KR100695031B1 - 전자 반도체 모듈 - Google Patents

전자 반도체 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR100695031B1
KR100695031B1 KR1020007009911A KR20007009911A KR100695031B1 KR 100695031 B1 KR100695031 B1 KR 100695031B1 KR 1020007009911 A KR1020007009911 A KR 1020007009911A KR 20007009911 A KR20007009911 A KR 20007009911A KR 100695031 B1 KR100695031 B1 KR 100695031B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling body
semiconductor module
insulating layer
metal
substrate
Prior art date
Application number
KR1020007009911A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010041692A (ko
Inventor
코엘레게르하드
자코브울프강
츠첸츠체르하랄드
레에즈스테프한
Original Assignee
로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로베르트 보쉬 게엠베하 filed Critical 로베르트 보쉬 게엠베하
Publication of KR20010041692A publication Critical patent/KR20010041692A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100695031B1 publication Critical patent/KR100695031B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/645—Inductive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

전기 절연층, 상기 절연층의 상부면에 배치되며 구조화에 의해 프린트 도체가 형성되어 있는 금속층, 및 상기 절연층의 하부면에 제공된 금속 냉각 바디를 갖는 지지 기판과; 상기 지지 기판 상에 배치된 적어도 하나의 반도체 소자를 포함하는 전자 반도체 모듈에서 열 전도를 개선시키고 기생 인덕턴스를 감소시키기 위해, 상기 전기 절연층이 적어도 하나의 리세스를 가지고, 지지 기판과는 반대면을 향한 떨어진 반도체 소자의 상부면에 제공되는 적어도 하나의 접속면이, 상기 리세스를 통해 금속 냉각 바디에 직접 접촉되는 접점 소자에 도전 접속된다.
전기 절연층, 금속층, 지지 기판, 금속 냉각 바디, 리세스, 접점 소자

Description

전자 반도체 모듈 {Electronic semiconductor module}
본 발명은 청구항 제 1 항의 전제부에 따른 전자 반도체 모듈에 관한 것이다.
상기 방식의 반도체 모듈은 지지 기판으로서 소위 IMS 기판(insulated metal substrate)을 가지며, 상기 기판은 냉각 바디로서 사용되는 금속 플레이트로 이루어지며, 상기 금속 플레이트는 그 상부면에 전기 절연층, 및 상기 절연층상에 제공되는 얇은 금속층을 갖는다. 상기 절연층은 양호한 열 전도성을 가지며 예컨대 얇은 중합체층으로 이루어지며, 열 방출을 개선시키기 위해 상기 중합체층 내로 세라믹 분말이 삽입된다. 금속층의 구조화에 의해 기판의 상부면에는 프린트 도체(printed conductor)가 형성되어 있다. 전자 반도체 소자는 상부면에 장착되어, 본딩 와이어를 통해 프린트 도체에 도전 접속된다. IMS기판의 사용시 장점은 특히 반도체 소자에 의해 발생된 열이 비교적 얇고 양호한 열 전도성 절연층을 통해 금속 냉각 바디로 양호하게 방출된다는 데 있다.
상기 ISM 기판 이외에도 전자 반도체 모듈에 소위 DCB 기판(Direct copper bonded)의 사용이 공지되어 있다. 이는 예컨대, 에이치.디이 람빌리, 에이치. 케저(H.de Lambily,H.Keser); 파워 모듈의 잘못된 분석 : 거대 IGBTS의 패키지 및 신뢰도의 조사(Failure analysis of Power Modules: A look at the packaging and reliability of large IGBTS), IEEE/CHMT Int. 일렉트로닉스 매뉴팩쳐링 테크놀로지 심포지움(Electronics Manufacturing Technology Symposium) 1992, 366 페이지에 나와 있다. 상기 DCB기판은 비교적 두꺼운 세라믹 지지층으로 이루어지며, 상기 지지층의 상부 및 하부면에는 각각 얇은 금속층이 특수한 프레스 공정에 의해 제공된다. 상부 금속층에는 구조화에 의해 프린트 도체가 제공된다. 반도체 소자들은 모듈의 상부면에서 본딩 와이어를 통해 프린트 도체에 접속된다. 상기 지지 기판의 하부 금속층상에는 히트 싱크(heat sink)로서 사용되는 두꺼운 금속 플레이트가 납땜된다. 또한 EP 0 508 717 A1 에는 냉매가 관류하는 냉각 채널을 갖는 금속 플레이트가 공지되어 있다. 상기 IMS 기판에 비해 DCB 기판의 단점은 특히 냉각 바디로의 열 전달을 어렵게 하는 두꺼운 세라믹층에 있다.
전술한 알려진 반도체 모듈의 단점은 반도체 소자의 모든 접속 라인(terminal connector)이 지지 기판의 표면에서 형성된다는 데 있다. 따라서, 프린트 도체 경로들이 상기 한 위치에 집적되므로 매우 복잡해진다. 높은 집적도를 갖는 전자 회로에 있어서, 필요한 모든 프린트 도체 와이어링을 지지 기판의 상부면에 배치하기 위해서는 값비싼 기판이 측면에서 확장되어야만 한다. 따라서, 제조 비용은 매우 비싸진다. 특히 모든 접속 라인이 기판의 상부 금속층에 배치됨으로써 매우 큰 과전압을 일으키는 큰 기생 인덕턴스가 발생된다는 단점이 있다. 특히 이것은 지지 기판 위에 직류 전압 회로를 갖는 파워 전자 회로가 배치될 경우 단점으로 작용한다. 상기 기생 인덕턴스는 바람직하지 않은 과전압을 일으키며, 상기 과전압은 반도체 소자의 선택시 고려되어야만 한다. 따라서, 예컨대 전자 파워 스위치의 차단 과정은, 과전압을 감소시키고 반도체 모듈의 손상을 방지하기 위해, 적합한 조치에 의해 느려져야만 한다.
청구항 제 1 항의 특징을 갖는 본 발명에 따른 반도체 모듈에 의해, 알려진 문제점들이 방지된다. 바람직하게는 반도체 소자에 의해 발생된 열의 양호한 열 방출이 달성되고 동시에 반도체 모듈의 기생 인덕턴스가 상당히 감소된다. 반도체 모듈의 지지 기판으로는 IMS 기판이 사용되며, 상기 IMS 기판의 절연 중간층은 적어도 하나의 리세스를 가지며 상기 지지 기판으로부터 떨어진 반도체 소자의 상부면에 제공된 반도체 소자의 적어도 하나의 접속면(terminal face)이 접점 소자와 도전 접속된다. 상기 접점 소자는 리세스를 통해 금속 냉각 바디에 직접 접촉된다. 상기 냉각 바디가 접점 소자에 의해 반도체 소자의 접속부(terminal)에 직접 접속되는 전기 도체로서 사용됨으로써 반도체 모듈의 기생 인덕턴스가 현저히 감소될 수 있다. 또한 금속 냉각 바디가 반도체 소자의 작동을 위해 필요한 에너지의 공급용 도체로서 사용되기 때문에, 프린트 도체 와이어링이 쉬워진다. 기판의 상부면에 있는 프린트 도체와 냉각 바디 사이의 매우 얇은 전기 절연층 또는 매우 얇은 유전체에 의해 기생 인덕턴스가 더욱 줄어들고 동시에 냉각 바디로의 매우 신속하고 효과적인 열 방출이 달성된다.
본 발명의 바람직한 실시예 및 개선예는 종속항에 제시되어 있다.
바람직하게 상기 접점 소자는, 한편으로는 반도체 소자의 접속부에 접속되며, 다른 한편으로는 금속 냉각 바디에 접속된 본딩 와이어로서 제조될 수 있다. 본딩 와이어 기술을 양호하게 이용하여, 상기 본딩 와이어를 냉각 바디에 직접 접촉시키기 위해서, 단지 절연 중간층 내에 작은 리세스만을 형성하면 되는데, 이는 레이저에 의해 저렴한 비용으로 실행될 수 있다.
바람직하게는 금속 냉각 바디는 반도체 소자의 작동을 위해 필요한 공급 전위, 특히 접지 전위의 공급을 위한 전위면으로서 제공될 수 있다.
가능한 양호한 열 방출 및 기생 인덕턴스의 감소를 달성하기 위해, 바람직하게는 절연층의 두께가 250 ㎛ 보다 작고 0 ㎛ 보다 크게 형성될 수 있다.
특히 효과적인 열 방출은 금속 냉각 바디가 냉매에 결합됨으로써 달성될 수 있다. IMS 기판의 금속 냉각 바디가, 냉매가 관류하는 냉각 채널을 가지는 것이 매우 바람직하다.
중간 회로 커패시터를 구비한 직류 전압 중간 회로에서, 커패시터의 플러스 접속부는 기판의 상부면 상의 금속층의 프린트 도체에 접속되고 마이너스 접속부는 금속 냉각 바디에 직접 접속되는 것이 바람직하다. 이로 인해 기생 인덕턴스가 더욱 감소될 수 있다.
본 발명의 실시예는 도면에 도시되며 하기의 설명부에서 더 자세히 설명된다.
도 1은 종래 기술에 알려진 반도체 모듈.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 모듈의 제 1 실시예.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 모듈의 제 2 실시예.
도 4는 도 1, 도 2 및 도 3에 도시된 강압 변환기(step-down converter)의 반도체 모듈의 회로도.
도 1은 종래 기술에 알려진 반도체 모듈을 도시한다. 지지 기판(1)으로서 DCB 기판(direct copper bonded)이 사용되며, 상기 기판은 약 1 밀리미터 두께의 세라믹 층(2)을 포함하고, 상기 세라믹 층(2)의 상부면 및 하부면은 구리로 이루어진 약 300 ㎛ 두께의 금속층(4, 5)으로 코팅된다. 또한 IMS 기판(insulated metal substrate)의 사용이 공지되어 있으며, 상기 기판은 얇은 절연층을 가지고, 상기 절연층의 상부면에는 금속층이 제공되고 하부면에는 금속 냉각 바디가 직접 제공된다. 상부 금속층(4)에는 구조화에 의해 프린트 도체들(4a, 4b, 4c)이 형성된다. 하우징이 없는(non-housed) 반도체 소자(20, 21), 예컨대 MOSFET, 파워 다이오드, IGBT 또는 바이폴라 트랜지스터는 금속층(4)에 제공된다. 반도체 소자(20, 21)의 하부면에 있는 도시되지 않은 접속부는 예컨대 하우징이 없는 반도체 소자(20, 21)의 납땜에 의해 프린트 도체(4a, 4c)에 도전 접속된다. 또한, 반도체 소자는 반도체 소자의 상부면상의 접속면(22, 23)에 접촉하는 본딩 와이어(11, 14)를 통해 추가 프린트 도체(4b, 4c)에 도전 접속된다. 지지 기판(1)의 하부면에 있는 금속층(5)상에는 예컨대 구리로 이루어진 금속 냉각 바디(3)가 납땜된다. 상기 냉각 바디(3)의 하부면에는 냉매(10), 예컨대 냉각 유체가 접촉된다. 예컨대 커패시터(30)와 같은 추가 전기 소자들은 도전 접속부(40, 41) 및 금속 브리지(42, 43)를 통해 프린트 도체(4a, 4b)에 접속된다.
하기에, 전술한 반도체 모듈의 단점들이 강압 변환기(step-down converter)와 관련하여 설명된다. 그러나, 그 단점들은 상기 반도체 모듈에 의해 구현된, 예컨대 직류 컨버터, 정류기, 인버터, 절연 변환기, 순방향 변환기 등과 같은 직류 전압 회로를 갖는 모든 파워 전자 회로에서 나타난다. 강압 변환기의 회로도가 도 4에 도시되며, 상기 반도체 모듈의 전자 및 전기 소자들은 이점 쇄선(50) 내에 도시된다. 작동 전위의 접속부(B+)는 도 1의 프린트 도체(4a)에 접속되며, 접속부(B-)는 프린트 도체(4b)에 접속된다. 위상 접속부(P)는 프린트 도체(4c)에 접속된다. 반도체 소자(21)는 이 실시예에서는 예컨대 MOSFET과 같은 파워 스위치이며, 소자(20)는 반도체 다이오드이다. 상기 파워 스위치(21)가 차단될 경우, 전류는 MOSFET(21)로부터 다이오드(20)로 정류된다. 차단시 MOSFET에서 강하하는 전압(UMOSFET)에 대해,
UMOSFET = U1-(L1+L2+L4+L5+L6+L7)·dI1/dt 및 dI1/dt < 0 이 적용되며,
상기 식에서, U1 는 프린트 도체들(4a, 4b) 사이의 반도체 모듈에 인가된 중간 회로 전압이고, L1 내지 L7 는 발생하는 기생 인덕턴스이다. 상기 식에 따르면, 기생 인덕턴스(L1 내지 L7)에서의 전압 강하는 차단시 MOSFET 에서 과전압을 초래하며, 상기 과전압은 중간 회로 전압(U1) 보다 더 크다. 이 때문에, 차단 과정은 추가 조치에 의해 지연되어, MOSFET 의 최대 차단 전압이 초과되지 않아야 한다. 기생 인덕턴스(L1 내지 L7)가 커질수록 바람직하지 않은 과전압도 커진다. 도 4에 도시된 기생 인덕턴스는 도 1의 반도체 모듈의 구조에 직접 할당될 수 있다. 도 1에서, 기생 인덕턴스(L1)는 중간 회로 커패시터(30)의 플러스 극(32)의 전기 접속 라인(40)에 의해 형성된다. 기생 인덕턴스(L2)는 접속 링크(terminal link)(43) 및 프린트 도체(4a)에 의해 형성된다. 기생 인덕턴스(L3, L5)는 MOSFET(21)으로부터 반도체 다이오드(20)로의 도전 접속에 의해, 즉 본딩 와이어(11) 및 프린트 도체(4c)에 의해 형성된다. 기생 인덕턴스(L6)는 프린트 도체(4b) 및 접속 링크(42)에 의해 형성되고, 기생 인덕턴스(L7)는 중간 회로 커패시터(30)의 접속 라인(41)에 의해 형성된다. 프린트 도체(4c)에 대한 접점(P)의 접속을 위한 기생 인덕턴스(L4)는 도 1에 도시되지 않는다. 중간 회로 바(circuit bar; 45)에서 밀접하게 배치된 접속 라인(40, 41)에 의해, 인덕턴스(L1, L7)는 도 1에서 볼 수 있듯이 약간 감소될 수 있지만, 반도체 모듈의 B+ 접속부와 B- 접속부 사이에, 즉 접속 링크들(43 및 42) 사이에 매우 큰 면이 있기 때문에, 기생 인덕턴스(L2 및 L6)의 값은 커지고, 상기 값은 구조의 최적화에 의해 현저히 감소될 수 없다. 또한 상부 금속층(4)에 전위 접속부(B+ 및 B-)를 배치함으로써 프린트 도체(4c)를 반도체 소자(20)에 접속하는 것은 어렵게 되며, 이것은 큰 기생 인덕턴스(L3 및 L5)를 야기한다. 기생 인덕턴스(L1 내지 L7)는 종래 기술에 알려진 반도체 모듈에서는 더 이상 감소될 수 없으며, 이것은 전술한 단점들을 야기한다.
도 2에는 본 발명에 따른 반도체 모듈의 제 1 실시예가 도시된다. 이 실시예에서의 장점은 강압 변환기와 관련하여 설명된다. 그러나, 그 장점들은 직류 전압 회로를 갖는, 모든 전위 접속식 또는 전위 차단식 파워 전자 회로에서 나타난다. 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 모듈을 위한 지지 기판(1)으로는 공지되어 있는 IMS 기판이 사용되며, 상기 기판은 예컨대 알루미늄으로 이루어진 수 밀리미터 두께의 금속 냉각 바디(3)를 포함하며, 상기 냉각 바디(3)의 상부면에는 전기 절연층(2)이 제공된다. 상기 전기 절연층은 이 실시예에서는 140 ㎛ 두께로 형성되고 250 ㎛ 보다 두꺼워서는 안된다. 상기 절연층은 바람직하게는 중합체로 이루어지며, 상기 중합체 내로 열 전도가 잘되는 세라믹 입자에 삽입된다. 상기 절연층(2) 상에는 예컨대 구리로 이루어진 대략 300 ㎛ 두께의 금속층(4)이 제공되며, 상기 금속층(4) 내에 알려진 방식으로 구조화에 의해 프린트 도체(4a, 4c)가 형성된다. 상기 금속 냉각 바디(3)는 그 하부면에서 냉매(10)와 열접촉한다. 상기 금속층(4)에는 하우징이 없는 반도체 소자(20, 21)가 제공된다. 그러나, 다른 전기 및/또는 전자 소자들, 예컨대 하우징이 있는 반도체 소자가 반도체 모듈상에 제공될 수도 있다. 여기에 도시된 실시예에서 상기 반도체 소자(21)는 MOSFET 이고 반도체 소자(20)는 반도체 다이오드이다. 다른 회로 구조에서, MOSFET 대신에 IBGT, 바이폴라 트랜지스터 또는 다른 반도체 소자가 사용될 수 있다. 반도체 다이오드 대신에 스위칭 가능한 파워 반도체, 예컨대 바이폴라 트랜지스터, MOSFET 또는 IBGT가 사용될 수 있다. MOSFET(21)는 하부면에서 프린트 도체(4a)에 전기 접촉된다. 지지 기판(1)으로부터 떨어진, MOSFET(21)의 상부면에는 도 2에 하나만 도시된 두 개의 접속면(23)이 배치된다. 상기 접속면(23)은 본딩 와이어(11)에 접촉되며, 상기 본딩 와이어(11)의 다른 단부는 프린트 도체(4c)에 접속된다. 상기 반도체 다이오드(20)는 하부면에 제 1 접속면을 가지며, 상기 접속면은 프린트 도체(4c)에 도전 접속된다. 반도체 다이오드(20)의 제 2 접속면(22)은 지지 기판(1)으로부터 떨어진 반도체 다이오드의 측면에 배치되고 본딩 와이어(12)로서 형성된 접점 소자에 접속된다. 상기 본딩 와이어(12)는 프린트 도체(4c 및 4a) 사이의 갭을 통해, 그리고 절연층(2) 내에 형성된 리세스(13)를 통해 냉각 바디(3)에 직접 도전 접속된다. 여기서, 직접 접속이라는 것은 다른 소자들의 중간 접속 없는 접속을 말한다. 상기 리세스(13)는 예컨대 3 mm의 직경을 가지며 간단한 방식으로 레이저에 의해 절연층(2) 내에 형성될 수 있다. DCB 기판에서와는 달리 지지 기판(1)의 안정성이 금속 기판(3)에 의해 보장되고, 따라서 절연층(2) 내에 형성된 리세스(13)에 의해 감소되지 않는다. 도 2에서 중간 회로 커패시터(30)의 플러스 극(32)은 냉각 바디(3) 및 절연층(2) 내에 제공된 리세스(33)를 통해 지지 기판(1)의 상부면상의 프린트 도체(4a)에 예컨대 나사 또는 리벳에 의해 접속된다. 상기 중간 회로 커패시터(30)의 마이너스 극(31)은 냉각 바디(3)에 접속된다. 도 4에 회로도로 도시된, 도 2의 강압 변환기에서, 공급 전위(B+)는 프린트 도체(4a)에 접속되고 접지 전위(B-)는 냉각 바디(3)에 접속된다. 특히 자동차에 사용되는 반도체 모듈에서 파워 반도체 소자의 접속부는 종종 접지 전위에 접속됨으로써, 냉각 바디(3)는 절연 중간층 없이 직접 B- 전위에 접속될 수 있다. 상기 냉각 바디(3)를 접지 전위(B-) 공급용 도체로 사용함으로써 전위(B+ 및 B-) 사이에 있는 면은 도 1의 알려진 반도체 모듈과 비교해 볼 때 매우 축소되고 기생 인덕턴스(L2 및 L6)는 매우 감소된다. 상부 금속층(4)은 거의 전위(B+) 만을 안내한다. 프린트 도체(4c)용 면, 그리고 프린트 도체들 사이의 갭만이 형성되면 된다. 매우 얇은 절연층(2)에 의해 기생 인덕턴스(L1 및 L7)는 도 1의 반도체 모듈의 중간 회로 바아에 의해서보다 훨씬 크게 감소될 수 있다. 또한 바람직하게 본 발명에 따른 반도체 모듈에서는, 반도체 소자(20, 21)에 의해 발생된 열이 얇은 양호한 열 전도성 절연층(2)을 통해 매우 신속하게 냉각 바디(3)로 방출되고 거기로부터 냉매(10)로 전달된다.
B- 전위에 접속될 수 있는 추가의 전기 및/또는 전자 소자들이 제공될 경우, 절연층(2)은 추가 위치에서 리세스를 가지며 관련 소자들은 각각 상기 리세스를 통해 안내된 본딩 와이어를 통해 냉각 바디에 접촉된다. 따라서, 바람직하게는 모든 소자들의 접지 접속부가 공동의 냉각 바디(3)에 의해 구현될 수 있다. 이로 인해 기판의 상부면에 프린트 도체 경로를 형성하는 것이 매우 용이해진다.
도 3에는 본 발명에 따른 반도체 모듈의 추가 실시예가 도시된다. 동일한 부분은 동일한 도면 부호를 갖는다. 도 2에 도시된 실시예와 비교해 볼 때, 도 3에서 냉각 바디(3)는 냉매(10)가 흐르는 곡류 형태의(meandering) 냉각 채널(15)을 갖는다. 이를 통해, 더욱 개선된 열 방출이 달성된다.
본 발명에 따른 반도체 모듈의 사용은 강압 변환기의 전술한 적용예에만 국한된 것이 아니라, 오히려 직류 전압 회로를 갖는 다른 파워 전자 회로 토폴로지에서도 상기 반도체 모듈이 기생 인덕턴스의 감소 및 열 방출의 개선을 위해 사용될 수 있다.

Claims (7)

  1. 전기 절연층(2), 상기 절연층의 상부면에 배치되며 구조화에 의해 프린트 도체(4a, 4b, 4c)가 형성되어 있는 금속층(4), 및 상기 절연층의 하부면에 제공된 금속 냉각 바디(3)를 갖는 지지 기판(1)과; 상기 지지 기판(1) 상에 배치된 적어도 하나의 반도체 소자(20)를 포함하는 전자 반도체 모듈에 있어서,
    상기 전기 절연층(2)은 적어도 하나의 리세스(13)를 가지고, 상기 지지 기판(1)으로부터 떨어진, 상기 반도체 소자(20)의 상부면상에 제공된 적어도 하나의 접속면(22)은 접점 소자(12)에 도전 접속되고, 상기 접점 소자(12)는 상기 리세스(13)를 통해 상기 금속 냉각 바디(3)에 직접 접촉되는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 접점 소자(12)가 상기 반도체 소자(20)의 상기 접속면(22) 및 상기 금속 냉각 바디(3)에 접속된 본딩 와이어인 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 냉각 바디(3)가 상기 반도체 소자의 작동을 위해 필요한 공급 전위, 특히 접지 전위(B-)를 제공하기 위한 전위 표면으로서 제공되는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절연층(2)의 두께는 250 ㎛ 보다 작고 0 ㎛ 보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 냉각 바디(3)가 냉매(10)에 결합되는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 냉각 바디(3)가 냉각 채널(15)을 가지며, 상기 냉각 채널(15)을 통해 냉매(10)가 흐르는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 프린트 도체(4a)에 접속된 플러스 접속부(32) 및 상기 금속 냉각 바디(3)에 접속된 마이너스 접속부(31)를 가진 커패시터(30)가 제공되는 것을 특징으로 하는, 전자 반도체 모듈.
KR1020007009911A 1999-01-11 1999-12-23 전자 반도체 모듈 KR100695031B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19900603A DE19900603A1 (de) 1999-01-11 1999-01-11 Elektronisches Halbleitermodul
DE19900603.2 1999-01-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010041692A KR20010041692A (ko) 2001-05-25
KR100695031B1 true KR100695031B1 (ko) 2007-03-14

Family

ID=7893876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007009911A KR100695031B1 (ko) 1999-01-11 1999-12-23 전자 반도체 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6373705B1 (ko)
EP (1) EP1062698A1 (ko)
JP (1) JP2002535835A (ko)
KR (1) KR100695031B1 (ko)
DE (1) DE19900603A1 (ko)
WO (1) WO2000042654A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130097107A (ko) * 2012-02-23 2013-09-02 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 반도체 모듈

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4044265B2 (ja) * 2000-05-16 2008-02-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP4009056B2 (ja) * 2000-05-25 2007-11-14 三菱電機株式会社 パワーモジュール
DE10114572A1 (de) 2001-03-24 2002-11-07 Marquardt Gmbh Träger für eine elektrische Schaltung, insbesondere für einen elektrischen Schalter
US6908442B2 (en) * 2001-11-07 2005-06-21 Radi Medical Systems Ab Bending resistant male connector for a guide wire
DE10257100B4 (de) * 2002-07-12 2008-08-14 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsschalter
DE10239512A1 (de) 2002-08-28 2004-03-11 Minebea Co. Ltd., A Japanese Corporation Anordnung zur Unterbringung der Leistungs- und Steuerelektronik eines Elektromotors
US7119437B2 (en) * 2002-12-26 2006-10-10 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Electronic substrate, power module and motor driver
TW559461U (en) * 2003-01-20 2003-10-21 Power Mate Technology Corp Heat conducting structure for circuit board
EP1467599B1 (de) * 2003-04-12 2008-11-26 Eichenauer Heizelemente GmbH & Co.KG Vorrichtung zur Aufnahme von Keramik-Heizelementen und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP2005005445A (ja) * 2003-06-11 2005-01-06 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2005191148A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置およびその製造方法
DE102004018469B3 (de) * 2004-04-16 2005-10-06 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleiterschaltung
US7042745B1 (en) * 2004-11-29 2006-05-09 Cotek Electronic Ind. Co. Ltd. Insulating arrangement for DC/AC inverter
NL1027632C2 (nl) * 2004-12-01 2006-06-02 Electrische App Nfabriek Capax Drager voor elektrische componenten met aangesoldeerd koellichaam.
US20060250205A1 (en) * 2005-05-04 2006-11-09 Honeywell International Inc. Thermally conductive element for cooling an air gap inductor, air gap inductor including same and method of cooling an air gap inductor
DE102005030392A1 (de) * 2005-06-29 2007-01-04 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Hausgerät sowie Garguträger-Haltevorrichtung für ein Hausgerät
TWI449137B (zh) * 2006-03-23 2014-08-11 Ceramtec Ag 構件或電路用的攜帶體
JP4751810B2 (ja) * 2006-11-02 2011-08-17 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
EP1968188B1 (de) * 2007-03-09 2012-08-08 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Klasse-D Verstärkeranordnung
EP2025541B1 (de) * 2007-07-18 2013-01-02 Eberspächer catem GmbH & Co. KG Wärmeerzeugendes Element einer elektrischen Heizvorrichtung
JP4968150B2 (ja) * 2008-04-07 2012-07-04 株式会社豊田自動織機 半導体素子冷却装置
JP5206102B2 (ja) * 2008-05-08 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US8253241B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-28 Infineon Technologies Ag Electronic module
SG161124A1 (en) * 2008-10-29 2010-05-27 Opulent Electronics Internat P Insulated metal substrate and method of forming the same
JP5381561B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 富士電機株式会社 半導体冷却装置
US7898807B2 (en) * 2009-03-09 2011-03-01 General Electric Company Methods for making millichannel substrate, and cooling device and apparatus using the substrate
DE102009029476B4 (de) * 2009-09-15 2012-11-08 Lisa Dräxlmaier GmbH Elektronische Vorrichtung zum Schalten von Strömen und Herstellungsverfahren für dieselbe
DE102010002950A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung und zugehöriges steuergerät für ein kraftfahrzeug
EA201390661A1 (ru) * 2011-02-08 2014-04-30 Кембридж Нанолитик Лимитед Неметаллическое покрытие и способ его создания
US10163744B2 (en) * 2011-09-07 2018-12-25 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming a low profile dual-purpose shield and heat-dissipation structure
US9379049B2 (en) * 2012-07-04 2016-06-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor apparatus
JP5469270B1 (ja) * 2013-04-22 2014-04-16 三菱電機株式会社 電子機器
DE102015203587A1 (de) * 2015-02-27 2016-09-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Herstellen eines leistungselektronischen Systems mit integriertem Wärmetauscher und leistungselektronisches System
DE102015111204B4 (de) * 2015-07-10 2019-03-07 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungselektronisches Modul mit Lastanschlusselementen
DE102016106113A1 (de) 2016-04-04 2017-10-05 Infineon Technologies Austria Ag Halbbrückenschaltung und Clip-Draht-Packung
DE102016216207A1 (de) 2016-08-29 2018-03-01 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensors
DE102016117003A1 (de) * 2016-09-09 2018-03-15 Eaton Industries (Austria) Gmbh Schutzschaltgerät
DE102016218207A1 (de) * 2016-09-22 2018-03-22 Robert Bosch Gmbh Elektronische Baugruppe, insbesondere eine elektronische Leistungsbaugruppe für Hybridfahrzeuge oder Elektrofahrzeuge
EP3340293A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-27 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul mit stützstruktur auf der unterseite
CN106876352A (zh) * 2017-03-27 2017-06-20 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备
DE102018101453A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Borgwarner Ludwigsburg Gmbh Heizvorrichtung und Verfahren zum Herstellung eines Heizstabes
DE102020103844A1 (de) 2020-02-14 2021-08-19 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung für einen Halbleiterschalter einer elektronischen Schalteinrichtung, elektrische Anordnung sowie Verfahren
DE102020208154A1 (de) * 2020-06-30 2022-01-13 Zf Friedrichshafen Ag Leistungsmodul zum Betreiben eines Elektrofahrzeugantriebs mit einer verbesserten Temperaturbestimmung der Leistungshalbleiter
DE102020210296A1 (de) 2020-08-13 2022-02-17 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Schaltvorrichtung, elektrischer Energiespeicher und Vorrichtung
DE102020213972B4 (de) 2020-11-06 2022-10-13 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leistungsmodul mit einer geteilten Wärmesenke
US11497112B2 (en) 2020-12-11 2022-11-08 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Driver board assemblies and methods of forming a driver board assembly
DE102022207429A1 (de) 2022-07-21 2024-02-01 Zf Friedrichshafen Ag Entwärmungseinrichtung für einen Stromrichter für ein Fahrzeug, Stromrichter, elektrischer Achsantrieb, Fahrzeug und Verfahren zum Herstellen einer Entwärmungseinrichtung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55140251A (en) * 1979-04-12 1980-11-01 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US4777060A (en) * 1986-09-17 1988-10-11 Schwarzkopf Development Corporation Method for making a composite substrate for electronic semiconductor parts
JP3254001B2 (ja) 1991-04-08 2002-02-04 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 半導体モジュール用の一体化放熱器
JPH0521668A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置用基板
KR100307465B1 (ko) * 1992-10-20 2001-12-15 야기 추구오 파워모듈
US5436793A (en) * 1993-03-31 1995-07-25 Ncr Corporation Apparatus for containing and cooling an integrated circuit device having a thermally insulative positioning member
US5504378A (en) * 1994-06-10 1996-04-02 Westinghouse Electric Corp. Direct cooled switching module for electric vehicle propulsion system
JPH1022552A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置およびその光源
US5763951A (en) * 1996-07-22 1998-06-09 Northrop Grumman Corporation Non-mechanical magnetic pump for liquid cooling
US6060772A (en) * 1997-06-30 2000-05-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Power semiconductor module with a plurality of semiconductor chips
US6295201B1 (en) * 1998-08-04 2001-09-25 Stratos Lightwave, Inc. Bus bar having embedded switching device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130097107A (ko) * 2012-02-23 2013-09-02 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 반도체 모듈
KR101998424B1 (ko) * 2012-02-23 2019-10-01 세미크론 엘렉트로니크 지엠비에치 앤드 코. 케이지 반도체 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
US6373705B1 (en) 2002-04-16
DE19900603A1 (de) 2000-07-13
JP2002535835A (ja) 2002-10-22
KR20010041692A (ko) 2001-05-25
WO2000042654A1 (de) 2000-07-20
EP1062698A1 (de) 2000-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100695031B1 (ko) 전자 반도체 모듈
US7227259B2 (en) Low-inductance circuit arrangement for power semiconductor modules
US11756857B2 (en) Electronic circuit, power converter, and method for producing an electronic circuit
US5892279A (en) Packaging for electronic power devices and applications using the packaging
US7800213B2 (en) Power semiconductor circuit with busbar system
US20230238374A1 (en) Power module having at least three power units
US20110100681A1 (en) Substrate-mounted circuit module having components in a plurality of contacting planes
EP2871676B1 (en) Semiconductor device
US9159715B2 (en) Miniaturized semiconductor device
US11398448B2 (en) Semiconductor module
US9385107B2 (en) Multichip device including a substrate
CN110506330A (zh) 功率电子模块以及包含该模块的电功率变换器
US20240038612A1 (en) Package with electrically insulated carrier and at least one step on encapsulant
US11335660B2 (en) Semiconductor module
US11817794B2 (en) Electronic circuit module
CN112928562A (zh) 电子电路单元
US11527456B2 (en) Power module with organic layers
WO2013105456A1 (ja) 回路基板および電子デバイス
US10755999B2 (en) Multi-package top-side-cooling
CN115039523A (zh) 电力电子装置和电力电子功能***
EP3376538B1 (en) Semiconductor arrangement with controllable semiconductor elements
JP3644161B2 (ja) パワー半導体モジュール
US6930373B2 (en) Circuit arrangement
US20240038618A1 (en) Semiconductor module comprising at least one semiconductor element
JP2003007969A (ja) 半導体モジュール及び電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120306

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee