기 전계발광층을 애노드층상에 증착하는 단계;
뷰어에게 주변광의 반사율을 감소시키고 제2 에너지 특성과 실질적으로 동일한 일함수를 갖는 광학간섭부재를 전계발광층에 증착하는 단계;
이 광학간섭부재상에 캐소드층을 증착하는 단계; 및
디바이스를 실링하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서 디바이스의 정면에서 뷰어에게 이미지를 디스플레이하는 전계발광디바이스를 조립하는 방법을 제공하는데, 이 방법은
기판상에 애노드층을 증착하는 단계;
뷰어로의 주변광의 반사율을 감소시키고 일함수를 갖는 광학간섭부재를 애노드층상에 증착하는 단계;
전계발광층으로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지의 양이고 일함수와 실질적으로 동일한 에너지 특성을 갖는 유기 전계발광층을 간섭 부재상에 증착하는 단계;
캐소드층을 전계발광층상에 증착하는 단계; 및
디바이스를 실링하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 뷰어에게 이미지를 디스플레이하는 방법을 제공하는데, 이 방법은
상기 애노드에 대한 제1 에너지 특성 및 상기 캐소드에 대한 제2 에너지 특성을 가지며 애노드 및 캐소드 사이에 있는 유기 전계발광층으로부터 광을 방출하는 단계;
상기 전계발광층으로 입사되는 주변광을 수용하는 단계; 및
선택된 일함수를 갖고 상기 전계발광층 및 상기 애노드와 상기 캐소드중 하나 사이에 배치된 광학간섭부재의 입사 표면에서 상기 주변광으로부터 상쇄 간섭을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 일함수 및 각각의 에너지 특성 사이의 차이는 제로에 접근한다.
적어도 하나의 광학간섭부재의 물질을 적절하게 선택하면 디바이스를 통하여 적당한 전류가 흐르는 것을 보장하게 되고, 그래서 유기 전계발광층의 절연파괴등을 줄이고 디바이스의 전체 에너지 효율을 향상시키면서도, 여전히 뷰어로의 반사율을 감소시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 광학 간섭 유기 전계발광디바이스의 일부를 통한 개략단면도; 및
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광학 간섭 유기 전계발광디바이스의 일부를 통한 개략단면도.
본 발명을 실행하는 최상 모드
도 1에서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계발광디바이스는 일반적으로 10으로 표시되었다. 디바이스(10)는 전계발광 투과 애노드(12), 애노드(12) 뒤에 배치된 전계발광층(14), 전계발광층(14) 뒤에 배치된 광학간섭부재(16) 및 간섭 부재(16) 뒤에 배치된 캐소드(18)를 포함한다. 디바이스(10)는 디바이스(10)를 통하여 일정한 전류를 구동하기 위해 애노드(12) 및 캐소드(18)를 통하여 전류원(20)에 접속된다.
전계발광 투과 애노드(12)는 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연(ZnO)와 같은 방출되는 전계발광의 적어도 일부에 투명한 임의의 도전성 물질이다. 본 실시예에서, 애노드(12)는 약 1500Å의 두께를 갖는 산화주석인듐층인 것이 바람직하다.
전계발광 투과 애노드(12)는 상이한 두께를 가질 수 있는데 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 3000Å, 또는 약 1200Å 내지 약 2000Å의 범위에 있을 수 있다는 것을 이해해야 한다.
전계발광층(14)은 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄; Alq3) 또는 폴리(n-비닐 카르보잘; PVCZ)와 같은 유기 전계발광 물질이며, 여기에서 광의 광자는 전자가 층(14)의 최하위 미점유 분자 오비탈("lumo")로부터 떨어질 때 방출되고, 여기에서 이 전자들은 층(14)의 최상위 점유 분자 오비탈("homo")내의 정공과 결합하게 된다. 따라서, 전계발광 층(14)을 통하여 흐르는 전류는 광을 방출시킬 수 있게 된다. 본 실시예에서, 층(14)은 당업자가 이러한 층의 적절한 다른 두께를 사용할 수 있을 것이지만, 약 1000Å의 두께를 갖는 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)로 만드는 것이 바람직하다. 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 전기적 특성에 정통한 사람에게 알려진 바와 같이, 최상위 점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지(EHOMO)는 약 5.4 eV인데, 이것은 또한 층(14)의 표면으로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지, 또는 층(14)의 일함수로서 표현될 수 있다. 또한 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는 데 필요한 에너지는 약 3.0eV인데, 이것은 ELUMO로 표시될 수 있다. 따라서, 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 EHOMO와 ELUMO 사이의 차이는 약 2.4eV이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 다른 유기 물질이 선택될 수 있어서(즉, 물질을 선택하거나 불순물로 물질을 변형시킴으로써) EHOMO와 ELUMO 사이의 차이가 가시광선의 스펙트럼을 포함하는 약 1.5eV 내지 약 3.0eV 의 범위에 있을 수 있다.
