KR100683678B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구조를 간단히 하고, 생산성을 향상시킬 수 있으며, 스토리지 커패시터에서의 누설전류를 줄일 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는데 목적이 있다. 이를 위하여, 본 발명은, 서로 대향된 한 쌍의 전극 사이에, 발광층 및 게이트 전극을 갖는 반도체층이 개재된 유기 발광 트랜지스터와, 상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 상층전극, 하층전극, 및 그 사이에 개재된 절연층을 갖는 적어도 하나의 MIM 소자와, 상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 서로 대향된 한 쌍의 전극과, 그 사이에 적어도 두 층의 절연층을 갖는 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광 소자의 등가회로도,
도 2는 도 1에 따른 유기 발광 소자의 레이아웃을 나타내는 평면도,
도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ에 대한 단면도,
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
10: 기판 11: 제1메탈층
12: 제2메탈층 13: 절연층
14: 제3메탈층 15: 제4메탈층
16: 제5메탈층 17: 화소전극
22: 평탄화막 23: 층간 절연층
24: 반도체층 27: 게이트 전극
28: 유기 발광층 29: 대향전극
MIM: MIM 소자 OLET: 유기 발광 트랜지스터
Cs: 스토리지 커패시터 CT: 콘택부
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 스위칭 소자로 MIM(Metal Insulator Metal) 소자를 사용하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
액정 표시 소자나 유기 전계 발광 소자 또는 무기 전계 발광 소자 등 평판표시장치는 그 구동방식에 따라, 수동 구동방식의 패시브 매트릭스(Passive Matrix: PM)형과, 능동 구동방식의 액티브 매트릭스(Active Matrix: AM)형으로 구분된다.
패시브 매트릭스형은 단순히 양극과 음극이 각각 컬럼(column)과 로우(row)로 배열되어 음극에는 로우 구동회로로부터 스캐닝 신호가 공급되고, 이 때, 복수의 로우 중 하나의 로우만이 선택된다. 또한, 컬럼 구동회로에는 각 화소로 데이터 신호가 입력된다.
한편, 액티브 매트릭스형은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하, "TFT"라 함)를 이용해 각 화소 당 입력되는 신호를 제어하는 것으로 방대한 양의 신호를 처리하기에 적합하여 동영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치로서 많이 사용되고 있다.
한편, 상기 액티브 매트릭스형은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 함)를 이용해 각 화소 당 입력되는 신호를 제어하는 것으로 방대한 양의 신호를 처리하기에 적합하여 동영상을 구현하기 위한 디스플레이 장치로서 많이 사용되고 있다.
이처럼 액티브 매트릭스형 평판 표시장치의 TFT들은 고농도의 불순물로 도핑된 소스/드레인 영역과, 이 소스/드래인 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체 활성층을 가지며, 이 반도체 활성층과 절연되어 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스/드레인 영역에 각각 접촉되는 소스/드레인 전극을 갖는다.
상기 반도체 활성층은 비정질 실리콘 또는 다결정질 실리콘으로 많이 사용되는 데, 비정질 실리콘은 저온 증착이 가능하다는 장점이 있으나, 전기적 특성과 신뢰성이 저하되고, 표시소자의 대면적화가 어려워 최근에는 다결정질 실리콘을 많이 사용하고 있다. 다결정질 실리콘은 수십 내지 수백 ㎠/V.s의 높은 전류 이동도를 갖고, 고주파 동작 특성 및 누설 전류치가 낮아 고정세 및 대면적의 평판표시장치에 사용하기에 매우 적합하다.
그런데, 다결정질 실리콘으로 반도체 활성층을 제조할 경우에는, 비정질 실리콘을 다결정질 실리콘으로 결정화하는 결정화공정이 필요한 데, 이 결정화에는 통상 300?? 이상의 고온 공정이 존재하게 된다.
한편, 최근의 평판 표시장치들은 동영상 등의 처리를 위해 매우 빠른 동작 속도와, 화질의 균일도를 필요로 한다.
특히, 유기 전계 발광 소자의 경우, 깨끗한 화질의 동영상 처리를 위해서는 기존의 액정 표시소자보다 더욱 높은 특성의 회로가 구현되어야 한다. 즉, 유기 전계 발광 소자의 경우에는, 화소의 스위칭을 위한 스위칭 소자 외에도 구동부인 EL 다이오드의 동작을 위한 구동 소자도 별도로 구비해야 하며, 이외에도 각종 보상회로로 사용하기 위해 복수개의 TFT들을 더 구비하기도 한다. 뿐만 아니라, 이렇게 복잡한 회로 구현을 위해 커패시터 용량이 높아야 하고, 그 개수도 많이 필요하다.
이렇게 유기 전계 발광 소자에 있어, 복잡한 회로를 각 화소에 구현하기 위 해 회로가 구현되는 층의 상부에 발광부를 구현하고, 회로가 구현되는 층의 반대방향으로 화상이 구현되도록 하는 전면발광형이 개발되고 있으나, 이 때에도, 복잡한 구성으로 인해 공정이 복잡해지는 등의 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 구조를 간단히 하고, 생산성을 향상시킬 수 있으며, 스토리지 커패시터에서의 누설전류를 줄일 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는데 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은,
서로 대향된 한 쌍의 전극 사이에, 발광층 및 게이트 전극을 갖는 반도체층이 개재된 유기 발광 트랜지스터;
상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 상층전극, 하층전극, 및 그 사이에 개재된 절연층을 갖는 적어도 하나의 MIM 소자; 및
상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 서로 대향된 한 쌍의 전극과, 그 사이에 적어도 두 층의 절연층을 갖는 스토리지 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함할 수 있다.
상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비될 수 있다.
상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 상기 게이트 전극과 연결되지 않은 전극과 동일한 물질로 구비될 수 있다.
상기 유기 발광 트랜지스터는,
화소전극;
상기 화소전극에 대향된 대향전극;
상기 화소전극과 대향전극의 사이에 개재되고, 상기 화소전극으로부터 상기 대향전극을 향하는 채널과, 상기 채널 내에 위치하는 게이트 전극을 갖는 반도체층; 및
상기 반도체층과 대향전극의 사이에 개재된 발광층;을 포함할 수 있다.
상기 반도체층은 제1반도체층, 및 제2반도체층을 포함하고,
상기 게이트 전극은 복수개의 그리드 전극의 형태로 상기 제1반도체층 및 제2반도체층 사이에 개재되며, 일단이 상기 MIM소자에 연결될 수 있다.
상기 화소전극은 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 한 전극과 동일한 물질로 구비될 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 적어도 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 적어도 한 전극과 동일한 층에 구비될 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 어느 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 어느 한 전극과 연결된 것일 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 절연층들 중 어느 한 절연층은 상기 MIM 소자의 절연층과 동일하고, 다른 한 절연층은 상기 MIM 소자를 덮도록 구비될 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 절연층들 중 적어도 하나의 절연층은 실리콘 나이트라이드를 포함할 수 있다.
상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함할 수 있다.
상기 콘택부는 상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 등가 회로도를 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 상기 유기 발광 소자는, 유기 발광 트랜지스터(Organic Light Emitting Transistor: OLET), MIM 소자(Metal-Insulator-Metal) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor: Cs)를 구비한다.
유기 발광 트랜지스터(OLET)는 소스, 드레인 및 게이트 전극을 갖는 3전극형 발광체로서, 소스 전극(S)은 애노우드 기능을 하는 높은 구동 전원(ELVDD)에 연결되고, 드레인 전극(D)은 캐소오드 기능을 하는 낮은 구동 전원(ELVSS)에 연결된다. 그리고 게이트 전극(G)에 의한 신호에 의해 그 발광이 제어된다.
MIM 소자(MIM)는 상기 유기 발광 트랜지스터(OLET)의 스위칭 소자로서 작용하는 데, 스캔 라인(SCAN)과 유기 발광 트랜지스터(OLET)의 게이트 전극(G)에 각각 연결되어, 스캔 신호에 따라 게이트 전극(G)을 ON/OFF시킨다.
MIM 소자(MIM)는, 전기적으로 동일한 특성을 나타내는, 소정의 저항성분 및 소정의 커패시터성분의 병렬연결회로로 등가치환될 수 있다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 상기 MIM 소자(MIM)는 제 1 MIM소자(MIM1)와, 제 2 MIM소자(MIM2)의 2개의 MIM 소자가 직렬 연결될 수 있는 데, 그 수는 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
제1MIM 소자(MIM1)는 서로 병렬 연결된 제1커패시터성분(CMIM1) 및 제1저항성분(RMIM1)으로 구비되고, 제2MIM 소자(MIM2)는 서로 병렬 연결된 제2커패시터성분(CMIM2) 및 제2저항성분(RMIM2)으로 구비된다.
제1커패시터성분(CMIM1) 및 제1저항성분(RMIM1)의 일단은 스캔라인(Scan)에 연결되고, 타단은 제2커패시터성분(CMIM2) 및 제2저항성분(RMIM2)의 일단에 공통으로 연결된다. 제2커패시터성분(CMIM2) 및 제2저항성분(RMIM2)의 타단은 유기 발광 트랜지스터(OLET)의 게이트 전극(G)에 연결된다.
한편, 스토리지 커패시터(Cs)는 데이터 라인(Data) 및 유기 발광 트랜지스터(OLET)에 연결되어, 유기 발광 트랜지스터(OLET)의 게이트 전극(G)에 입력되는 데이터 신호를 한 프레임동안 저장한다.
도 2는 상기와 같은 회로를 구현하기 위한 유기 발광 소자의 레이아웃이며, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ에 대한 단면도이다.
먼저, 도 3에서 볼 수 있듯이, 기판(10) 상에 소정 패턴의 제1메탈층(11)과, 제2메탈층(12)이 형성된다. 상기 제1메탈층(11)은 스캔 라인(SCAN)과 일체로 연결되어 있다. 이들 제1메탈층(11)과 제2메탈층(12)은 동일한 물질로 형성되며, 알루미늄, 은, 마그네슘 등의 금속 물질로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 종류의 금속 물질이 사용될 수 있고, 이 외에도 전도성 산화물이나, 전도성 폴리머 등도 사용 가능하다.
이러한 제1메탈층(11)과 제2메탈층(12)을 덮도록 절연층(13)이 형성되고, 이 절연층(13) 상부에 소정 패턴의 제3메탈층(14)이 형성된다. 제3메탈층(14)은 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 제1메탈층(11)과 제2메탈층(12)과 동일한 물질로 형성될 수도 있다. 그러나, 후술하는 바와 같이, 화소전극(17)과 동일한 물질로 형성될 경우에는, 일함수가 높은 Au, Pt 등의 귀한 금속으로 형성하거나, 도전성인 금속 산화물로 형성할 수도 있다.
상기 절연층(13)은 실리콘 옥사이드나, 실리콘 나이트라이드 등의 무기물로 형성될 수도 있고, 절연성 유기물로 형성될 수도 있다.
스캔 라인(SCAN)에 연결된 상기 제1메탈층(11)과, 절연층(13)과, 제3메탈층(14)에 의해 제1MIM소자(MIM1)가 형성된다. 즉, 스캔 라인(SCAN)으로부터 연장된 제1메탈층(11)이 제1MIM소자(MIM1)의 하층 전극이 되고, 절연층(13)을 사이에 두고 이 제1메탈층(11)에 중첩된 제3 메탈층(14)의 부분이 제1MIM소자(MIM1)의 상층 전극이 되어 제1MIM 소자(MIM1)를 구성하게 된다.
그리고, 제3메탈층(14)의 하부로 연장된 제2메탈층(12)의 부분과, 절연층 (13)과, 제3메탈층(14)에 의해 제2MIM 소자(MIM2)가 형성된다. 즉, 제3메탈층(14)의 하부로 연장된 제2메탈층(12)의 부분이 제2MIM소자(MIM2)의 하층 전극이 되고, 절연층(13)을 사이에 두고 이 제2메탈층(12)의 부분에 중첩된 제3 메탈층(14)의 부분이 제2MIM소자(MIM2)의 상층 전극이 되어 제2MIM 소자(MIM2)를 구성하게 된다.
이들 제1MIM 소자(MIM1)와, 제2MIM 소자(MIM2)는 제3메탈층(14)을 그 상층전극으로 공유함으로써 서로 직렬 연결되어 있다.
한편, 상기 절연층(13) 상에는 이 밖에도 소정 패턴의 화소 전극(17)이 형성되고, 콘택부(CT)를 형성하는 제5메탈층(16)이 형성될 수 있다.
상기 화소 전극(17)은 높은 구동전원(ELVDD)과 연결되어 유기 발광 트랜지스터(OLET)의 애노우드 기능을 할 수 있다. 제5메탈층(16)은 후술하는 게이트 전극(27)과, 제2메탈층(12)을 연결하는 것으로, 이에 따라, 게이트 전극(27)에 제2MIM소자(MIM2) 및 스토리지 커패시터(Cs)가 연결된다.
이 화소 전극(17)과 제5메탈층(16)도 제3메탈층(14)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 이에 따라 MIM 소자(MIM)의 제3메탈층(14) 형성과 동일한 공정에서 진행할 수 있다.
본 발명에 의하면, 이처럼 MIM 소자(MIM), 컨택부(CT), 및 화소전극(17)의 형성을 동일 공정에서 행할 수 있기 때문에, 매스크의 개수, 및 공정 수를 줄일 수 있다.
이렇게 제3메탈층(14), 제5메탈층(16) 및 화소전극(17)을 형성한 후에는 MIM 소자(MIM)를 덮도록 층간절연층(23)이 형성되고, 이 층간절연층(23) 위에 제4메탈 층(15)이 형성된다.
상기 층간 절연층(23)은 스토리지 커패시터(Cs)의 누설전류를 줄이기 위한 것으로, 실리콘 옥사이드나 실리콘 나이트라이드로 형성될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 기타 유기 절연물로 형성될 수도 있다.
상기 제4메탈층(15)은 도 2에서 볼 수 있듯이, 데이터 라인(DATA)과 일체로 연결되어 있다. 그리고, 이 제4메탈층(15)은 전도성이 좋은 금속물질 또는 기타 도전성 물질로 형성 가능하다.
제2MIM 소자(MIM2)의 하층 전극에 연결되어 있는 제2메탈층(12)의 나머지 부분은 도 2에서 볼 수 있듯이, 데이터 라인(DATA)에 연결되어 있는 제4메탈층(15)과 절연층(13) 및 층간 절연층(23)을 사이에 두고 서로 대향되어 스토리지 커패시터(Cs)를 구성한다.
이러한 MIM 소자(MIM), 스토리지 커패시터(Cs), 및 화소전극(17) 상부로는 절연체로 평탄화막(22)이 구비되는 데, 이 평탄화막(22)은 아크릴, 폴리이미드, BCB 등의 유기물로 형성될 수 있고, 이 외에도 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥사이드 등의 무기물로 형성될 수 있다.
평탄화막(22)에는 소정의 개구(22a)가 형성되고, 이 개구(22a)를 덮도록 반도체층(24)이 구비되며, 반도체층(24) 상부로는 유기 발광층(28) 및 대향전극(29)이 순차로 구비되어 유기 발광 트랜지스터(OLET)를 형성한다.
상기 반도체층(24)은 화소전극(17)과 대향전극(29)의 방향으로 채널을 형성하고 있는 것으로, 이 채널 내에 게이트 전극(27)이 도 2에서 볼 수 있는 그리드 전극의 형태로 존재하게 된다.
이 반도체층(24)은 상기 화소전극(17), 및 대향전극(29)을 각각 소스 전극 및 드레인 전극으로 한 SIT(Static Induction Transistor)구조를 갖는 것으로, 반도체층(24)에는 화소전극(17)과 대향전극(29)의 방향으로 채널이 기본적으로 형성되어 있기 때문에, 게이트 전극(27)에 전압이 인가되지 않으면, 화소전극(17)에서 대향전극(29)의 방향으로 일정한 전류가 흐르게 된다.
그러나 게이트 전극(27)에 일정한 전압이 인가되면 게이트 전극(27)으로부터 공핍 영역(depletion area)이 확장되어 전류가 흐르는 채널의 폭을 감소시키고, 결국 화소전극(17) 및 대향전극(29) 사이를 흐르는 전류가 줄어들게 된다. 게이트 전극(27)에 걸린 전압이 일정한 문턱전압(threshold voltage) 넘게 되면, 인접한 그리드 전극들로부터 확장되어온 공핍 영역이 서로 만나게 되어 화소전극(17) 및 대향전극(29) 사이의 채널이 끊어지게 되어 더 이상 전류가 흐르지 않게 된다.
이를 위해 본 발명의 반도체층(24)은 평탄화막(22) 위에 제1반도체층(25) 및 제2반도체층(26)이 순차로 형성되도록 하고, 그 사이에 게이트 전극(27)이 개재되도록 한다. 이 게이트 전극(27)은 알루미늄 등의 도전성 금속으로 형성될 수 있는 데, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 종류의 금속, 전도성 산화물, 및 전도성 폴리머 등이 사용 가능하다. 상기 게이트 전극(27)이 개재되는 제1반도체층(25) 및 제2반도체층(26)은 같은 종류의 물질로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 게이트 전극(27)은 전술한 바와 같이, 콘택부(CT)를 통해 상기 MIM 소자(MIM) 및 스토리지 커패시터(Cs)와 연결된다.
상기 반도체층(24) 상에는 유기 발광층(28)이 구비되는 데, 이 유기 발광층(28)은 OLED(Organic Light Emitting Diode)의 유기 발광층과 동일한 재료가 사용될 수 있다.
예를 들어, 저분자의 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들은 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
상기 유기 발광층(28) 상부로는 전체 화소를 덮도록 대향전극(29)이 형성될 수 있는 데, 이 대향전극(29)에는 낮은 구동전원(ELVSS)이 연결된다.
이러한 유기 발광 트랜지스터는 소스와 드레인 사이의 채널 길이가 상당히 짧기 때문에 구동 속도가 빠르며, 낮은 전압에서 구동이 가능하다.
또한, 상기와 같은 구조의 유기 발광 소자의 경우에는 스위칭 소자인 MIM 소 자(MIM), 스토리지 커패시터(Cs), 및 화소전극의 형성을 위한 공정 수를 줄일 수 있게 되어 생산성 및 수율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 소자에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 스위칭 소자인 MIM 소자와, 스토리지 커패시터와 화소전극의 형성을 동일 공정에서 행할 수 있기 때문에, 매스크의 개수, 및 공정 수를 줄일 수 있다.
둘째, 스토리지 커패시터의 부분에서 누설전류(leakage current)를 줄일 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (13)
- 서로 대향된 한 쌍의 전극 사이에, 발광층 및 게이트 전극을 갖는 반도체층이 개재된 유기 발광 트랜지스터;상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 상층전극, 하층전극, 및 그 사이에 개재된 절연층을 갖는 MIM 소자; 및상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 서로 대향된 한 쌍의 전극과, 그 사이에 두 층의 절연층을 갖는 스토리지 커패시터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제2항에 있어서,상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제2항에 있어서,상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 상기 게이트 전극과 연결되지 않은 전극과 동일한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 트랜지스터는,화소전극;상기 화소전극에 대향된 대향전극;상기 화소전극과 대향전극의 사이에 개재되고, 상기 화소전극으로부터 상기 대향전극을 향하는 채널과, 상기 채널 내에 위치하는 게이트 전극을 갖는 반도체층; 및상기 반도체층과 대향전극의 사이에 개재된 발광층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제5항에 있어서,상기 반도체층은 제1반도체층, 및 제2반도체층을 포함하고,상기 게이트 전극은 복수개의 그리드 전극의 형태로 상기 제1반도체층 및 제2반도체층 사이에 개재되며, 일단이 상기 MIM소자에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제5항에 있어서,상기 화소전극은 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 한 전극과 동일한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 적어도 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 적어도 한 전극과 동일한 층에 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 어느 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 어느 한 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 절연층들 중 어느 한 절연층은 상기 MIM 소자의 절연층과 동일하고, 다른 한 절연층은 상기 MIM 소자를 덮도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 절연층들 중 하나의 절연층은 실리콘 나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제12항에 있어서,상기 콘택부는 상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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