KR100721062B1 - 멀티레벨 메모리 내의 일부 메모리 블록을 바이너리 메모리블록으로 이용하는 비휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 비휘발성 반도체 메모리 장치로서,전기적으로 재기입 가능한 비휘발성 반도체 메모리 셀들을 갖는 복수의 메모리 블록으로 구성된 메모리 셀 어레이와;외부 장치와 통신하는 인터페이스와;상기 인터페이스에 입력된 데이터 기입 명령에 따라서 제1 기입 절차 또는 제2 기입 절차에 의해 상기 메모리 셀 어레이에 데이터를 기입하는 기입 회로 - 상기 제1 기입 절차에 의한 상기 데이터 기입 명령이 상기 인터페이스로부터 입력되는 경우, 상기 기입 회로는 상기 기입 명령에 의해 기입 액세스될 블록 내의 메모리 셀에 기입된 플래그 데이터가 제1 값을 가질 때는 상기 기입 명령을 실행하고 상기 플래그 데이터가 제2 값을 가질 때는 상기 기입 명령을 실행하지 않음 -를 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 기입 절차는 상기 메모리 셀에 바이너리 데이터를 기입하기 위한 절차이고, 상기 제2 기입 절차는 상기 메모리 셀에 멀티레벨 데이터를 기입하기 위한 절차인 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플래그 데이터는 상기 인터페이스를 통하여 상기 외부 장치로 출력될 수 있는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 플래그 데이터는 각 메모리 블록 내의 복수의 메모리 셀들에 기입되고, 상기 플래그 데이터가 판독될 때, 다수 이론(majority theory)에 따라서 오류 정정이 실행되는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 비휘발성 반도체 메모리 장치로서,전기적으로 재기입 가능한 비휘발성 반도체 메모리 셀들을 갖는 복수의 메모리 블록으로 구성된 메모리 셀 어레이와;외부 장치와 통신하는 인터페이스와;상기 인터페이스에 입력된 데이터 소거 명령에 따라서 제1 소거 절차 또는 제2 소거 절차에 의해 각 메모리 블록마다 상기 메모리 셀들 내의 데이터를 소거하는 소거 회로 - 상기 제1 소거 절차에 의한 상기 데이터 소거 명령이 상기 인터페이스로부터 입력되는 경우, 상기 소거 회로는 상기 제1 소거 절차를 이용하여 선택된 메모리 블록 내의 상기 메모리 셀들의 소거를 실행하고 상기 소거된 메모리 블록 내의 일부 메모리 셀들에 플래그 데이터를 기입함 - 와;상기 인터페이스에 입력된 데이터 기입 명령에 따라서 상기 소거가 상기 제1 소거 절차를 이용하여 실행될 때는 제1 기입 절차에 의해 또는 상기 소거가 상기 제2 소거 절차를 이용하여 실행될 때는 제2 기입 절차에 의해 각 메모리 블록의 각 페이지에 데이터를 기입하는 기입 회로 - 상기 제1 기입 절차에 의한 상기 데이터 기입 명령이 상기 인터페이스로부터 입력되는 경우, 상기 기입 회로는 상기 기입 명령에 의해 기입 액세스될 블록 내의 일부 메모리 셀들에 기입된 상기 플래그 데이터가 제1 값을 가질 때는 상기 기입 명령을 실행하고 상기 플래그 데이터가 제2 값을 가질 때는 상기 기입 명령을 실행하지 않음 -를 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 소거 절차는 바이너리 데이터 기입을 위해 상기 메모리 셀들 내의 데이터를 소거하기 위한 절차이고, 상기 제2 소거 절차는 멀티레벨 데이터 기입을 위해 상기 메모리 셀들 내의 데이터를 소거하기 위한 절차인 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 기입 절차는 상기 메모리 셀들에 바이너리 데이터를 기입하기 위한 절차이고, 상기 제2 기입 절차는 상기 메모리 셀들에 멀티레벨 데이터를 기입하기 위한 절차인 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 플래그 데이터는 상기 인터페이스를 통하여 상기 외부 장치로 출력될 수 있는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 플래그 데이터는 각 메모리 블록 내의 복수의 메모리 셀들에 기입되고, 상기 플래그 데이터가 판독될 때, 다수 이론에 따라서 오류 정정이 실행되는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
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WO2007004253A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Spansion Llc | 不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶装置の制御方法 |
US7433228B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-10-07 | Spansion Llc | Multi-bit flash memory device having improved program rate |
EP1929482B1 (en) * | 2005-09-29 | 2013-06-12 | Trek 2000 International Ltd | Portable data storage using slc and mlc flash memory |
JP4734110B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-07-27 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100854970B1 (ko) | 2007-01-08 | 2008-08-28 | 삼성전자주식회사 | 멀티 레벨 셀 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
KR100764747B1 (ko) | 2006-09-15 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
JP5072301B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置及びその動作方法 |
JP2008108299A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ、及びメモリカード |
KR100794311B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-01-11 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 에러를 차단할 수 있는 멀티 비트 플래시 메모리장치의 프로그램 방법 |
US7646636B2 (en) | 2007-02-16 | 2010-01-12 | Mosaid Technologies Incorporated | Non-volatile memory with dynamic multi-mode operation |
TWI368224B (en) * | 2007-03-19 | 2012-07-11 | A Data Technology Co Ltd | Wear-leveling management and file distribution management of hybrid density memory |
KR101303177B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2013-09-17 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 소자 및 그 동작 방법 |
KR101348364B1 (ko) | 2007-08-23 | 2014-01-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 셀의 이진 신호 판정 방법 및 장치 |
US7545673B2 (en) * | 2007-09-25 | 2009-06-09 | Sandisk Il Ltd. | Using MLC flash as SLC by writing dummy data |
KR101379820B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2014-04-01 | 삼성전자주식회사 | 멀티-비트 프로그래밍 장치와 메모리 데이터 검출 장치 |
US7843728B2 (en) | 2007-11-20 | 2010-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor storage device |
JP2009129477A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
TWI354996B (en) * | 2007-12-31 | 2011-12-21 | Phison Electronics Corp | Wear leveling method and controller thereof |
JP5223869B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-06-26 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置、制御装置、制御方法 |
KR101344347B1 (ko) | 2008-01-16 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 시작 전압을 조절하는 불휘발성 메모리 장치,그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리시스템 |
US8402203B2 (en) * | 2009-12-31 | 2013-03-19 | Seagate Technology Llc | Systems and methods for storing data in a multi-level cell solid state storage device |
US9165677B2 (en) * | 2011-05-17 | 2015-10-20 | Maxlinear, Inc. | Method and apparatus for memory fault tolerance |
KR20140020154A (ko) * | 2012-08-08 | 2014-02-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 그것의 소거 방법 |
US8887011B2 (en) * | 2012-09-13 | 2014-11-11 | Sandisk Technologies Inc. | Erased page confirmation in multilevel memory |
US9047974B2 (en) | 2012-10-04 | 2015-06-02 | Sandisk Technologies Inc. | Erased state reading |
US9153310B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-10-06 | Maxlinear, Inc. | Dynamic random access memory for communications systems |
KR102053953B1 (ko) * | 2013-02-04 | 2019-12-11 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 프로그램 방법 |
TWI498893B (zh) * | 2013-10-31 | 2015-09-01 | Innostor Technology Corp | MLC memory write method in multiple environments |
JP6146675B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2017-06-14 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置及びフラッシュメモリの制御方法並びに制御プログラム |
US9691452B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-06-27 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for concurrently accessing different memory planes of a memory |
US9910594B2 (en) | 2015-11-05 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for concurrently accessing multiple memory planes of a memory during a memory access operation |
US9721639B1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-08-01 | Micron Technology, Inc. | Memory cell imprint avoidance |
US11379231B2 (en) | 2019-10-25 | 2022-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Data processing system and operation method of data processing system |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5341330A (en) * | 1992-10-30 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Method for writing to a flash memory array during erase suspend intervals |
US5745409A (en) * | 1995-09-28 | 1998-04-28 | Invox Technology | Non-volatile memory with analog and digital interface and storage |
JP3200012B2 (ja) * | 1996-04-19 | 2001-08-20 | 株式会社東芝 | 記憶システム |
JP3397600B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100259972B1 (ko) * | 1997-01-21 | 2000-06-15 | 윤종용 | 메모리 셀당 2개 이상의 저장 상태들을 갖는 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
JP3165101B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2001-05-14 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 多値式半導体メモリ装置およびその不良救済方法 |
US6208542B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-03-27 | Sandisk Corporation | Techniques for storing digital data in an analog or multilevel memory |
JP4299428B2 (ja) * | 2000-01-19 | 2009-07-22 | 三星電子株式会社 | 可変容量半導体記憶装置 |
US6363008B1 (en) * | 2000-02-17 | 2002-03-26 | Multi Level Memory Technology | Multi-bit-cell non-volatile memory with maximized data capacity |
FR2810152A1 (fr) * | 2000-06-13 | 2001-12-14 | St Microelectronics Sa | Memoire eeprom securisee comprenant un circuit de correction d'erreur |
JP2003022687A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6490197B1 (en) * | 2001-08-02 | 2002-12-03 | Stmicroelectronics, Inc. | Sector protection circuit and method for flash memory devices |
JP4437519B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2010-03-24 | スパンション エルエルシー | 多値セルメモリ用のメモリコントローラ |
US6621746B1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-16 | Microsoft Corporation | Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations |
JP3920768B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ |
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