JP4335869B2 - リソグラフィ装置、照明システム、およびデブリ粒子を抑制するための方法 - Google Patents
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Description
(1)ステップ・モード
マスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Cに1回で投影される(すなわち単一の静止露光)。次に、基板テーブルWTがXおよび/またはY方向にシフトされ、異なるターゲット部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
(2)走査モード
放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間にマスク・テーブルMTおよび基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一の動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)およびイメージ反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによってターゲット部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
(3)その他のモード
プログラム可能パターン化デバイスを保持するようにマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射線ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影されている間に基板テーブルWTが移動もしくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用したマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 磁界
BG バッファ・ガス
B1、B2 ガスを含有したボトル
C 基板のターゲット部分
CA コンディション・アプリケータ
D デブリ抑制システム
DP デブリ粒子
E 電界
EG 電子銃
F 周波数発生器(周波数モニタ)
FDP 高速デブリ粒子
GS ガス・サプライ
GR ガス排気
H 加熱器
IF1、IF2 位置センサ
IG イオン銃
IL 照明システム(イルミネータ)
L ランプ
MA パターン化デバイス(マスク)
MI ミラー
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
P プラズマ
PG プラズマ発生器
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板アライメント・マーク
R、R1、R2 領域
SDP より低速のデブリ粒子
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (12)
- 所定の周波数で放射線バーストを生成するための放射源と、
前記放射線を条件付けるための照明システムと、
前記放射線にパターンを付与するためのパターン化デバイスと、
パターンが付与された前記放射線を基板に投射するための投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、
前記照明システムが、前記放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムを有していること、
前記デブリ抑制システムが、前記所定の周波数に基づいて、動的適用可能コンディションを適用するように構成されており、前記デブリ粒子がこの動的適用可能コンディションに暴露されるようになっていること、
前記デブリ抑制システムが、バッファ・ガスを提供するためのガス・サプライを有し、前記バッファ・ガスの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部であること、及び
前記ガス・サプライが、
分子の重量が相対的に重いガス分子を有する第1のガス源と、
分子の重量が相対的に軽いガス分子を有する第2のガス源と
を有し、
前記バッファ・ガスの組成が、前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部であること
を特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記デブリ抑制システムが、
前記放射源から延びる経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記領域に、前記分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記領域に、前記分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項1に記載のリソグラフィ装置。 - 前記放射源から延びる経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用することができる請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、
前記放射源から延びる経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記第1の領域に、前記分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記第2の領域に、前記分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項3に記載のリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置内の放射線を条件付けるように構成された照明システムであって、
前記照明システムが、前記放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムを有し、
前記デブリ抑制システムが、前記照明システムによって条件付けされる前記放射線のバーストを放射源が生成する所定の周波数に基づいて、動的適用可能コンディションを提供するように構成されており、
前記デブリ粒子が、この動的適用可能コンディションに暴露されるようになっており、
前記デブリ抑制システムが、バッファ・ガスを提供するためのガス・サプライを有し、前記バッファ・ガスの存在が前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部であり、
前記ガス・サプライが、
分子の重量が相対的に重いガス分子を有する第1のガス源と、
分子の重量が相対的に軽いガス分子を有する第2のガス源と
を有し、
前記バッファ・ガスの組成が、前記動的適用可能コンディションの少なくとも一部である、照明システム。 - 前記デブリ抑制システムが、
前記放射源から延びる経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記領域に、前記分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記領域に、前記分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項5に記載の照明システム。 - 前記放射源から延びる経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用することができる請求項5に記載の照明システム。
- 前記デブリ抑制システムが、
前記放射源から延びる経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記第1の領域に、前記分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記第2の領域に、前記分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用するように構成されている請求項7に記載の照明システム。 - リソグラフィに使用するための放射線の生成により放出されるデブリ粒子を抑制するための方法であって、
前記放射線のバーストが生成される周波数である所定の周波数に基づいて、デブリ粒子を抑制するための動的コンディションを適用することを含み、
前記コンディションを適用することが、ガス・サプライを使用して前記デブリ粒子にバッファ・ガスを供給することを含み、
前記コンディションを適用することが、組成が動的に変化する前記バッファ・ガスを供給すること
を含む方法。 - 前記適用することが、放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の所定の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記領域に、分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記領域に、分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用することを含む請求項9に記載の方法。 - 前記適用することが、放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の複数の位置に対しても前記コンディションを動的に適用することを含む請求項9に記載の方法。
- 前記適用することが、
放射線が伝搬する経路あるいは放射線が伝搬した経路の第1の領域に相対的に速度の速いデブリ粒子が存在している時には、前記第1の領域に、分子の重量が相対的に重いガス分子が供給されるように、
また前記経路の第2の領域に相対的に速度の遅いデブリ粒子が存在しているか、あるいはデブリ粒子が全く存在していない時には、前記第2の領域に、分子の重量が相対的に軽いガス分子が供給されるように、あるいは抑制のための前記コンディションが全く存在しないように、
前記デブリ粒子を抑制するための前記コンディションを適用することを含む請求項11に記載の方法。
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