JP5021808B2 - 極端紫外線リソグラフィ装置 - Google Patents
極端紫外線リソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5021808B2 JP5021808B2 JP2010511138A JP2010511138A JP5021808B2 JP 5021808 B2 JP5021808 B2 JP 5021808B2 JP 2010511138 A JP2010511138 A JP 2010511138A JP 2010511138 A JP2010511138 A JP 2010511138A JP 5021808 B2 JP5021808 B2 JP 5021808B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- actuator array
- gas
- extreme ultraviolet
- absorber
- gas inlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
[0009] ガスは、クリプトン、キセノン、アルゴン、ネオン、ヘリウム、水素、酸素及び窒素からなる群から選択されてもよい。ガスインレットアクチュエータアレイは超音速ジェットを含んでもよい。
Claims (9)
- 基板上にパターンを結像するための極端紫外線リソグラフィ装置であって、
極端紫外放射ビーム内に配置され、前記放射ビームの少なくとも一部を吸収するように構成され、前記ビームに対して横断方向に向けられた吸収ガスの流れを収容するように構成された容積を有し、かつ、極端紫外放射透過ビーム入射領域及び極端紫外放射透過ビーム出射領域を有する構造を含む、アブソーバと、
前記ガスを前記容積内に注入するように構成されたガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスを前記容積から排出するように構成されたガスアウトレットアクチュエータアレイと、
を含み、
前記ガスインレットアクチュエータアレイは、個別に調節可能な複数の素子を含み、
前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、個別に調節可能な複数の素子を含み、
前記構造は、第1ポンプユニット及び第2ポンプユニットを更に含み、
前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記第1ポンプユニットと前記第2ポンプユニットとの間に配置され、
前記第1ポンプユニット及び前記第2ポンプユニットは、前記吸収ガスが前記リソグラフィ装置の雰囲気内へと漏れることを実質的に阻止するように構成される、
極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記ガスアウトレットアクチュエータアレイの排気能力は、前記ガスインレットアクチュエータアレイの供給能力に少なくとも等しい、
請求項1に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記構造は、前記ビーム入射領域及び前記ビーム出射領域に対して開放された構造として構成される、
請求項1又は2に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記アブソーバは、照明システムとパターニングデバイスとの間のビーム経路内に位置付けられる、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記ガスインレットアクチュエータアレイの前記素子、及び、前記ガスアウトレットアクチュエータアレイの前記素子は、該素子の付近におけるガス濃度を選択的に制御するように構成される、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記ガスインレットアクチュエータアレイの前記素子は、ピエゾ素子であり、所定の囲い内に並置されており、且つ、該並置方向に垂直な方向に移動可能に構成されている、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び/又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記アブソーバの断面においてガス濃度の不均一分布を発生させるように構成され、前記分布は、前記ビーム経路に実質的に垂直な方向に延在する、
請求項1〜6のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記アブソーバの前記容積の少なくとも1つの部分におけるガス濃度を測定するように構成されたセンサと、
前記センサに応答して前記ガスインレットアクチュエータアレイ又は前記ガスアウトレットアクチュエータアレイを制御するように構成されたコントローラと、
を更に含む、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。 - 前記アブソーバは、断面弧状に形成され、
前記ガスインレットアクチュエータアレイ及び前記ガスアウトレットアクチュエータアレイは、前記アブソーバを挟み、且つ、前記アブソーバに沿って弧状に配設される、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の極端紫外線リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/808,264 US7816658B2 (en) | 2007-06-07 | 2007-06-07 | Extreme ultra-violet lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/808,264 | 2007-06-07 | ||
PCT/NL2008/050355 WO2008150167A1 (en) | 2007-06-07 | 2008-06-06 | Extreme ultra-violet lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010529675A JP2010529675A (ja) | 2010-08-26 |
JP5021808B2 true JP5021808B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=39791781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010511138A Expired - Fee Related JP5021808B2 (ja) | 2007-06-07 | 2008-06-06 | 極端紫外線リソグラフィ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7816658B2 (ja) |
JP (1) | JP5021808B2 (ja) |
TW (1) | TWI391792B (ja) |
WO (1) | WO2008150167A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011086944B4 (de) * | 2011-11-23 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Korrekturvorrichtung zur Beeinflussung einer Intensität eines Beleuchtungslicht-Bündels |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4018241A (en) * | 1974-09-23 | 1977-04-19 | The Regents Of The University Of Colorado | Method and inlet control system for controlling a gas flow sample to an evacuated chamber |
DE59105735D1 (de) | 1990-05-02 | 1995-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
EP0952491A3 (en) | 1998-04-21 | 2001-05-09 | Asm Lithography B.V. | Lithography apparatus |
EP1160627A3 (en) | 2000-06-01 | 2004-08-18 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
TWI226972B (en) * | 2000-06-01 | 2005-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7508487B2 (en) * | 2000-06-01 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1491959A1 (en) | 2001-09-07 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6714624B2 (en) * | 2001-09-18 | 2004-03-30 | Euv Llc | Discharge source with gas curtain for protecting optics from particles |
US7026629B2 (en) * | 2001-12-28 | 2006-04-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8094288B2 (en) * | 2004-05-11 | 2012-01-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006080108A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Nikon Corp | 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
DE102005048670B3 (de) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von unerwünschten Spektralanteilen bei einer plasmabasierten EUV-Strahlungsquelle |
-
2007
- 2007-06-07 US US11/808,264 patent/US7816658B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-23 TW TW097119251A patent/TWI391792B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-06-06 JP JP2010511138A patent/JP5021808B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-06 WO PCT/NL2008/050355 patent/WO2008150167A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200905415A (en) | 2009-02-01 |
WO2008150167A1 (en) | 2008-12-11 |
US20080302980A1 (en) | 2008-12-11 |
US7816658B2 (en) | 2010-10-19 |
JP2010529675A (ja) | 2010-08-26 |
TWI391792B (zh) | 2013-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100747779B1 (ko) | 리소그래피 장치, 조명시스템 및 더브리 트래핑 시스템 | |
US7315346B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4194831B2 (ja) | デバイス製造方法 | |
JP5055310B2 (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
KR102141138B1 (ko) | 리소그래피 장치 | |
JP4897891B2 (ja) | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置 | |
JP5341992B2 (ja) | Euvリソグラフィ装置の放射源モジュール、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
KR20030076208A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
JP4429201B2 (ja) | リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
JP4621586B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2009065222A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4599342B2 (ja) | 光学装置、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 | |
US10209635B2 (en) | Lithographic apparatus with a patterning device environment | |
KR20100102682A (ko) | 극자외 방사선 소스 및 극자외 방사선을 생성하는 방법 | |
JP4338689B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5021808B2 (ja) | 極端紫外線リソグラフィ装置 | |
JP4787289B2 (ja) | 放射に関する量を測定するデバイスおよびリソグラフィ装置 | |
KR20210016368A (ko) | 리소그래피 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120305 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120516 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |