KR100683675B1 - 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 서로 대향된 한 쌍의 전극 사이에, 발광층 및 게이트 전극을 갖는 반도체층이 개재된 유기 발광 트랜지스터; 및상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결되고, 상층전극, 하층전극, 및 그 사이에 개재된 두 층의 절연층을 갖는 MIM 소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제2항에 있어서,상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제2항에 있어서,상기 콘택부는 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 상기 게이트 전극과 연결되지 않은 전극과 동일한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 트랜지스터는,화소전극;상기 화소전극에 대향된 대향전극;상기 화소전극과 대향전극의 사이에 개재되고, 상기 화소전극으로부터 상기 대향전극을 향하는 채널과, 상기 채널 내에 위치하는 게이트 전극을 갖는 반도체층; 및상기 반도체층과 대향전극의 사이에 개재된 발광층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제5항에 있어서,상기 반도체층은 제1반도체층, 및 제2반도체층을 포함하고,상기 게이트 전극은 복수개의 그리드 전극의 형태로 상기 제1반도체층 및 제2반도체층 사이에 개재되며, 일단이 상기 MIM소자에 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제5항에 있어서,상기 화소전극은 상기 MIM 소자의 상층전극 및 하층전극 중 어느 한 전극과 동일한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 유기 발광 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 스토리지 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제8항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 적어도 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 적어도 한 전극과 동일한 층에 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제8항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 어느 한 전극은 상기 MIM 소자의 상층 전극 및 하층 전극 중 어느 한 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제8항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 절연층은 두층으로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제11항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 절연층들 중 하나의 절연층은 실리콘 나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제11항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 절연층은 상기 MIM 소자의 절연층으로부터 연장되도록 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제8항에 있어서,상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극이 서로 연결되는 콘택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제14항에 있어서,상기 콘택부는 상기 스토리지 커패시터의 전극들 중 어느 하나와 상기 게이트 전극의 사이에 개재된 도전 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
- 제1항에 있어서,상기 MIM 소자의 절연층들 중 하나의 절연층은 실리콘 나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
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