KR100736114B1 - 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 분야 :
고 휘도를 갖는 IPS형 액정 표시장치
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 :
일반적인 IPS형 액정 표시장치가 불투명 금속을 사용하여 화소 및 공통전극을 형성함으로써 발생하는 치명적인 단점인 저 개구율에 기인하는 휘도의 감소를 개선하고자 한다.
다. 그 발명의 해결방법의 요지 :
본 발명에서는 동일한 절연층 상에 투명도전물질을 사용하여 화소전극과 공통전극을 동시에 형성함으로써, 백라이트 광이 투과할 수 있는 개구부를 증가시켜 휘도를 개선한다.

Description

횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법{IPS mode Liquid crystal display device and method for fabricating the same}
도 1은 일반적인 액정 표시장치의 단면을 도시한 도면.
도 2는 일반적인 횡전계 방식(IPS)의 액정 표시장치의 단면을 도시한 도면.
도 3a는 IPS 방식의 액정 표시장치의 오프(off) 상태의 동작을 도 3b는 온(on) 상태의 동작을 도시한 도면.
도 4는 종래 IPS 방식의 액정 표시장치의 평면을 도시한 도면.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 절단선 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면의 제작공정을 도시한 도면.
도 6은 종래 다른 구성을 갖는 TN과 IPS 모드의 겸용 액정 표시장치의 단면을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 방식의 액정 표시장치의 평면을 도시한 도면.
도 8은 도 7의 절단선 Ⅷ-Ⅷ로 자른 단면을 도시한 도면.
도 9는 도 7의 절단선 Ⅸ-Ⅸ로 자른 단면을 도시한 도면.
도 10은 도 7의 절단선 Ⅹ-Ⅹ으로 자른 단면을 도시한 도면.
도 11은 제 1 실시예에 따른 액정 표시장치의 제작공정의 흐름도.
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치의 평면을 도시한 도면.
도 13은 도 12의 절단선 ⅩⅢ-ⅩⅢ으로 자른 단면을 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 게이트 배선 110 : 게이트 전극
200 : 데이터 배선 210 : 소스 전극
220 : 드레인 전극 230 : 드레인 콘택홀
240 : 캐패시터 전극 250 : 캐패시터 콘택홀
300 : 공통배선 310 : 공통배선 콘택홀
315 : 공통 보조전극 320 : 공통전극
400 : 화소전극 410 : 화소 보조전극
110 : 게이트 전극 132 : 게이트 절연막
150 : 블랙매트릭스
본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 포함하는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)의 제조방법 및 그 제조 방법에 따른 액정표시장치에 관한 것이다.
특히, 본 발명은 일반적인 액정표시장치에 사용되고 있는 공통전극이 컬러필터와 동시에 형성된 방식이 아닌, 박막 트랜지스터 배열기판 상에 화소전극과 공통전극이 동일 평면상에 형성된 횡전계 방식(In-Plane Switching : 이하 IPS 모드라 칭함)의 액정표시장치를 제조함에 있어서, IPS 모드의 액정 표시장치의 취약점인 휘도를 향상하는 방법을 제공한다.
일반적으로 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
일반적으로 액정표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 액정 패널의 단면을 도시한 단면도이다.
액정 패널(20)은 여러 종류의 소자들이 형성된 두 장의 기판(2, 4)이 서로 대응되게 붙어 있고, 상기 두 장의 기판(2, 4) 사이에 액정층(10)이 끼워진 형태로 위치하고 있다.
상기 액정 패널(20)에는 색상을 표현하는 컬러필터가 형성된 상부 기판(4)과 상기 액정층(10)의 분자 배열방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 회로가 내장된 하부 기판(2)으로 구성된다.
상기 상부 기판(4)은 색을 구현하는 컬러필터층(8)과, 상기 컬러필터층(8)을 덮는 공통전극(12)이 형성되어 있다. 상기 공통전극(12)은 액정(10)에 전압을 인가하는 한쪽전극의 역할을 한다. 상기 하부 기판(2)은 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(S)와, 상기 박막 트랜지스터(S)로부터 신호를 인가 받고 상기 액정(10)으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극(14)으로 구성된다.
상기 화소전극(14)이 형성된 부분을 화소부(P)라고 한다.
그리고, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 사이에 주입되는 액정(10)의 누설을 방지하기 위해, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 가장자리에는 실런트(sealant : 6)로 봉인되어 있다.
상기 하부 기판(2)에는 다수개의 박막 트랜지스터(S)와 상기 박막 트랜지스터와 각각 연결된 다수개의 화소전극(14)이 배열된다.
상술한 액정표시장치는 상부 기판인 컬러필터 기판에 공통전극이 형성된 구조이다. 즉, 상기 공통전극이 상기 화소전극과 수직으로 형성된 구조의 액정표시장치는 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상판의 공통전극이 접지역할을 하게 되어 정전기로 인한 액 정 셀의 파괴를 방지할 수 있다.
그러나, 상-하로 걸리는 전기장에 의한 액정 구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 갖고 있다. 따라서, 상기의 단점을 극복하기 위해 새로운 기술이 제안되고 있다. 하기 기술될 액정표시장치는 횡전계에 의한 액정 구동방법으로 시야각 특성이 우수한 장점을 갖고 있다.
이하, 도 2를 참조하여 IPS 모드의 액정표시장치에 관해 상세히 설명한다.
기판(30) 상에 화소전극(34)과 공통전극(36)이 동일 평면상에 형성되어 있다. 즉, 액정(10)은 상기 동일 기판(1) 상에 상기 화소전극(34)과 공통전극(36)의 수평 전계(35)에 의해 작동한다. 상기 액정층(10) 상에는 컬러필터 기판(32)이 형성되어 있다.
도 3a 내지 도 3b는 IPS 모드에서 전압 온/오프시 액정의 상 변이 모습을 나타내는 도면이다.
즉, 화소전극(34) 또는 공통전극(36)에 수평장의 전계(35)가 인가되지 않은 오프(off) 상태에서는 액정의 상 변이가 일어나지 않고 있음을 보이고 있다. 예를 들어 두 전극(34, 36)의 수평 방향에서 기본적으로 45°틀어져있다(도 3a).
도 3b는 상기 화소전극(34)과 공통전극(36)에 전압이 인가된 온(on) 상태에서의 액정의 상 변이를 도시한 도면으로, 도 3a의 오프 상태와 비교해서 45°정도로 뒤틀림 각을 가지고, 화소전극(34)과 공통전극(36)의 수평방향과 액정의 비틀림 방향이 일치함을 알 수 있다.
상술한 바와 같이 IPS 모드를 사용하는 액정표시장치는 동일 평면상에 화소 전극과 공통전극이 모두 존재하기 때문에 횡전계(35)를 이용한다는 특징이 있다.
상기 IPS 모드의 장점으로는 광시야각이 가능하다는 것이다. 즉, 액정표시장치를 정면에서 보았을 때, 상/하/좌/우 방향으로 약 70°방향에서 가시할 수 있다. 그리고, 일반적으로 사용되는 액정표시장치에 비해 제작 공정이 간단하고, 시야각에 따른 색의 이동이 적은 장점이 있다.
그러나, 공통 전극(36)과 화소전극(34)이 동일 기판 상에 존재하기 때문에 빛에 의한 투과율 및 개구율이 저하되는 단점이 있다. 또한, 구동전압에 의한 응답시간을 개선해야 하고, 셀갭의 미스-얼라인 마진이 적기 때문에 상기 셀갭을 균일하게 해야 하는 단점이 있다.
즉, IPS 모드의 액정표시장치는 상기와 같은 장점과 단점이 있으므로 사용자의 사용 용도에 따라 선택해서 사용할 수 있다.
하기 기술될 내용은 상기 IPS 모드의 액정표시장치의 제작 공정에 관한 것이다.
도 4는 종래의 IPS 모드 액정표시장치의 평면도를 도시한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이 가로방향으로 게이트 배선(50)과 공통배선(54)이 평행을 이루며 형성되어 있고, 세로방향으로 데이터 배선(60)이 상기 게이트 배선(50) 및 공통배선(54)과 수직을 이루며 형성되어 있다.
그리고, 상기 게이트 배선(50)의 일 측에는 게이트 전극(52)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(52) 부근의 상기 데이터 배선(60)에는 소스 전극(62)이 상기 게이트 전극(52)과 오버랩되게 형성되어 있고, 상기 소스 전극(62)과 대응되는 위치에 드레인 전극(64)이 형성되어 있다.
또한, 상기 공통배선(54)은 상기 공통배선(54)에서 분기된 다수개의 공통전극(54a)이 형성되어 있으며, 상기 드레인 전극(64)에는 인출배선(66)이 연결되어 있고, 상기 인출배선(66)은 인출배선(66)에서 분기된 다수개의 화소전극(66a)이 형성되어 있다. 상기 공통전극(54a)과 상기 화소전극(66a)은 서로 엇갈리게 구성되어 있다.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 절단선 Ⅴ-Ⅴ로 자른 단면의 제작 공정을 도시한 공정도로서, 먼저, 도 5a에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 5a는 기판(1) 상에 제 1 금속층으로 게이트 전극(52)과 공통전극(54a)을 형성하는 단계를 도시한 도면이다.
상기 제 1 금속층(52, 54a)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 금속을 사용할 수 있다.
도 5b는 상기 제 1 금속층(52, 54a) 상에 게이트 절연막(70)과 액티브층(72)을 형성하는 단계를 도시하고 있다.
상기 게이트 절연막(70)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)을 사용할 수 있으며, 상기 액티브층(72)은 도면에 도시되지는 않았지만, 비정질 실리콘과 불순물이 함유된 비정질 실리콘의 적층구조로 되어 있다.
