KR100747779B1 - 리소그래피 장치, 조명시스템 및 더브리 트래핑 시스템 - Google Patents

리소그래피 장치, 조명시스템 및 더브리 트래핑 시스템 Download PDF

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Abstract

리소그래피 장치의 방사선 소스에 의한 방사선 생성과 함께 방출되는 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1 및 제2세트를 포함한다. 제1세트의 각 채널은 방사선 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하며, 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비한다. 채널들의 제2세트는 방사선의 전파 방향에 대해 제1세트의 하류에 위치된다. 제2세트의 각 채널은 방사선 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하며, 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비한다. 가스 공급부 및 가스 배기부는, 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 상기 방사선 소스로부터의 방사선의 전파 방향을 가로질러 순 유동 방향을 갖는 가스의 유동을 제공하도록 구성된다.

Description

리소그래피 장치, 조명시스템 및 더브리 트래핑 시스템{LITHOGRAPHIC APPARATUS, ILLUMINATION SYSTEM AND DEBRIS TRAPPING SYSTEM}
이하, 본 발명의 실시예들이 단지 예시의 방법으로, 대응되는 참조부호가 대응되는 부분들을 나타내는 개략적인 첨부도면을 참조하여 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 일부인 더브리 트래핑 시스템을 개략적으로 나타낸 도;
도 3은 도 2의 더브리 트래핑 시스템의 일 실시예의 개략적인 단면도;
도 4는 도 2의 더브리 트래핑 시스템의 일 실시예의 또 다른 개략적인 단면도;
도 5a는 도 2의 더브리 트래핑 시스템의 일 실시예의 개략적인 제1측면도;
도 5b는 더브리 트래핑 시스템의, 도 5a에 도시된 제1측면도와 수직한 개략적인 제2측면도이다.
본 발명은 리소그래피 장치, 조명시스템 및 더브리 트래핑 시스템에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 예에서, 대안적으로는 마스크 또는 레티클이라 지칭되는 패터닝장치가 IC의 개별층상에 형성될 회로 패턴을 생성시키는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘웨이퍼)상의 (예를 들어, 1 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상에 묘화(imaging)될 수 있다. 통상적으로, 패턴의 전사(transfer)는 기판상에 제공되는 방사선 감응재(레지스트)의 층상으로 묘화를 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 전체패턴을 한번에 타겟부상에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다.
리소그래피 장치에서, 기판상으로 묘화될 수 있는 피처들의 크기는 투영 방사선의 파장에 의해 제한된다. 보다 높은 밀도의 디바이스들을 갖는 집적 회로를 생성시키고, 따라서 보다 높은 작업 속도를 달성하기 위하여, 보다 작은 피처들을 묘화시키는 것이 바람직하다. 현재 가장 많이 이용되는 리소그래피 장치는 수은 램프 또는 엑시머 레이저에 의해 생성되는 자외선 광을 채용하고 있으나, 5 내지 20nm, 특히 13nm 주위의 보다 짧은 파장의 방사선을 사용하는 것이 권고되어 왔다.
이러한 방사선은 극자외선(EUV) 또는 소프트 X-레이라 칭해지며, 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저 생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스 또는 전자 저장 링으로부터의 싱크로트론 방사선이 포함된다. 이러한 유형의 방사선들은, 장치내의 빔 경로가 빔 스캐터 및 흡수를 회피하기 위하여 비워질(evacuate) 필요가 있다. EUV 방사선을 위한 굴절 광학 요소를 만들기에 적절한 재료는 알려져 있지 않기 때문에, EUV 리소그래피 장치는 방사선(조명) 및 투영시스템에 거울을 사용해야 한다. 심지어 EUV 방사선을 위한 다층 거울들은 상대적으로 낮은 반사율을 가지며 오염에 크기 민감하기 때문에, 그들의 반사율이 더욱 저감될 수 있으며, 나아가 장치의 스루풋까지 감소될 수도 있다. 이는 유지되어야 할 진공 레벨과 관련하여 더욱 세부적 요구사항을 부과하며, 특히 탄화수소의 부분압이 매우 낮게 유지되어야 할 필요가 있다.
통상적으로 방전 플라즈마 소스에서, 플라즈마는 전기적 방전에 의해 형성된다. 그 다음, 상기 플라즈마는 그것이 크게 이온화되도록 압축되고 매우 높은 온도에 도달하여 EUV 방사선의 방출을 야기한다. 크립톤 가스나 주석 또는 수증기와 같은 여타 가스들 또는 증기들도 사용될 수 있으나, 통상적으로, EUV 방사선을 생성하는데 사용되는 재료는 크세논 가스 또는 리튬 증가이다. 하지만, 이들 가스들 또는 증기들은 EUV 범위내에서 방사선의 상대적으로 높은 흡수율을 가질 수 있고 및/또는 투영시스템의 더욱 하류의 광학기들에 손상을 가할 수도 있으므로, 리소그래피 장치의 나머지 부분에 있어서 그들의 존재는 최소화되어야 한다. 예를 들어, 미 국특허 제5,023,897호 및 미국특허 제5,504,795호에는 방전 플라즈마 소스가 개시되어 있으며, 상기 두 특허는 본 명세서에서 인용 참조되고 있다.
