KR102502812B1 - 유기 el 디스플레이의 제조 방법 - Google Patents

유기 el 디스플레이의 제조 방법 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖는 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.

Description

유기 EL 디스플레이의 제조 방법
본 발명은 유기 EL 디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다.
예컨대 유기 발광 다이오드(OLED : Organic Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이(이하, 「유기 EL(Electro Luminescence) 디스플레이」라고도 함)에는, 외광 반사를 억제하기 위해 원편광판이 이용되고 있다. 원편광판은, 직선 편광판과 파장판(위상차판)을 그 편광축이 45도로 교차하도록 적층하여 제작된다.
또한, 예컨대 파장판만을, 그 편광축이 15도나 75도로 기울도록 형성하는 경우가 있다. 따라서, 편광판이나 파장판을 임의의 각도로 형성할 필요가 있다. 또한, 편광판이나 파장판의 편광축을 임의의 각도로 교차시키기 위해, 이들 편광판이나 파장판을 개별로 형성할 필요도 있다.
종래, 이러한 편광판이나 파장판은, 예컨대 연신 필름을 이용하여 제작되고 있다. 연신 필름은, 필름을 한 방향으로 연신시켜 접착함으로써 그 재료 중의 분자를 한 방향으로 배향시킨 것이다.
그런데, 최근, 유기 EL 디스플레이의 박형화에 따라, 편광판이나 파장판의 박판화도 요구되고 있다. 그러나, 편광판이나 파장판을 제작함에 있어서, 종래와 같이 연신 필름을 이용한 경우, 상기 연신 필름 자체의 막두께를 작게 하는 것에 한계가 있어, 충분한 박판을 얻을 수 없다.
따라서, 기판 상에 소정 재료를 갖는 도포액을 도포하고, 필요한 막두께의 편광판이나 파장판을 형성함으로써 박판화가 도모되고 있다. 구체적으로는, 예컨대 소정 재료로서 액정성을 갖는 도포액을 기판에 도포하여 유연·배향시킨다. 액정 분자는 도포액 중에서 초분자 회합체를 형성하고 있고, 전단 응력을 가하면서 도포액을 유동시키면 초분자 회합체의 장축 방향이 유동 방향으로 배향한다.
이와 같이 기판에 대하여 도포액을 도포할 수 있도록 하기 위해, 종래 여러가지 장치가 제안되어 있다. 예컨대 특허문헌 1에 기재된 편광막 인쇄 장치는, 기판을 유지하기 위한 테이블과, 기판에 잉크액을 토출하는 슬롯 다이를 가진다. 슬롯 다이를 인쇄 방향으로 이동시켜 기판에 잉크액을 도포한다.
일본 특허 공개 제2005-62502호 공보
기판 상에 도포액을 도포하여 건조시킴으로써 원편광판 등의 광학 부재를 형성하는 기술이 개발, 검토되고 있다.
종래, 광학 부재용의 도포액이 도포되는 기판은, 유기 발광 다이오드가 형성된 기판과는 별도로 준비되어 접합되어 있었다.
그 때문에, 기판이나 접착층 등의 부품수가 많고, 유기 EL 디스플레이의 박형화가 충분하지 않고, 유기 EL 디스플레이의 플렉시블성이 충분하지 않았다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 박형화 및 플렉시블성을 향상시킨, 광학 부재를 구비하는 유기 EL 디스플레이의 제공을 주요 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 일 양태에 의하면,
유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖는 유기 EL 디스플레이의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 일양태에 의하면, 박형화 및 플렉시블성을 향상시킨, 광학 부재를 구비하는 유기 EL 디스플레이가 제공된다.
도 1은 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이를 나타내는 평면도이다.
도 2는 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이의 주요부를 나타내는 단면도이다.
도 3은 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 4는 일 실시형태에 의한 터치 센서 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 5는 일 실시형태에 의한 기판 상에 형성된 제1 금속막을 나타내는 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 의한 제1 금속막 상에 형성된 레지스트막을 나타내는 단면도이다.
도 7은 일 실시형태에 의한 노광 및 현상후의 레지스트막을 나타내는 단면도이다.
도 8은 일 실시형태에 의한 에칭후의 제1 금속막을 나타내는 단면도이다.
도 9는 일 실시형태에 의한 레지스트막의 제거후의 제1 금속막을 나타내는 단면도이다.
도 10은 일 실시형태에 의한 제1 금속막 상에 형성된 절연막을 나타내는 단면도이다.
도 11은 일 실시형태에 의한 절연막 상에 형성된 제2 금속막의 일부 제거후의 상태를 나타내는 평면도이다.
도 12는 제1 실시형태에 의한 광학 부재 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 13은 제1 실시형태에 의한 기판 상에 도포된 제1 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 14는 제1 실시형태에 의한 제1 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 15는 제1 실시형태에 의한 일부 불용화된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 16은 제1 실시형태에 의한 제1 광학막 상에 도포된 중간막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 17은 제1 실시형태에 의한 중간막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 중간막을 나타내는 측면도이다.
도 18은 제1 실시형태에 의한 중간막으로 덮이지 않은 부분이 제거된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 19는 제1 실시형태에 의한 중간막 상에 도포된 제2 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 20은 제1 실시형태에 의한 제2 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 21은 제1 실시형태에 의한 일부 불용화된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 22는 제1 실시형태에 의한 제2 광학막 상에 도포된 보호막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 23은 제1 실시형태에 의한 보호막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 보호막을 나타내는 측면도이다.
도 24는 제1 실시형태에 의한 보호막으로 덮이지 않은 부분이 제거된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 25는 제2 실시형태에 의한 광학 부재 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다.
도 26은 제2 실시형태에 의한 불용화되지 않은 부분이 제거된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 27은 제2 실시형태에 의한 제1 광학막 상에 도포된 중간막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 28은 제2 실시형태에 의한 중간막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 중간막을 나타내는 측면도이다.
도 29는 제2 실시형태에 의한 중간막 상에 도포된 제2 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 30은 제2 실시형태에 의한 제2 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 31은 제2 실시형태에 의한 일부 불용화된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 32는 제2 실시형태에 의한 불용화되지 않은 부분이 제거된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 33은 제2 실시형태에 의한 제2 광학막 상에 도포된 보호막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다.
도 34는 제2 실시형태에 의한 보호막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 보호막을 나타내는 측면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해 도면을 참조하여 설명한다. 각 도면에서, 동일한 또는 대응하는 구성에는, 동일한 또는 대응하는 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
<유기 EL 디스플레이>
도 1은, 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이를 나타내는 평면도이다. 도 1에서, 하나의 단위 회로(11)의 회로를 확대하여 나타낸다.
유기 EL 디스플레이(1)는, 기판(10)과, 기판(10) 상에 배열되는 복수의 단위 회로(11)와, 기판(10) 상에 설치되는 주사선 구동 회로(14)와, 기판(10) 상에 설치되는 데이터선 구동 회로(15)를 가진다. 주사선 구동 회로(14)에 접속되는 복수의 주사선(16)과, 데이터선 구동 회로(15)에 접속되는 복수의 데이터선(17)으로 둘러싸인 영역에 단위 회로(11)가 설치된다. 단위 회로(11)는, TFT층(12)과 유기 발광 다이오드(13)를 포함한다.
TFT층(12)은, 복수의 TFT(Thin Film Transistor)를 가진다. 하나의 TFT는 스위칭 소자로서의 기능을 가지며, 다른 하나의 TFT는 유기 발광 다이오드(13)에 흘리는 전류량을 제어하는 전류 제어용 소자로서의 기능을 가진다. TFT층(12)은, 주사선 구동 회로(14) 및 데이터선 구동 회로(15)에 의해 작동되며, 유기 발광 다이오드(13)에 전류를 공급한다. TFT층(12)은 단위 회로(11)마다 설치되어 있고, 복수의 단위 회로(11)는 독립적으로 제어된다. 또한, TFT층(12)은, 일반적인 구성이면 되며, 도 1에 나타내는 구성에는 한정되지 않는다.
또한, 유기 EL 디스플레이(1)의 구동 방식은, 본 실시형태에서는 액티브 매트릭스 방식이지만, 패시브 매트릭스 방식이어도 좋다.
도 2는, 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이의 주요부를 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 유기 EL 디스플레이(1)는 탑 에미션 방식이며, 기판(10), 유기 발광 다이오드(13), 밀봉층(30), 터치 센서(40) 및 광학 부재(50)를 이 순으로 가진다. 터치 센서(40)는, 유기 EL 디스플레이(1)가 터치 패널인 경우에, 유기 EL 디스플레이(1)에 삽입된다.
기판(10)은, 수지 기판, 유리 기판, 반도체 기판, 금속 기판 등의 어느 것이어도 좋으며, 플렉시블성 향상의 관점에서 수지 기판인 것이 바람직하다. 기판(10)은, 플렉시블성 향상과 수분 투과성 저하의 관점에서, 수지 기판과 유리 기판의 적층 기판이어도 좋다. 기판(10) 상에는 TFT층(12)이 형성되어 있다. TFT층(12) 상에는, TFT층(12)에 의해 형성되는 단차를 평탄화하는 평탄화층(18)이 형성되어 있다.
평탄화층(18)은 절연성을 갖고 있다. 평탄화층(18)을 관통하는 컨택트홀에는 컨택트 플러그(19)가 형성되어 있다. 컨택트 플러그(19)는, 평탄화층(18)의 평탄면에 형성되는 화소 전극(21)과, TFT층(12)을 전기적으로 접속한다. 컨택트 플러그(19)는, 화소 전극(21)과 동일한 재료로 동시에 형성되어도 좋다.
유기 발광 다이오드(13)는, 평탄화층(18)의 평탄면 상에 형성된다. 유기 발광 다이오드(13)는, 화소 전극(21)과, 화소 전극(21)을 기준으로 기판(10)과는 반대측에 설치되는 대향 전극(22)과, 화소 전극(21)과 대향 전극(22)의 사이에 형성되는 유기층(23)을 가진다. TFT층(12)을 작동시킴으로써, 화소 전극(21)과 대향 전극(22) 사이에 전압이 인가되고, 유기층(23)이 발광한다.
화소 전극(21)은, 예컨대 음극이며, 알루미늄 등의 금속 재료로 형성되고, 유기층(23)으로부터의 광을 유기층(23)을 향해 반사한다. 화소 전극(21)에서 반사된 광은, 유기층(23)이나 대향 전극(22)을 투과하여, 외부로 취출된다. 화소 전극(21)은 단위 회로(11)마다 설치된다.
대향 전극(22)은, 예컨대 양극이며, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 재료로 형성되고, 유기층(23)으로부터의 광을 투과한다. 대향 전극(22)을 투과한 광은, 밀봉층(30)이나 터치 센서(40), 광학 부재(50)를 통과하여, 외부로 취출된다. 대향 전극(22)은, 복수의 단위 회로(11)에 공통된 것이다.
유기층(23)은, 예컨대, 음극측으로부터 양극측을 향해, 전자 주입층(24), 전자 수송층(25), 발광층(26), 정공 수송층(27), 정공 주입층(28)을 이 순으로 가진다. 음극과 양극 사이에 전압이 가해지면, 음극으로부터 전자 주입층(24)에 전자가 주입되고, 양극으로부터 정공 주입층(28)에 정공이 주입된다. 전자 주입층(24)에 주입된 전자는, 전자 수송층(25)에 의해 발광층(26)에 수송된다. 또한, 정공 주입층(28)에 주입된 정공은, 정공 수송층(27)에 의해 발광층(26)에 수송된다. 그렇게 하여, 발광층(26) 내에서 정공과 전자가 재결합하여 발광층(26)의 발광 재료가 여기되고, 발광층(26)이 발광한다. 발광층(26)으로는, 예컨대, 적색으로 발광하는 적색 발광층, 녹색으로 발광하는 녹색 발광층 및 청색으로 발광하는 청색 발광층이 형성된다.
또한, 유기층(23)은, 본 실시형태에서는, 음극측으로부터 양극측을 향해, 전자 주입층(24), 전자 수송층(25), 발광층(26), 정공 수송층(27), 정공 주입층(28)을 이 순으로 갖지만, 적어도 발광층(26)을 갖고 있으면 된다. 유기층(23)은, 도 2에 나타내는 구성에는 한정되지 않는다.
밀봉층(30)은, 기판(10)과의 사이에 유기 발광 다이오드(13)를 밀봉한다. 밀봉층(30)으로는, 산화규소층이나 질화규소층 등이 이용되며, 예컨대 성막 온도가 100℃ 이하인 저온 CVD에 의해 형성된다. 혹은, 방습층이 형성된 수지 필름을 접착하여 밀봉층(30)으로 해도 좋다.
터치 센서(40)는, 유기 EL 디스플레이(1)의 화면에 대한 손가락 등의 물체의 접촉 또는 근접을 검출한다. 터치 센서(40)의 검출 방식은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 정전 용량 방식이어도 좋다. 정전 용량 방식으로는, 표면형 정전 용량 방식, 투영형 정전 용량 방식 등이 있다. 투영형 정전 용량 방식으로는, 자기 용량 방식, 상호 용량 방식 등이 있다. 상호 용량 방식을 이용하면, 동시 다점 검출이 가능해지기 때문에 바람직하다.
터치 센서(40)는, 상세하게는 후술하지만, 유기 발광 다이오드(13)가 미리 형성된 기판(10) 상에 형성된다. 따라서, 종래와 같이 터치 센서(40)가 기판(10)과는 별도의 기판에 형성되어, 기판(10)과 접합되는 경우에 비교하여, 기판이나 접착층 등의 부품수를 삭감할 수 있기 때문에, 유기 EL 디스플레이(1)를 박형화할 수 있고, 유기 EL 디스플레이(1)의 플렉시블성을 향상시킬 수 있다.
터치 센서(40)는, 유기 발광 다이오드(13)와 광학 부재(50) 사이에 형성된다. 광학 부재(50)가 외광 반사를 억제하는 원편광막인 경우에, 원편광막이 터치 센서(40)보다 광취출측에 배치되기 때문에, 외광 반사의 억제 효율을 향상시킬 수 있다.
광학 부재(50)는, 예컨대 외광 반사를 억제하는 원편광막이며, 본 실시형태에서는, 제1 광학막으로서 1/4 파장막(λ/4막)을 가지며, 제2 광학막으로서 직선 편광막을 가진다. 1/4 파장막과 직선 편광막은, 그 편광축이 45도로 교차하도록 형성된다. 또한, 광학 부재(50)를 구성하는 광학막의 수는 특별히 한정되지 않는다.
광학 부재(50)는, 자세하게는 후술하지만, 유기 발광 다이오드(13)가 미리 형성된 기판(10) 상에 형성된다. 따라서, 종래와 같이 광학 부재(50)가 기판(10)과는 별도의 기판에 형성되어, 기판(10)과 접합되는 경우에 비교하여, 기판이나 접착층 등의 부품수를 삭감할 수 있기 때문에, 유기 EL 디스플레이(1)를 박형화할 수 있고, 유기 EL 디스플레이(1)의 플렉시블성을 향상시킬 수 있다.
광학 부재(50)는, 유기층(23)의 자외선에 의한 열화를 억제하기 위해, 자외선 조사를 이용하지 않고 제조된다. 또한, 광학 부재(50)는, 유기층(23)의 열에 의한 열화를 억제하기 위해, 100℃ 이하의 온도에서 제조된다.
또한, 도 2에 나타내는 유기 EL 디스플레이(1)는, 탑 에미션 방식이지만, 바텀 에미션 방식이어도 좋다. 바텀 에미션 방식의 경우, 발광층(26)으로부터의 광은 화소 전극(21)을 투과하여 기판(10)으로부터 취출되기 때문에, 투명 전극인 양극이 화소 전극(21)으로서 이용되고, 반사 전극인 음극이 대향 전극(22)으로서 이용된다. 즉, 바텀 에미션 방식의 경우, 양극과 음극의 배치가 반대로 된다. 또한, 바텀 에미션 방식의 경우, 기판(10)은 투명 기판이다. 또한, 바텀 에미션 방식의 경우, 터치 센서(40)나 광학 부재(50)는, 기판(10)을 기준으로 하여, 유기 발광 다이오드(13)와는 반대측에 형성된다.
<유기 EL 디스플레이의 제조 방법>
도 3은, 일 실시형태에 의한 유기 EL 디스플레이의 제조 방법을 나타내는 플로우차트이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 디스플레이(1)의 제조 방법은, 터치 센서 형성 공정 S110과, 광학 부재 형성 공정 S120을 가진다. 또한, 터치 센서 형성 공정 S110은, 유기 EL 디스플레이(1)가 터치 패널인 경우에 행해진다. 이하, 각 공정에 관해 설명한다.
<터치 센서 형성 공정>
터치 센서 형성 공정 S110은, 광학 부재 형성 공정 S120 이전에, 유기 발광 다이오드(13)가 미리 형성된 기판(10) 상에 터치 센서(40)를 형성한다. 따라서, 종래와 같이 터치 센서(40)가 기판(10)과는 별도의 기판에 형성되어, 기판(10)과 접합되는 경우에 비교하여, 기판이나 접착층 등의 부품수를 삭감할 수 있기 때문에, 유기 EL 디스플레이(1)를 박형화할 수 있고, 유기 EL 디스플레이(1)의 플렉시블성을 향상시킬 수 있다.
도 4는, 일 실시형태에 의한 터치 센서 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다. 도 5는, 일 실시형태에 의한 기판 상에 형성된 제1 금속막을 나타내는 단면도이다. 도 6은, 일 실시형태에 의한 제1 금속막 상에 형성된 레지스트막을 나타내는 단면도이다. 도 7은, 일 실시형태에 의한 노광 및 현상후의 레지스트막을 나타내는 단면도이다. 도 8은, 일 실시형태에 의한 에칭후의 제1 금속막을 나타내는 단면도이다. 도 9는, 일 실시형태에 의한 레지스트막의 제거후의 제1 금속막을 나타내는 단면도이다. 도 10은, 일 실시형태에 의한 제1 금속막 상에 형성된 절연막을 나타내는 단면도이다. 도 11은, 일 실시형태에 의한 절연막 상에 형성된 제2 금속막의 일부 제거후의 상태를 나타내는 평면도이다. 도 5∼도 10은, 도 11의 A-A선을 따르는 단면도이다. 도 5∼도 11에서, 도 2에 나타내는 유기 발광 다이오드(13)나 밀봉층(30) 등의 도시를 생략한다.
터치 센서 형성 공정 S110은, 기판(10) 상에 차광성의 제1 금속막(41)을 형성하는 공정 S111과, 포토리소그래피법 및 에칭법에 의해 제1 금속막(41)의 일부를 선택적으로 제거하는 공정 S112를 가진다. 제1 금속막(41)은, 도 5에 나타낸 바와 같이 기판(10) 상(보다 상세하게는 예컨대 밀봉층(30) 상)에 형성된다. 제1 금속막(41) 상에는, 도 6에 나타낸 바와 같이 레지스트막(42)이 형성된다. 레지스트막(42)은, 노광 및 현상에 의해 도 7에 나타낸 바와 같이 패터닝된다. 레지스트막(42)은, 노광된 부분이 현상으로 제거되는 포지티브형이어도 좋고, 노광된 부분이 현상후에 남는 네거티브형이어도 좋다. 노광의 광은 제1 금속막(41)으로 차광되기 때문에, 유기 발광 다이오드(13)를 열화시키지 않는다. 그 후, 패터닝된 레지스트막(42)을 마스크로서 이용하여, 도 8에 나타낸 바와 같이 제1 금속막(41)의 일부가 선택적으로 제거된다. 일부가 선택적으로 제거된 제1 금속막(41)은, 도 11에 파선으로 나타낸 바와 같이 평면에서 볼 때에 줄무늬로 형성된다. 그 후, 제1 금속막(41)의 패터닝에 이용한 레지스트막(42)은, 도 9에 나타낸 바와 같이 제거된다.
또한, 본 명세서에서, 제1 금속막(41)이 차광성을 가진다는 것은, 제1 금속막(41)의 투과율이 5% 이하인 것을 의미한다. 제1 금속막(41)의 투과율은, 바람직하게는 3% 이하이다. 여기서, 제1 금속막(41)의 투과율은, 제1 금속막(41) 상에 형성되는 레지스트막(42)의 노광의 광(예컨대 파장 365 nm의 광)이 제1 금속막(41)을 투과하는 비율을 말한다. 제1 금속막(41)은, 예컨대 구리로 형성된다.
또한, 터치 센서 형성 공정 S110은, 일부가 선택적으로 제거된 제1 금속막(41) 상에 절연막(43)을 형성하는 공정 S113을 가진다. 절연막(43)은, 제1 금속막(41)과 제2 금속막(45)을 절연시킨다. 절연막(43)으로는, 산화규소막이나 질화규소막 등이 이용되며, 예컨대 성막 온도가 100℃ 이하인 저온 CVD에 의해 형성된다.
또한, 터치 센서 형성 공정 S110은, 절연막(43) 상에 차광성의 제2 금속막(45)을 형성하는 공정 S114와, 포토리소그래피법 및 에칭법에 의해 제2 금속막(45)의 일부를 선택적으로 제거하는 공정 S115를 가진다. 제2 금속막(45)의 형성 및 제2 금속막의 일부 제거는, 제1 금속막(41)의 형성 및 제1 금속막(41)의 일부 제거와 동일하게 행해진다. 일부가 선택적으로 제거된 제2 금속막(45)은, 도 11에 나타낸 바와 같이 평면에서 볼 때에 줄무늬로 형성된다. 그 후, 제2 금속막(45)의 패터닝에 이용한 레지스트막은 제거된다.
또한, 본 명세서에서, 제2 금속막(45)이 차광성을 가진다는 것은, 제2 금속막(45)의 투과율이 5% 이하인 것을 의미한다. 제2 금속막(45)의 투과율은, 바람직하게는 3% 이하이다. 여기서, 제2 금속막(45)의 투과율은, 제2 금속막(45) 상에 형성되는 레지스트막의 노광의 광(예컨대 파장 365 nm의 광)이 제2 금속막(45)을 투과하는 비율을 말한다. 제2 금속막(45)은, 예컨대 구리로 형성된다.
또한, 터치 센서 형성 공정 S110은, 일부가 선택적으로 제거된 제2 금속막(45) 상에 터치 센서 보호막(47)을 형성하는 공정 S116을 가진다. 터치 센서 보호막(47)은, 절연막(43)과 동일하게 형성된다. 예컨대, 터치 센서 보호막(47)으로는, 산화규소막이나 질화규소막 등이 이용되며, 예컨대 성막 온도가 100℃ 이하인 저온 CVD에 의해 형성된다.
이와 같이 하여, 제1 금속막(41), 절연막(43), 제2 금속막(45) 및 터치 센서 보호막(47)으로 구성되는 터치 센서(40)가 얻어진다. 와이어형의 제1 금속막(41)이나 와이어형의 제2 금속막(45)은, 평면에서 볼 때에 유기 발광 다이오드(13)의 유기층(23)과 중복되지 않도록, 도 11에 나타낸 바와 같이 사각 격자형으로 형성된다. 즉, 평면에서 볼 때에 사각 격자인 개구부에 유기층(23)이 배치된다. 유기층(23)으로부터의 광을 외부로 취출하기 쉽다. 제1 금속막(41) 및 제2 금속막(45)은, 어느 하나가 구동 전극으로서 이용되고, 나머지 하나가 수신 전극으로서 이용된다. 터치 센서(40)는, 구동 전극과 수신 전극 사이의 용량 변화를 검출함으로써, 유기 EL 디스플레이(1)의 화면에 대한 손가락 등의 물체의 접촉 또는 근접을 검출한다.
본 실시형태의 터치 센서 형성 공정 S110에 의하면, 포토리소그래피법의 노광에 의한 유기 발광 다이오드(13)의 유기층(23)의 열화를 억제하면서, 미리 유기 발광 다이오드(13)가 형성된 기판(10) 상에 터치 센서(40)를 형성할 수 있다. 종래와 같이 터치 센서(40)가 기판(10)과는 별도의 기판에 형성되어, 기판(10)과 접합되는 경우에 비교하여, 기판이나 접착층 등의 부품수를 삭감할 수 있기 때문에, 유기 EL 디스플레이(1)를 박형화할 수 있고, 유기 EL 디스플레이(1)의 플렉시블성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태의 터치 센서 형성 공정 S110은, 광학 부재 형성 공정 S120 이전에 행해지기 때문에, 터치 센서(40)는 유기 발광 다이오드(13)와 광학 부재(50) 사이에 형성된다. 광학 부재(50)가 외광 반사를 억제하는 원편광막인 경우에, 원편광막이 터치 센서(40)보다 광취출측에 배치되기 때문에, 외광 반사의 억제 효율을 향상시킬 수 있다.
<광학 부재 형성 공정>
광학 부재 형성 공정 S120은, 유기 발광 다이오드(13)가 미리 형성된 기판(10) 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성한다. 광학막 등으로 광학 부재(50)가 구성된다.
광학 부재(50)는, 예컨대 제1 광학막과 제2 광학막을 가진다. 제1 광학막 및 제2 광학막은, 어느 하나가 위상차막이고, 나머지 하나가 편광막이다.
광학 부재(50)는, 예컨대 외광 반사를 억제하는 원편광막이며, 본 실시형태에서는, 제1 광학막으로서 1/4 파장막(λ/4막)을 가지며, 제2 광학막으로서 직선 편광막을 가진다. 1/4 파장막과 직선 편광막은, 그 편광축이 45도로 교차하도록 형성된다. 또한, 광학 부재(50)를 구성하는 광학막의 수는 특별히 한정되지 않는다.
본 실시형태의 광학 부재 형성 공정 S120에 의하면, 광학 부재(50)는, 유기 발광 다이오드(13)가 미리 형성된 기판(10) 상에 형성된다. 따라서, 종래와 같이 광학 부재(50)가 기판(10)과는 별도의 기판에 형성되어, 기판(10)과 접합되는 경우에 비교하여, 기판이나 접착층 등의 부품수를 삭감할 수 있기 때문에, 유기 EL 디스플레이(1)를 박형화할 수 있고, 유기 EL 디스플레이(1)의 플렉시블성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태의 광학 부재 형성 공정 S120에 의하면, 광학 부재(50)는, 유기층(23)의 자외선에 의한 열화를 억제하기 위해, 자외선 조사를 이용하지 않고 제조된다. 또한, 광학 부재(50)는, 유기층(23)의 열에 의한 열화를 억제하기 위해, 100℃ 이하의 온도에서 제조된다.
<제1 실시형태의 광학 부재 형성 공정>
도 12는, 제1 실시형태에 의한 광학 부재 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다. 광학 부재 형성 공정 S120은, 도 12에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막 형성 공정 S121과, 중간막 형성 공정 S122와, 제1 광학막 패터닝 공정 S123과, 제2 광학막 형성 공정 S124와, 보호막 형성 공정 S125와, 제2 광학막 패터닝 공정 S126을 이 순으로 가진다. 이하, 각 공정에 관해 설명한다.
또한, 도 12에 나타내는 모든 공정이 행해지지 않아도 좋다. 예컨대 자세하게는 후술하지만, 제1 광학막 패터닝 공정 S123이나 제2 광학막 패터닝 공정 S126은, 광학 부재(50)를 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성하는 경우에는 유효하지만, 광학 부재(50)를 기판(10) 상에 하나만 형성하는 경우에는 생략해도 좋다. 후술하는 일부 불용화의 처리에 관해 동일하다.
또한, 도 12에 나타내는 공정 이외의 공정이 행해져도 좋다. 예컨대, 제1 광학막 형성 공정 S121 이전에, 기판(10)에 대한 제1 광학막의 밀착성을 개선하기 위해, 기판(10)의 제1 광학막이 형성되는 면(보다 구체적으로는 밀봉층(30) 또는 터치 센서 보호막(47))을 표면 개질하는 공정이 행해져도 좋다. 표면 개질막으로서, 실란커플링제 등의 유기막, 또는 질화규소 등의 무기막이 형성되어도 좋다.
<제1 실시형태의 제1 광학막 형성 공정>
도 12의 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 도 13∼도 15에 나타낸 바와 같이, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액(61)을 기판(10) 상에 도포하여 건조시킴으로써 제1 광학막(62)을 형성한다. 제1 광학막(62)은, 예컨대 1/4 파장막이다.
도 13은, 제1 실시형태에 의한 기판 상에 도포된 제1 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 14는, 제1 실시형태에 의한 제1 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다. 도 15는, 제1 실시형태에 의한 일부 불용화된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 13∼도 15에서, 도 2에 나타내는 유기 발광 다이오드(13)나 밀봉층(30) 등의 도시를 생략한다. 또한, 도 16∼도 24에서, 마찬가지로 도 2에 나타내는 유기 발광 다이오드(13)나 밀봉층(30) 등의 도시를 생략한다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 기판(10) 상에 도포 노즐(60)로부터 제1 광학막용 도포액(61)을 도포한다. 도포 노즐(60)은, 예컨대 하면에 슬릿형의 토출구를 갖는 슬릿 코터이다.
제1 광학막용 도포액(61)은, 리오트로픽 액정 분자나 서모트로픽 액정 분자 등의 액정 분자와, 액정 분자를 녹이는 용매를 포함한다. 용매로는, 예컨대 물 등이 이용된다. 또한, 용매로서 유기 용매가 이용되어도 좋다.
도포 노즐(60)과 기판(10)을 상대적으로 한 방향으로 이동시키는 것에 의해, 기판(10)에 도포되는 제1 광학막용 도포액(61)에 전단 응력을 가할 수 있다. 전단 응력의 작용 방향은, 도포 노즐(60)과 기판(10)의 상대적인 이동 방향과 일치한다. 전단 응력의 작용 방향을 제어함으로써, 액정 분자의 배향 방향을 제어할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 제1 광학막용 도포액(61)의 도포에 슬릿 코터가 이용되지만, 딥 코터 등이 이용되어도 좋다. 제1 광학막용 도포액(61)에 전단 응력을 가할 수 있고, 그 전단 응력의 작용 방향을 제어할 수 있으면 된다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 기판(10) 상에 도포된 제1 광학막용 도포액(61)의 액막(도 13 참조)을 건조시켜, 제1 광학막(62)을 형성한다. 제1 광학막용 도포액(61)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 액정 분자의 배향이 적절하게 유지된다. 제1 광학막(62)은, 예컨대 1/4 파장막이다.
제1 광학막용 도포액(61)의 액막의 건조에는, 감압 건조, 자연 건조, 가열 건조, 바람 건조 등이 이용된다. 감압 건조는, 자연 건조보다 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 감압 건조는, 가열 건조나 바람 건조에 비하여, 액막의 대류를 억제할 수 있고, 액정 분자의 배향의 혼란을 억제할 수 있다. 감압 건조에서 용매가 잔류하고 있는 경우, 가열 건조가 더 행해져도 좋다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화해도 좋다. 이 일부 불용화는, 필요에 따라서 행해진다.
또한, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액으로는, 제1 광학막용 도포액(61)의 용매와 동일한 것이 이용되어도 좋으며, 예컨대 물이 이용되어도 좋다. 이 경우, 물에 대한 불용화가 행해진다.
제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화하는 정착액(110)은, 예컨대 잉크젯 방식의 도포 노즐(111)로부터 토출된다. 도포 노즐(111)은, 하면에 정착액(110)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(111)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(111)로부터 정착액(110)의 액적을 토출함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)에 정착액(110)을 선택적으로 도포한다. 이것에 의해, 제1 광학막(62)의 일부(63)가 불용화된다.
정착액(110)은, 예컨대, 제1 광학막(62)의 말단의 작용기(예컨대 OH기 등의 수용성의 작용기)를 별도의 작용기로 치환함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화한다. 또한, 정착액(110)은, 축합 반응(예컨대 OH기 등의 탈수 축합 반응)에 의해 고분자화시킴으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화해도 좋다. 후자의 경우, 전자의 경우에 비교하여, 고분자화가 진행되기 때문에 불용화가 진행되기 쉽다.
정착액(110)은, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화한 후 제거된다. 정착액(110)은, 물을 포함해도 좋고 유기 용매를 포함해도 좋다.
정착액(110)이 도포되는 영역은, 예컨대, OLED 등의 화소가 복수 개 형성되는 영역(이하, 「화소 영역」이라고도 함)이어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 제1 광학막(62)의 일부(63)에만 정착액(110)을 도포하기 위해, 잉크젯 방식의 도포 노즐(111)을 이용하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 광학막(62)의 잔부만을 마스크로 덮고, 그 후, 기판(10) 전체를 정착액(110)에 침지함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)에만 정착액을 도포해도 좋다.
<제1 실시형태의 중간막 형성 공정>
도 12의 중간막 형성 공정 S122에서는, 도 16∼도 17에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막용 도포액(61)과는 상이한 중간막용 도포액(71)을 제1 광학막(62) 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막(72)을 형성한다.
도 16은, 제1 실시형태에 의한 제1 광학막 상에 도포된 중간막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 17은, 제1 실시형태에 의한 중간막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 중간막을 나타내는 측면도이다.
도 16에 나타낸 바와 같이, 중간막 형성 공정 S122에서는, 제1 광학막(62)이 형성된 기판(10) 상에 도포 노즐(70)로부터 중간막용 도포액(71)을 도포한다. 도포 노즐(70)은, 잉크젯 방식이어도 좋으며, 하면에 중간막용 도포액(71)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(70)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(70)로부터 중간막용 도포액(71)의 액적을 토출함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)에 중간막용 도포액(71)을 선택적으로 도포한다.
중간막용 도포액(71)은 제1 광학막(62) 상에 도포된다. 그 때문에, 제1 광학막(62)을 형성하는 액정 분자는, 중간막용 도포액(71)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 중간막용 도포액(71)의 도포에 의해 제1 광학막(62)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
중간막용 도포액(71)은, 중간막(72)을 형성하는 유기 재료와, 그 유기 재료를 녹이는 용매를 포함한다. 중간막(72)을 형성하는 유기 재료는, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대하여 불용성의 고분자 등을 포함한다.
중간막용 도포액(71)으로는, 예컨대, 열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등이 이용된다. 구체적으로는, 유성 에나멜 도료, 프탈산 수지 도료 등이 이용된다.
열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등은, 열경화나 화학 반응 또는 건조 경화에 의해 고분자화되기 때문에, 치밀한 중간막(72)을 형성할 수 있다. 따라서, 중간막(72)의 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대한 불용성을 향상시킬 수 있다.
중간막용 도포액(71)은, 정착액(110)과 동일한 기능을 가져도 좋다. 제1 광학막(62)의 일부 불용화를 촉진할 수 있다. 또한, 중간막용 도포액(71)에 의해 제1 광학막(62)의 일부 불용화를 행하는 경우, 상기 제1 광학막 형성 공정 S121에서 제1 광학막(62)의 일부 불용화를 행하지 않아도 좋다.
예컨대, 중간막용 도포액(71)은, 제1 광학막(62)의 말단의 작용기(예컨대 OH기 등의 수용성의 작용기)를 별도의 작용기로 치환함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화해도 좋다. 또한, 중간막용 도포액(71)은, 축합 반응(예컨대 OH기 등의 탈수 축합 반응)에 의해 고분자화시킴으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화해도 좋다. 후자의 경우, 전자의 경우에 비교하여, 고분자화가 진행되기 때문에 불용화가 진행되기 쉽다.
중간막용 도포액(71)이 도포되는 영역은, 정착액(110)이 도포되는 영역과 일치해도 좋다. 예컨대, 중간막용 도포액(71)이 도포되는 영역은, 기판(10) 상의 화소 영역이어도 좋다.
도 17에 나타낸 바와 같이, 중간막 형성 공정 S122에서는, 기판(10) 상에 도포된 중간막용 도포액(71)의 액막(도 16 참조)을 건조시켜, 중간막(72)을 형성한다. 중간막용 도포액(71)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 중간막(72)이 형성된다.
중간막용 도포액(71)의 액막의 건조에는, 감압 건조, 자연 건조, 가열 건조, 바람 건조 등이 이용된다. 감압 건조는, 자연 건조보다 처리 시간을 단축할 수 있다. 감압 건조에서 용매가 잔류하고 있는 경우, 가열 건조가 더 행해져도 좋다.
중간막(72)은, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대하여 불용성을 가진다. 중간막(72)은, 제1 광학막(62)과는 달리 등방적인 광학 특성을 가진다. 중간막(72)의 가시광 투과율은 95% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 중간막(72)의 막두께는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 중간막(72)의 잔류 응력은, 광학 부재의 변형을 억제하기 위해, 작을수록 바람직하다.
중간막(72)은, 제1 광학막(62)의 일부(63)의 주표면을 덮는다. 중간막(72)은, 제1 광학막(62)의 일부(63)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 보호하는 역할도 한다. 중간막(72)의 연필 경도는 2H 이상인 것이 바람직하다. 광학 부재의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
또한, 제1 광학막(62)의 잔부는, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 제거되기 때문에, 손상이나 이물질이 생기는 것은 문제가 되지 않는다. 또한, 중간막(72)에 생긴 이물질은 세정으로 제거할 수 있고, 그 세정에 의해 제1 광학막(62)의 일부(63)가 손상되지는 않는다.
<제1 실시형태의 제1 광학막 패터닝 공정>
도 12의 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 중간막 형성 공정 S122 이후이자 제2 광학막 형성 공정 S124 이전에, 제1 광학막(62)의 일부(63)(도 17 참조)만을 덮는 중간막(72)을 마스크로서 이용하여, 도 18에 나타낸 바와 같이 제1 광학막(62)의 잔부를 제거한다.
도 18은, 제1 실시형태에 의한 중간막으로 덮이지 않은 부분이 제거된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다. 제1 광학막 패터닝 공정 S123의 동안, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 중간막(72)으로 보호할 수 있고, 제1 광학막(62)의 일부(63)의 형상 붕괴를 억제할 수 있다. 따라서, 광학 부재의 품질을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 제1 광학막(62)을 녹이는 세정액을 이용한다. 세정액은, 예컨대 스핀척으로 기판(10)을 회전시키면서 기판(10)에 공급된다. 기판(10)에 공급된 세정액은, 원심력에 의해 기판(10) 전체에 퍼지고, 기판(10)의 외주 가장자리로부터 털어낸다.
제1 광학막(62)의 일부(63)는 중간막(72)으로 덮여 있기 때문에, 세정액과 접촉하지 않고, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제1 광학막(62)의 잔부는 세정액과 접촉하기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
또한, 세정액은 세정조에 저류되고, 세정조의 세정액에 기판(10)을 침지함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기면서, 제1 광학막(62)의 잔부를 녹여 제거해도 좋다. 세정조의 세정액은, 교반 날개 등으로 교반되어도 좋다.
제1 광학막(62)의 일부(63)가 확실하게 남도록, 상기 제1 광학막 형성 공정 S121이나 상기 중간막 형성 공정 S122에서, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 세정액에 대하여 불용화하는 것은 유효하다. 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 확실하게 남길 수 있다.
또한, 중간막(72)은 세정액에 대한 불용성을 갖기 때문에, 상기 제1 광학막 형성 공정 S121이나 상기 중간막 형성 공정 S122에서, 제1 광학막(62)의 일부 불용화를 행하지 않더라도, 제1 광학막(62)의 패터닝은 가능하다. 이 경우, 공정수를 삭감할 수 있다.
상기 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 전단 응력을 가하면서 제1 광학막용 도포액(61)을 도포하기 때문에, 화소 영역에만 제1 광학막용 도포액(61)을 도포하는 것은 어렵다. 따라서, 제1 광학막 패터닝 공정 S123을 행하는 것은 유효하다.
또한, 본 실시형태에서는 세정액을 이용하여 제1 광학막(62)의 잔부를 제거하지만, 제1 광학막(62)의 잔부의 제거 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 에칭법이 이용되어도 좋다. 에칭은, 웨트 에칭, 드라이 에칭의 어느 것이어도 좋다.
이하, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 남는 제1 광학막(62)의 일부(63)를 「제1 광학막(63)」이라고도 칭한다.
<제1 실시형태의 제2 광학막 형성 공정>
도 12의 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 도 19∼도 21에 나타낸 바와 같이, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액(81)을 중간막(72) 상에 도포하여 건조시킴으로써 제2 광학막(82)을 형성한다. 제2 광학막(82)은, 예컨대 직선 편광막이다.
도 19∼도 21은, 제1 실시형태에 의한 제2 광학막 형성 공정의 설명 측면도이다. 도 19는, 제1 실시형태에 의한 중간막 상에 도포된 제2 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 20은, 제1 실시형태에 의한 제2 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다. 도 21은, 제1 실시형태에 의한 일부 불용화된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 19에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 기판(10) 상에 도포 노즐(80)로부터 제2 광학막용 도포액(81)을 도포한다. 도포 노즐(80)은, 예컨대 하면에 슬릿형의 토출구를 갖는 슬릿 코터이다.
제2 광학막용 도포액(81)은 중간막(72) 상에 도포된다. 그 때문에, 중간막(72)을 형성하는 유기 재료는, 제2 광학막용 도포액(81)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 제2 광학막용 도포액(81)의 도포에 의해 중간막(72)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
제2 광학막용 도포액(81)은, 리오트로픽 액정 분자나 서모트로픽 액정 분자 등의 액정 분자와, 액정 분자를 녹이는 용매를 포함한다. 용매로는, 예컨대 물 등이 이용된다. 또한, 용매로서 유기 용매가 이용되어도 좋다.
도포 노즐(80)과 기판(10)을 상대적으로 한 방향으로 이동시키는 것에 의해, 기판(10)에 도포되는 제2 광학막용 도포액(81)에 전단 응력을 가할 수 있다. 전단 응력의 작용 방향은, 도포 노즐(80)과 기판(10)의 상대적인 이동 방향과 일치한다. 전단 응력의 작용 방향을 제어함으로써, 액정 분자의 배향 방향을 제어할 수 있다.
제2 광학막 형성 공정 S124에서의 전단 응력의 작용 방향은, 제1 광학막 형성 공정 S121에서의 전단 응력의 작용 방향에 대하여 경사 45°로 교차하는 방향이 된다. 이것에 의해, 1/4 파장막과 직선 편광막은, 그 편광축이 45도로 교차하도록 형성된다.
또한, 본 실시형태에서는 제2 광학막용 도포액(81)의 도포에 슬릿 코터가 이용되지만, 딥 코터 등이 이용되어도 좋다. 제2 광학막용 도포액(81)에 전단 응력을 가할 수 있고, 그 전단 응력의 작용 방향을 제어할 수 있으면 된다.
도 20에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 기판(10) 상에 도포된 제2 광학막용 도포액(81)의 액막(도 19 참조)을 건조시켜, 제2 광학막(82)을 형성한다. 제2 광학막용 도포액(81)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 액정 분자의 배향이 적절하게 유지된다. 제2 광학막(82)은, 예컨대 직선 편광막이다.
제2 광학막용 도포액(81)의 액막의 건조에는, 감압 건조, 자연 건조, 가열 건조, 바람 건조 등이 이용된다. 감압 건조는, 자연 건조보다 처리 시간을 단축할 수 있다. 또한, 감압 건조는, 가열 건조나 바람 건조에 비교하여, 액막의 대류를 억제할 수 있고, 액정 분자의 배향의 혼란을 억제할 수 있다. 감압 건조에서 용매가 잔류하고 있는 경우, 가열 건조가 더 행해져도 좋다.
도 21에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화해도 좋다. 이 일부 불용화는, 필요에 따라서 행해진다.
또한, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액으로는, 제2 광학막용 도포액(81)의 용매와 동일한 것이 이용되어도 좋으며, 예컨대 물이 이용되어도 좋다. 이 경우, 물에 대한 불용화가 행해진다.
제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화하는 정착액(120)은, 예컨대 잉크젯 방식의 도포 노즐(121)로부터 토출된다. 도포 노즐(121)은, 하면에 정착액(120)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(121)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(121)로부터 정착액(120)의 액적을 토출함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)에 정착액(120)을 선택적으로 도포한다. 이것에 의해, 제2 광학막(82)의 일부(83)가 불용화된다.
정착액(120)은, 예컨대, 제2 광학막(82)의 말단의 작용기(예컨대 OH기 등의 수용성의 작용기)를 별도의 작용기로 치환함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화한다. 또한, 정착액(120)은, 축합 반응(예컨대 OH기 등의 탈수 축합 반응)에 의해 고분자화시킴으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화해도 좋다. 후자의 경우, 전자의 경우에 비교하여, 고분자화가 진행되기 때문에 불용화가 진행되기 쉽다.
정착액(120)은, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화한 후 제거된다. 정착액(120)은, 물을 포함해도 좋고 유기 용매를 포함해도 좋다.
정착액(120)이 도포되는 영역은, 예컨대 화소 영역이어도 좋다.
또한, 본 실시형태에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)에만 정착액(120)을 도포하기 위해, 잉크젯 방식의 도포 노즐(121)을 이용하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 제2 광학막(82)의 잔부만을 마스크로 덮고, 그 후, 기판(10) 전체를 정착액(120)에 침지함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)에만 정착액을 도포해도 좋다.
<제1 실시형태의 보호막 형성 공정>
도 12의 보호막 형성 공정 S125에서는, 도 22∼도 23에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막용 도포액(81)과는 상이한 보호막용 도포액(91)을 제2 광학막(82) 상에 도포하여 건조시킴으로써 보호막(92)을 형성한다.
도 22는, 제1 실시형태에 의한 제2 광학막 상에 도포된 보호막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 23은, 제1 실시형태에 의한 보호막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 보호막을 나타내는 측면도이다.
도 22에 나타낸 바와 같이, 보호막 형성 공정 S125에서는, 제2 광학막(82)이 형성된 기판(10) 상에 도포 노즐(90)로부터 보호막용 도포액(91)을 도포한다. 도포 노즐(90)은, 잉크젯 방식이어도 좋으며, 하면에 보호막용 도포액(91)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(90)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(90)로부터 보호막용 도포액(91)의 액적을 토출함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)에 보호막용 도포액(91)을 선택적으로 도포한다.
보호막용 도포액(91)은 제2 광학막(82) 상에 도포된다. 그 때문에, 제2 광학막(82)을 형성하는 액정 분자는, 보호막용 도포액(91)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 보호막용 도포액(91)의 도포에 의해 제2 광학막(82)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
보호막용 도포액(91)은, 보호막(92)을 형성하는 유기 재료와, 그 유기 재료를 녹이는 용매를 포함한다. 보호막(92)을 형성하는 유기 재료는, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대하여 불용성의 고분자 등을 포함한다.
보호막용 도포액(91)으로는, 예컨대, 열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등이 이용된다. 구체적으로는, 유성 에나멜 도료, 프탈산 수지 도료 등이 이용된다.
열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등은, 열경화나 화학 반응 또는 건조 경화에 의해 고분자화되기 때문에, 치밀한 보호막(92)을 형성할 수 있다. 따라서, 보호막(92)의 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대한 불용성을 향상시킬 수 있다.
보호막용 도포액(91)은, 정착액(120)과 동일한 기능을 가져도 좋다. 제2 광학막(82)의 일부 불용화를 촉진할 수 있다. 또한, 보호막용 도포액(91)에 의해 제2 광학막(82)의 일부 불용화를 행하는 경우, 상기 제2 광학막 형성 공정 S124에서 제2 광학막(82)의 일부 불용화를 행하지 않아도 좋다.
예컨대, 보호막용 도포액(91)은, 제2 광학막(82)의 말단의 작용기(예컨대 OH기 등의 수용성의 작용기)를 별도의 작용기로 치환함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화해도 좋다. 또한, 보호막용 도포액(91)은, 축합 반응(예컨대 OH기 등의 탈수 축합 반응)에 의해 고분자화시킴으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화해도 좋다. 후자의 경우, 전자의 경우에 비교하여, 고분자화가 진행되기 때문에 불용화가 진행되기 쉽다.
보호막용 도포액(91)이 도포되는 영역은, 정착액(120)이 도포되는 영역과 일치해도 좋다. 예컨대, 보호막용 도포액(91)이 도포되는 영역은, 기판(10) 상의 화소 영역이어도 좋다.
도 23에 나타낸 바와 같이, 보호막 형성 공정 S125에서는, 기판(10) 상에 도포된 보호막용 도포액(91)의 액막(도 22 참조)을 건조시켜, 보호막(92)을 형성한다. 보호막용 도포액(91)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 보호막(92)이 형성된다.
보호막용 도포액(91)의 액막의 건조에는, 감압 건조, 자연 건조, 가열 건조, 바람 건조 등이 이용된다. 감압 건조는, 자연 건조보다 처리 시간을 단축할 수 있다. 감압 건조에서 용매가 잔류하고 있는 경우, 가열 건조가 더 행해져도 좋다.
보호막(92)은, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대하여 불용성을 가진다. 보호막(92)은, 제2 광학막(82)과는 달리 등방적인 광학 특성을 가진다. 보호막(92)의 가시광 투과율은 95% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 보호막(92)의 막두께는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 보호막(92)의 잔류 응력은, 광학 부재의 변형을 억제하기 위해, 작을수록 바람직하다.
보호막(92)은, 제2 광학막(82)의 일부(83)의 주표면을 덮는다. 보호막(92)은, 제2 광학막(82)의 일부(83)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 보호하는 역할도 한다. 중간막(72)의 연필 경도는 2H 이상인 것이 바람직하다.
또한, 제2 광학막(82)의 잔부는, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 제거되기 때문에, 손상이나 이물질이 생기는 것은 문제가 되지 않는다. 또한, 보호막(92)에 생긴 이물질은 세정으로 제거할 수 있고, 그 세정에 의해 제2 광학막(82)의 일부(83)가 손상되지는 않는다.
또한, 본 실시형태의 보호막(92)은, 보호막용 도포액(91)을 제2 광학막(82) 상에 도포하여 건조시킴으로써 형성하지만, 필름의 형태로 제2 광학막(82)에 접착되어도 좋다.
<제1 실시형태의 제2 광학막 패터닝 공정>
도 12의 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 보호막 형성 공정 S125 이후에, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 덮는 보호막(92)(도 23 참조)을 마스크로서 이용하여, 도 24에 나타낸 바와 같이 제2 광학막(82)의 잔부를 제거한다.
도 24는, 제1 실시형태에 의한 보호막으로 덮이지 않은 부분이 제거된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다. 제2 광학막 패터닝 공정 S126의 동안, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 보호막(92)으로 보호할 수 있고, 제2 광학막(82)의 일부(83)의 형상 붕괴를 억제할 수 있다. 따라서, 광학 부재의 품질을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막(82)을 녹이는 세정액을 이용한다. 세정액은, 예컨대 스핀척으로 기판(10)을 회전시키면서 기판(10)에 공급된다. 기판(10)에 공급된 세정액은, 원심력에 의해 기판(10) 전체에 퍼지고, 기판(10)의 외주 가장자리로부터 털어낸다.
제2 광학막(82)의 일부(83)는 보호막(92)으로 덮여 있기 때문에, 세정액과 접촉하지 않고, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제2 광학막(82)의 잔부는 세정액과 접촉하기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
또한, 세정액은 세정조에 저류되고, 세정조의 세정액에 기판(10)을 침지함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기면서, 제2 광학막(82)의 잔부를 녹여 제거해도 좋다. 세정조의 세정액은, 교반 날개 등으로 교반되어도 좋다.
제2 광학막(82)의 일부(83)가 확실하게 남도록, 상기 제2 광학막 형성 공정 S124나 상기 보호막 형성 공정 S125에서, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 세정액에 대하여 불용화하는 것은 유효하다. 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 확실하게 남길 수 있다.
또한, 보호막(92)은 세정액에 대한 불용성을 갖기 때문에, 상기 제2 광학막 형성 공정 S124나 상기 보호막 형성 공정 S125에서, 제2 광학막(82)의 일부 불용화를 행하지 않더라도, 제2 광학막(82)의 패터닝은 가능하다. 이 경우, 공정수를 삭감할 수 있다.
상기 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 전단 응력을 가하면서 제2 광학막용 도포액(81)을 도포하기 때문에, 화소 영역에만 제2 광학막용 도포액(81)을 도포하는 것은 어렵다. 따라서, 제2 광학막 패터닝 공정 S126을 행하는 것은 유효하다.
또한, 본 실시형태에서는 세정액을 이용하여 제2 광학막(82)의 잔부를 제거하지만, 제2 광학막(82)의 잔부의 제거 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 에칭법이 이용되어도 좋다. 에칭은, 웨트 에칭, 드라이 에칭의 어느 것이어도 좋다.
이하, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 남는 제2 광학막(82)의 일부(83)를 「제2 광학막(83)」이라고도 칭한다.
본 실시형태에 의하면, 도 24에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막(63), 중간막(72), 제2 광학막(83) 및 보호막(92)으로 구성되는 광학 부재(50)가, 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성된다. 따라서, 광학 부재(50)의 다면취가 가능하고, 유기 EL 디스플레이(1)의 다면취가 가능하다. 또한, 광학 부재(50)는 화소 영역에 선택적으로 형성되기 때문에, 화소 영역의 주위에 설치된 단자가 적절하게 기능할 수 있다.
<제1 실시형태의 광학 부재 형성 공정의 정리>
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 형성 공정 S121과, 중간막 형성 공정 S122와, 제2 광학막 형성 공정 S124가 이 순으로 행해진다. 제1 광학막(63)과 제2 광학막(83) 사이에 중간막(72)이 형성된다. 중간막(72)은, 제1 광학막(63)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제1 광학막(63)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다. 광학 부재(50)의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
본 실시형태에 의하면, 중간막 형성 공정 S122 이후이자 제2 광학막 형성 공정 S124 이전에, 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 덮는 중간막(72)을 마스크로서 이용하여, 제1 광학막(62)의 잔부를 제거하는 제1 광학막 패터닝 공정 S123이 행해진다. 제1 광학막 패터닝 공정 S123의 동안, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 중간막(72)으로 보호할 수 있고, 제1 광학막(62)의 일부(63)의 형상 붕괴를 억제할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 제1 광학막(62)을 녹이는 세정액을 이용한다. 제1 광학막(62)의 일부(63)는 중간막(72)으로 덮여 있기 때문에, 세정액과 접촉하지 않고, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제1 광학막(62)의 잔부는 세정액과 접촉하기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화한다. 따라서, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서, 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 확실하게 남길 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 중간막 형성 공정 S122에서는, 제1 광학막(62)의 일부(63)에만 중간막용 도포액(71)을 도포함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화한다. 따라서, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서, 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 확실하게 남길 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막(83)을 보호하는 보호막(92)을 형성하는 보호막 형성 공정 S125가 행해진다. 보호막(92)은, 광학 부재(50)의 제조후에, 제2 광학막(83)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제2 광학막(83)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 보호막 형성 공정 S125 이후이자, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 덮는 보호막(92)을 마스크로서 이용하여, 제2 광학막(82)의 잔부를 제거하는 제2 광학막 패터닝 공정 S126이 행해진다. 제2 광학막 패터닝 공정 S126의 동안, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 보호막(92)으로 보호할 수 있고, 제2 광학막(82)의 일부(83)의 형상 붕괴를 억제할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막(82)을 녹이는 세정액을 이용한다. 제2 광학막(82)의 일부(83)는 보호막(92)으로 덮여 있기 때문에, 세정액과 접촉하지 않고, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제2 광학막(82)의 잔부는 세정액과 접촉하기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화한다. 따라서, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서, 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 확실하게 남길 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 보호막 형성 공정 S125에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)에만 보호막용 도포액(91)을 도포함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 이용되는 세정액에 대하여 불용화한다. 따라서, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서, 세정액이 들어가는 것에 의해 과잉으로 제거되는 것을 방지할 수 있어, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 확실하게 남길 수 있다.
<제2 실시형태의 광학 부재 형성 공정>
상기 제1 실시형태에서는 중간막 형성 공정 S122 이후에 제1 광학막 패터닝 공정 S123이 행해지는 것 비해, 본 실시형태에서는 제1 광학막 패터닝 공정 S123 이후에 중간막 형성 공정 S122가 행해지는 점에서 상이하다.
그 때문에, 본 실시형태의 중간막(72)은, 상기 제1 실시형태와 달리, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기고 제1 광학막(62)의 잔부를 제거하기 위한 마스크의 역할을 하지 않는다. 본 실시형태의 중간막(72)은, 제1 광학막(62)의 일부(63)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록 제1 광학막(62)의 일부(63)를 보호하는 역할을 한다.
또한, 상기 제1 실시형태에서는 보호막 형성 공정 S125 이후에 제2 광학막 패터닝 공정 S126이 행해지는 데 비해, 본 실시형태에서는 제2 광학막 패터닝 공정 S126 이후에 보호막 형성 공정 S125가 행해지는 점에서 상이하다.
그 때문에, 본 실시형태의 보호막(92)은, 상기 제1 실시형태와 달리, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기고 제2 광학막(82)의 잔부를 제거하기 위한 마스크의 역할을 하지 않는다. 본 실시형태의 보호막(92)은, 제2 광학막(82)의 일부(83)에 손상이나 이물질이 생기지 않도록 제2 광학막(82)의 일부(83)를 보호하는 역할을 한다.
이하, 도 25 등을 참조하여 상이점에 관해 주로 설명한다. 도 25는, 제2 실시형태에 의한 광학 부재 형성 공정을 나타내는 플로우차트이다. 도 25에 나타낸 바와 같이, 광학 부재 형성 공정 S120은, 제1 광학막 형성 공정 S121과, 제1 광학막 패터닝 공정 S123과, 중간막 형성 공정 S122와, 제2 광학막 형성 공정 S124와, 제2 광학막 패터닝 공정 S126과, 보호막 형성 공정 S125를 이 순으로 가진다.
또한, 도 25에 나타내는 모든 공정이 행해지지 않아도 좋다. 예컨대 자세하게는 후술하지만, 제1 광학막 패터닝 공정 S123이나 제2 광학막 패터닝 공정 S126은, 광학 부재(50)를 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성하는 경우에는 유효하지만, 광학 부재(50)를 기판(10) 상에 하나만 형성하는 경우에는 생략해도 좋다. 후술하는 일부 불용화의 처리에 관해 동일하다.
또한, 도 25에 나타내는 공정 이외의 공정이 행해져도 좋다. 예컨대, 제1 광학막 형성 공정 S121 이전에, 기판에 대한 제1 광학막의 밀착성을 개선하기 위해, 기판의 제1 광학막이 형성되는 면을 표면 개질하는 공정이 행해져도 좋다. 표면 개질막으로서, 실란커플링제 등의 유기막, 또는 질화규소 등의 무기막이 형성되어도 좋다.
또한, 도 25에 나타내는 제1 광학막 형성 공정 S121, 제1 광학막 패터닝 공정 S123 및 중간막 형성 공정 S122, 및 도 12에 나타내는 제2 광학막 형성 공정 S124, 보호막 형성 공정 S125 및 제2 광학막 패터닝 공정 S126이, 이 순으로 행해져도 좋다.
또한, 도 12에 나타내는 제1 광학막 형성 공정 S121, 중간막 형성 공정 S122 및 제1 광학막 패터닝 공정 S123, 및 도 25에 나타내는 제2 광학막 형성 공정 S124, 제2 광학막 패터닝 공정 S126 및 보호막 형성 공정 S125가, 이 순으로 행해져도 좋다.
<제2 실시형태의 제1 광학막 형성 공정>
도 25의 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 도 13∼도 14에 나타낸 바와 같이, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액(61)을 기판(10) 상에 도포하여 건조시킴으로써 제1 광학막(62)을 형성한다. 제1 광학막(62)은, 예컨대 1/4 파장막이다.
본 실시형태의 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 도 15에 나타내는 제1 광학막(62)의 일부(63)를 불용화하는 처리는 행해지지 않는다. 이 처리는, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 행해진다.
<제2 실시형태의 제1 광학막 패터닝 공정>
도 25의 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 제1 광학막 형성 공정 S121 이후이자 중간막 형성 공정 S122 이전에, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기고 제1 광학막(62)의 잔부를 제거한다.
예컨대, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 도 15에 나타낸 바와 같이 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 세정액에 대하여 불용화하고, 그 후, 도 26에 나타낸 바와 같이 제1 광학막(62)의 잔부를 세정액으로 녹인다. 도 26은, 제2 실시형태에 의한 불용화되지 않은 부분이 제거된 제1 광학막을 나타내는 측면도이다.
세정액은, 예컨대 스핀척으로 기판(10)을 회전시키면서 기판(10)에 공급된다. 기판(10)에 공급된 세정액은, 원심력에 의해 기판(10) 전체에 퍼지고, 기판(10)의 외주 가장자리로부터 털어낸다.
제1 광학막(62)의 일부(63)는, 세정액에 대하여 불용화되어 있기 때문에, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제1 광학막(62)의 잔부는, 세정액에 대하여 불용화되어 있지 않기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
또한, 세정액은 세정조에 저류되고, 세정조의 세정액에 기판(10)을 침지함으로써, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기면서, 제1 광학막(62)의 잔부를 녹여 제거해도 좋다. 세정조의 세정액은, 교반 날개 등으로 교반되어도 좋다.
도 26에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에서는, 중간막(72)(도 28 참조)이 형성되기 전에, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기고 제1 광학막(62)의 잔부가 제거되어, 제1 광학막(62)이 패터닝된다.
상기 제1 광학막 형성 공정 S121에서는, 전단 응력을 가하면서 제1 광학막용 도포액(61)을 도포하기 때문에, 화소 영역에만 제1 광학막용 도포액(61)을 도포하는 것은 어렵다. 따라서, 제1 광학막 패터닝 공정 S123을 행하는 것은 유효하다.
이하, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서 남는 제1 광학막(62)의 일부(63)를 「제1 광학막(63)」이라고도 칭한다.
<제2 실시형태의 중간막 형성 공정>
도 25의 중간막 형성 공정 S122에서는, 도 27∼도 28에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막용 도포액(61)과는 상이한 중간막용 도포액(71)을 제1 광학막(63) 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막(72)을 형성한다.
도 27은, 제2 실시형태에 의한 제1 광학막 상에 도포된 중간막용 도포액의 액막을 나타내는 도면이다. 도 28은, 제2 실시형태에 의한 중간막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 중간막을 나타내는 도면이다.
도 27에 나타낸 바와 같이, 중간막 형성 공정 S122에서는, 제1 광학막(63)이 형성된 기판(10) 상에 도포 노즐(70)로부터 중간막용 도포액(71)을 도포한다. 도포 노즐(70)은, 잉크젯 방식이어도 좋으며, 하면에 중간막용 도포액(71)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(70)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(70)로부터 중간막용 도포액(71)의 액적을 토출함으로써, 제1 광학막(63) 및 그 근방에만(예컨대 화소 영역 및 그 근방에만) 중간막용 도포액(71)을 선택적으로 도포한다.
중간막용 도포액(71)은 제1 광학막(63) 상에 도포된다. 그 때문에, 제1 광학막(63)을 형성하는 액정 분자는, 중간막용 도포액(71)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 중간막용 도포액(71)의 도포에 의해 제1 광학막(63)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
중간막용 도포액(71)은, 중간막(72)을 형성하는 유기 재료와, 그 유기 재료를 녹이는 용매를 포함한다. 중간막(72)을 형성하는 유기 재료는, 중간막(72) 상에 도포되는 제2 광학막용 도포액(81)(도 29 참조)의 용매에 대하여 불용성의 고분자 등을 포함한다.
중간막용 도포액(71)으로는, 예컨대, 열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등이 이용된다. 구체적으로는, 유성 에나멜 도료, 프탈산 수지 도료 등이 이용된다.
열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등은, 열경화나 화학 반응 또는 건조 경화에 의해 고분자화되기 때문에, 치밀한 중간막(72)을 형성할 수 있다.
중간막용 도포액(71)은, 도 27에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막(63)의 주표면뿐만 아니라, 제1 광학막(63)의 단부면을 덮도록 도포되어도 좋다. 제1 광학막(63)의 주표면뿐만 아니라, 제1 광학막(63)의 단부면에 손상이나 이물질이 생기지 않도록, 제1 광학막(63)을 중간막(72)으로 보호할 수 있다.
중간막용 도포액(71)이 도포되는 영역은, 기판(10) 상의 화소 영역 및 그 근방에 한정되어도 좋다.
또한, 중간막용 도포액(71)이 도포되는 영역을 한정하기 위해, 기판(10) 상에 필름 등의 마스크를 접착해도 좋다. 이 마스크는, 나중에 박리될 때 제1 광학막(63)을 손상하지 않도록, 제1 광학막(63)과의 사이에 간극을 형성해도 좋다.
도 28에 나타낸 바와 같이, 중간막 형성 공정 S122에서는, 기판(10) 상에 도포된 중간막용 도포액(71)의 액막(도 27 참조)을 건조시켜, 중간막(72)을 형성한다. 중간막용 도포액(71)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 중간막(72)이 형성된다.
중간막(72)은, 제1 광학막(63)과는 달리 등방적인 광학 특성을 가진다. 중간막(72)의 가시광 투과율은 95% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 중간막(72)의 막두께는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 중간막(72)의 잔류 응력은, 광학 부재의 변형을 억제하기 위해, 작을수록 바람직하다.
중간막(72)은, 제1 광학막(63)의 주표면뿐만 아니라 제1 광학막(63)의 단부면을 덮는다. 중간막(72)은, 제1 광학막(63)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제1 광학막(63)을 보호하는 역할을 한다. 중간막(72)의 연필 경도는 2H 이상인 것이 바람직하다. 광학 부재의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
중간막(72)은, 기판(10) 상의 화소 영역 및 그 근방에만 형성되며, 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성된다. 또한, 화소 영역의 주변에 설치된 단자의 취출이 불필요한 경우, 기판(10)의 대략 전체에 중간막(72)이 형성되어도 좋다. 중간막(72) 상에 제2 광학막용 도포액(81)을 도포할 때에, 제2 광학막용 도포액(81)의 액정 분자의 배향 제어성이 좋다.
<제2 실시형태의 제2 광학막 형성 공정>
도 25의 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 도 29∼도 30에 나타낸 바와 같이, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액(81)을 중간막(72) 상에 도포하여 건조시킴으로써 제2 광학막(82)을 형성한다. 제2 광학막(82)은, 예컨대 직선 편광막이다.
도 29는, 제2 실시형태에 의한 중간막 상에 도포된 제2 광학막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 30은, 제2 실시형태에 의한 제2 광학막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 29에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 기판(10) 상에 도포 노즐(80)로부터 제2 광학막용 도포액(81)을 도포한다. 도포 노즐(80)은, 예컨대 하면에 슬릿형의 토출구를 갖는 슬릿 코터이다.
제2 광학막용 도포액(81)은 중간막(72) 상에 도포된다. 그 때문에, 중간막(72)을 형성하는 유기 재료는, 제2 광학막용 도포액(81)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 제2 광학막용 도포액(81)의 도포에 의해 중간막(72)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 제2 광학막용 도포액(81)의 도포에 슬릿 코터가 이용되지만, 딥 코터 등이 이용되어도 좋다. 제2 광학막용 도포액(81)에 전단 응력을 가할 수 있고, 그 전단 응력의 작용 방향을 제어할 수 있으면 된다.
도 30에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 기판(10) 상에 도포된 제2 광학막용 도포액(81)의 액막(도 29 참조)을 건조시켜, 제2 광학막(82)을 형성한다. 제2 광학막용 도포액(81)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 액정 분자의 배향이 적절하게 유지된다. 제2 광학막(82)은, 예컨대 직선 편광막이다.
<제2 실시형태의 제2 광학막 패터닝 공정>
도 25의 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막 형성 공정 S124 이후이자 보호막 형성 공정 S125 이전에, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기고 제2 광학막(82)의 잔부를 제거한다.
예컨대, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 도 31에 나타낸 바와 같이 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 세정액에 대하여 불용화하고, 그 후, 도 32에 나타낸 바와 같이 제2 광학막(82)의 잔부를 세정액으로 녹인다.
도 31은, 제2 실시형태에 의한 일부 불용화된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다. 도 32는, 제2 실시형태에 의한 불용화되지 않은 부분이 제거된 제2 광학막을 나타내는 측면도이다.
도 31에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 세정액에 대하여 불용화한다. 세정액으로는, 제2 광학막용 도포액(81)의 용매와 동일한 것이 이용되어도 좋으며, 예컨대 물이 이용되어도 좋다. 이 경우, 물에 대한 불용화가 행해진다.
제2 광학막(82)의 일부(83)를 불용화하는 정착액(120)은, 예컨대 잉크젯 방식의 도포 노즐(121)로부터 토출된다. 도포 노즐(121)은, 하면에 정착액(120)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(121)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(121)로부터 정착액(120)의 액적을 토출함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)에 정착액(120)을 선택적으로 도포한다. 이것에 의해, 제2 광학막(82)의 일부(83)가 불용화된다.
정착액(120)이 도포되는 영역은, 예컨대 화소 영역이어도 좋다.
도 32에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 남기고 제2 광학막(82)의 잔부를 제거한다. 제2 광학막(82)의 잔부의 제거에는, 예컨대 세정액이 이용된다.
세정액은, 예컨대 스핀척으로 기판(10)을 회전시키면서 기판(10)에 공급된다. 기판(10)에 공급된 세정액은, 원심력에 의해 기판(10) 전체에 퍼지고, 기판(10)의 외주 가장자리로부터 털어낸다.
제2 광학막(82)의 일부(83)는, 세정액에 대하여 불용화되어 있기 때문에, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제2 광학막(82)의 잔부는, 세정액에 대하여 불용화되어 있지 않기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
또한, 세정액은 세정조에 저류되고, 세정조의 세정액에 기판(10)을 침지함으로써, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기면서, 제2 광학막(82)의 잔부를 녹여 제거해도 좋다. 세정조의 세정액은, 교반 날개 등으로 교반되어도 좋다.
도 32에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에서는 보호막(92)(도 34 참조)이 형성되기 전에, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기고 제2 광학막(82)의 잔부가 제거되어, 제2 광학막(82)이 패터닝된다.
상기 제2 광학막 형성 공정 S124에서는, 전단 응력을 가하면서 제2 광학막용 도포액(81)을 도포하기 때문에, 화소 영역에만 제2 광학막용 도포액(81)을 도포하는 것은 어렵다. 따라서, 제2 광학막 패터닝 공정 S126을 행하는 것은 유효하다.
이하, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서 남는 제2 광학막(82)의 일부(83)를 「제2 광학막(83)」이라고도 칭한다.
<제2 실시형태의 보호막 형성 공정>
도 25의 보호막 형성 공정 S125에서는, 도 33∼도 34에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막용 도포액(81)과는 상이한 보호막용 도포액(91)을 제2 광학막(83) 상에 도포하여 건조시킴으로써 보호막(92)을 형성한다.
도 33은, 제2 실시형태에 의한 제2 광학막 상에 도포된 보호막용 도포액의 액막을 나타내는 측면도이다. 도 34는, 제2 실시형태에 의한 보호막용 도포액의 액막의 건조에 의해 형성된 보호막을 나타내는 측면도이다.
도 33에 나타낸 바와 같이, 보호막 형성 공정 S125에서는, 제2 광학막(83)이 형성된 기판(10) 상에 도포 노즐(90)로부터 보호막용 도포액(91)을 도포한다. 도포 노즐(90)은, 잉크젯 방식이어도 좋으며, 하면에 보호막용 도포액(91)의 액적을 토출하는 토출 노즐을 복수 개 가진다.
도포 노즐(90)과 기판(10)을 상대적으로 이동시키면서, 도포 노즐(90)로부터 보호막용 도포액(91)의 액적을 토출함으로써, 제2 광학막(83) 및 그 근방에만(예컨대 화소 영역 및 그 근방에만) 보호막용 도포액(91)을 선택적으로 도포한다.
보호막용 도포액(91)은 제2 광학막(83) 상에 도포된다. 그 때문에, 제2 광학막(83)을 형성하는 액정 분자는, 보호막용 도포액(91)의 용매에 대하여 불용성을 가져도 좋다. 보호막용 도포액(91)의 도포에 의해 제2 광학막(83)이 녹는 것을 방지할 수 있다.
보호막용 도포액(91)은, 보호막(92)을 형성하는 유기 재료와, 그 유기 재료를 녹이는 용매를 포함한다.
보호막용 도포액(91)으로는, 예컨대, 열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등이 이용된다. 구체적으로는, 유성 에나멜 도료, 프탈산 수지 도료 등이 이용된다.
열경화형의 투명 도료, 화학 반응형의 투명 도료, 건조 경화형의 투명 도료 등은, 열경화나 화학 반응 또는 건조 경화에 의해 고분자화되기 때문에, 치밀한 보호막(92)을 형성할 수 있다.
보호막용 도포액(91)은, 도 33에 나타낸 바와 같이, 제2 광학막(83)의 주표면뿐만이 아니라, 제2 광학막(83)의 단부면을 덮도록 도포되어도 좋다. 제2 광학막(83)의 주표면뿐만 아니라, 제2 광학막(83)의 단부면에 손상이나 이물질이 생기지 않도록, 제2 광학막(83)을 보호막(92)으로 보호할 수 있다.
또한, 보호막용 도포액(91)은, 도 33에서는 중간막(72)의 단부면을 덮고 있지 않지만, 중간막(72)의 단부면을 덮도록 도포되어도 좋다.
보호막용 도포액(91)이 도포되는 영역은, 기판(10) 상의 화소 영역 및 그 근방에 한정되어도 좋다.
또한, 보호막용 도포액(91)이 도포되는 영역을 한정하기 위해, 기판(10) 상에 필름 등의 마스크를 접착해도 좋다. 이 마스크는, 나중에 박리될 때에 제2 광학막(83)을 손상하지 않도록, 제2 광학막(83)과의 사이에 간극을 형성해도 좋다.
도 34에 나타낸 바와 같이, 보호막 형성 공정 S125에서는, 기판(10) 상에 도포된 보호막용 도포액(91)의 액막(도 33 참조)을 건조시켜, 보호막(92)을 형성한다. 보호막용 도포액(91)의 액막으로부터 용매가 제거되고, 보호막(92)이 형성된다.
보호막(92)은, 제2 광학막(83)과는 달리 등방적인 광학 특성을 가진다. 보호막(92)의 가시광 투과율은 95% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 보호막(92)의 막두께는 10 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 보호막(92)의 잔류 응력은, 광학 부재의 변형을 억제하기 위해, 작을수록 바람직하다.
보호막(92)은, 제2 광학막(83)의 주표면뿐만 아니라 제2 광학막(83)의 단부면을 덮는다. 보호막(92)은, 제2 광학막(83)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제2 광학막(83)을 보호하는 역할을 한다. 보호막(92)의 연필 경도는 2H 이상인 것이 바람직하다.
보호막(92)은, 기판(10) 상의 화소 영역 및 그 근방에만 형성되며, 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성된다. 또한, 화소 영역의 주변에 설치된 단자의 취출이 불필요한 경우, 기판(10)의 대략 전체에 보호막(92)이 형성되어도 좋다.
또한, 본 실시형태의 보호막(92)은, 보호막용 도포액(91)을 제2 광학막(83) 상에 도포하여 건조시킴으로써 형성하지만, 필름의 형태로 제2 광학막(83)에 접착되어도 좋다.
본 실시형태에 의하면, 도 34에 나타낸 바와 같이, 제1 광학막(63), 중간막(72), 제2 광학막(83) 및 보호막(92)으로 구성되는 광학 부재(50)가, 기판(10) 상에 간격을 두고 복수 개 형성된다. 따라서, 광학 부재(50)의 다면취가 가능하고, 유기 EL 디스플레이(1)의 다면취가 가능하다. 또한, 광학 부재(50)는 화소 영역 및 그 근방에 선택적으로 형성되기 때문에, 화소 영역의 주위에 설치된 단자가 적절하게 기능할 수 있다.
<제2 실시형태의 광학 부재 형성 공정의 정리>
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 형성 공정 S121과, 중간막 형성 공정 S122와, 제2 광학막 형성 공정 S124가 이 순으로 행해진다. 제1 광학막(63)과 제2 광학막(83) 사이에 중간막(72)이 형성된다. 중간막(72)은, 제1 광학막(63)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제1 광학막(63)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다. 광학 부재(50)의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 형성 공정 S121 이후이자 중간막 형성 공정 S122 이전에, 제1 광학막(62)의 일부(63)를 남기고 제1 광학막(62)의 잔부를 제거하는 제1 광학막 패터닝 공정 S123이 행해진다. 따라서, 제1 광학막 패터닝 공정 S123 이후에 남는 제1 광학막(63)의 주표면뿐만 아니라 제1 광학막(63)의 단부면을 중간막(72)으로 덮는 것이 가능해진다.
본 실시형태에 의하면, 제1 광학막 패터닝 공정 S123에서는, 제1 광학막(62)을 녹이는 세정액에 대하여 제1 광학막(62)의 일부(63)만을 불용화하고, 그 후, 제1 광학막(62)의 잔부를 세정액으로 녹인다. 제1 광학막(62)의 일부(63)는, 세정액에 대하여 불용화되어 있기 때문에, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제1 광학막(62)의 잔부는, 세정액에 대하여 불용화되어 있지 않기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
본 실시형태에 의하면, 중간막 형성 공정 S122에서는, 제1 광학막(63)의 주표면 및 제1 광학막(63)의 단부면을 덮도록 중간막(72)을 형성한다. 중간막(72)은, 제1 광학막(63)의 주표면뿐만 아니라 제1 광학막(63)의 단부면에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제1 광학막(63)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다. 광학 부재(50)의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막(83)을 보호하는 보호막(92)을 형성하는 보호막 형성 공정 S125가 행해진다. 보호막(92)은, 광학 부재(50)의 제조후에, 제2 광학막(83)에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제2 광학막(83)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막 형성 공정 S124 이후이자 보호막 형성 공정 S125 이전에, 제2 광학막(82)의 일부(83)를 남기고 제2 광학막(82)의 잔부를 제거하는 제2 광학막 패터닝 공정 S126이 행해진다. 따라서, 제2 광학막 패터닝 공정 S126 이후에 남는 제2 광학막(83)의 주표면뿐만 아니라 제2 광학막(83)의 단부면을 보호막(92)으로 덮는 것이 가능해진다.
본 실시형태에 의하면, 제2 광학막 패터닝 공정 S126에서는, 제2 광학막(82)을 녹이는 세정액에 대하여 제2 광학막(82)의 일부(83)만을 불용화하고, 그 후, 제2 광학막(82)의 잔부를 세정액으로 녹인다. 제2 광학막(82)의 일부(83)는, 세정액에 대하여 불용화되어 있기 때문에, 세정액에 의해 형상 붕괴가 일어나지 않는다. 한편, 제2 광학막(82)의 잔부는, 세정액에 대하여 불용화되어 있지 않기 때문에, 세정액에 의해 녹아서 제거된다.
본 실시형태에 의하면, 보호막 형성 공정 S125에서는, 제2 광학막(83)의 주표면 및 제2 광학막(83)의 단부면을 덮도록 보호막(92)을 형성한다. 보호막(92)은, 제2 광학막(83)의 주표면뿐만 아니라 제2 광학막(83)의 단부면에 손상이나 이물질 등이 생기지 않도록, 제2 광학막(83)을 보호할 수 있다. 따라서, 광학 부재(50)의 품질을 향상시킬 수 있다. 광학 부재(50)의 제조가 도중에 일시적으로 중단되어 재개까지 시간이 걸리는 경우, 손상이나 이물질이 생길 리스크가 높기 때문에 특히 유효하다.
<변형, 개량>
이상, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법의 실시형태에 관해 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태 등에 한정되지 않고, 청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러가지 변형, 개량이 가능하다.
예컨대, 광학 부재(50)는, 상기 실시형태에서는 제1 광학막(63), 중간막(72), 제2 광학막(83) 및 보호막(92)을 포함하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 광학 부재(50)는 액정 분자가 배향된 광학막을 포함하고 있으면 되며, 광학막의 수도 한정되지 않는다.
본 출원은, 2017년 5월 1일에 일본 특허청에 출원된 일본 특허 출원 2017-091471호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 일본 특허 출원 2017-091471호의 모든 내용을 본 출원에 원용한다.
10 : 기판
13 : 유기 발광 다이오드
30 : 밀봉층
40 : 터치 센서
41 : 제1 금속막
43 : 절연막
45 : 제2 금속막
47 : 터치 센서 보호막
50 : 광학 부재
61 : 제1 광학막용 도포액
62 : 제1 광학막
63 : 제1 광학막
71 : 중간막용 도포액
72 : 중간막
81 : 제2 광학막용 도포액
82 : 제2 광학막
83 : 제2 광학막
91 : 보호막용 도포액
92 : 보호막

Claims (19)

  1. 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖고,
    상기 광학 부재 형성 공정은,
    상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 위상차막 및 편광막 중 어느 하나로서의 제1 광학막을 형성하는 제1 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써, 상기 위상차막 및 상기 편광막 중 나머지 하나로서의 제2 광학막을 형성하는 제2 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 제2 광학막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막용 도포액과는 상이한 중간막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막을 형성하는 중간막 형성 공정과,
    상기 중간막 형성 공정 이후에 그리고 상기 제2 광학막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막의 일부만을 덮는 상기 중간막을 마스크로서 이용하여, 상기 제1 광학막의 잔부를 제거하는 제1 광학막 패터닝 공정을 갖는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 광학막 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막을 녹이는 세정액을 이용하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 광학막 형성 공정에서는, 상기 제1 광학막의 상기 일부만을 상기 제1 광학막 패터닝 공정에서 이용되는 상기 세정액에 대하여 불용화하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 중간막 형성 공정에서는, 상기 제1 광학막의 상기 일부에만 상기 중간막용 도포액을 도포함으로써, 상기 제1 광학막의 상기 일부만을 상기 제1 광학막 패터닝 공정에서 이용되는 상기 세정액에 대하여 불용화하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  5. 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖고,
    상기 광학 부재 형성 공정은,
    상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 위상차막 및 편광막 중 어느 하나로서의 제1 광학막을 형성하는 제1 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써, 상기 위상차막 및 상기 편광막 중 나머지 하나로서의 제2 광학막을 형성하는 제2 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 제2 광학막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막용 도포액과는 상이한 중간막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막을 형성하는 중간막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 중간막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막의 일부를 남기고 상기 제1 광학막의 잔부를 제거하는 제1 광학막 패터닝 공정을 갖는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 광학막 패터닝 공정에서는, 상기 제1 광학막을 녹이는 세정액에 대하여 상기 제1 광학막의 상기 일부만을 불용화하고, 그 후, 상기 제1 광학막의 상기 잔부를 상기 세정액으로 녹이는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 중간막 형성 공정에서는, 상기 제1 광학막의 주표면 및 상기 제1 광학막의 단부면을 덮도록 상기 중간막을 형성하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  8. 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖고,
    상기 광학 부재 형성 공정은,
    상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 위상차막 및 편광막 중 어느 하나로서의 제1 광학막을 형성하는 제1 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써, 상기 위상차막 및 상기 편광막 중 나머지 하나로서의 제2 광학막을 형성하는 제2 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 제2 광학막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막용 도포액과는 상이한 중간막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막을 형성하는 중간막 형성 공정과,
    상기 제2 광학막 형성 공정 이후에, 상기 제2 광학막용 도포액과는 상이한 보호막용 도포액을 상기 제2 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 상기 제2 광학막을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과,
    상기 보호막 형성 공정 이후에, 상기 제2 광학막의 일부만을 덮는 상기 보호막을 마스크로서 이용하여, 상기 제2 광학막의 잔부를 제거하는 제2 광학막 패터닝 공정을 갖는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 광학막 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막을 녹이는 세정액을 이용하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2 광학막 형성 공정에서는, 상기 제2 광학막의 상기 일부만을 상기 제2 광학막 패터닝 공정에서 이용되는 상기 세정액에 대하여 불용화하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 보호막 형성 공정에서는, 상기 제2 광학막의 상기 일부에만 상기 보호막용 도포액을 도포함으로써, 상기 제2 광학막의 상기 일부만을 상기 제2 광학막 패터닝 공정에서 이용되는 상기 세정액에 대하여 불용화하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  12. 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 액정 분자가 배향된 광학막을 형성하는 광학 부재 형성 공정을 갖고,
    상기 광학 부재 형성 공정은,
    상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제1 광학막용 도포액을 도포하여 건조시킴으로써, 위상차막 및 편광막 중 어느 하나로서의 제1 광학막을 형성하는 제1 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에, 액정 분자와 용매를 포함하는 제2 광학막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써, 상기 위상차막 및 상기 편광막 중 나머지 하나로서의 제2 광학막을 형성하는 제2 광학막 형성 공정과,
    상기 제1 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 제2 광학막 형성 공정 이전에, 상기 제1 광학막용 도포액과는 상이한 중간막용 도포액을 상기 제1 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 중간막을 형성하는 중간막 형성 공정과,
    상기 제2 광학막 형성 공정 이후에, 상기 제2 광학막용 도포액과는 상이한 보호막용 도포액을 상기 제2 광학막 상에 도포하여 건조시킴으로써 상기 제2 광학막을 보호하는 보호막을 형성하는 보호막 형성 공정과,
    상기 제2 광학막 형성 공정 이후에 그리고 상기 보호막 형성 공정 이전에, 상기 제2 광학막의 일부를 남기고 상기 제2 광학막의 잔부를 제거하는 제2 광학막 패터닝 공정을 갖는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2 광학막 패터닝 공정에서는, 상기 제2 광학막을 녹이는 세정액에 대하여 상기 제2 광학막의 상기 일부만을 불용화하고, 그 후, 상기 제2 광학막의 상기 잔부를 상기 세정액으로 녹이는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 보호막 형성 공정에서는, 상기 제2 광학막의 주표면 및 상기 제2 광학막의 단부면을 덮도록 상기 보호막을 형성하는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 부재 형성 공정 이전에, 상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 터치 센서를 형성하는 터치 센서 형성 공정을 가지며,
    상기 터치 센서 형성 공정은,
    상기 유기 발광 다이오드가 미리 형성된 상기 기판 상에, 차광성의 제1 금속막을 형성하는 공정과,
    포토리소그래피법 및 에칭법에 의해 상기 제1 금속막의 일부를 선택적으로 제거하는 공정과,
    일부가 선택적으로 제거된 상기 제1 금속막 상에 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 절연막 상에, 차광성의 제2 금속막을 형성하는 공정과,
    포토리소그래피법 및 에칭법에 의해 상기 제2 금속막의 일부를 선택적으로 제거하는 공정을 갖는, 유기 EL 디스플레이의 제조 방법.
  16. 삭제
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