도 5c는 상기 액티브층(72) 상에 제 2 금속층으로 소스 및 드레인 전극(62, 64)과 화소전극(66a)을 형성하는 단계를 도시하고 있다.
상기 소스 및 드레인 전극(62, 64)은 상기 액티브층(72) 상에 형성되며, 상기 화소전극(66a)은 상기 게이트 절연막(70) 상에 상기 공통전극(54a)과 "L"의 간격만큼 이격되게 형성한다.
도 5d는 상기 제 2 금속층(62, 64, 66a) 및 기판 전면에 걸쳐 보호막(74)을 형성하는 단계를 도시하고 있다.
상기 보호막(74)은 상기 액티브층(72)을 외부의 습기나 이물질로부터 보호하기 위한 목적으로 형성한다.
상술한바와 같이 IPS 모드의 액정표시장치는 공통전극(54a)과 화소전극(66a)이 기판(1)에 동시에 형성된 구조로서, 시야각 향상에 큰 이점을 갖고 있다.
그러나, 상술한 IPS 모드의 액정 표시장치는 화소전극과 공통전극(66a, 54a)이 불투명 금속으로 이루어지기 때문에 개구율 및 휘도가 저하되는 단점이 있다.
한편, 상술한 시야각이 우수한 IPS 모드의 액정 표시장치와 개구율이 우수한 TN 액정의 장점만을 수용한 액정 표시장치가 미국특허 제 5946060호에 개시되어 있으며 이를 도 6에서 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 TN 모드와 IPS 모드들 겸비한 액정 표시장치의 단면을 도시한 도면으로, 하부기판에는 다수개의 전극들이 형성되고, 상부기판에는 카운터 전극(counter electrode ; 90)이 형성되며, 상기 하부 및 상부기판 사이에는 액정층이 존재한다.
상기 하부기판에 형성된 전극은 제 1, 2, 3 전극(80, 86, 84)과 데이터 배선(82)이 존재하며, 상기 데이터 배선(82) 및 제 1 전극(80)은 상기 제 2, 3 전극(86, 84)과 절연물질(88)로 절연된다.
상기와 같은 구성을 갖는 액정 표시장치는 두 가지 서로 다른 방향으로 형성되는 제 1, 2 전기장(E1, E2)에 의해 구동을 하게 되며, 액정층은 상기 제 1, 2 전기장(E1, E2)이 형성되는 방향에 따라 분자 재배열을 이루게 된다.
즉, 다시 설명하면, 상기 액정 표시장치에 제 1 전기장(E1)이 형성되게 되면, 상기 액정 표시장치는 TN 모드로서 동작하게 될 것이며, 제 2 전기장(E2)이 형성되면 IPS 모드로 동작하게 될 것이다.
여기서, 상기 제 1 전기장(E1)은 상기 카운터 전극(90)과 제 1 전극(80)에 의해 형성되는 전기장이며, 제 2 전기장(E2)은 제 2, 3 전극(86, 84)에 의해 형성된다.
상술한 바와 같이 TN 모드와 IPS 모드의 전극형상을 갖는 액정 표시장치는 선택적으로 사용자의 요구에 따라 상호 모드를 변경할 수 있으나, 상기와 같은 구조는 기존 IPS 모드의 액정 표시장치보다 제조공정이 증가하며, 이 구조도 IPS 모드에서는 휘도가 저하되는 단점을 가지고 있다.
그러나, 상술한 바와 같이 TN 모드와 IPS 모드의 전극형상을 갖는 액정 표시장치는 선택적으로 사용자의 요구에 따라 상호 모드를 변경할 수 있으나, 상기와 같은 구조는 기존 IPS 모드의 액정 표시장치보다 제조공정이 증가하며, 이 구조도 IPS 모드에서는 휘도가 저하되는 단점을 가지고 있다.
한편, 개구율은 액정표시장치에서 휘도와 밀접한 관련이 있으며, 휘도를 밝게 하기 위해서는 백라이트의 밝기가 밝아야 한다. 따라서, 전력소비가 증가하는 단점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 휘도가 향상된 IPS모드의 액정표시장치를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 평행하게 연장된 공통배선과; 상기 게이트 배선과 제 1 절연층으로 절연되고, 상기 게이트 배선과 직교하며 제 2 방향으로 형성된 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받고, 게이트 전극, 상기 제 1 절연층, 액티브층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터와; 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 물질로 상기 공통배선 상의 상기 제 1 절연층 상에 상기 제 1방향으로 상기 공통배선과 오버랩된 캐패시터 전극과; 상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮고 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 가진 제 2 절연층과; 투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극 및 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기된 다수개의 공통전극과; 투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극 및 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고, 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며, 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극과; 상기 제 1, 2 기판 사이에 충진된 액정층을 포함하고, 상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정표시장치를 제공한다.
다른 관점에서, 본 발명은 제 1, 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 평행하게 연장된 공통배선과; 상기 게이트 배선과 제 1 절연층으로 절연되고, 상기 게이트 배선과 직교하며 제 2 방향으로 형성된 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받고, 게이트 전극, 상기 제 1 절연층, 액티브층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터와; 상기 소스 및 드레인 전극과 동일 물질로 상기 공통배선 상의 상기 제 1 절연층 상에 상기 제 1방향으로 상기 공통배선과 오버랩된 캐패시터 전극과; 상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮고 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 가진 제 2 절연층과; 투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극 및 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기되고, 상기 데이터 배선과 인접한 일 전극이 상기 데이터 배선과 오버랩된 다수개의 공통전극과; 투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극 및 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고, 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며, 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극과; 상기 제 1, 2 기판 사이에 충진된 액정층을 포함하고, 상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정표시장치를 제공한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은 기판을 구비하는 단계와; 상기 기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 갖는 게이트 배선과 상기 게이트 배선과 평행한 공통배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속이 형성된 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와; 제 2 금속으로 상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장되고 상기 액티브층과 접촉하는 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 대응되는 방향에 드레인 전극과 상기 공통배선과 오버랩 되도록 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 패터닝된 제 2 금속 및 기판 전면에 걸쳐 상기 공통배선을 각각 노출하는 공통배선 콘택홀을 갖는 제 2 절연막을 형성하는 단계와; 상기 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 형성하는 단계와; 상기 각 콘택홀이 형성된 상기 제 2 절연막 상에 투명도전물질을 증착하는 단계와; 상기 투명도전물질을 패터닝하여 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극과, 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기된 다수개의 공통전극과, 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극과, 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하고, 상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법을 제공한다.
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일반적으로 IPS 모드의 액정 표시장치에서 휘도의 저하는 동일 평면상에 형성되는 불투명한 화소 및 공통전극에 기인한다.
즉, 하부 백라이트 광을 상기 화소 및 공통전극이 차단하기 때문에 상기 화소 및 공통전극에 가려지는 부분의 백라이트 광이 외부로 투과되지 못하기 때문에 IPS 모드의 액정 표시장치에서는 일반 TN 모드의 액정 표시장치보다 휘도가 저하된다.
본 발명에서는 상기와 같은 IPS 모드의 액정 표시장치에서 불투명 금속으로 이루어지는 화소 및 공통전극을 투명도전물질을 사용하여 제작함으로써 IPS 모드의 취약점인 휘도를 개선하고자 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제 1 실시예
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드 액정 표시장치의 평면을 도시한 도면으로, 일반적인 IPS 모드의 액정 표시장치와 비교할 때 화소전극 및 공통전극의 배치와 형상은 동일한 구조를 취하고 있다.
본 발명에 따른 IPS 액정 표시장치의 구조를 도 7을 참조하여 설명하면, 먼저, 가로방향으로 게이트 배선(100)과 공통배선(300)이 간격을 두고 평행하게 배열되며, 상기 게이트 배선(100)에서 게이트 전극(110)이 돌출/연장되어 형성된다.
그리고, 세로방향으로는 데이터 배선(200)이 상기 게이트 배선(100)과 교차하며 연장되며, 상기 게이트 전극(110)이 형성된 부분의 상기 데이터 배선(200)에는 소스전극(210)이 상기 게이트 전극(110)과 오버랩되며 형성된다.
또한, 상기 소스전극(210)과 대응되는 방향에는 드레인 전극(220)이 상기 게이트 전극(110)과 오버랩되며 형성되고, 상기 게이트 전극(110), 소스 및 드레인 전극(210, 220)을 포함하여 박막 트랜지스터가 구성된다.
한편, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극(220)과 드레인 콘택홀(230)을 통해 접촉하는 화소 보조배선(410)이 가로방향으로 형성되며, 다수의 화소전극(200)이 상기 화소 보조배선(410)에서 일체로 수직으로 분기되며 형성된다.
또한, 공통 보조배선(315)이 상기 공통배선(300) 상에 형성된 공통배선 콘택홀(310)을 통해 상기 공통배선(300)과 접촉하며, 상기 공통배선(300)과 일체로된 다수의 공통전극(320)이 상기 공통배선(300)에서 분기되며 상기 각 화소전극(400)과 서로 엇갈리게 수직으로 분기되어 형성된다.
그리고, 상기 공통배선(300) 상에는 캐패시터 전극(240)이 절연물질(미도시)과 절연되며 형성되며, 상기 캐패시터 전극(240)은 그 상에 형성된 캐패시터 콘택홀(250)을 통해 상기 화소전극(400)과 접촉한다. 여기서, 상기 다수의 화소전극(400)은 상기 캐패시터 전극(240)의 상부까지 연장된다.
여기서, 상기 화소전극 및 공통전극(400, 320)은 동일층에 동일한 물질로 형성되며, 재질로는 투명도전물질인 ITO, IZO 등이 사용된다.