본 실시예에서, 광학간섭부재(16)는 반흡수층(16a) 및 투명층(16b)을 포함한다. 반흡수층(16a)은 부분적으로 반사적인데, 즉, 가시 스펙트럼내에서 부분적으로 흡수하고 부분적으로 투과하며, 본 실시예에서는 약 185Å의 두께를 갖는 마그네슘은(Mg:Ag)으로 만들어진다. 다른 적당한 물질에는 인코넬™, 니켈(Ni), 티타늄 또는 적절한 유기 물질이 있을 수 있고 그러한 층들의 적절한 두께가 당업자에 의해 결정될 수 있다. 물질의 소광 계수 및 그 두께는 광학 간섭을 무시하면 사전 선택된 파장에서 층(16a)으로부터의 반사율이 적어도 약 35 %가 되도록 선택되는 것이 바람직하며, 광 에너지의 나머지는 투과되거나 흡수되고, 열의 형태로 소산된다. 이와 유사하게, 광학 간섭을 무시하면 사전 선택된 파장에서의 층(16a)을 통한 투과율은 적어도 약 35 %인 것이 바람직할 것이다.
층(16a)의 소광 계수 및 그 두께는 광학 간섭을 무시하면 사전 선택된 파장에서의 층(16a)을 통과하는 투과율이 약 30%에서 약 40%가 되도록 선택될 수 있음을 이해해야 한다. 당업자가 이해하는 바와 같이, 층(16a)의 반사표면에서 적절한 상쇄 간섭을 얻기 위해 2개의 패스 이후에 층(16a)을 통해 투과되는 광의 양은 본래 층(16a)으로부터 반사된 광의 양과 실질적으로 동일해야 한다.
실질적으로 투명한 도전층(16b)은 산화주석인듐(ITO)으로 만들어지고 약 840Å의 두께를 갖는다. 다른 적당한 물질 및 층 두께가 산화아연(ZnO)과 같이 당업자에 의해 사용될 수 있다. 층(16b) 물질의 소광 계수 및 그 두께는 광학 간섭을 무시하면 사전 선택된 파장에서 층(16b)을 통하는 투과율이 약 80%보다 더 크게, 바람직하게는 적어도 약 90 %가 되도록 선택된다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 층(16b)에 대한 사전 선택된 파장은 층(16a)을 선택하기 위해 사용된 사전 선택된 파장과 실질적으로 동일한 것이 일반적으로 바람직하다.
생산된 디바이스(10)가 가시광선 스펙트럼에 걸쳐서 바람직한 광학 간섭 특성을 가질 수 있기 때문에 가시 광선 스펙트럼의 중심인 약 550nm의 파장이 층(12,14) 및 부재(16)의 적당한 두께 및 물질을 결정할 목적으로 사용되는 현재 바람직한 사전 선택된 파장이다. 당업자가 이해하는 바와 같이, 이러한 파장을 선택함으로써 부수적으로 얻는 유익은 적외선을 포함한 가시광선 밖의 전자기 에너지를 반사하여 디스플레이의 가열을 감소시키는 디바이스를 얻을 수 있다는 것이다. 그러나, 필요한대로 다른 파장이 당업자에 의해 선택될 수 있을 것이다.
또한 간섭 부재(16)는 일함수 ΦOIM 또는, 부재(16)의 표면으로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지의 양으로써 그 양을 정할 수 있다. 본 실시예에서, 양전하 또는 정공은 전류원(20)으로부터 애노드(12)를 통해 전계발광층(14)으로 흐르고, 여기에서, 양전하 또는 정공은 전류원(20)으로부터 캐소드(18), 광학간섭부재(16)를 통해 전계발광층(14)으로 흐르는 전자와 결합하게 된다. 따라서, 층(14)의 최하위 미점유 분자 오비탈로 전자를 용이하게 주입하기 위해, 부재(16)에 대해 물질은 절대값으로 표시된 ELUMO 및 ΦOIM 사이의 차이가 제로에 접근하도록 선택된다. 이 표현은 다음과 같이 표현될 수 있다:
Figure 112002002221104-pct00008
이 차이 X가 제로에 접근하기 위해, X는 약 0.0 내지 약 1.5 eV 범위에 있을 수 있다. 이 차이 X는 약 0.1 내지 약 1.3 eV의 범위에 있을 수 있으며, 보다 바람직하게는, 이 차이 X는 약 0.6 내지 1.0eV의 범위내에 있어야 한다. 층(16a)이 마그네슘은으로 만들어지고 층(16b)은 산화주석인듐으로 만들어진 본 실시예에서, 부재(16)의 전체 일함수 ΦOIM 는 약 3.6eV이다. ELUMO 가 약 3.0eV이기 때문에, 차이 X는 약 0.6eV가 된다.
캐소드(18)는 약 500Å의 두께를 갖는 마그네슘은이고, 본 발명에서 반사적이다. 다른 실시예에서, 캐소드(18)는 약 250Å 내지 약 2000Å의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 다른 적당한 도전성 물질 및 두께가 당업자에 의해 사용될 수 있을 것이다.
부재(16)의 두께 및 물질 및 그 구성요소가 적어도 부분적으로 애노드(12), 전계발광층(14), 및 캐소드(18)의 물질 및/또는 두께를 고려하는 동작으로 결정될 수 있다는 것은 명백할 것이다.
디바이스(10)는 종래기술을 사용하여 제조될 수 있다. 앞서의 실시예에서, 애노드(12)는 유리 기판상에 증착되고 그 위에 연속층이 역시 증착의 방법으로 형성된다. 그후에 전체 디바이스(10)가 종래기술을 사용하여 실링된다. 디바이스(10)를 제조하는 다른 적당한 기판 및 수단이 당업자에 의해 사용될 것이다. 예를 들어, 기판은 플라스틱일 수 있다. 또한, 전계발광층(14)이 폴리(n-비닐 카르보잘)인 경우에, 스핀 코팅이 층(14)에 대한 적합한 제조 기술이 될 수 있다.
이제 디바이스(10)의 동작에 대해 설명할 것이다. 다음은 설명을 위한 단순화된 모델이고, 디바이스(10)의 동작중에 발생되는 다른 물리적 현상은 본 설명을 위해 무시할 수 있을 만큼 영향이 적다고 가정되었다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 전류원(20)은 '온'이고, 그래서 정공이 애노드(12)를 통해서 전계발광층(14)으로 구동된다. 그다음, 이러한 정공은 전류원(20)으로부터, 캐소드(18) 및 광학간섭부재(16)를 통해 층(14)으로 이동된 전자와 결합한다. 절대값으로 표시된 ELUMO 및 ΦOIM 사이의 차이가 제로에 접근한다는 사실은 디바이스(10)를 통과하는 전류의 흐름에 대한 배리어를 감소시키고, 그래서 층(14)의 브레이크다운을 방지하거나 막는다. 층(14)내의 정공 및 전자의 재결합은 화살표(Lem)로 표시된 바와 같이, 광이 애노드(12)의 정면 또는 외부 표면을 통해서 뷰어쪽으로 방출되게 한다.
동시에, 화살표(Lamb)로 표시된 바와 같이, 주변광은 디바이스(10)상에 입사되어 애노드(12) 및 전계발광층(14)을 통과한다. 반흡수층(16a)상에 입사된 주변광(Lamb)은 부분적으로 반사되고, 부분적으로 흡수되고 그리고 부분적으로 투과된다. 반흡수층(16a)을 통하여 투과된 광은 투명층(16b)을 통과하고, 여기에서 이 투과된 광은 캐소드(18)에 의해 반사되어 투명층(16b)을 역으로 투과통과하며, 이러한 반사되는 지점에서 이러한 반사광은 층(16a)으로부터 부분적으로 반사된 광과 180도 위상이 어긋나 반전되고, 따라서 이러한 두 반사광은 상쇄 간섭하여 실질적으로 서로를 소광시키게 된다. 이러한 두 반사광에서 발견되는 다른 에너지는 반흡수층(16a) 및 캐소드(18)에 의해 흡수되고, 여기에서 그 에너지는 상대적으로 적은 양의 열로서 방산된다. 결과적으로 디바이스(10)로부터 뷰어로의 역반사광(Lref)은 감소하게 된다. 본 실시예에서, 반사광(Lref)은 광학간섭부재(16) 없이 조립된 전계발광디바이스에 비하여 약 90% 감소하게 된다.
본 발명의 다른 실시예에서, 여전히 절대값으로 표시된 ELUMO 및 ΦOIM 사이의 차이가 제로에 접근하도록 하는데 앞서 언급된 수용가능한 파라미터 및 범위내에 있어야 하지만, 광학간섭부재(16)에 대하여 상이한 물질, 두께 및 소광 계수를 선택함으로써 그리고 디바이스(10)내의 다른 층에 대하여 적절한 두께 및 물질을 선택함으로써 반사광(Lref)은 약 99.5%나 줄일 수 있다. 그러나, 수용가능한 범위내에 있는 ELUMO 및 ΦOIM 사이의 에너지 레벨에서의 더 많은 차이가 반사율을 감소시킬 수 있지만, 또한 디바이스(10)를 통하여 흐르는 전류내의 전기 효율을 감소시키는 결과를 초래할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 적당히 수정된 광학간섭부재(16)가 디바이스(10)의 다른 층과 직렬로 배치될 수 있다. 도 2에서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계발광디바이스는 일반적으로 10a로 표시되어 있다. 도 1에 도시된 것과 동일한 구성요소는 동일한 부재 번호로 표시되었다. 디바이스(10a)는 전계발광 투과 애노드(12), 애노드(12) 뒤에 배치된 광학간섭부재(16'), 간섭 부재(16') 뒤에 배치된 전계발광층(14), 및 전계발광층(14) 뒤에 배치된 캐소드(18)를 포함한다. 디바이스(10a)는 디바이스(10) 및 층(14)을 통하여 일정한 전류를 구동시키기 위해 애노드(12) 및 캐소드(18)를 통하여 전류원(20)에 접속된다.
전계발광 투과 애노드(12)는 산화주석인듐(ITO) 또는 산화아연(ZnO)과 같이 적어도 방출된 전계발광의 일부에 투명한 임의의 도전성 물질이다. 본 발명에서, 애노드(12)는 약 1500Å의 두께를 갖는 산화주석인듐층인 것이 바람직하다.
전계발광 투과 애노드(12)는 상이한 두께, 예를 들어, 약 1000Å 내지 약 3000Å, 또는 약 1200Å 내지 약 2000Å의 범위내에 있을 수 있다.
전계발광층(14)은 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄; Alq3) 또는 폴리(n-비닐 카르보잘; PVCZ)와 같은 유기 전계발광 물질이며, 여기에서 광의 광자는 전자가 층(14)의 최하위 미점유 분자 오비탈("lumo")로부터 떨어질 때 방출되고, 여기에서 이 전자들은 층(14)의 최상위 점유 분자 오비탈("homo")내의 정공과 결합하게 된다. 따라서, 전계발광층(14)을 통하여 흐르는 전류는 광을 방출시킬 수 있게 된다. 본 실시예에서, 층(14)은 당업자가 이러한 층의 적절한 다른 두께를 사용할 수 있을 것이지만, 약 1000Å의 두께를 갖는 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)으로 만드는 것이 바람직하다. 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 전기적 특성에 정통한 사람에게 알려진 바와 같이, 최상위 점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지(EHOMO)는 약 5.4 eV인데, 이것은 또한 층(14)의 표면으로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지, 또는 층(14)의 일함수로서 표현될 수 있다. 또한 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는 데 필요한 에너지는 약 3.0eV인데, 이것은 ELUMO로 표시될 수 있다. 따라서, 트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)의 EHOMO와 ELUMO 사이의 차이는 약 2.4eV이다. 본 발명의 다른 실시예에서, 다른 유기 물질이 선택될 수 있어서(즉, 물질을 선택하거나 불순물로 물질을 변형시킴으로써) EHOMO와 ELUMO 사이의 차이가 가시광선의 스펙트럼을 포함하는 약 1.5eV 내지 약 3.0eV 의 범위에 있을 수 있다.
본 실시예에서, 광학간섭부재(16')는 산화주석인듐(ITO)로 만들어지고 약 745Å의 두께를 갖는 실질적으로 투명한 도전층(16c)을 포함한다. 산화아연(ZnO) 또는 적당한 유기 물질과 같은 다른 적당한 물질이 당업자에 의해 사용될 수 있다. 층(16c)의 산화주석인듐은 550nm의 광 파장에서 1/4파장 스택으로서 동작하도록 (상기 산화주석인듐의 화학량론을 제어함으로써) 수정되고 층(16c)을 통하는 투과율이 약 80%보다 크고, 바람직하게는 적어도 약 90%보다 크도록 선택된다. 그러나, 필요한대로 다른 파장이 당업자에 의해 선택될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 광학간섭부재(16')는 일함수 ΦOIM 로서 측정가능하다. 본 실시예에서, 정공은 전류원(20)으로부터 애노드(12) 및 광학간섭부재(16')를 통해서 전계발광층(14)로 흐르고, 이 전계발광층(14)에서 정공은 전류원(20)으로부터 캐소드(18)를 통하여 전계발광층(14)으로 흐르는 전자와 결합하게 된다. 따라서, 전계발광층(14)의 최상위 점유 분자 오비탈로부터 전자를 용이하게 끌어내기 위하여, 부재(16')를 위한 물질은 절대값으로 표시된 EHOMO 및 ΦOIM 사이의 차이 Y가 제로에 접근하도록 선택된다. 이러한 표현은 다음과 같이 수학적으로 표현될 수 있다.
Figure 112002002221104-pct00009
절대값으로 표시된 EHOMO 및 ΦOIM 사이의 차이가 제로에 접근하도록 차이 Y는 약 0.0 내지 약 1.5 eV의 범위내에 있을 수 있다. 차이(Y)가 약 0.1 내지 1.3 eV의 범위내에 있을 수 있으며, 보다 바람직하게는, 차이(Y)가 약 0.4 내지 약 1.0 eV의 범위내에 있어야 한다. 층(16a)이 마그네슘은으로 만들어지고 층(16b)은 산화주석인듐으로 만들어지는 본 실시예에서, 부재(16)의 전체 일함수 (ΦOIM )는 약 5.0eV이다. EHOMO 가 약 5.4eV이기 때문에, 차이(Y)는 약 0.4eV이다.
캐소드(18)는 약 500Å의 두께를 갖는 마그네슘은이고 본 실시예에서 반사적이다. 또 다른 실시예에서, 약 250Å 내지 약 2000Å 사이의 두께를 가질 수 있다. 그러나, 다른 적당한 도전성 물질 및 두께가 당업자에 의해 사용될 수 있을 것이다.
부재(16')의 두께 및 물질 및 그 구성요소가 적어도 부분적으로 애노드(12), 전계발광층(14), 및 캐소드(18)의 물질 및/또는 두께를 고려하는 동작으로 결정될 수 있다는 것은 명백할 것이다
디바이스(10a)는 종래기술을 사용하여 제조될 수 있다. 앞서의 실시예에서, 애노드(12)는 유리 기판상에 진공증착되고 그 위에 연속층 또한 진공증착을 사용하여 형성된다. 그다음, 전체 디바이스(10a)는 종래기술을 사용하여 실링된다. 디바이스(10a)를 제조하는 다른 적당한 기판 및 수단이 당업자에 의해 사용될 것이다. 예를 들어, 기판은 플라스틱일 수 있다. 또한, 전계발광층(14)이 폴리(n-비닐 카르보잘)인 경우에, 스핀 코팅은 층(14)을 위한 적당한 제조 기술일 수 있다.
디바이스(10a)의 동작을 이제 설명할 것이다. 다음은 설명을 위한 단순화된 모델이고, 동작에 대란 영향을 무시할 수 있도록 디바이스(10a)의 동작중에 일어나는 다른 물리적 현상이 가정되었다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 전류원(20)이 '온'이고, 그래서 정공 또는 양전하는 애노드(12) 및 광학간섭부재(16)를 통해서 전계발광층(14)으로 구동된다. 이러한 양전하는 그 다음에 캐소드(18)를 통해서 전류원(20)으로부터 층(14)으로 이동된 전자와 결합한다. 절대값으로 표시된 EHOMO 및 ΦOIM 사이의 차이가 제로에 접근하기 때문에, 디바이스(10a)를 통하여 흐르는 전류에 대한 배리어는 감소되고, 그래서 층(14)의 브레이크다운을 방지하거나 막는다. 층(14)내의 전자 및 정공의 재결합은 화살표(Lem)로 표시된 바와 같이 광이 애노드(12)의 정면을 통하여 뷰어쪽으로 방출되게 한다.
동시에, 화살표(Lamb)로 표시된 바와 같이 주변광은 디바이스(10a)상에 입사되고 애노드(12)를 통하여 통과하여 투명층(16c)상에 입사된다. 층(16c)상에 입사된 주변광(Lamb)의 약 절반이 반사되고, 나머지는 투과된다. 층(16c)을 통하여 투과된 광은 전계발광층(14)의 표면에 대하여 반사되어 층(16c)을 역으로 투과한다. 층(16c)의 1/4 파장 두께로 인하여, 층(14)으로부터 반사된 이러한 광은 층(16c)으로부터 반사된 광과 180도 위상이 어긋나 반전되고, 그래서 이러한 2개의 반사광은 상쇄 간섭하여 실질적으로 서로 소광시키게 된다. 이러한 2개의 반사광내에서 발견되는 다른 에너지는 층(16c)을 통해 투과된다. 이러한 결과로 디바이스(10)로부터 뷰어로의 역 반사되는 광(Lref)은 감소하게 된다. 본 실시예에서, 반사광(Lref)은 층(16')이 없는 전계발광디바이스에 비하여 약 0.5% 내지 약 2%의 범위만큼 감소되는 것으로 생각되어진다.
본 발명의 다양한 특징 및 구성요소의 특정 조합만이 여기에 설명되었지만, 특징 및 구성요소의 필요한 부분 및/또는 이러한 특징 및 구성요소의 대안적인 조합이 필요한대로 사용될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 예를 들어, 여기에 설명된 실시예는 디바이스로부터의 반사율을 더욱 감소시키기 위해, 전계발광디바이스의 상이한 층 사이에 배치되어 서로로부터 분리된 다중 광학간섭부재를 제공하도록 조합될 수 있다. 예를 들어, 층(16') 및 층(16)은 층(14)의 양측면상에 포함될 수 있다.
더욱이, 각각의 광학간섭부재는 상이한 결과를 얻기 위해 투명층이거나 투명층 및 반흡수층의 조합일 수 있고, 이러한 상이한 종류의 광학간섭부재가 또한 디바이스 전체에서 상이한 위치에 배치될 수 있다는 것은 명백할 것이다. 예를 들어, 적절하게, 최상위 점유 분자 오비탈 및/또는 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지 및 광학간섭부재의 일함수 사이의 차이가 제로에 접근하게 함으로써, 반흡수층이 없는 투명층이 유기 전계발광층 및 캐소드 사이에 사용될 수 있고, 이와 유사하게, 투명층 및 반흡수층의 조합이 애노드 및 전계발광층 사이에 사용될 수 있다.
본 발명은 컴퓨터 디스플레이에 적절할 수 있다. 예를 들어, 애노드가 유기 전계발광 컴퓨터 디스플레이의 정면층을 구성하기 위해 일반적으로 병렬로 이격된 복수의 애노드를 포함하고 캐소드는 일반적으로 애노드와 수직인 다수의 이격된 캐소드를 포함하는 화소화된 유기 전계발광 컴퓨터 디스플레이가 형성될 수 있다. 디바이스(10)의 사용자에게 상이한 인식가능 패턴을 생성시키도록 애노드 및 캐소드는 화소화되기 보다는 다양한 방법으로 패턴화될 수 있다는 것을 또한 이해할 것이다. 그러한 디스플레이가 화소화되거나 패턴화될 때, 펄싱된 DC와 같은 공지된 기술을 사용하고, 및/또는, 형성된 전하를 감소시키도록 주기적인 역극성 '리프레시' 펄스를 더함으로써 개별적인 화소 또는 패턴은 화이어링될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 이 장치는 또한 노트북 컴퓨터에서 발견할 수 있는 것처럼, 능동 매트릭스를 갖는 하이브리드 디스플레이일 수 있다.
또한, 본 발명은 컬러 유기 전계발광디바이스에서 사용되기 위해 적당하게 수정될 수 있다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 그러한 멀티 컬러 및 풀 컬러 디바이스는 스택킹된 투명 유기 전계발광층으로부터 형성될 수 있다. 광학간섭부재가 이러한 2개의 스택킹된 층 사이에 있는 경우에, 그 일함수 및 애노드에 가장 가까운 전계발광층의 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지 레벨 사이의 차이는 제로에 접근해야 하고, 또한 이 일함수 및 캐소드에 가장 가까운 전계발광층의 최상위 점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지 레벨 사이의 차이 역시 제로에 접근해야 한다는 것은 명백한 일이다. 보다 바람직하게는, 광학간섭부재의 일함수는 주변의 전계발광층의 최하위 미점유 분자 오비탈의 평균이어야 한다.
멀티 컬러 및 풀 컬러 디바이스는 패턴화된 적-녹-청 유기층을 통해(즉, 인히어런트 컬러 특성을 갖는 물질을 선택하거나 층상의 패턴을 적절하게 도핑함으로써) 제공될 수 있다. 다른 컬러화 기술은 백-이미터(white-emitter) 및 적절한 필터의 사용을 포함할 수 있다. 본 발명의 기술이 이러한 컬러 디바이스 및 다른 컬러 디바이스를 수용하기 위해 수정될 수 있다는 것을 명백할 것이다.
본 발명은 또한 액정 디스플레이용 백라이트로서 사용될 수 있다. 본 발명은 캐소드 및 전계발광층 사이의 전자 수송 층 및/또는 애노드 및 전계발광층 사이의 정공 수송 층을 갖는 유기 전계발광디바이스를 위해 적절하게 수정될 수 있다. 따라서, 이러한 실시예에서, 광학간섭부재는 수송층 및 전계발광층 사이에 놓일 수 있거나 수송층이 전계발광층 및 광학간섭부재 사이에 놓일 수 있다. 본 발명의 이러한 실시예에서, 전체 디바이스를 통하여 전류가 용이하게 흐르게 하기 위하여, 일함수 및 전계발광층의 애노드 측 및/또는 캐소드측 각각과 관련된 에너지 레벨 사이의 차이가 제로에 접근하도록 하는 일함수를 여전히 갖게 하기 위해 광학간섭부재가 선택되리라는 것은 명백할 것이다. 또한 적절한 수송층이 광학간섭부재내로 포함되는 것을 생각할 수 있다.
또한, 본 실시예가 전방 애노드 및 후방 캐소드에 대해 설명하였지만, 적어도 정면층이 방출되는 전계발광의 적어도 일부에 투명하기만 하다면, 전방 캐소드 및 후방 애노드를 갖는 디바이스에 본 발명이 적합할 수 있다는 것이 명백할 것이다.
본 발명은 디바이스로부터의 전체 반사율을 감소시키는 광학간섭부재를 갖는 새로운 유기 전계발광디바이스를 제공한다. 이 광학간섭부재는 디스플레이상에 입사된 주변광의 적어도 일부 상쇄 광학 간섭을 야기하는 두께를 갖도록 선택된다. 또한, 광학간섭부재의 물질은 전계발광층에 대하여 광학간섭부재의 위치 및 전류의 방향에 따라서, 전계발광층의 최상위 점유 분자 오비탈 또는 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 끌어내는데 필요한 에너지 레벨 및 일함수 사이의 차이가 제로에 접근하도록 하는 일함수를 갖도록 선택된다. 광학간섭부재용 물질을 적절하게 선택하면 디바이스에 향상된 적절한 전류가 흐르게 하고, 그래서 유기 전계발광층의 전기적 브레이크다운등을 감소시켜서 디바이스의 전체 에너지 효율을 향상시키게 된다. 결국, 반흡수층 및 투명층이 광학간섭부재를 형성하도록 조합되는 실시예에서, 그러한 광학간섭부재를 디바이스의 후측에서 전극과 접촉하도록 놓게 되면 흡수막에 비하여 적외선 주변광 신호의 반사율을 실제적으로 증가시킬 수 있게 되고, 그래서 디스플레이의 가열을 감소시키고 전계발광층의 손상등을 감소시킬 수 있게 된다.
본 발명이 구체적으로 예시된 바람직한 실시예로써 설명되었지만, 이러한 바람직한 실시예에 대한 다양한 수정이 본 발명의 정신 및 취지를 벗어남 없이 만들어질 수 있다는 것을 당업자들은 물론 잘 이해할 것이다.
각각의 개별적인 공보, 특허 또는 특허 출원이 전체가 참조문헌으로 구체적으로 그리고 개별적으로 표시된와 같이, 여기에 언급된 모든 공보, 특허 및 특허 출원의 동일한 전체문헌이 여기에 참조문헌으로 첨부되었다.

Claims (31)

  1. 이미지를 전계발광디바이스의 정면에 있는 뷰어에게 디스플레이하기 위한 상기 전계발광디바이스로서:
    전계발광에 실질적으로 투명한 전방 애노드층;
    주변광을 반사하는 캐소드층;
    트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)로부터 제조되고 상기 캐소드층과 상기 애노드층 사이에 배치되고, 상기 애노드층에 대한 최상위 점유 분자 오비탈 및 상기 캐소드층에 대한 최하위 미점유 분자 오비탈을 갖는 유기 전계발광층: 및
    상기 유기 전계발광층과 상기 캐소드층 사이에 배치된 광학간섭부재를 함께 형성하는 반흡수층과 투명층;을 포함하고,
    상기 반흡수층은 상기 투명층 보다 상기 유기 전계발광층에 더 가깝고, 상기 광학간섭부재는 상기 광학간섭부재의 표면의 일함수와 상기 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 추출하는데 필요한 에너지 레벨간의 차이가 제로에 접근하는 상기 일함수를 갖고 있고, 상기 광학간섭부재에 의해 주변광의 상쇄광학간섭이 사전 선택된 파장에서 발생하여 상기 뷰어로의 주변광의 반사광이 감소되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 애노드층은 1000Å 내지 3000Å의 두께의 도전성 투명 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 애노드층은 산화주석인듐(ITO) 및 산화아연(ZnO)으로 구성된 물질군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 반흡수층은 상기 사전 선택된 파장에서 30% 내지 40%의 광반사율, 30% 내지 40%의 광투과율 및 나머지 광의 흡수를 유발하는 소광 계수 및 두께를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 반흡수층은 마그네슘은, 인코넬®, 니켈, 또는 티타늄으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 사전 선택된 파장은 550nm인 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 차이는 0.0eV 내지 1.5eV인 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드층은 도전성 반사 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 캐소드층은 250Å 내지 2000Å의 두께를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 캐소드층은 500Å의 두께의 마그네슘은인 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 투명층은 산화아연으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  12. 이미지를 전계발광디바이스의 정면에 있는 뷰어에게 디스플레이하기 위한 상기 전계발광디바이스로서:
    주변광을 반사하는 애노드층;
    전계발광에 실질적으로 투명한 전방 캐소드층;
    트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄)로부터 제조되고 상기 캐소드층과 상기 애노드층 사이에 배치되고, 상기 애노드층에 대한 최상위 점유 분자 오비탈 및 상기 캐소드층에 대한 최하위 미점유 분자 오비탈을 갖는 유기 전계발광층: 및
    상기 유기 전계발광층과 상기 애노드층 사이에 배치된 광학간섭부재를 함께 형성하는 반흡수층과 투명층;을 포함하고,
    상기 반흡수층은 상기 투명층 보다 상기 유기 전계발광층에 더 가깝고, 상기 광학간섭부재는 상기 광학간섭부재의 표면의 일함수와 상기 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 추출하는데 필요한 에너지 레벨간의 차이가 제로에 접근하는 상기 일함수를 갖고 있고, 상기 광학간섭부재에 의해 주변광의 상쇄광학간섭이 사전 선택된 파장에서 발생하여 상기 뷰어로의 주변광의 반사광이 감소되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  13. 이미지를 전계발광디바이스의 정면에 있는 뷰어에게 디스플레이하기 위한 상기 전계발광디바이스로서:
    상기 정면에 있고, 전계발광에 실질적으로 투명한 애노드층;
    주변광을 반사하는 캐소드층;
    트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄; Alq3)로부터 제조되고 상기 캐소드층과 상기 애노드층 사이에 배치되고, 상기 애노드측과 연관된 최상위 점유 분자 오비탈 및 상기 캐소드측과 연관된 최하위 미점유 분자 오비탈을 갖는 유기 전계발광층: 및
    상기 유기 전계발광층과 상기 캐소드층 사이에 배치된 광학간섭부재를 함께 형성하는 반흡수층과 투명층;을 포함하고,
    상기 반흡수층은 상기 투명층 보다 상기 유기 전계발광층에 더 가깝고, 상기 광학간섭부재는 상기 최하위 미점유 분자 오비탈로부터 전자를 추출하는데 필요한 에너지량(E LUMO )과 동일한 일함수(Φ OIM )를 갖고 있고, 상기 광학간섭부재에 의해 주변광의 상쇄광학간섭이 사전 선택된 파장에서 발생하여 상기 뷰어로의 주변광의 반사광이 감소되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
  14. 이미지를 전계발광디바이스의 정면에 있는 뷰어에게 디스플레이하기 위한 상기 전계발광디바이스로서:
    주변광을 반사하는 애노드층;
    상기 정면에 있고, 전계발광에 실질적으로 투명한 캐소드층;
    트리스(8-퀴노리노라토 알루미늄; Alq3)로부터 제조되고 상기 캐소드층과 상기 애노드층 사이에 배치되고, 상기 애노드측과 연관된 최상위 점유 분자 오비탈 및 상기 캐소드측과 연관된 최하위 미점유 분자 오비탈을 갖는 유기 전계발광층: 및
    상기 유기 전계발광층과 상기 애노드층 사이에 배치된 광학간섭부재를 함께 형성하는 반흡수층과 투명층;을 포함하고,
    상기 반흡수층은 상기 투명층 보다 상기 유기 전계발광층에 더 가깝고, 상기 광학간섭부재는 상기 최상위 점유 분자 오비탈로부터 전자를 추출하는데 필요한 에너지량(EHOMO )과 동일한 일함수(Φ OIM )를 갖고 있고, 상기 광학간섭부재에 의해 주변광의 상쇄광학간섭이 사전 선택된 파장에서 발생되어 상기 뷰어로의 주변광의 반사광이 감소되는 것을 특징으로 하는 전계발광디바이스.
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