레이저 생성 플라즈마 소스에서, 예를 들어, (클러스터링된(clustered)) 크세논의 제트가 노즐로부터 분사될 수도 있다. 노즐로부터의 소정 거리에서, 제트는 순차적으로 EUV 방사선을 조사하는 플라즈마를 생성시키기 위해 적합한 파장의 레이저 펄스로 조사된다. 또한, 물의 드라플릿(droplet), 얼음 입자, 리튬 또는 주석 증기 등과 같은 여타 재료들이 노즐로부터 분사되고, EUV 생성을 위해 사용될 수도 있다. 대안적인 레이저-생성 플라즈마에서, 고체(또는 액체) 재료는 EUV 방사선을 위한 플라즈마를 생성하기 위해 조사된다. 예를 들어, 미국특허 제4,872,189호 및 미국특허 제5,577,092호에는 레이저 생성 플라즈마 소스들이 개시되어 있으며, 상기 두 특허는 본 명세서에서 인용 참조되고 있다.
상기 소스들의 공통적인 특징은, 그들의 작동이 소스 영역내 또는 그 부근의 몇몇 소스의 가스(들)(증기도 포함)의 배압(background pressure)을 포함한다는 것이다. 소스 가스들은, 플라즈마가 EUV 생성을 위해 생성될 가스 또는 증기들을 포함하지만, 예를 들어 고체 또는 액체 재료의 레이저 조사에 의한 소스 작동시 생성되는 가스 또는 증기들도 포함한다. 상기 소스 가스들은, 그들이 EUV 방사선의 실질적인 흡수의 원인이거나 리소그래피 장치의 나머지 부분의 손상 및 오염의 원인이기 때문에 소스 영역으로 한정되어야 한다. 이후, 소스 가스들내에 존재하는 입자들은 또한 더브리 입자라 언급된다.
본 명세서에서 인용 참조되는 국제특허출원 제WO 99/42904호는, 작동시 방사 선이 포일을 따라서, 그리고 그 자체로 필터를 통하여 전파되도록 배향되는 한편, 상기 방사선의 전파 방향으로 이동되어 나가는 더브리 입자들이 포일들에 의해 트래핑되는, 흔히 "포일 트랩"이라 언급되는 복수의 포일들을 포함하는 필터에 대해 기술하고 있다. 버퍼 가스는 더브리 입자들을 냉각시키고, 그러함으로써 더브리 입자들이 포일에 의해 트래핑될 가능성을 더욱 개선하기 위해 공급된다.
또한, 본 명세서에 인용 참조되는 유럽특허출원 제1 329 772 A2호는 방사선이 생성되는 소스 구역으로부터 분리되는 버퍼 구역의 사용에 대해 기술하고 있다. 소스 구역과 버퍼 구역 사이에는 벽이 위치된다. 상기 벽은, 소스 구역으로부터 버퍼 구역으로의 방사선 전파를 위한 빔 어퍼처를 갖는다. 버퍼 가스가 버퍼 구역으로 공급되고, 버퍼 가스가 버퍼 구역으로부터 제거되어, 버퍼 구역내의 압력이 소스 구역내의 압력보다 작거나 대략적으로 동일하도록 함으로써 버퍼 가스가 소스 구역으로 유동하는 것을 방지하며, 그럼으로써 소스 구역내의 압력 증가의 발생을 방지한다.
본 명세서에 인용 참조되는 국제특허출원 제WO 03/034153호는, 광학 축선에 대해 반경방향으로 배치되고 서로에 대해 직렬로(in series) 이루어지는 두 세트의 채널들을 포함하는 소위 오염 트랩의 사용에 대해 개시하고 있다. 버퍼 가스는 상기 두 세트 사이의 공간으로 공급된다. 가스의 일부는 상기 공간으로부터 채널들의 제1세트의 방사선 입구로 유동하고, 가스의 또 다른 부분은 채널들의 제2세트의 방사선 출구를 통해 유동한다.
더브리 입자들이 시스템에 의해 트래핑되도록 소스 가스와 관련하여 버퍼 가스의 높은 압력을 고려하는 동시에, 시스템을 통한 방사선의 높은 투과율을 고려한 더브리 트래핑 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
또한, 리소그래피 장치 및 상기 더브리 트래핑 시스템을 포함하는 조명시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성되는 조명시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 조명시스템은 방사선 생성 소스 및 방사선 생성과 함께 방출되는 적어도 얼마간의(at least some) 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템을 포함한다. 상기 장치는 또한, 콘디셔닝된 방사선 빔을 패터닝하는 패터닝장치, 및 상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함한다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트를 포함한다. 상기 제1세트의 각각의 채널은 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하며 더브리 입자들을 잡는(catch) 내측 벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 또한, 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되는 채널들의 제2세트를 포함한다. 제2세트의 각각의 채널은 소스로부터의 방사선이 역시 그를 통해 전파되도록 하며, 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 방사선 전파 방향을 가로질러 순 유동-방향(net flow direction)을 갖는 가스 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치의 방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성되는 조명시스템이 제공된다. 조명시스템은, 방사선 생성 소스, 및 방사선 생성과 함께 방출되는 적어도 얼마간의 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템을 포함한다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트를 포함한다. 상기 제1세트의 각각의 채널은 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하며 더브리 입자들을 잡는 내측 벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 또한, 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되는 채널들의 제2세트를 포함한다. 제2세트의 각각의 채널은 소스로부터의 방사선이 역시 그를 통해 전파되도록 하며, 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 방사선 소스로부터 방사선 전파 방향을 가로질러 순 유동-방향을 갖는 가스 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 리소그래피 장치의 방사선 소스에 의한 방사선 생성과 함께 방출되는 적어도 얼마간의 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템이 제공된다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트를 포함한다. 상기 제1세트의 각각의 채널은 방사선 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하며 더브리 입자들을 잡는 내측 벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 또한, 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되는 채널들의 제2세트를 포함한다. 제2세트의 각각의 채널은 방사선 소스로부터의 방사선이 역시 그를 통해 전파되도록 하며, 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비한다. 더브리 트래핑 시스템은 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 방사선 소스로부터의 방사선의 전파 방향을 가로질러 순 유동-방향을 갖는 가스 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 더 포함한다.
사용시, 채널들의 제1세트로 들어가는 더브리 입자들은 채널들의 제1세트의 내측벽에 의해 트래핑될 수도 있다. 채널들의 제1세트로 들어갈 때 방사선의 전파 방향을 따라 이동하여 채널들의 제1세트를 나가는 더브리 입자들은, 전파 방향을 가로질러 순 유동을 가지며 두 채널들의 세트 사이의 공간에 제공되는 버퍼 가스에 의해 가장 편향되기 쉽다. 그럼으로써, 이들 더브리 입자들은, 두 채널들의 세트 사이의 버퍼 가스와 함께 제거되지 않는다면 채널들의 제2세트의 내측벽에 의해 트래핑되기 가장 쉽다. 채널들의 제1세트 및 채널들의 제2세트는 두 채널들의 세트 사이의 공간으로부터의 가스 유동에 대한 높은 저항을 제공한다. 이는, 두 채널들 사이의 공간에 있는 버퍼 가스의 압력이 상대적으로 높아지도록 하여, 천천히 아래를 향하는 버퍼 가스의 유효성을 더욱 개선시키고 및/또는 채널들의 제1세트를 나가는 더브리 입자들을 편향시킨다. 채널들의 제1세트 및 채널들의 제2세트 둘 모두의 각각의 채널은 방사선의 전파를 고려하기 때문에, 방사선의 투과율을 높게 유지된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시하고 있다. 상기 장치는, 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 또는 DUV 방사선)을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝장치(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하고, 특정 파라미터들에 따라 패터닝장치를 정확히 위치시키도록 구성되는 제1위치설정수단(PM)에 연결되도록 구성된 지지구조체(예를 들어, 마스크테이 블)(MT); 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 웨이퍼)을 잡아주고, 특정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시킬 수 있게 이루어진 제2위치설정수단(PW)에 연결되도록 구성된 기판테이블(예를 들어, 웨이퍼테이블)(WT); 및 패터닝장치(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함함)상에 투영하도록 구성된 투영시스템(PL)(예를 들어, 굴절형 투영렌즈 시스템)을 포함한다.
조명시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어시키기 위하여 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 및 여타 유형의 광학 구성요소, 또는 그들의 조합과 같은 다양한 종류의 광학 구성요소를 포함할 수도 있다.
지지구조체는, 패터닝장치(MA)의 무게를 지지, 즉 지탱한다. 지지구조체는, 패터닝장치의 방위, 리소그래피 장치의 디자인 및 예를 들어 패터닝장치가 진공 환경내에서 유지되는지의 여부와 같은 여타 조건들에 종속적인 방식으로 패터닝장치를 유지시킨다. 지지구조체는 패터닝장치를 유지시키기 위하여 기계적, 진공, 정전기 또는 여타의 클램핑 기술을 사용할 수 있다. 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 상기 지지구조체는, 패터닝장치가 예를 들어 투영시스템에 대해 원하는 위치에 있을 수 있도록 한다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝장치"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
여기서 사용되는 "패터닝장치(patterning device)"라는 용어는 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 장치를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 예를 들어, 패턴이 위상-시프팅 피처 또는 소위 어시스트 피처들을 포함하는 경우 방사선 빔에 부여된 패턴은 기판의 타겟부내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것에 유의해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스내의 특정기능층에 해당할 것이다.
패터닝장치는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝장치의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광방사선에 대하여, 또는 침지 유체(immersion fluid)의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자에 대하여 적절하다면, 굴절광학시스템, 반사광학시스템, 카타디옵트릭시스템, 자기시스템, 전자기시스템 및 정전기 광학시스템 또는 그들의 조합을 포함하는 소정 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사형 마스크를 채용한) 반사 형이다. 대안적으로는, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 채용한) 투과형일 수도 있다.
