KR100718786B1 - 시모스 이미지 센서 - Google Patents

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KR100718786B1
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이원호
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매그나칩 반도체 유한회사
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Abstract

본 발명은 동적 범위를 개선시킬 수 있는 시모스 이미지 센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 증폭시켜 출력하기 위한 소스 팔로워 버퍼 증폭기용 제1 트랜지스터를 포함하는 복수의 단위 화소가 어레이 형태로 배열되어 이루어진 화소 어레이를 포함하는 시모스 이미지 센서에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 출력신호를 게이트 입력으로 입력받고, 상기 게이트 입력을 증폭하여 출력하는 버퍼 증폭기용 제2 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
CMOS 이미지 센서, 3-T, 4-T, 드라이브 트랜지스터, 칼럼라인, 동적 범위, 포화영역

Description

시모스 이미지 센서{CMOS IMAGE SENSOR}
도 1은 일반적인 CMOS 이미지 센서의 구성을 도시한 구성도.
도 2는 일반적인 CMOS 이미지 센서의 3-T 구조의 단위 화소의 구성을 도시한 회로도.
도 3은 도 2에 도시된 단위 화소가 복수개로 이루어진 화소 어레이를 도시한 회로도.
도 4는 일반적인 CMOS 이미지 센서의 4-T 구조의 단위 화소의 구성을 도시한 회로도.
도 5는 도 4에 도시된 단위 화소가 복수개로 이루어진 화소 어레이를 도시한 회로도.
도 6은 본 발명의 실시예1에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 7은 도 6에 도시된 단위 화소의 평면도이다.
도 8 및 도 9는 도 6에 도시된 단위 화소의 동작 파형도이다.
도 10은 본 발명의 실시예2에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 11은 본 발명의 실시예3에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 12는 본 발명의 실시예4에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 13은 본 발명의 실시예5에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 14는 본 발명의 실시예6에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
도 15는 본 발명의 실시예7에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 화소 어레이
20 : 로 디코더
30 : 칼럼 디코더
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 시모스(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서에 관한 것이다.
최근들어 디지털 카메라(digital camera)는 인터넷을 이용한 영상통신의 발전과 더불어 그 수요가 폭발적으로 증가하고 있는 추세에 있다. 더욱이, 카메라가 장착된 PDA(Personal Digital Assistant), IMT-2000(International Mobile Telecommunications-2000), CDMA(Code Division Multiple Access) 단말기 등과 같은 이동통신단말기의 보급이 증가됨에 따라 소형 카메라 모듈의 수요가 증가하고 있다.
카메라 모듈은 기본적으로 이미지 센서를 포함한다. 일반적으로, 이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 소자를 말한다. 이러한 이미지 센서로는 전하 결합 소자(Charge Coupled Device, 이하, CCD라 함)와 시모스(CMOS; Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서가 널리 사용되고 있다.
CCD는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소모가 많으며, 제조공정시 마스크 공정 수가 많아 공정이 복잡하고, 시그날 프로세싱 회로(signal processing circuit)를 칩 내에 구현할 수 없어 원 칩(one chip)화가 어렵다는 등의 여러 단점이 있다. 이에 반해, 시모스 이미지 센서는 하나의 단일 칩 상에 제어, 구동 및 신호 처리 회로의 모놀리식 집적화가 가능하기 때문에 최근에 보다 주목을 받고 있다. 게다가, 시모스 이미지 센서는 저전압 동작 및 저전력 소모, 주변기기와의 호환성 및 표준 CMOS 제조 공정의 유용성으로 인하여 기존의 CCD에 비해 잠재적으로 적은 비용을 제공한다.
그러나, 시모스 이미지 센서에서 수광 소자, 예컨대 포토 다이오드(photo diode)에 의해 생성된 아날로그 신호는 기생 캐패시턴스, 저항, 암전류 누설 또는 반도체 소자 특성의 불일치 등에 의해 야기되는 다양한 기생 효과(parasitic effect)를 갖는다. 이러한 기생 효과는 반도체 소자에서는 필수적으로 발생되는 것으로서, 이미지 데이터의 신호대 잡음비(Signal to Noise Ratio)의 저하를 가져온다. 따라서, 잡음은 시모스 이미지 센서의 성능을 제한하는 중요한 요인으로 작용하고 있다.
시모스 이미지 센서에서 잡음이 발생되는 원인은 이미지 데이터의 샘플링과 관련되는 kT/C 잡음, 이미지 신호를 증폭하기 위해 사용되는 회로와 관련되는 1/f 잡음 및 센서의 신호 처리 회로의 불일치와 관련되는 고정 패턴 잡음(Fixed Pattern Noise, 이하, FPN이라 함) 등이 있다. 이중 FPN은 이미지 안에 세로선 또는 스트립(strip)으로 나타나서 사람의 눈에 쉽게 발견되므로 시각적으로 매우 좋지 않다.
도 1은 정사각형 모양의 단위 화소를 갖는 CMOS 이미지 센서를 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 화소 어레이(10)를 중심으로 로 어드레스(row address)를 지정할 경우 로 디코더(row decoder, 20)가 화소 어레이(10)의 한쪽 방향에 배치되고, 이와는 직각의 위치에 화소의 데이터 출력이 연결되고, 화소들의 칼럼 어드레스(column address)를 지정할 칼럼 디코더(column decoder, 30)가 배치된다.
이러한 구성을 갖는 CMOS 이미지 센서로부터 데이터를 독출하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 로 디코더(20)에서 첫 번째 열을 선택한 다음, 칼럼 디코더(30)에서 선택된 첫 번째 열의 각각의 화소에 대한 데이터(data)를 독출한 후 각각의 화소의 데이터를 증폭한다. 그 다음, 로 디코더(20)에서 두 번째 열을 선택한 다음, 칼럼 디코더(30)에서 선택된 두 번째 열의 각각의 화소에 대한 데이터를 독출한 후 각각의 화소의 데이터를 증폭한다. 이와 같은 방법으로 전체 화소의 데이터를 독출한다.
CMOS 이미지 센서에 사용되는 단위 화소는 여러 종류가 있으나, 그 중 대표적으로 상용화된 화소의 종류로는 3개의 기본 트랜지스터(transistor)와 1개의 포토다이오드(photodiode)로 구성된 3-T(3-transistor) 구조의 화소와 4개의 기본 트랜지스터와 1개의 포토다이오드로 구성된 4-T(4-transistor) 구조의 화소들이 있다.
도 2는 CMOS 이미지 센서 단위 화소 중 일반적인 3-T 구조를 도시한 회로도이다.
도 2를 참조하면, 3-T 구조의 화소는 광(photon)을 전자(electron)로 바꾸어 저장하는 1개의 포토다이오드(PD)와, 3개의 NMOS 트랜지스터로 구성되어 있다. 3개의 NMOS 트랜지스터는 포토 다이오드(PD)의 일단을 전원전압(VDD)으로 리셋(reset)시키는 리셋 트랜지스터(Rx), 포토 다이오드(PD)에 축적된 전하에 따라 동작하여 소스 팔로워(source follower) 구성으로 버퍼 증폭기(buffer amplifier) 역할을 하 는 드라이브 트랜지스터(Dx), 스위칭으로 어드레싱(addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다.
도 4는 CMOS 이미지 센서 단위 화소 중 일반적인 4-T 구조를 도시한 회로도이다.
도 4를 참조하면, 4-T 구조의 화소는 1개의 포토 다이오드(PD)와, 4개의 NMOS 트랜지스터로 이루어진다. 4개의 NMOS 트랜지스터는 포토 다이오드(PD)에서 집속된 광전하(photo-generated charge)를 플로팅 디퓨젼 영역(FD)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 원하는 값으로 플로팅 디퓨젼 영역(FD)의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅 디퓨젼 영역(FD)을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(Rx), 플로팅 디퓨전 영역(FD)에 축적된 전하에 따라 동작하여 소스 팔로워 구성으로 버퍼 증폭기 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx), 스위칭으로 어드레싱을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다.
이와 같이, 3-T 구조의 화소와 4-T 구조의 화소 간의 회로 구성에 있어서 가장 큰 차이는 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와 플로팅 디퓨젼 영역의 존재 유무이다. 3-T 구조의 화소는 신호레벨을 먼저 검출한 후 리셋 트랜지스터(Rx)를 턴-온시켜 리셋레벨을 검출한다. 반면, 4-T 구조의 화소는 리셋 트랜지스터(Rx)를 턴-온시켜 리셋레벨을 먼저 검출한 후 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 턴-온시켜 신호레벨을 검출한다.
한편, 도 3은 도 2에 도시된 3-T 구조의 화소가 하나의 칼럼라인을 공유하고 있는 화소 어레이(Array)를 도시한 회로도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 각 단위 화소(UP1~UPn)는 하나의 칼럼라인과 공통으로 접속되어 1개의 로드 트랜지스터(Load)와 접속된다.
도 5는 도 4에 도시된 4-T 구조의 화소가 하나의 칼럼라인을 공유하고 있는 화소 어레이를 도시한 회로도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 각 단위 화소(UP1~UPn)는 하나의 칼럼라인과 공통으로 접속되어 1개의 로드 트랜지스터(Load)와 접속된다.
도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 3-T 구조 및 4-T 구조의 화소는 복수 개가 하나의 칼럼라인을 공유하고, 칼럼라인을 통해 1개의 로드 트랜지스터(Load)와 접속되도록 구성되며, 도 1에 도시된 바와 같이 칼럼라인별로 신호를 독출하여 출력한다.
이러한 구성 및 동작특성을 갖는 시모스 이미지 센서는 CCD에 비해 동적 범위(dynamic range)가 낮은 단점(대략 2배 정도 낮음)이 있다. 동적 범위는 신호 잡음 레벨에 대한 화소의 포화레벨의 비율을 의미하는 것으로서, 색상의 채도를 좌우하는 중요 요인이다.
포화시 대략 20만개의 전자를 검출하고, 잡음시 대략 40개의 전자가 검출되면 동적 범위는 대략 5000이고, dB는 대략 -75dB가 된다. 시모스 이미지 센서는 각 화소의 전하를 바로 전압으로 변화시키는 회로에 사용되는 트랜지스터들의 변화에 따라 출력 특성이 영향을 받기 때문에 CCD에 비해 동적 범위가 낮아지는 취약한 구조이이다.
따라서, 본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 동적 범위를 개선시킬 수 있는 시모스 이미지 센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은, 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 증폭시켜 출력하기 위한 소스 팔로워 버퍼 증폭기용 제1 트랜지스터를 포함하는 복수의 단위 화소가 어레이 형태로 배열되어 이루어진 화소 어레이를 포함하는 시모스 이미지 센서에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 출력신호를 게이트 입력으로 입력받고, 상기 게이트 입력을 증폭하여 출력하는 버퍼 증폭기용 제2 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 다른 측면에 따른 본 발명은, 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 증폭시켜 출력하기 위한 소스 팔로워 버퍼 증폭기용 제1 트랜지스터를 포함하는 복수의 단위 화소가 1개의 칼럼라인을 공유하도록 배열된 화소 어레이를 포함하는 시모스 이미지 센서에 있어서, 상기 복수의 단위 화소에 각각 구비된 상기 제1 트랜지스터의 출력신호들 중 어느 하나를 게이트 입력으로 입력받고, 상기 게이트 입력을 증폭하여 상기 칼럼라인으로 출력하는 버퍼 증폭기용 제2 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서를 제공한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분은 동일한 기능을 수행하는 동일 요소들을 나타낸다.
실시예1
도 6은 본 발명의 실시예1에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이고 도 7은 도 6에 도시된 단위 화소의 평면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예1에 따른 단위 화소는 소스 팔로워(source follower)로 버퍼 증폭기로 기능하는 드라이브 트랜지스터(Dx)가 2단으로 구성된다. 즉, 제2 전원전압원(VDD2)과 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 드레인 사이에 접속되고, 게이트가 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)의 소스와 연결된 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)를 더 구비한다. 이러한 구조를 통해 트랜지스터의 전압 스윙(voltage swing) 폭을 증대시켜 동적 범위를 증대킬 수 있다. 이때, 제2 전원전압(VDD2)는 제1 전원전압(VDD1)보다 크게 설정하는 것이 전압 스윙 폭을 더욱 증대시킬 수 있다.
도 8은 도 6에 도시된 본 발명의 실시예1에 따른 구조를 갖는 단위 화소에 의한 동적 범위 증대를 설명하기 위하여 도시한 도면이다. 여기서, (a)는 제1 드라 이브 트랜지스터(Dx1)의 동작 파형도이고, (b)는 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)의 동작 파형도이다. 또한, 제1 및 제2 드라이브 트랜지스터(Dx1, Dx2)의 문턱전압은 동일하다.
도 8에 도시된 바와 같이, 1개의 드라이브 트랜지스터(Dx1)에 비해 2개의 드라이브 트랜지스터(Dx2)를 사용하는 경우 동적 범위가 크게 증대되는 것을 알 수 있다. 즉, 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)는 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)의 출력신호(Vout)를 게이트 입력(Vg2)으로 입력받아 구동됨에 따라 그 만큼 동적 범위가 증대된다.
비교 파형도가 도 9에 도시되었다. 도 9에 도시된 바와 같이, 2단(Dx1, Dx2)으로 드라이브 트랜지스터를 구성하는 경우 동적 범위(B)가 +α만큼 더 증가하는 것을 알 수 있다. 즉, 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)에서 게이트 전압(Vg1)을 입력받아 출력신호(Vout)를 증폭시켜 출력하고, 이 출력신호(Vout)가 후단의 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)의 게이트 전압(Vg2)으로 입력되는 구조를 통해 최종 출력신호(Vout')가 제1 드라이브 트랜지스터(Dx)의 출력신호(Vout)대비 전압 레벨이 높아지고, 바디 이펙트(body effect)에 의한 포화현상도 지연되어 도 9와 같은 최종 동작 파형을 얻게 된다.
실시예2
도 10은 본 발명의 실시예2에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회 로도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예2에 따른 단위 화소는 셀렉트 트랜지스터(Sx)가 제1 및 제2 드라이브 트랜지스터(Dx1, Dx2) 사이에 접속된 구조를 갖는다. 즉, 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)가 제2 전원전압원(VDD2)과 출력단(Vout) 사이에 연결되고, 게이트가 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 소스와 연결된 구조를 갖는다. 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)는 제1 전원전압원(VDD1)과 셀렉트 트랜지스터(Sx) 드레인 사이에 연결되고, 게이트가 플로팅 디퓨젼 영역(FD)와 연결된다. 이외의 구성은 실시예1과 동일하다.
실시예3
도 11은 본 발명의 실시예3에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예3에 따른 단위 화소는 실시예1의 구조에서 셀렉트 트랜지스터(Sx)가 제1 전원전압원(VDD1)과 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)의 드레인 사이에 연결된 구조를 갖는다. 이러한 구성 이외는 실시예1과 동일하다.
실시예4
도 12는 본 발명의 실시예4에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조 를 설명하기 위하여 도시한 3-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이다. 도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예4에 따른 단위 화소는 실시예1 내지 실시예3에 설명된 구조를 3-T 구조를 갖는 단위 화소에 그대로 적용한 예이다.
실시예5
도 13은 본 발명의 실시예5에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이다. 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예5에 다른 단위 화소는 실시예1과 같이 드라이브 트랜지스터(Dx)를 2단(Dx1, Dx2)으로 구성하는 것이 아니라, 그 이상의 단(Dxn)으로 구성한다. 그리고, 1개의 동일한 전원전압을 공통 드레인 전압으로 사용한다.
실시예6
도 14는 본 발명의 실시예6에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예6에 따른 이미지 센서는 실시예1 내지 실시예5와 같이 단위 화소마다 2단으로 드라이브 트랜지스터를 구성하는 것이 아니라, 필 팩터(fill facter)를 감소시키지 않기 위하여 칼럼라인 당 하나씩 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)를 설치한다. 즉, 단위 화소(UP1~UPn)는 동일하게 1개의 드라이브 트랜지스터(Dx1)를 구성하고, 칼럼라인별로 별도로 제2 드라이브 트랜지스터(Dx2)를 구성하여, 필 팩터를 감소시키지 않으면서 동적 범위를 증대시킬 수 있다.
실시예7
도 15는 본 발명의 실시예7에 따른 시모스 이미지 센서의 단위 화소의 구조를 설명하기 위하여 도시한 4-T 구조를 갖는 이미지 센서의 단위 화소를 도시한 회로도이다.
도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예7에 따른 단위 화소는 실시예1 내지 실시예6의 단위 화소의 제1 드라이브 트랜지스터(Dx1)의 게이트 단에 정류작용을 하는 다이오드(D)를 구성한다. 다이오드(D)는 부(-) 전위는 차단하고, 정(+) 전위만 전달한다.
한편, 실시예1 내지 실시예7에서 설명된 제1 전원전압(VDD1)은 2.5V이고, 제2 전원전압(VDD2)는 2.8V로 설정한다.
본 발명의 기술 사상은 바람직한 실시예에서 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명은 이 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예들이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 동적 범위를 개선시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 증폭시켜 출력하기 위한 소스 팔로워 버퍼 증폭기용 제1 트랜지스터를 포함하는 복수의 단위 화소가 어레이 형태로 배열되어 이루어진 화소 어레이를 포함하는 시모스 이미지 센서에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 출력신호를 게이트 입력으로 입력받고, 상기 게이트 입력을 증폭하여 출력하는 버퍼 증폭기용 제2 트랜지스터; 및
    상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 정류하기 위하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 PN 접합형 다이오드
    를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트랜지스터의 드레인 전압은 서로 동일한 시모스 이미지 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 전압은 상기 제2 트랜지스터의 드레인 전압보다 작은 시모스 이미지 센서.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    소스가 상기 제1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 공급전압원과 연결되어 상기 공급전압원으로부터 공급되는 상기 드레인 전압을 상기 제1 트랜지스터의 드레인으로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  6. 제 1 항에 있어서,
    드레인이 상기 제2 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 칼럼라인과 연결되어 상기 제2 트랜지스터의 출력신호를 상기 칼럼라인으로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  7. 제 1 항에 있어서,
    드레인이 상기 제1 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 상기 제2 트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 출력신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  8. 포토 다이오드와, 상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 증폭시켜 출력하기 위한 소스 팔로워 버퍼 증폭기용 제1 트랜지스터를 포함하는 복수의 단위 화소가 1개의 칼럼라인을 공유하도록 배열된 화소 어레이를 포함하는 시모스 이미지 센서에 있어서,
    상기 복수의 단위 화소에 각각 구비된 상기 제1 트랜지스터의 출력신호들 중 어느 하나를 게이트 입력으로 입력받고, 상기 게이트 입력을 증폭하여 상기 칼럼라인으로 출력하는 버퍼 증폭기용 제2 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 트랜지스터의 드레인 전압은 서로 동일한 시모스 이미지 센서.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 드레인 전압은 상기 제2 트랜지스터의 드레인 전압보다 작은 시모스 이미지 센서.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 포토 다이오드에 축적된 전하를 정류하기 위하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 연결된 PN 접합형 다이오드를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  12. 제 11 항에 있어서,
    소스가 상기 제1 트랜지스터의 드레인과 연결되고, 드레인이 공급전압원과 연결되어 상기 공급전압원으로부터 공급되는 상기 드레인 전압을 상기 제1 트랜지스터의 드레인으로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  13. 제 11 항에 있어서,
    드레인이 상기 제2 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 상기 칼럼라인과 연결되어 상기 제2 트랜지스터의 출력신호를 상기 칼럼라인으로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
  14. 제 11 항에 있어서,
    드레인이 상기 제1 트랜지스터의 소스와 연결되고, 소스가 상기 제2 트랜지스터의 게이트와 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 출력신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전달하는 제3 트랜지스터를 더 포함하는 시모스 이미지 센서.
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