또한, 상기 데이터 배선(200)과, 상기 데이터 배선(200)과 인접한 상기 공통전극(또는 화소전극)의 사이에는 상기 데이터 배선 및 공통전극(또는 화소전극)의 하부에 절연물질(미도시)로 절연된 블랙매트릭스(B/M ; 150)가 형성된다.
상기 B/M(150)은 상기 게이트 배선(100)과 동일물질이며, 개구부에서 제외되는 부분을 차단함을 목적으로 한다.
상술한바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치의 가장 큰 특징은 화소전극 및 공통전극(400, 320)을 투명한 도전물질을 사용하여 형성한다는 것과, 블랙매트릭스(150)를 게이트 전극(100)과 동일 기판 상에 형성한다는 것이다.
한편, 상기 블랙매트릭스(150)는 상기 게이트 전극과 동일물질을 사용하여도 무방할 것이다.
여기서, 전자의 화소전극 및 공통전극(400, 320)을 투명도전물질을 사용하여 형성함으로써 얻어지는 효과는 하부 백라이트 광의 효율을 개선하는 효과가 있다. 즉, 상기 투명도전물질은 빛이 투과하는 특징이 있으며, 이를 전극(화소전극 및 공통전극)으로 사용함으로써, 개구부가 증가하여 휘도가 개선되는 효과가 있다.
또한, 후자의 B/M(150)을 동일기판 상에 형성함으로써, 종래 컬러필터기판에 B/M을 형성하여 발생하는 합착마진을 줄일 수 있으므로 줄어드는 합착마진만큼을 개구부에 할당할 수 있어서 개구율이 증가하는 장점이 있다.
즉, 상술한 제 1 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치는 하부 백라이트 광이 투과할 수 있는 개구부를 증가시킴으로써, 종래 IPS 모드의 문제점인 휘도를 개선한 구조이다.
도 8은 도 7의 절단선 Ⅷ-Ⅷ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 종래 IPS 모드의 액정 표시장치의 단면을 도시한 도 5d와 비교해서, 화소전극 및 공통전극(400, 320)이 모두 동일 층에 형성됨을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치는 기판(1)과 상기 기판 상에 게이트 전극(110), 게이트 절연막(180), 액티브층(182), 소스 및 드레인 전극(210, 220)을 갖는 박막 트랜지스터가 형성되고, 상기 박막 트랜지스터를 덮는 보호막(184)이 상기 박막 트랜지스터 상에 형성된다.
여기서, 상기 보호막(184)에는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극(220)이 노출되는 드레인 콘택홀(230)이 형성되며, 상기 드레인 콘택홀(230)을 통해 노출되는 드레인 전극(220)과 화소 보조전극(410)이 접촉한다.
특히, 다수의 화소전극(400)은 도면에 도시되지는 않았지만 상기 화소 보조전극(410)과 접촉하고 있으며, 상기 각 화소전극(400)의 사이에는 공통전극(320)이 엇갈리게 형성된다.
여기서, 본 발명의 특징적인 부분을 살펴보면, 본 발명에서는 상기 화소 및 공통전극(400, 320)이 모두 동일한 재질로 동일한 평면상에 존재하며, 각 전극(화소 및 공통전극)은 보호막(184) 상에 형성된다.
상기 보호막은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2) 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 화소 및 공통전극(400, 320)은 투명도전물질로 형성되며, ITO, IZO 등을 사용할 수 있다.
도 9는 도 7의 절단선 Ⅸ-Ⅸ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 블랙매트릭스(150) 부분을 설명하기 위한 도면이다.
앞서 설명한바 있지만, 본 발명에 따른 제 1 실시예에서는 블랙매트릭스(150)가 컬러필터기판(미도시)이 아닌 박막 트랜지스터 어레이 기판에 동시에 형성된다.
즉, 도 9에 도시한 도면에서와 같이 블랙매트릭스(B/M ;150)는 기판(1) 상에 형성되며, 상기 B/M(150) 상에는 게이트 절연막(180)이 형성된다.
한편, 상기 B/M(150) 상부 상기 게이트 절연막(180) 상에는 데이터 배선(200)이 상기 B/M(150)과 오버랩되며 형성되고, 상기 데이터 배선(200) 상에는 보호막(184)이 형성된다. 그리고, B/M(150) 상부 상기 보호막(184) 상에는 상기 B/M(150)과 오버랩되며 공통전극(320)이 형성된다.
상술한 바와 같이 상기 B/M(150)은 상기 데이터 배선(200)과 상기 데이터 배선(200)과 인접한 공통전극(320) 사이 화면 표시영역에서 제외되는 부분을 가리는 역할을 하게 된다.
상기와 같이 B/M을 박막 트랜지스터 어레이 기판에 형성함으로써, 종래 컬러필터에 B/M을 형성하는 경우보다 합착불량에 의한 마진을 줄일 수 있기 때문에 줄어드는 합착마진만큼 개구부를 증가시킬 수 있게된다.
즉, 다시 설명하면, 일반적인 액정 표시장치의 경우 컬러필터 기판에 B/M을 형성하여 백라이트광의 누설을 방지하였으나, 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터기판의 합착시 합착불량에 의한 빛의 누설을 방지하기 위해 마진에 해당하는 폭을 B/M의 폭을 증가시켜 보상하여 개구율이 감소하였으나, 본 발명의 제 1 실시예에서는 박막 트랜지스터 어레이 기판에 B/M을 형성함으로써, 합착불량에 의한 마진이 필요하지 않으므로 B/M의 폭을 줄일 수 있어서 개구율을 향상할 수 있게된다.
도 10은 도 7의 절단선 Ⅹ-Ⅹ으로 자른 단면을 도시한 도면으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시장치의 스토리지 캐패시터 부분에 해당하는 도면이다.
도시된 도면에서와 같이 본 발명에 따른 액정 표시장치의 스토리지 캐패시터 는 일 전극으로 공통배선(300)을 타 전극으로 캐패시터 전극(240)을 사용하며, 이들 사이에 형성되는 게이트 절연막(180)을 유전층으로 사용하여 형성된다.
여기서, 상기 공통배선(300) 상부에는 게이트 절연막(180)과 캐패시터 전극(240)과 보호막(184)이 형성되며, 상기 보호막(184) 상에는 화소전극(400) 및 공통보조전극(315)이 각각 형성되며, 상기 공통 보조전극(315)은 상기 보호막(184)과 게이트 절연막(180)에 걸쳐 형성된 공통배선 콘택홀(310)을 통해 노출된 상기 공통배선(300)과 접촉하며, 도면에 도시되지는 않았지만 상기 공통 보조전극(315)은 다수의 공통전극(미도시)과 일체로 접촉한다.
한편, 상기 화소전극(400)은 상기 캐패시터 전극(240)의 상부까지 연장되어 형성되며, 상기 보호막(184)에 형성된 캐패시터 콘택홀(250)을 통해 노출된 캐패시터 전극(240)과 접촉하게 된다.
도 11은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드 액정 표시장치의 공정을 도시한 흐름도로서, 도 11 및 도 7과 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치의 제조공정을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, st1 단계는 기판 상에 제 1 금속을 증착하고 패터닝하는 단계이다.
즉, 제 1 단계에서는 게이트 전극과, 게이트 배선과, 공통배선 및 B/M이 형성된다.
st2 단계는 상기 제 1 금속이 패터닝된 기판 상에 액티브층을 형성하는 단계와 상기 액티브층은 상기 게이트 전극 상에 형성된다.
상기 액티브층을 형성하는 단계에서는 게이트 절연막과 순수 및 불순물 반도 체층을 증착하게 되고, 상기 액티브층은 상기 순수 및 불순물 반도체층을 패터닝하여 형성한다.
st3 단계는 상기 액티브층이 형성된 기판 상에 제 2 금속을 증착하고 패터닝하는 단계를 나타내고 있으며, 이 단계에서는 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극과 캐패시터 전극이 각각 형성된다.
st4 단계는 패터닝된 제 2 금속 상에 보호막을 증착하는 단계로, 이 단계에서는 다음단계에서 형성될 각종 전극과 전 공정에서 형성된 각종 배선과의 연결을 위한 드레인 콘택홀과 캐패시터 콘택홀과 공통배선 콘택홀이 형성된다.
st5 단계는 상기 보호막 상에 화소 및 공통전극을 동시에 형성하는 단계로, 상기 보호막 상에 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 상기 공통배선 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하는 공통 보조전극과 상기 공통 보조전극과 일체로 형성되는 다수개의 공통전극과, 상기 드레인 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하는 화소 보조전극과 상기 화소 보조전극과 일체로 상기 각 공통전극과 엇갈리게 형성되며, 끝단이 상기 캐패시터 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수의 화소전극을 형성하게 된다.
제 2 실시예
본 발명의 제 2 실시예는 보호막을 BCB, 아크릴 등의 유기절연막을 사용하는 경우를 설명한다.
상기와 같이 보호막을 유기물질로 사용하게 되면, 상기 유기절연물질은 일반 적으로 유전율이 3 이하로 작기 때문에 상기 보호막 상에 형성되는 공통전극(또는 화소전극)을 데이터 배선과 겹쳐서 형성할 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치를 설명하면 다음과 같다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치를 도시한 평면도로써, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 IPS 모드의 액정 표시장치를 도시한 도 7과 비교해서 동일한 부분은 설명을 생략한다.
제 2 실시예에 따른 액정 표시장치는 제 1 실시에의 액정 표시장치와 비교해서 다른 부분은 데이터 배선(200)과 그와 인접한 공통전극(32) 부분으로, 도 12에 도시된 도면에서와 같이 이 부분에서 상기 데이터 배선(200)과 공통전극(320)이 겹쳐져서 형성됨을 알 수 있다.
또한, 이 부분에서 제 1 실시예에서는 B/M이 형성되나, 제 2 실시예에서는 B/M이 형성되어 있지 않다.
상기와 같이 데이터 배선(200) 상에 그와 인접한 공통배선(320)을 겹쳐서 형성할 수 있는 이유는 보호막(미도시)을 유전율이 3 이하로 작은 유기절연막을 사용함으로써 가능하다.
즉, 데이터 배선(200)과 상기 공통전극(320)을 절연하는 절연물질을 유기절연막으로 사용함으로써, 데이터 배선에 의한 상기 공통전극(320)으로의 크로스토크의 영향을 배제할 수 있기 때문에 데이터 배선(200)과 공통전극(320)을 겹쳐서 형성할 수 있다.
상기와 같이 데이터 배선(200)과 공통전극(320)을 겹쳐서 형성하면 겹치는 면적에 해당하는 부분을 개구부로 보상할 수 있기 때문에 개구율을 향상할 수 있다. 따라서, 개구율이 향상되면, IPS 모드 액정 표시장치의 단점인 휘도를 개선할 수 있다.
도 13은 도 12의 절단선 ⅩⅢ-ⅩⅢ로 자른 단면을 도시한 도면으로, 제 2 실시예의 가장 특징적인 부분이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시에는 데이터 배선(200)과 상기 데이터 배선을 덮는 보호막(190)을 유기절연막으로 형성하며, 상기 보호막(190) 상에 형성되고, 상기 데이터 배선(200)에 인접한 공통전극(320)을 상기 데이터 배선(200)과 겹치게 형성한다.
여기서, 상기 공통배선(320)은 상기 데이터 배선(200)과 겹칠 수 있다.
상기한 도 13과 제 1 실시예에 따른 액정 표시장치의 단면도인 도 9를 비교하면, 본 발명에 따른 제 2 실시예가 명확하게 이해될 것이며, 다른 부분은 보호막을 유기절연막을 사용한다는 것 이외에는 제 1 실시예와 동일하기 때문에 자세한 도면과 설명을 생략한다.
상술한 바와 같이 본 발명의 제 1, 2 실시예에 따른 IPS모드의 액정표시장치는 개구율에 치명적인 악 영향을 미치는 불투명 금속으로 형성된 공통전극 및 화소전극을 투명한 도전성 금속으로 대체 함으로서, 개구율을 향상할 수 있고, 이에 따라 액정표시장치의 휘도를 향상할 수 있다.
또한, 휘도가 향상됨에 따라 백라이트의 밝기의 세기를 줄일 수 있음으로 인해 소비전력을 줄일 수 있다.
예를 들어, 상기 화소전극 및 공통전극을 투명 도전성 물질로 형성할 경우 개구율이 약 10 % 이상 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
더욱이, 데이터 배선과 공통전극을 절연하는 물질로 저 유전율의 유기 절연막을 사용함으로써, 상기 공통전극과 데이터 배선의 사이의 간격을 줄일 수 있기 때문에 종래의 IPS 액정 표시장치에 비해서 휘도가 향상되는 장점이 있다.
상술한 본 발명의 실시예로 IPS 모드의 액정표시장치를 제작할 경우 다음과 같은 특징이 있다.
첫째, 화소전극과 공통전극을 투명한 도전성물질을 사용함으로서, 개구율을 향상할 수 있는 장점이 있다.
둘째, 개구율이 향상됨으로서, 백라이트에서 발생한 빛이 많이 투과함으로 휘도를 개선할 수 있는 장점이 있다.
셋째, 동일한 백라이트의 전력으로 휘도를 향상할 수 있기 때문에 백라이트의 소비전력을 낮출 수 있는 장점이 있다.
넷째, 본 발명의 제 1 실시예에서는 블랙매트릭스를 박막 트랜지스터 어레이 기판에 형성함으로써, 종래 컬러필터에 블랙매트릭스를 형성하는 경우보다 개구율을 향상할 수 있는 장점이 있다.
다섯째, 데이터 배선과 공통전극(또는 화소전극)을 저 유전율의 유기절연막으로 절연시킴으로 데이터 배선의 신호흐름에 기인하는 공통전극(또는 화소전극)의 크로스-토크의 영향을 줄일 수 있기 때문에 이들 사이의 간격을 줄일 수 있어서 개구율이 향상되는 장점이 있다.

Claims (14)

  1. 제 1, 2 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 평행하게 연장된 공통배선과;
    상기 게이트 배선과 제 1 절연층으로 절연되고, 상기 게이트 배선과 직교하며 제 2 방향으로 형성된 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받고, 게이트 전극, 상기 제 1 절연층, 액티브층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터와;
    상기 소스 및 드레인 전극과 동일 물질로 상기 공통배선 상의 상기 제 1 절연층 상에 상기 제 1방향으로 상기 공통배선과 오버랩된 캐패시터 전극과;
    상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮고 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 가진 제 2 절연층과;
    투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극 및 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기된 다수개의 공통전극과;
    투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극 및 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고, 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며, 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극과;
    상기 제 1, 2 기판 사이에 충진된 액정층을 포함하고,
    상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 공통전극 및 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)에서 선택한 물질인 횡전계 방식의 액정표시장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    제 2 방향으로 상기 제 1 절연층의 하부에 상기 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 인접한 전극(화소전극 또는 공통전극)을 공통적으로 가리는 블랙매트릭스를 포함하는 횡전계 방식의 액정 표시장치.
  4. 제 1, 2 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 제 1 방향으로 형성된 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 평행하게 연장된 공통배선과;
    상기 게이트 배선과 제 1 절연층으로 절연되고, 상기 게이트 배선과 직교하며 제 2 방향으로 형성된 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선에서 신호를 인가 받고, 게이트 전극, 상기 제 1 절연층, 액티브층, 소스 및 드레인 전극으로 이루어진 박막 트랜지스터와;
    상기 소스 및 드레인 전극과 동일 물질로 상기 공통배선 상의 상기 제 1 절연층 상에 상기 제 1방향으로 상기 공통배선과 오버랩된 캐패시터 전극과;
    상기 박막 트랜지스터 및 기판 전면을 덮고 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 가진 제 2 절연층과;
    투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극 및 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기되고, 상기 데이터 배선과 인접한 일 전극이 상기 데이터 배선과 오버랩된 다수개의 공통전극과;
    투명도전물질로 형성되고, 상기 제 2 절연층 상에 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극 및 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고, 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며, 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극과;
    상기 제 1, 2 기판 사이에 충진된 액정층을 포함하고,
    상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정표시장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 2 절연층은 유기물질인 횡전계 방식의 액정 표시장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 유기물질은 BCB(benzocyclobutene), 아크릴로 구성된 집단에서 선택한 물질인 횡전계 방식의 액정 표시장치.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 공통전극 및 화소전극은 인듐-틴-옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)에서 선택한 물질인 횡전계 방식의 액정표시장치.
  8. 청구항 4에 있어서,
    제 2 방향으로 상기 제 1 절연층의 하부에 상기 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 인접한 전극(화소전극 또는 공통전극)을 공통적으로 가리는 블랙매트릭스를 포함하는 횡전계 방식의 액정 표시장치.
  9. 기판을 구비하는 단계와;
    상기 기판 상에 제 1 금속으로 게이트 전극을 갖는 게이트 배선과 상기 게이트 배선과 평행한 공통배선을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 금속이 형성된 기판 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극이 형성된 상기 제 1 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계와;
    제 2 금속으로 상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장되고 상기 액티브층과 접촉하는 소스 전극 및 상기 게이트 전극을 중심으로 상기 소스 전극과 대응되는 방향에 드레인 전극과 상기 공통배선과 오버랩 되도록 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;
    패터닝된 제 2 금속 및 기판 전면에 걸쳐 상기 공통배선을 각각 노출하는 공통배선 콘택홀을 갖는 제 2 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 절연막을 패터닝하여 상기 드레인 전극, 공통배선, 캐패시터 전극을 각각 노출하는 제 1, 2, 3 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 각 콘택홀이 형성된 상기 제 2 절연막 상에 투명도전물질을 증착하는 단계와;
    상기 투명도전물질을 패터닝하여 상기 공통배선과 오버랩되며 상기 제 2 콘택홀을 통해 노출된 공통배선과 접촉하며 제 1 방향으로 형성된 공통 보조전극과, 상기 공통 보조전극에서 수직으로 분기된 다수개의 공통전극과, 상기 제 1 콘택홀을 통해 노출된 드레인 전극과 접촉하고 제 1 방향으로 형성된 화소 보조전극과, 상기 화소 보조전극에서 상기 각 공통전극과 엇갈리게 수직으로 분기되고 일 끝단이 상기 캐패시터 전극과 오버랩되며 상기 제 3 콘택홀을 통해 노출된 캐패시터 전극과 접촉하는 다수개의 화소전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 공통배선 및 캐패시터 전극이 각각 제 1 및 제 2 전극으로 작용하고, 상기 캐패시터 전극 사이에 개재되어 있는 제 1 절연층이 유전체층으로서 스토리지 캐패시터를 이루는 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제 2 절연막은 BCB, 아크릴로 구성된 집단에서 선택한 물질인 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 데이터 배선과 인접한 상기 공통전극은 상기 데이터 배선과 오버랩된 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 제 2 절연막은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막으로 구성된 집단에서 선택한 물질인 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
  13. 청구항 9에 있어서,
    상기 데이터 배선과 인접한 공통전극은 상기 데이터 배선과 이격되어 형성되며, 상기 게이트 배선 및 공통배선의 형성 단계는 상기 데이터 배선과 그와 인접한 공통배선의 사이를 가리는 블랙매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 횡전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
  14. 청구항 9에 있어서,
    상기 투명도전물질은 ITO, IZO로 구성된 집단에서 선택한 물질인 액정 횡
    전계 방식의 액정 표시장치 제조방법.
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