리소그래피 장치는 2개(듀얼스테이지)이상의 기판테이블(및/또는 2이상의 마스크테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광을 위해 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 투영장치에서는, 투영시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이, 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체, 예를 들어, 물로 덮히는 형태로 이루어질 수도 있다. 리소그래피 장치의 여타 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템 사이에 침지 액체가 적용될 수도 있다. 침지 기술들은 당업계에서 투영시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지(immersion)"라는 용어는, 기판과 같은 구조체가 액체내에 잠겨야한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 노광 동안에 투영시스템과 기판 사이에 액체가 배치된다는 것을 의미하는 것이다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선소스(S0)로부터 방사선의 빔을 수용한다. 조명시스템이 소스를 포함하는 것으로 볼 수도 있다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피장치의 부분을 형성하는 것으로 간주되지는 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어, 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스펜더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 상기 소스(SO)로부터 일루미네이터 (IL)로 통과된다. 여타의 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라 칭해질 수도 있다. 리소그래피 장치는 방사선이 생성될 때 방출되는 적어도 얼마간이 더브리를 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템(D)을 포함할 수도 있다. 상기 더브리 트래핑 시스템은 별도의 객체이거나, 소스의 일부이거나, 또는 조명시스템의 일부일 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도세기분포를 조정하는 조정기구(AD)를 포함할 수도 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필평면내의 세기분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 콘디셔닝하는데 사용될 수도 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지구조체(예를 들어, 마스크테이블(MT))상에서 유지되어 있는 패터닝장치(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝장치에 의해 패터닝된다. 상기 방사선 빔(B)은, 마스크(MA)를 가로질러 투영시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)상에 상기 빔을 포커스한다. 제2위치설정장치(PW) 및 위치센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더(linear encoder) 또는 캐퍼서티 센서(capacitive sensor))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 방사선 빔(B)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정장치(PM) 및 또 다른 위치센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러 리로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 제1위치설정장치(PM)의 일부를 형성한다. 이와 유사하게, 기판테이블(WT)의 이동은 제2위치설정장치(PW)의 일부를 형성하는 긴 행정 모듈 및 짧은 행정 모듈을 사용하여 실현될 수도 있다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 상기 마스크테이블(MT)은 단지 짧은 행정액츄에이터에만 연결되거나 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬마크(M1, M2) 및 기판 정렬마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수도 있다. 예시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 할당된 타겟부를 점유하기는 하나, 그들은 타겟부들 사이의 공간들에 배치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 이와 유사하게, 1이상의 다이가 마스크(MA)상에 제공되는 상황에서는, 다이 사이에 마스크 정렬마크들이 배치될 수도 있다.
상술된 장치는 다음의 바람직한 모드들 중 1이상에서 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT) 및 기판테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C)상에 투영된다{즉, 단일 정적 노광(single static exposure)}. 그런 후, 기판테이블(WT)은 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 묘화되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크테이블(MT)과 기판테이블(WT)은 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다{즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)}. 마스크테이블(MT)에 대한 기판테이블(WT)의 속도 및 방향은 확대(축소) 및 투영시스템(PS)의 이미지 반전 특성에 의하여 판정된다. 스캔 모드에서, 노광필드의 최대크기는 단일 동적노광시 타켓부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝장치를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여되는 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안, 기판테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 프로그램가능한 패터닝장치는 기판테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선펄스 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝장치를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수도 있다.
도 2는, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부인 더브리 트래핑 시스템(D)을 개략적으로 도시하고 있다. 상기 더브리 트래핑 시스템(D)은 별도의 객체로 볼 수도 있다. 하지만, 더브리 트래핑 시스템(D)은 소스(SO)의 일부로 볼 수도 있다. 더브리 트래핑 시스템(D)을 일루미네이터(IL)의 일부로 보는 것도 가능하다. 도 2에 나타낸 시스템은 방사선 생성 소스(SO)를 포함하고, 방사선이 생성될 때 방출되는 적어도 얼마간의 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템(D)을 포함하는 조명시스템인 것을 알 수 있다. 더브리 트래핑 시스템(D)은 채널(C)들의 제1세트(FS)를 포함한다. 제1세트(FS)의 각각의 채널(C)은 더브리 입자들(도시 안됨)을 잡는 내측벽(IW)을 갖는다. 제1세트(FS)의 각각의 채널(C)은 소스(SO)로부터의 방사선(R)이 채널(C)을 통해 전파될 수 있도록 하는 채널 방향을 갖는다. 더브리 트래핑 시스템(D)은 채널들(C)의 제2세트(SS)를 더 포함한다. 채널(C)들의 제2세트(SS)는 (점선(R) 단부의 화살표로 나타낸) 방사선의 전파 방향에 대해 채널(C)들의 제1세트(FS) 하류에 위치된다. 또한, 제2세트(SS)의 각각의 채널(C)은 더브리 입자들을 잡는 내측벽(IW)을 갖는다. 제2세트(SS)의 각각의 채널(C) 또한, 소스(SO)로부터의 방사선(R)이 역시 상기 채널(C)을 통해 전파될 수 있도록 하는 채널 방향을 갖는다. 더브리 트래핑 시스템(D)은 채널(C)들의 제1세트(FS)와 채널(C)들의 제2세트(SS) 사이에 실질적으로 방사선(R)의 전파 방향을 가로질러 순 유동을 갖는 가스 유동(F)을 배치시키는 가스 공급부(GS) 및 가스 배기부(GR)를 더 포함한다.
제1세트(FS)의 채널(C)들을 통해 전파 방향으로 이동한 더브리 입자들(도시 안됨)은 가스 공급부(GS)에 의해 공급되는 가스의 가스 입자들과 부딪힘으로써 편향될 것이다. 이는, 더브리 입자들이 제2세트(SS)의 채널(C)들 중 어느 하나의 내측벽에 의해 트래핑될 가능성을 높여준다.
더브리 트래핑 시스템(D)은, 적어도 소스(SO)가 작동하는 동안에, 채널(C)들의 제1세트(FS)의 방사선 입구(RE)에 존재하는 가스의 압력 및/또는 채널(C)들의 제2세트(SS)의 방사선 출구(RX)에 존재하는 가스의 압력보다 훨씬 더 큰 가스의 압력을, 채널(C)들의 제1세트(FS)와 채널(C)들의 제2세트(SS) 사이에서 조성 및 유지시키도록 구성된다. 높은 가스 압력은 채널(C)들의 제1세트(FS)로부터 채널(C)들의 제2세트로 이동하는 더브리 입자들과 가스간의 상대적으로 짧은 상호작용길이를 허용한다. 높은 가스 압력은, 예를 들어 가스 공급 및 가스 제거를 제어함으로써 쉽게 얻어질 수 있다. 채널(C)들의 저항은, 버퍼 가스들이 채널(C)들을 통해 소스(SO) 또는 일루미네이터(IL) 중 어느 하나를 향하여 이동할 가능성을 저감시킨다. 채널들을 통해 이동하는 가스용 채널들의 요구되는 저항 또는 도전성을 결정하는 경우 적용될 고려사항들에 대해 후술될 것이다. 일반적으로, 채널들이 보다 길수록, 가스가 상기 채널을 통한 이동시에 겪게 되는 저항은 보다 높아진다. 이러한 관점에서, 채널들의 두 세트 사이 공간의 높은 가스 압력으로 인해 가능한 짧은 상호작용 길이는 또한, 소스와 일루미네이터 사이의 이용가능한 거리가 제한되는 상황에서 채널들을 통해 이동하는 가스에 대해 상대적으로 긴 채널들 및 그에 따른 이들 채널의 보다 높은 저항을 고려한다. 또한, 소스들의 적절한 작동이 소스에서 허용가능한 최대 압력에 제약을 가하기 때문에, 이러한 특징으로부터의 혜택을 얻을 수도 있다는데 유의해야 한다. 어떤 의미에서, 소스는 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트 사이에 존재하는 "가스 챔버"로부터 고립된다. 하지만, 가스 챔버는 소스와 광학적으로 연결되어 유지된다. 압력과 이 압력이 유지되는 거리의 곱(product)로서 정의되는 높은 더브리 억제력 또한 얻을 수도 있다. 무엇보다도, 압력이 상대적으로 높아 채널들의 두 세트간의 상대적으로 짧은 거리를 보상할 수 있다. 가능한 높은 버퍼 가스 압력, 및 실제로 채널들의 두 세트간의 상대적으로 짧은 거리를 초래하는 채널들의 제1세트와 채널들의 제2세트의 상대적으로 큰 채널들로 인해, 단위 길이 당 상대적으로 큰 더브리 억제력이 얻어질 수도 있다.
더브리 트래핑 시스템(D)은, 순 유동 방향이, 채널(C)들의 제2세트(SS)의 내측벽(IW)들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 직각을 이룰 수 있게 가스 유동(F)을 제공하도록 구성될 수도 있다. 이는, 채널(C)들의 제2세트(SS)의 내측벽(IW)들이 버퍼 가스와의 상호작용에 의해 검출된 더브리 입자들을 트래핑할 수 있는 가능성을 높여준다. 채널(C)들의 제2세트(SS)의 각각의 내측벽(IW)은 실질적으로 편평할 수도 있다. 이는, 버퍼 가스와의 상호작용에 의해 검출되는 더브리 입자들이 채널(C)들의 제2세트(SS)의 내측벽(IW)에 의해 트래핑될 가능성을 더욱 증대시킨다. 채널(C)들의 제2세트(SS)의 내측벽(IW)은 채널(C)들의 제2세트(SS)의 1이상의 다른 내측벽(IW)과 실질적으로 평행하게 이루어지는 것이 가능하다. 이는, 버퍼 가스에 의해 검출되는 더브리 입자들이 채널(C)들의 제2세트(SS)의 내측벽(IW)들에 의해 트래핑될 가능성을 더욱 높여줄 수도 있다.
특히, 도 5a 및 5b는 채널들의 제2세트 내측벽의 적어도 일부 및 도시된 바와 같이 심지어 전체 내측벽이 포일 또는 플레이트들에 의해 형성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부인 더브리 트래핑 시스템을 개략적으로 도시하고 있다. 이 실시예에 대해서는 보다 상세히 후술될 것이다.
채널들의 제2세트의 각 채널은, 닫힌 기하학적 형상(closed geometrical shape)의, 방사선의 전파 방향과 실질적으로 수직한 단면을 갖는 것도 가능하다. 도 3 및 도 4 둘 모두는 본 발명의 이러한 실시예(들)에 따른 리소그래피 장치의 일부인 더브리 트래핑 시스템의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 단면은 도 2에 도시된 라인 I를 따르는 단면, 라인 Ⅱ를 따르는 단면, 또는 라인 I 및 Ⅱ 둘 모두를 따르는 단면을 나타낼 수 있다. 도 4에 도시된 단면들은 도 2에 도시된 라인 I를 따르는 단면, 라인 Ⅱ를 따르는 단면, 또는 라인 I 및 Ⅱ 둘 모두를 따르는 단면을 나타낼 수도 있다. 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같은 단면을 갖는 채널들의 세트는, 각각 직선의 가상 라인으로 놓여 있는 평행한 플레이트들에 의해 형성되는 채널들의 세트보다 이들 채널들을 통해 이동하는 가스에 대해 더 큰 저항을 제공한다.
명백한 것은, 각 채널의 단면이 작을수록, 상기 채널을 통해 이동할 때 가스가 겪게 되는 저항은 커진다는 것이다. 당업자라면, 이러한 채널들의 세트의 요구되는 방사선 투과율에 기초하여 채널들의 개수를 최적화시킬 수 있을 것이고, 이러한 채널들의 세트의 요구되는 저항에 기초하여 이들 채널들을 통해 이동하는 가스에 이러한 채널들의 세트가 제공되어야 한다. 상술된 바와 같이, 이들 채널들의 길이 또한 고려될 것이다. 도 3은 원형 단면의 채널들을, 도 4는 정방형 단면의 채널들을 도시하였으나, 본 발명은 이러한 단면들로 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 예를 들어, 벌집형 단면이나 여타 최적화된 단면 또한 이용가능하다. 또한, 채널들의 세트의 채널들 모두는 반드시 유사한 단면을 가져야 한다.
채널(C)들의 제2세트(SS)의 하나 또는 각 채널(C)의 내측벽(IW)은 실질적으로 가상의 콘과 일치하며, 그것의 최상부는 소스(SO)와 일치할 수 있다. 이러한 실시예에서, 채널들의 형상은 소스(SO)를 떠나는 방사선의 반경쪽 방향을 고려하여 구성된다.
지금까지, 채널들의 제2세트에 대해 기술하였다. 이제, 채널(C)들의 제1세트(FS)에 대해 살펴보기로 한다. 일 실시예에서, 더브리 트래핑 시스템은, 순 유동 방향이 채널들의 제1세트의 일 내측벽의 적어도 일부와 실질적으로 평행하게 가스의 유동을 제공하도록 구성된다. 도 5a는, 순 유동 방향이 채널들의 제1세트의 내측벽들 중 하나의 적어도 일 부분과 실질적으로 평행하도록 가스의 유동이 제공되는, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치의 일부인 더브리 트래핑 시스템(D)을 개략적으로 나타내고 있다. 실제로는, 도시된 바와 같이, 채널들의 제1세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평하다. 이 (가상의) 평면은 소스(SO)와 상호작용한다. 채널들의 제2세트의 구조에 대해 상술된 장점들이 동등하게 적용된다.
본 명세서의 내용안에서, 비록 엄격하게 평행하다는 말의 의미는 아닐지라도, 채널들의 제1세트의 내측벽들의 구조는 서로 실질적으로 평행한 것으로 간주된다. 이것은, 또한 도 5b에 나타낸 채널들의 제2세트에도 적용된다. 채널들의 제1세트의 내측벽의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성된다. 순 유동 방향이 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 평행하도록 가스의 유동(F)을 제공함으로써, 가스 유동(F)의 적어도 일부는 방사선의 전파 방향에 걸쳐 채널들의 제1세트의 내측벽을 따르는 소정 방향으로 유지된다.
더브리 트래핑 시스템(D)의 제1측면도인, 도 5a에 도시된 실시예에서, 가스 는 도면이 그려진 평면에 대해 수직한 방향으로 유동한다. 도 5b는 도 5a에 도시된 측면도에 수직한 또 다른 측면도를 개략적으로 도시하고 있다. 도 5b에서, 가스의 유동은 화살표 F로 표현되어 있다. 상술된 바와 같이, 가스 유동에서의 채널들의 제2세트는, 가스 유동의 순 유동 방향이 채널들의 제2세트의 내측벽과 실질적으로 수직하도록 서로에 대해 배향된다.
또한, 도 5a 및 5b에 나타낸 실시예에서는, 소스(SO)가 높은 가스 부하에 노출되지 않는다는 사실이 적용된다. 채널(C)들의 제1세트(FS)가 가스 유동(F)에 대해 상대적으로 투명하더라도, 소스(SO)를 향하여 이동할 때 유동(F)이 겪게 되는 저항은 많은 가스가 소스(SO)에 도달하지 못하도록 되어 있다. 또한, 가스 배기부(GR)를 향하여 이동할 때 가스의 유동이 겪게 되는 저항은, 소스를 향하여 이동할 때 유동이 겪게 되는 저항보다 훨씬 작아서, 가스는 소스(SO)보다 가스 배기구(GR)를 향하여 이동하기가 더욱 쉽다. 압력이 상대적으로 높게 유지되면서 포일들의 두 세트 사이의 간격(SP)이 최소화될 수 있고, 그 자체로서 채널들의 일 세트를 갖는 포일 트랩과 비교하여 상대적으로 작은 "더브리 억제 길이"의 손실이 일어나며, 또한, 방사선 입구(RE)로부터 도 2, 5a 및 5b에 도시된 더브리 트래핑 시스템(D)의 방사선 출구(RX)까지의 길이와 유사한 총 길이도 마찬가지이다.
상기 실시예에서는, 또한 채널(C)들의 제1세트(FS) 각 채널(C)의 내측벽(IW)이 닫힌 기하학적 형상의, 방사선 전파 방향과 실질적으로 수직한 단면을 가질 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 또한, 채널(C)들의 제1세트(FS) 각 채널(C)의 내측벽(IW)은 콘과 실질적으로 동일하며, 그것의 최상부는 소스(SO)와 일치한다. 이 경우에, 버퍼 가스의 유동 방향은 채널(C)들의 제1세트(FS)의 내측벽들에 의해 더 안내되지 않는다. 하지만, 채널(C)들을 통해 소스(SO)를 향하여 이동하는 가스에 대한 채널(C)들의 저항은 도 5a에 도시된 채널들의 제1세트와 비교하여 실질적으로 높다.
당업자라면, 예를 들어 채널들이 닫힌 기하학적 형상의 단면을 갖는 내측벽들을 구비한 도 2에 도시된 바와 같은 채널들의 제1세트를, 도 5b에 도시된 바와 같은 채널들의 제2세트와 어떠한 어려움 없이 조합할 수 있을 것이다. 또한, 도 5a에 도시된 바와 같은 채널들의 제1세트, 및 닫힌 기하학적 형상의 단면을 갖는 내측벽들을 구비한 도 2에 도시된 바와 같은 채널들의 제2세트의 조합은 본 명세서에 기술된 본 발명의 일부인 실시예이다. 또한, 더브리 트래핑 시스템은 소스를 통해 연장되는 가상의 라인과 일치하는 축선 주위에서 회전될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 이러한 실시예에서, 버퍼 가스의 유동 방향은 채널들의 제1 및 제2세트의 회전 속도와 동일한 회전 속도를 가지고 회전되는 것이 바람직하다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서 리소그래피장치의 사용례에 대하여 언급하였으나, 상기 리소그래피장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용례를 가짐을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용되는 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 또는 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판처리툴과 여타의 기판처리툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 여러번 처리된 층들을 이미 포함한 기판을 칭할 수 있다.
광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 사용례에 대해 언급하였으나, 본 발명은, 여타 응용례, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수도 있으며, 가능할 경우 광학 리소그래피만으로 제한되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝장치의 토포그래피(topography)는 기판으로 공급되는 레지스트의 층내로 가압될 수도 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그들의 조합을 가함으로써 레지스트가 교정(cure)된다. 패터닝장치는 레지스트가 교정된 후에 그것내에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는, (예를 들어, 파장이 대략 365, 355, 248, 193, 157 또는 126㎚인) 자외(UV)선, (예를 들어, 파장이 5-20nm 범위내에 있는) 극자외(EUV)선 및 (소프트) X-레이 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선을 포괄한다.
본 명세서에서 사용되는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 조합을 지칭할 수도 있다.
본 발명의 특정 실시예들에 대해 상술하였으나, 본 발명은 설명된 것과는 달리 실행될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명은, 상술된 바와 같은 방법을 설명하는 기계-판독가능 명령어들의 1이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이나, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 내부에 저장되는 데이터 저장매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
상기 설명은 예시를 위한 것으로 제한의 의도는 없다. 따라서, 당업자라면 이어지는 청구항의 범위를 벗어나지 않는 선에서, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 가해질 수도 있다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에 따르면, 더브리 입자들이 시스템에 의해 트래핑되도록 소스 가스와 관련하여 버퍼 가스의 높은 압력을 고려하는 동시에, 시스템을 통한 방사선의 높은 투과율을 고려한 더브리 트래핑 시스템을 얻을 수 있으며, 또한, 리소그래피 장치 및 상기 더브리 트래핑 시스템을 포함하는 조명시스템을 얻을 수 있다.

Claims (45)

  1. 리소그래피 장치에 있어서,
    방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성되고,
    방사선 생성 소스 및
    방사선의 생성과 함께 방출되는 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템을 포함하는 조명시스템;
    상기 콘디셔닝된 방사선 빔을 패터닝하는 패터닝장치; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부상으로 투영하는 투영시스템을 포함하고,
    상기 더브리 트래핑 시스템은,
    (i) 채널들의 제1세트로서, 상기 제1세트의 각 채널은 상기 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제1세트;
    (ii) 채널들의 제2세트로서, 상기 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되고, 상기 제2세트의 각 채널은 상기 소스로부터의 방사선이 역시 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제2세트; 및
    (ⅲ) 상기 채널들의 제1세트와 상기 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 상기 방사선의 전파 방향을 가로질러 순 유동 방향(net flow direction)을 갖는 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 적어도 상기 소스의 작동시, 상기 채널의 제1세트와 상기 채널의 제2세트 사이에, 상기 채널들의 제1세트의 방사선 입구에 존재하는 가스의 압력 및/또는 상기 채널들의 제2세트의 방사선 출구에 존재하는 가스의 압력보다 큰 가스 압력을 조성 및 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 수직하게 이루어질 수 있게 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제2세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 상기 소스와 일치하는 최상부를 갖는 가상의 콘과 실질적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 평행할 수 있게 상기 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제1세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 상기 소스와 일치하는 최상부를 갖는 콘 과 실질적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 상기 소스를 통해 연장되는 가상의 라인과 일치하는 축선 주위에서 회전가능한 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  16. 리소그래피 장치의 방사선 빔을 콘디셔닝하도록 구성된 조명시스템에 있어서,
    상기 조명시스템은,
    방사선 생성 소스 및
    방사선의 생성과 함께 방출되는 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템을 포함하고,
    상기 더브리 트래핑 시스템은,
    (i) 채널들의 제1세트로서, 상기 제1세트의 각 채널은 상기 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제1세트;
    (ii) 채널들의 제2세트로서, 상기 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되고, 상기 제2세트의 각 채널은 상기 소스로부터의 방사선이 역시 그를 통해 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제2세트; 및
    (ⅲ) 상기 채널들의 제1세트와 상기 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 상기 방사선의 전파 방향을 가로질러 순 유동 방향을 갖는 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 적어도 상기 소스의 작동시, 상기 채널의 제1세트와 상기 채널의 제2세트 사이에, 상기 채널들의 제1세트의 방사선 입구에 존재하는 가스의 압력 및/또는 상기 채널들의 제2세트의 방사선 출구에 존재하는 작동의 가스의 압력보다 큰 가스 압력을 조성 및 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 수직하게 이루어질 수 있게 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제2세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 상기 소스와 일치하는 최상부를 갖는 가상의 콘과 실질적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 평행할 수 있게 상기 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제1세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 상기 소스와 일치하는 최상부를 갖는 콘 과 실질적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  30. 제16항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 상기 소스를 통해 연장되는 가상의 라인과 일치하는 축선 주위에서 회전가능한 것을 특징으로 하는 조명시스템.
  31. 리소그래피 장치의 방사선 소스에 의한 방사선의 생성과 함께 방출되는 더브리 입자들을 트래핑하는 더브리 트래핑 시스템에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은,
    채널들의 제1세트로서, 상기 제1세트의 각 채널은 상기 소스로부터의 방사선이 그를 통해 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제1세트;
    채널들의 제2세트로서, 상기 방사선의 전파 방향에 대해 채널들의 제1세트의 하류에 위치되고, 상기 제2세트의 각 채널은 상기 방사선 소스로부터의 방사선이 역시 그를 통해 전파될 수 있도록 하고 더브리 입자들을 잡는 내측벽을 구비하는 상기 채널들의 제2세트; 및
    상기 채널들의 제1세트와 상기 채널들의 제2세트 사이에, 실질적으로 상기 방사선 소스로부터의 상기 방사선의 전파 방향을 가로질러 순 유동 방향을 갖는 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 가스 공급부 및 가스 배기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 적어도 상기 소스의 작동시, 상기 채널의 제1세트와 상기 채널의 제2세트 사이에, 상기 채널들의 제1세트의 방사선 입구에 존재하는 가스의 압력 및/또는 상기 채널들의 제2세트의 방사선 출구에 존재하는 가스의 압력보다 큰 가스 압력을 조성 및 유지하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  33. 제31항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 수직하게 이루어질 수 있게 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  35. 제33항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제2세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  37. 제33항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선 소스에 의해 형성된 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  38. 제33항에 있어서,
    상기 채널들의 제2세트의 각 채널은 가상의 콘과 실질적으로 일치하며, 사용중인 경우, 상기 콘의 꼭대기는 방사선 소스와 일치하는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  39. 제31항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은, 상기 순 유동 방향이 상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부와 실질적으로 평행할 수 있게 상기 가스의 유동을 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나의 적어도 일부는 포일 또는 플레이트에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트 내측벽들 중 하나는 상기 채널들의 제1세트의 1이상의 다른 내측벽과 실질적으로 평행한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 내측벽은 실질적으로 편평한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  43. 제39항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 닫힌 기하학적 형상의 단면을 가지며, 이 단면은 상기 방사선 소스에 의해 생성되는 상기 방사선의 전파 방향에 대해 실질적으로 수직한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  44. 제39항에 있어서,
    상기 채널들의 제1세트의 각 채널은 가상의 콘과 실질적으로 일치하며, 사용중인 경우, 콘의 꼭대기는 방사선 소스와 일치하는 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
  45. 제31항에 있어서,
    상기 더브리 트래핑 시스템은 축선 주위에서 회전가능한 것을 특징으로 하는 더브리 트래핑 시스템.
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