KR100705326B1 - 피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 - Google Patents
피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100705326B1 KR100705326B1 KR1020060046892A KR20060046892A KR100705326B1 KR 100705326 B1 KR100705326 B1 KR 100705326B1 KR 1020060046892 A KR1020060046892 A KR 1020060046892A KR 20060046892 A KR20060046892 A KR 20060046892A KR 100705326 B1 KR100705326 B1 KR 100705326B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- impedance
- feedback
- field effect
- response
- effect transistor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 114
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100119059 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ERG25 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150073536 FET3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
- H03G3/04—Manually-operated control in untuned amplifiers
- H03G3/10—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/12—Manually-operated control in untuned amplifiers having semiconductor devices incorporating negative feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
- H03F1/342—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
- H03F3/45188—Non-folded cascode stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/02—Manually-operated control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/117—A coil being coupled in a feedback path of an amplifier stage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/141—Indexing scheme relating to amplifiers the feedback circuit of the amplifier stage comprising a resistor and a capacitor in series, at least one of them being an active one
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/147—Indexing scheme relating to amplifiers the feedback circuit comprising a series resonance circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/301—Indexing scheme relating to amplifiers the loading circuit of an amplifying stage comprising a coil
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45481—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising only a direct connection to the supply voltage, no other components being present
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45524—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising one or more active resistors and being coupled between the LC and the IC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45532—Indexing scheme relating to differential amplifiers the FBC comprising a series resonance circuit and being coupled between the LC and the IC
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45641—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC being controlled, e.g. by a signal derived from a non specified place in the dif amp circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45691—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more transistors as active loading resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
피드백형 가변이득 증폭기가 개시되어 있다. 피드백형 가변이득 증폭기는 제 1 전계효과 트랜지스터, 피드백 회로, 및 부하 회로를 구비한다. 제 1 전계효과 트랜지스터는 입력노드로부터 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 출력노드에 출력한다. 피드백 회로는 입력노드와 출력노드 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 부하 회로는 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다. 따라서, 피드백형 가변이득 증폭기는 이득이 변화하여도 입력 임피던스가 변화되지 않고 정재파비가 우수하며, 이득 조절 범위가 넓다.
Description
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 2는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 피드백 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 피드백 회로의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 부하 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 부하 회로의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 피드백 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 8은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 피드백 회로 의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 9는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 부하 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 10은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 부하 회로의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 11은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 피드백 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 12는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 피드백 회로의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 13은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 부하 회로의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 14는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 부하 회로의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200, 300, 400 : 피드백형 가변이득 증폭기
110, 210, 230, 310, 410, 430 : 피드백 회로
120, 220, 240, 320, 420, 440 : 부하 회로
110a, 110b, 210a, 210b, 230a, 230b : 피드백 회로
120a, 120b, 220a, 220b, 240a, 240b : 부하 회로
본 발명은 가변이득 증폭기에 관한 것으로, 특히 피드백 회로를 가지는 피드백형 가변이득 증폭기에 관한 것이다.
가변이득 증폭기는 이득을 조절할 수 있는 증폭기이다. 피드백 가변이득 증폭기는 피드백 회로의 임피던스를 조절하여 이득을 조절하는 증폭기이다.
피드백형 가변이득 증폭기는 미국등록특허 번호 6,285,257 및 한국공개특허 제2003-0089067호 등에 개시되어 있다. 피드백 회로를 가지는 증폭기의 동작은 IEEE Journal of Solid-state Circuits, VOL. 39,No. 12, December 2004에 알리 이사메일(Aly Ismail) 등에 의해 개시되어 있는 "A 3-10-GHz low-noise amplifier with wideband LC-ladder matching network"에 기술되어 있다.
상기 논문을 참조하면, 피드백 회로의 임피던스를 ZFB, 부하회로의 임피던스를 ZL, 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스를 gm이라 하면, 증폭기의 입력 임피던스는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 1]
수학식 1을 참조하면, 증폭기의 이득을 조절하기 위해 피드백 임피던스(ZFB)를 변화시키면 증폭기의 입력 임피던스가 변화된다.
증폭기의 입력 임피던스가 변화되면 증폭기에 결합된 다른 회로 블럭과의 임피던스 매칭이 깨어질 수 있다. 또한, 입력 임피던스가 변화되면 신호의 반사계수(reflection ratio)도 변화한다.
또한, 상기 논문을 참조하면, 증폭기의 전압 이득(AV)은 수학식 2와 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 2]
수학식 2를 참조하면, 증폭기의 전압 이득(AV)은 피드백 회로의 임피던스(ZFB)와 부하회로의 임피던스(ZL)를 사용하여 조절할 수 있다.
회로 입력단의 반사량을 나타내는 용어로 정재파비(Voltage Standing Wave Ratio; VSWR)가 사용된다. 반사계수를 Γ라 할 때 정재파비는 수학식 3과 같이 나타낼 수 있다.
[수학식 3]
증폭기의 입력 임피던스가 변화되면 반사계수가 변화되고, 반사계수가 변화되면 정재파비(VSWR)도 변화된다.
따라서, 입력 임피던스를 변화시키지 않고 증폭기의 이득을 조절할 수 있는 피드백형 가변이득 증폭기의 설계가 필요하다.
본 발명의 목적은 이득이 변화하여도 입력 임피던스가 변화되지 않고 정재파비가 우수한 피드백형 가변이득증폭기를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이득 조절 범위가 넓은 피드백형 가변이득증폭기를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이득이 변화하여도 입력 임피던스가 변화되지 않고 정재파비가 우수하며 이득 조절 범위가 넓은 피드백형 가변이득증폭기의 제어방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 하나의 실시형태에 따른 피드백형 가변이득증폭기는 제 1 전계효과 트랜지스터, 피드백 회로, 및 부하 회로를 구비한다.
제 1 전계효과 트랜지스터는 입력노드로부터 입력 전압신호를 수신하고 증폭 하여 출력노드에 출력한다. 피드백 회로는 상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 부하 회로는 상기 출력노드와 제 1 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
본 발명의 다른 하나의 실시형태에 따른 피드백형 가변이득증폭기는 제 1 전계효과 트랜지스터, 제 1 피드백 회로, 제 1 부하 회로, 제 2 전계효과 트랜지스터, 제 2 피드백 회로, 및 제 2 부하 회로를 구비한다.
제 1 전계효과 트랜지스터는 제 1 입력노드로부터 제 1 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 제 1 출력노드에 출력한다. 제 1 피드백 회로는 상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 제어신호에 응답하여 변화하는 제 1 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 1 부하 회로는 상기 제 1 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 상기 제 1 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 1 부하 임피던스를 발생시킨다. 제 2 전계효과 트랜지스터는 제 2 입력노드로부터 상기 제 1 입력신호와 차동쌍을 이루는 제 2 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 제 2 출력노드에 출력한다. 제 2 피드백 회로는 상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호에 응답하여 변화하는 제 2 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 2 부하 회로는 상기 제 2 출력노드와 상기 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 상기 제 2 피드백 임피던스의 변화에 따른 상기 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 2 부하 임피던스를 발생시킨다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시형태에 따른 피드백형 가변이득증폭기는 제 1 전계효과 트랜지스터, 제 2 전계효과 트랜지스터, 피드백 회로, 및 부하 회로를 구비한다.
제 1 전계효과 트랜지스터는 입력노드로부터 입력 전압신호를 수신하고 증폭한다. 제 2 전계효과 트랜지스터는 상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 출력노드 사이에 결합되어 있고 바이어스 전압이 인가되는 제어단자를 가진다. 피드백 회로는 상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 부하 회로는 상기 출력노드와 제 1 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
본 발명의 또 다른 하나의 실시형태에 따른 피드백형 가변이득증폭기는 제 1 전계효과 트랜지스터, 제 2 전계효과 트랜지스터, 제 1 피드백 회로, 제 1 부하 회로, 제 3 전계효과 트랜지스터, 제 4 전계효과 트랜지스터, 제 2 피드백 회로, 및 제 2 부하 회로를 구비한다.
제 1 전계효과 트랜지스터는 제 1 입력노드로부터 제 1 입력 전압신호를 수신하고 증폭한다. 제 2 전계효과 트랜지스터는 상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 바이어스 전압이 인가 되는 제어단자를 가진다. 제 1 피드백 회로는 상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 제어신호에 응답하여 변화하는 제 1 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 1 부하 회로는 상기 제 1 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 상기 제 1 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 1 부하 임피던스를 발생시킨다. 제 3 전계효과 트랜지스터는 제 2 입력노드로부터 상기 제 1 입력신호와 차동쌍을 이루는 제 2 입력 전압신호를 수신하고 증폭한다. 제 4 전계효과 트랜지스터는 상기 제 3 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 제 2 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제어단자를 가진다. 제 2 피드백 회로는 상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호에 응답하여 변화하는 제 2 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 2 부하 회로는 상기 제 2 출력노드와 상기 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 상기 제 2 피드백 임피던스의 변화에 따른 상기 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 2 부하 임피던스를 발생시킨다.
본 발명의 하나의 실시형태에 따른 피드백형 가변이득증폭기의 제어방법은 입력 전압신호를 수신하는 단계, 제어신호에 응답하여 피드백 임피던스를 변화시키는 단계, 상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 부하 임피던스를 변화시키는 단계, 및 상기 피드백 임피던스와 상기 부하 임피던스에 기초하여 상기 입력 전압신호를 증폭하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(100)는 전계효과 트랜지스터(FET1), 피드백 회로(110), 및 부하 회로(120)를 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET1)는 입력노드(NI)로부터 입력 전압신호(VIN)를 수신하고 증폭하여 출력노드(NO)에 출력한다. 피드백 회로(110)는 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 부하 회로(120)는 출력노드(NO)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
전계효과 트랜지스터(FET1)는 바이폴라 트랜지스터와 구별되는 소자로서 게이트에 인가되는 전압에 의해 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다. 전계효과 트랜지스터(FET1)의 대표적인 예로는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터가 있다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기(100)의 동작을 설명한다.
상기와 같이, 종래의 피드백형 가변이득 증폭기에서는 증폭기의 이득을 조절하기 위해 피드백 임피던스를 변화시키면 피드백형 가변이득 증폭기의 입력 임피던스가 변화된다. 피드백형 가변이득 증폭기의 입력 임피던스가 변화되면 피드백형 가변이득 증폭기에 결합된 다른 회로 블럭과의 임피던스 매칭이 깨어질 수 있다. 또한, 입력 임피던스가 변화되면 신호의 반사계수도 변화하여 신호의 정재파비(VSWR)가 변화될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기(100)는 이득 조절을 위해 제어신호(VCON)를 사용하여 피드백 회로(110)의 임피던스를 변화시킨다. 또한, 피드백형 가변이득 증폭기(100)는 피드백 회로(110)의 임피던스를 변화시키는 동시에 제어신호(VCON)를 사용하여 부하 회로(120)의 임피던스를 변화시킨다. 피드백형 가변이득 증폭기(100)는 피드백 회로(110)와 부하 회로(120)의 임피던스를 변화시킴으로써 전압 이득을 변화시키고 변화된 전압이득으로 입력 전압 신호(VIN)를 증폭하여 출력 전압 신호(VO)를 발생시킨다.
따라서, 수학식 1을 참조하면, 도 1에 도시된 본 발명의 피드백형 가변이득 증폭기(100)는 피드백 임피던스(ZFB)와 동시에 부하 임피던스(ZL)를 조절함으로써 입력 임피던스(Zi)의 변화를 방지할 수 있다.
수학식 1을 부하 임피던스(ZL)에 관해 정리하면, 수학식 4가 도출된다.
[수학식 4]
수학식 4에서 트랜스컨덕턴스(gm)는 전계효과 트랜지스터(FET1)의 사이즈와 전계효과 트랜지스터(FET1)에 흐르는 직류 전류에 의해 결정되고, 입력 임피던스는 사용하는 시스템에 따라 정해진다. 제어신호(VCON)를 사용하여 수학식 4를 만족하도록 부하 임피던스(ZL)를 조절하면 입력 임피던스는 일정하게 된다. 따라서 입력 임피던스가 피드백 회로(110)의 임피던스가 변화하더라도 일정한 값을 유지하기 때문에 정재파비는 일정하게 유지된다.
증폭기의 전압 이득(AV)을 조절하기 위하여 제어신호(VCON)에 의해 피드백 회로(110)의 임피던스(ZFB)를 조절한다. 이 때 부하회로(120)의 임피던스(ZL)는 수학식 4에 따라 함께 변화된다. 결과적으로 변화된 피드백 회로(110)의 임피던스(ZFB)와 변화된 부하회로(120)의 임피던스(ZL)에 의해 증폭기의 전압 이득(AV)는 수학식 2에 의해 결정된다.
도 2는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)에 포함되어 있는 피드백 회로(110)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 피드백 회로(110a)는 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C1), 저항(R1), 및 인덕터(L1)를 구비한다. 또한, 피드백 회로(110a)는 저항(R1)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET2)를 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET2)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 저항(on-resistance)이 변화될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET2)의 온 저항이 변화하면 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이의 임피던스가 변화된다. 따라서, 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)의 전압 이득이 조절된다. 또한, 전계효과 트랜지스터(FET2)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 또는 오프될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET2)가 온되면 피드백 회로(110a)에 포함되어 있는 저항(R1) 양단이 쇼트되고, 전계효과 트랜지스터(FET2)가 오프되면 피드백 회로(110a)에 포함되어 있는 저 항(R1)은 원래의 저항 값을 가진다. 피드백 회로(110a)에 포함되어 있는 커패시터(C1)와 인덕터(L1)는 증폭기의 주파수 특성을 위해 삽입되어 있다. 커패시터(C1)의 임피던스는 주파수의 증가에 따라 감소하고, 인덕터(L1)의 임피던스는 주파수의 증가에 따라 증가한다.
도 3은 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 피드백 회로(110)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 3을 참조하면, 피드백 회로(110b)는 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C4), 저항(R4), 및 인덕터(L2)를 구비한다. 또한, 피드백 회로(110b)는 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C2), 저항(R2), 전계효과 트랜지스터(FET3), 저항(R3), 및 커패시터(C3)를 구비한다.
도 3에서, 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 있는 회로가지(112)는 피드백형 가변이득 증폭기의 주파수 특성을 향상시키는 기능을 하며, 회로가지(111)는 피드백형 가변이득 증폭기의 전압 이득을 조절하는 기능을 한다. 전계효과 트랜지스터(FET2)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 저항이 변화되거나, 온/오프 동작을 한다.
도 4는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 부하 회로(120)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 부하 회로(120a)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO) 사이에 결합된 저항(R5), 및 저항(R5)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET4)를 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET4)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 저항이 변화될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET4)의 온 저항이 변화하면 전원전압(VDD)과 출력노드(NO) 사이의 임피던스가 변화된다. 따라서, 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)의 전압 이득이 조절된다. 또한, 전계효과 트랜지스터(FET4)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 또는 오프될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET4)가 온되면 부하 회로(120a)에 포함되어 있는 저항(R5)과 전계효과 트랜지스터(FET4)의 온 저항이 병렬 연결된 저항 값으로 부하 임피던스가 결정되고, 전계효과 트랜지스터(FET4)가 오프되면 피드백 회로(120a)에 포함되어 있는 저항(R5)은 원래의 저항 값을 가진다.
도 5는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 부하 회로(120)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 5를 참조하면, 부하 회로(120b)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO) 사이에 결합된 인덕터(L3), 및 인덕터(L3)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET5)를 구비한다.
도 5의 부하 회로(120b)는 저항 대신 인덕터(L3)를 구비한다. 전계효과 트랜지스터(FET5)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 저항이 변화될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET5)의 온 저항이 변화하면 전원전압(VDD)과 출력노드(NO) 사이의 임피던스가 변화된다. 따라서, 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)의 전압 이득이 조절된다. 또한, 전계효과 트랜지스터(FET5)는 제어신호(VCON)에 응답하여 온 또는 오프될 수 있다. 전계효과 트랜지스터(FET5)가 온되면 부하 회로(120b)에 포함되어 있는 인덕터(L3)의 임피던스와 전계효과 트랜지스터(FET5)의 온 저항에 의해 부하 임피던스가 정해지고, 전계효과 트랜지스터(FET5)가 오프되면 피드백 회로(120b)에 포함되어 있는 인덕터(L3)는 고유의 임피던스를 가진다.
본 발명의 하나의 실시예에 따른 피드백형 가변이득증폭기의 제어방법은 입력 전압신호를 수신하는 단계, 제어신호에 응답하여 피드백 임피던스를 변화시키는 단계, 상기 제어신호에 응답하여 부하 임피던스를 변화시키는 단계, 및 상기 피드백 임피던스와 상기 부하 임피던스에 기초하여 상기 입력 전압신호를 증폭하는 단계를 포함한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 6을 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 전계효과 트랜지스터들(FET6, FET7), 피드백 회로들(210, 230), 및 부하 회로들(220, 240)을 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET6)는 제 1 입력노드(NI1)로부터 입력 전압신호(VINP)를 수신하고 증폭하여 제 1 출력노드(NO1)에 출력한다. 제 1 피드백 회로(210)는 제 1 입력노드(NI1)와 제 1 출력노드(NO1) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 1 부하 회로(220)는 제 1 출력노드(NO1)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제 1 제어신호(VCON1)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다. 전계효과 트랜지스터(FET7)는 제 2 입력노드(NI2)로부터 입력 전압신호(VINM)를 수신하고 증폭하여 제 2 출력노드(NO2)에 출력한다. 제 2 피드백 회로(230)는 제 2 입력노드(NI2)와 제 2 출력노드(NO2) 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호(VCON2)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 2 부하 회로(240)는 제 2 출력노드(NO2)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호(VCON2)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
도 6의 피드백형 가변이득 증폭기(200)에서 제어신호(VCON1)와 제어신호(VCON1)는 동일한 신호일 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기(200)의 동작을 설명한다.
도 6의 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 차동 입력 신호쌍(VINP, VINM)을 증폭하여 차동 출력 신호쌍(VOM, VOP)을 발생시키는 증폭기이다.
도 6을 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 이득 조절을 위해 제어신호들(VCON1, VCON2)을 사용하여 피드백 회로들(210, 230)의 임피던스를 변화시킨다. 또한, 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 피드백 회로들(210, 230)의 임피던스를 변화시키는 동시에 제어신호들(VCON1, VCON2)을 사용하여 부하 회로들(220, 240)의 임피던스를 변화시킨다. 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 피드백 회로들(210, 230)과 부하 회로들(220, 240)의 임피던스를 변화시킴으로써 전압 이득을 변화시키고 변화된 전압이득으로 입력 전압 신호쌍(VINP, VINM)을 증폭하여 출력 전압 신호쌍(VOM, VOP)을 발생시킨다.
따라서, 수학식 1을 참조하면, 도 6에 도시된 본 발명의 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 피드백 임피던스(ZFB)와 동시에 부하 임피던스(ZL)를 조절함으로써 입력 임피던스(Zi)의 변화를 방지할 수 있다. 부하 임피던스(ZL)는 수학식 4를 이용하여 조절할 수 있다.
따라서, 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 제어신호(VCON)를 사용하여 부하 임피던스(ZL)를 조절함으로써 이득이 변화될 때 정재파비가 변화되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 피드백 회로(210)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 7을 참조하면, 제 1 피드백 회로(210a)는 입력노드(NI1)와 출력노드(NO1) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C5), 저항(R6), 및 인덕터(L4)를 구비한다. 또한, 제 1 피드백 회로(210a)는 저항(R6)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET8)를 구비한다.
도 7의 제 1 피드백 회로(210a)는 도 2의 피드백 회로(110a)와 동일하게 동작한다.
도 8은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 피드백 회로(210)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 8을 참조하면, 제 1 피드백 회로(210b)는 입력노드(NI1)와 출력노드(NO1) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C4), 저항(R9), 및 인덕터(L14)를 구비한다. 또한, 피드백 회로(210b)는 입력노드(NI1)와 출력노드(NO1) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C6), 저항(R7), 전계효과 트랜지스터(FET9), 저항(R8), 및 커패시터(C7)를 구비한다. 전계효과 트랜지스터(FET9)는 제어신호(VCON1)에 응답하여 동작한다.
도 8의 제 1 피드백 회로(210b)는 도 3의 피드백 회로(110b)와 동일하게 동작한다.
도 9는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 부하 회로(220)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 9를 참조하면, 제 1 부하 회로(220a)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO1) 사이에 결합된 저항(R10), 및 저항(R10)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET10)를 구비한다.
도 9의 제 1 부하 회로(220a)는 도 4의 부하 회로(120a)와 동일하게 동작한다.
도 10은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 1 부하 회로(220)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 10을 참조하면, 제 1 부하 회로(220b)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO1) 사이에 결합된 인덕터(L5), 및 인덕터(L5)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET11)를 구비한다.
도 10의 제 1 부하 회로(220b)는 도 5의 부하 회로(120b)와 동일하게 동작한다.
도 11은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 피드백 회로(230)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 11을 참조하면, 제 2 피드백 회로(230a)는 입력노드(NI2)와 출력노드(NO2) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C9), 저항(R11), 및 인덕터(L6)를 구비한 다. 또한, 제 2 피드백 회로(230a)는 저항(R11)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON2)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET12)를 구비한다.
도 11의 제 2 피드백 회로(230a)는 도 2의 피드백 회로(110a)와 동일하게 동작한다.
도 12는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 피드백 회로(230)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 12를 참조하면, 피드백 회로(230b)는 입력노드(NI2)와 출력노드(NO2) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C12), 저항(R14), 및 인덕터(L7)를 구비한다. 또한, 피드백 회로(230b)는 입력노드(NI2)와 출력노드(NO2) 사이에 직렬로 결합된 커패시터(C10), 저항(R12), 전계효과 트랜지스터(FET13), 저항(R813, 및 커패시터(C11)를 구비한다. 전계효과 트랜지스터(FET13)는 제어신호(VCON2)에 응답하여 동작한다.
도 12의 제 2 피드백 회로(230b)는 도 3의 피드백 회로(110b)와 동일하게 동작한다.
도 13은 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 부하 회로(240)의 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 13을 참조하면, 제 2 부하 회로(240a)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO2) 사이에 결합된 저항(R15), 및 저항(R15)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON2)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET14)를 구비한다.
도 13의 제 2 부하 회로(240a)는 도 4의 부하 회로(120a)와 동일하게 동작한다.
도 14는 도 6의 피드백형 가변이득 증폭기에 포함되어 있는 제 2 부하 회로(240)의 다른 하나의 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 14를 참조하면, 제 2 부하 회로(240b)는 전원전압(VDD)과 출력노드(NO2) 사이에 결합된 인덕터(L8), 및 인덕터(L8)의 양단에 결합되어 있고 제어신호(VCON2)에 응답하여 동작하는 전계효과 트랜지스터(FET15)를 구비한다.
도 14의 제 2 부하 회로(240b)는 도 5의 부하 회로(120b)와 동일하게 동작한다.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내는 회로도이다.
도 15를 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 전계효과 트랜지스터들(FET16, FET17), 피드백 회로(310), 및 부하 회로(320)를 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET17)는 입력노드(NI)로부터 입력 전압신호(VIN)를 수신하고 증폭한다. 전계효과 트랜지스터(FET16)는 전계효과 트랜지스터(FET17)의 드레인과 출력노드(NO) 사이에 결합되어 있고 바이어스 전압(VBIAS)이 인가되는 제어단자를 가진다. 피드백 회로(310)는 입력노드(NI)와 출력노드(NO) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 부하 회로(320)는 출력노드(NO)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
피드백 회로(310)는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)에 포함된 피드백 회로(110)와 동일한 구성을 가질 수 있으며, 부하 회로(320)는 도 1의 피드백형 가 변이득 증폭기(100)에 포함된 부하 회로(120)와 동일한 구성을 가질 수 있다.
이하, 도 15에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기(300)의 동작을 설명한다.
도 15를 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 이득 조절을 위해 제어신호(VCON)를 사용하여 피드백 회로(310)의 임피던스를 변화시킨다. 또한, 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 피드백 회로(310)의 임피던스를 변화시키는 동시에 제어신호(VCON)를 사용하여 부하 회로(320)의 임피던스를 변화시킨다. 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 피드백 회로(310)와 부하 회로(320)의 임피던스를 변화시킴으로써 전압 이득을 변화시키고 변화된 전압이득으로 입력 전압 신호(VIN)를 증폭하여 출력 전압 신호(VO)를 발생시킨다.
따라서, 도 15의 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 피드백 임피던스(ZFB)와 동시에 부하 임피던스(ZL)를 조절함으로써 수학식 1로 표현되는 입력 임피던스(Zi)의 변화를 방지할 수 있다.
도 15의 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)와 달리 전계효과 트랜지스터(FET17)의 드레인과 출력노드(NO) 사이에 바이어스 전압(VBIAS)이 인가되는 게이트를 가지는 전계효과 트랜지스터(FET16)가 결합되어 있다. 이와 같이, 캐스코드(casaode) 구조를 가지는 피드백형 가변이득 증폭기(300)는 전계효과 트랜지스터(FET17)의 드레인이 출력노드(NO)와 직접 연결되지 않으며 출력 임피던스가 크고 주파수 특성이 우수하다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기를 나타내 는 회로도이다.
도 16을 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(200)는 전계효과 트랜지스터들(FET18, FET19, FET20, FET21), 피드백 회로들(410, 430), 및 부하 회로들(420, 440)을 구비한다.
전계효과 트랜지스터(FET19)는 제 1 입력노드(NI1)로부터 입력 전압신호(VINP)를 수신하고 증폭한다. 전계효과 트랜지스터(FET18)는 전계효과 트랜지스터(FET19)의 드레인과 제 1 출력노드(NO1) 사이에 결합되어 있고 제 1 바이어스 전압(VBIAS1)이 인가되는 제어단자를 가진다. 제 1 피드백 회로(410)는 제 1 입력노드(NI1)와 제 1 출력노드(NO1) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 1 부하 회로(420)는 제 1 출력노드(NO1)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON1)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다. 전계효과 트랜지스터(FET21)는 제 2 입력노드(NI2)로부터 입력 전압신호(VINM)를 수신하고 증폭한다. 전계효과 트랜지스터(FET20)는 전계효과 트랜지스터(FET21)의 드레인과 제 2 출력노드(NO2) 사이에 결합되어 있고 제 2 바이어스 전압(VBIAS2)이 인가되는 제어단자를 가진다. 제 2 피드백 회로(430)는 제 2 입력노드(NI2)와 제 2 출력노드(NO2) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON2)에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시킨다. 제 2 부하 회로(440)는 제 2 출력노드(NO2)와 전원전압(VDD) 사이에 결합되어 있고 제어신호(VCON2)에 응답하여 변화하는 부하 임피던스를 발생시킨다.
피드백 회로들(410, 430)은 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)에 포함된 피드백 회로(110)와 동일한 구성을 가질 수 있으며, 부하 회로들(420, 440)은 도 1의 피드백형 가변이득 증폭기(100)에 포함된 부하 회로(120)와 동일한 구성을 가질 수 있다.
이하, 도 16에 도시된 본 발명의 제 4 실시예에 따른 피드백형 가변이득 증폭기(400)의 동작을 설명한다.
도 16를 참조하면, 피드백형 가변이득 증폭기(400)는 이득 조절을 위해 제어신호들(VCON1, VCON2)을 사용하여 피드백 회로들(410, 430)의 임피던스를 변화시킨다. 또한, 피드백형 가변이득 증폭기(400)는 피드백 회로들(410, 430)의 임피던스를 변화시키는 동시에 제어신호들(VCON1, VCON2)을 사용하여 부하 회로들(420, 440)의 임피던스를 변화시킨다. 피드백형 가변이득 증폭기(400)는 피드백 회로들(410, 430)과 부하 회로들(420, 440)의 임피던스를 변화시킴으로써 전압 이득을 변화시키고 변화된 전압이득으로 입력 전압 신호쌍(VINP, VINM)을 증폭하여 출력 전압 신호쌍(VOM, VOP)을 발생시킨다.
따라서, 도 16의 피드백형 가변이득 증폭기(400)는 피드백 임피던스(ZFB)와 동시에 부하 임피던스(ZL)를 조절함으로써 수학식 1로 표현되는 입력 임피던스(Zi)의 변화를 방지할 수 있다.
도 16의 피드백형 가변이득 증폭기(300)에서, 전계효과 트랜지스터(FET17)의 드레인과 제 1 출력노드(NO1) 사이에 제 1 바이어스 전압(VBIAS1)이 인가되는 게이트를 가지는 전계효과 트랜지스터(FET16)가 결합되어 있고, 전계효과 트랜지스터(FET21)의 드레인과 제 2 출력노드(NO2) 사이에 제 2 바이어스 전압(VBIAS2)이 인가되는 게이트를 가지는 전계효과 트랜지스터(FET16)가 결합되어 있다. 이와 같이, 캐스코드(casaode) 구조를 가지는 피드백형 가변이득 증폭기(400)는 전계효과 트랜지스터들(FET19, FET21)의 드레인이 출력노드들(NO1, ND2)과 직접 연결되지 않으며 출력 임피던스가 크고 주파수 특성이 우수하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 피드백형 가변이득 증폭기는 이득이 변화하여도 입력 임피던스가 변화되지 않고 정재파비가 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 피드백형 가변이득 증폭기는 피드백 회로의 임피던스뿐만 아니라 부하회로의 임피던스도 변화시킴으로써 이득 조절 범위가 넓다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (30)
- 입력노드로부터 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 출력노드에 출력하는 제 1 전계효과 트랜지스터;상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시키는 피드백 회로; 및상기 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 부하 임피던스를 발생시키는 부하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 항에 있어서,상기 부하 회로의 임피던스는 상기 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피드백 회로는상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 직렬로 결합된 커패시터, 저항, 및 인덕터; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 동작하는 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 저항(on-resistance)이 변화하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 또는 오프되는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 피드백 회로는상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 1 커패시터, 제 1 저항, 및 제 1 인덕터; 및상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 2 커패시터, 제 2 저항, 제 2 전계효과 트랜지스터, 제 3 저항, 및 제 3 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 저항(on-resistance)이 변화하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 또는 오프되는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 부하 회로는상기 제 1 전원전압과 상기 출력노드 사이에 결합된 저항; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 동작하는 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 저항(on-resistance)이 변화하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 또는 오프되는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 항에 있어서, 상기 부하 회로는상기 제 1 전원전압과 상기 출력노드 사이에 결합된 인덕터; 및상기 인덕터의 양단에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 동작하는 제 2 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 저항(on-resistance)이 변화하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 전계효과 트랜지스터는상기 제어신호에 응답하여 온 또는 오프되는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 입력노드로부터 제 1 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 제 1 출력노드에 출력하는 제 1 전계효과 트랜지스터;상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 제어신호에 응답하여 변화하는 제 1 피드백 임피던스를 발생시키는 제 1 피드백 회로;상기 제 1 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 상기 제 1 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 1 부하 임피던스를 발생시키는 제 1 부하 회로;제 2 입력노드로부터 상기 제 1 입력신호와 차동쌍을 이루는 제 2 입력 전압신호를 수신하고 증폭하여 제 2 출력노드에 출력하는 제 2 전계효과 트랜지스터;상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호에 응답하여 변화하는 제 2 피드백 임피던스를 발생시키는 제 2 피드백 회로; 및상기 제 2 출력노드와 상기 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 상기 제 2 피드백 임피던스의 변화에 따른 상기 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 2 부하 임피던스를 발생시키는 제 2 부하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 부하 회로의 임피던스는 상기 제 1 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 제 1 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하고, 상기 제 2 부하 회로의 임피던스는 상기 제 2 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 제 2 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 제어신호는 상기 제 2 제어신호와 동일한 신호인 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 피드백 회로는상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 직렬로 결합된 커패시터, 저항, 및 인덕터; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 피드백 회로는상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 1 커패시터, 제 1 저항, 및 제 1 인덕터; 및상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 2 커패시터, 제 2 저항, 제 3 전계효과 트랜지스터, 제 3 저항, 및 제 3 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 부하 회로는상기 전원전압과 상기 제 1 출력노드 사이에 결합된 저항; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 부하 회로는상기 전원전압과 상기 제 1 출력노드 사이에 결합된 인덕터; 및상기 인덕터의 양단에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 피드백 회로는상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 직렬로 결합된 커패시터, 저항, 및 인덕터; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 피드백 회로는상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 1 커패시터, 제 1 저항, 및 제 1 인덕터; 및상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 직렬로 결합된 제 2 커패시터, 제 2 저항, 제 3 전계효과 트랜지스터, 제 3 저항, 및 제 3 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 부하 회로는상기 전원전압과 상기 제 2 출력노드 사이에 결합된 저항; 및상기 저항의 양단에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 2 부하 회로는상기 전원전압과 상기 제 2 출력노드 사이에 결합된 인덕터; 및상기 인덕터의 양단에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 동작하는 제 3 전계효과 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 입력노드로부터 입력 전압신호를 수신하고 증폭하는 제 1 전계효과 트랜지스터;상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 출력노드 사이에 결합되어 있고 바이어스 전압이 인가되는 제어단자를 가지는 제 2 전계효과 트랜지스터;상기 입력노드와 상기 출력노드 사이에 결합되어 있고 제어신호에 응답하여 변화하는 피드백 임피던스를 발생시키는 피드백 회로; 및상기 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 부하 임피던스를 발생시키는 부하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 26 항에 있어서,상기 부하 회로의 임피던스는 상기 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 1 입력노드로부터 제 1 입력 전압신호를 수신하고 증폭하는 제 1 전계효과 트랜지스터;상기 제 1 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 바이어스 전압이 인가되는 제어단자를 가지는 제 2 전계효과 트랜지스터;상기 제 1 입력노드와 상기 제 1 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 1 제어신호에 응답하여 변화하는 제 1 피드백 임피던스를 발생시키는 제 1 피드백 회로;상기 제 1 출력노드와 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 1 제어신호에 응답하여 상기 제 1 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 1 부하 임피던스를 발생시키는 제 1 부하 회로;제 2 입력노드로부터 상기 제 1 입력신호와 차동쌍을 이루는 제 2 입력 전압신호를 수신하고 증폭하는 제 3 전계효과 트랜지스터;상기 제 3 전계효과 트랜지스터의 제 1 출력단자와 제 2 출력노드 사이에 결 합되어 있고 제 2 바이어스 전압이 인가되는 제어단자를 가지는 제 4 전계효과 트랜지스터;상기 제 2 입력노드와 상기 제 2 출력노드 사이에 결합되어 있고 제 2 제어신호에 응답하여 변화하는 제 2 피드백 임피던스를 발생시키는 제 2 피드백 회로; 및상기 제 2 출력노드와 상기 전원전압 사이에 결합되어 있고 상기 제 2 제어신호에 응답하여 상기 제 2 피드백 임피던스의 변화에 따른 상기 입력 임피던스의 변화를 상쇄하도록 변화하는 제 2 부하 임피던스를 발생시키는 제 2 부하 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 제 28 항에 있어서,상기 제 1 부하 회로의 임피던스는 상기 제 1 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 제 1 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하고, 상기 제 2 부하 회로의 임피던스는 상기 제 2 피드백 회로의 임피던스가 증가할 때 증가하고, 상기 제 2 피드백 회로의 임피던스가 감소할 때 감소하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기.
- 입력 전압신호를 수신하는 단계;제어신호에 응답하여 피드백 임피던스를 변화시키는 단계;상기 제어신호에 응답하여 상기 피드백 임피던스의 변화에 따른 입력 임피던 스의 변화를 상쇄하도록 부하 임피던스를 변화시키는 단계; 및상기 피드백 임피던스와 상기 부하 임피던스에 기초하여 상기 입력 전압신호를 증폭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피드백형 가변이득 증폭기의 제어방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060046892A KR100705326B1 (ko) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | 피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 |
US11/753,739 US7633337B2 (en) | 2006-05-25 | 2007-05-25 | Feedback-type variable gain amplifier and method of controlling the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060046892A KR100705326B1 (ko) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | 피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100705326B1 true KR100705326B1 (ko) | 2007-04-10 |
Family
ID=38161277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060046892A KR100705326B1 (ko) | 2006-05-25 | 2006-05-25 | 피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7633337B2 (ko) |
KR (1) | KR100705326B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101678786B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2016-12-06 | 충북대학교 산학협력단 | Rf 부성 저항 탱크와 트랜스포머 피드백을 이용한 주입동기 주파수 분배기 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8200179B1 (en) * | 2008-10-07 | 2012-06-12 | Lattice Semiconductor Corporation | Combined variable gain amplifier and analog equalizer circuit |
WO2010129065A2 (en) * | 2009-05-06 | 2010-11-11 | Mindspeed Technologies, Inc. | Variable gain amplifier |
US7973602B2 (en) * | 2009-05-06 | 2011-07-05 | Mindspeed Technologies, Inc. | Variable gain amplifier |
WO2011023210A1 (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Verigy ( Singapore) Pte. Ltd. | Adjustable gain amplifier, automated test equipment and method for adjusting a gain of an amplifier |
US8258869B2 (en) * | 2010-08-01 | 2012-09-04 | Quintic Holdings | Low noise amplifier with current bleeding branch |
JP5228017B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 高周波差動増幅回路 |
DE102011013107B3 (de) * | 2011-03-04 | 2012-05-31 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektronische Vorrichtung und Verfahren für einen Verstärker mit resistiver Rückkopplung |
US9035698B2 (en) | 2013-09-04 | 2015-05-19 | Oracle International Corporation | Gain calibration of a high speed amplifier |
US9602064B2 (en) * | 2014-06-28 | 2017-03-21 | Skyworks Solutions, Inc. | Switchable feedback circuit for radio-frequency power amplifiers |
US10097908B2 (en) | 2014-12-31 | 2018-10-09 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | DC-coupled laser driver with AC-coupled termination element |
US10044328B2 (en) | 2015-07-20 | 2018-08-07 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Transimpedance amplifier with bandwidth extender |
JP6470213B2 (ja) * | 2016-03-16 | 2019-02-13 | 日本電信電話株式会社 | 可変利得増幅器 |
JP6845461B2 (ja) | 2016-07-28 | 2021-03-17 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路 |
EP3507924A4 (en) | 2016-08-30 | 2020-04-08 | MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | DRIVER WITH DISTRIBUTED ARCHITECTURE |
US10630052B2 (en) | 2017-10-04 | 2020-04-21 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Efficiency improved driver for laser diode in optical communication |
US10263815B1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-04-16 | Xilinx, Inc. | Continuous time linear equalization |
CN110690862A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 天工方案公司 | 放大器线性度提升电路和用于后失真反馈消除的方法 |
US11005573B2 (en) | 2018-11-20 | 2021-05-11 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Optic signal receiver with dynamic control |
US10879851B2 (en) | 2019-04-30 | 2020-12-29 | Northrop Grumman Systems Corporation | Low noise amplifier with noise cancellation |
US10715088B1 (en) * | 2019-04-30 | 2020-07-14 | Northrop Grumman Systems Corporation | Wideband low noise amplifier with noise cancellation |
US11022629B2 (en) | 2019-07-29 | 2021-06-01 | Analog Devices, Inc. | Low-glitch range change techniques |
US20210359646A1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | Richwave Technology Corp. | Amplifier Circuit |
US11418163B1 (en) | 2020-06-11 | 2022-08-16 | Marvell Asia Pte Ltd. | Constant-bandwidth linear variable gain amplifier |
US12013423B2 (en) | 2020-09-30 | 2024-06-18 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | TIA bandwidth testing system and method |
US11658630B2 (en) | 2020-12-04 | 2023-05-23 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Single servo loop controlling an automatic gain control and current sourcing mechanism |
US20230082519A1 (en) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | Apple Inc. | Amplifier Circuitry with Gain Adjustments and Input Matching |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06232643A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Nec Corp | 帰還増幅回路 |
JPH11150435A (ja) | 1997-08-01 | 1999-06-02 | Sony Internatl Europ Gmbh | 利得制御rf信号増幅器 |
KR19990042066A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 정선종 | 가변이득 증폭기 |
JP2004072518A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 増幅器 |
JP2004159195A (ja) | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10219502A (ja) | 1997-01-31 | 1998-08-18 | Toshio Sugihara | トルマリン含有くつした |
JPH11214932A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 増幅回路およびこれを用いた携帯電話器 |
JP2000261265A (ja) | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Toshiba Microelectronics Corp | 帰還型可変利得増幅回路 |
US6882226B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-04-19 | Integrant Technologies Inc. | Broadband variable gain amplifier with high linearity and variable gain characteristic |
KR100441437B1 (ko) | 2002-05-16 | 2004-07-23 | 인티그런트 테크놀로지즈(주) | 피드백 가변 이득 증폭기 |
US7268628B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-09-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Preamplifier |
US20070024377A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Xuezhen Wang | Impedance matching techiques for multi-band or wideband RF amplifiers and associated amplifier designs |
-
2006
- 2006-05-25 KR KR1020060046892A patent/KR100705326B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-05-25 US US11/753,739 patent/US7633337B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06232643A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Nec Corp | 帰還増幅回路 |
JPH11150435A (ja) | 1997-08-01 | 1999-06-02 | Sony Internatl Europ Gmbh | 利得制御rf信号増幅器 |
KR19990042066A (ko) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | 정선종 | 가변이득 증폭기 |
JP2004072518A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Alps Electric Co Ltd | 増幅器 |
JP2004159195A (ja) | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101678786B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2016-12-06 | 충북대학교 산학협력단 | Rf 부성 저항 탱크와 트랜스포머 피드백을 이용한 주입동기 주파수 분배기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080055005A1 (en) | 2008-03-06 |
US7633337B2 (en) | 2009-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100705326B1 (ko) | 피드백형 가변이득 증폭기 및 그 제어방법 | |
US7420423B2 (en) | Active balun device | |
CN100481713C (zh) | 可变增益放大器 | |
US7586373B2 (en) | Fully differential class AB amplifier and amplifying method using single-ended, two-stage amplifier | |
US6882226B2 (en) | Broadband variable gain amplifier with high linearity and variable gain characteristic | |
KR100946815B1 (ko) | 프로그램 가능한 저잡음 증폭기 및 방법 | |
US7292098B2 (en) | Operational amplifier | |
US20100066449A1 (en) | Three-stage frequency-compensated operational amplifier for driving large capacitive loads | |
WO2003094344B1 (en) | Improved variable gain amplifier | |
US20080036538A1 (en) | Rail-to-rail class ab amplifier | |
US20090072905A1 (en) | Variable gain amplifier having wide gain variation and wide bandwidth | |
KR102133926B1 (ko) | 낮은 위상 변화를 갖는 광대역 가변 이득 증폭기 | |
US6819168B1 (en) | Integrator with high gain and fast transient response | |
KR100499787B1 (ko) | 스위치 모드 동작을 하는 선형성이 우수한 광대역 가변이득 증폭기 | |
US9136806B2 (en) | Amplifier circuit | |
US6980055B2 (en) | CMOS differential buffer circuit | |
JP2010233084A (ja) | 差動増幅器 | |
JP4758624B2 (ja) | 利得可変型増幅器 | |
KR100953243B1 (ko) | 차동 단상 변환 회로 | |
US7449951B2 (en) | Low voltage operational amplifier | |
JP2006279599A (ja) | 増幅回路 | |
US6937100B2 (en) | Amplifier circuit with common mode feedback | |
WO2006095416A1 (ja) | 減衰器を備えた高周波増幅器 | |
KR101350555B1 (ko) | 부궤환 저잡음 증폭기 | |
US7876161B2 (en) | Amplifier circuit having first amplifying section and second amplifying section |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment | ||
FPAY | Annual fee payment | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |