KR100665881B1 - 탄소나노튜브 기반의 엑스-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈은,전자방출원으로서의 탄소나노튜브를 기반으로 하는 음극부와, 상기 음극부로부터의 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 상기 음극부로부터 방출된 전자를 가속하는 한편 전자의 충돌에 의해 X-선을 발생시키는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 전자빔 발생을 위한 음극부로 채용되는 것으로서, 상기 음극부는 탄소나노튜브의 증착을 위한 기판과, 상기 기판 위에 증착되어 전자빔을 발생하는 탄소나노튜브로 이루어진 음극과, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대와, 상기 음극의 전자빔 발생부위의 일부를 제외하고, 상기 탄소나노튜브가 증착된 기판 및 기판지지대의 상면 일부 및 측면을 에워싸는 제1절연층과, 상기 제1절연층의 외부를 원통형으로 에워싸는 텅스텐 그물망 또는 고전압인가가 가능한 금속재질로 이루어진 그리드 전극부와, 상기 그리드 전극부의 측면 및 상기 기판지지대의 하면부를 원통형으로 에워싸는 제2절연층과, 상기 그리드 전극부의 상면의 전자빔 진행부를 제외한 나머지 부분에 도너츠 형태로 설치되는 제3절연층과, 상기 제2절연층 및 제3절연층을 원통형으로 에워싸는 전자빔 집속부가 하나의 모듈 칩화되어 구성된다.
탄소나노튜브, X-선관, 모듈, 칩, 음극부
Description
도 1은 본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈이 소켓에 장착된 모습을 보여주는 도면.
도 2는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 전자빔 집속부(집속 렌즈)의 구조를 보여주는 도면.
도 3은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제3절연층의 구조를 보여주는 도면.
도 4는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 그리드 전극부의 구조를 보여주는 도면
도 5는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제1절연층의 구조를 보여주는 도면
도 6은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 기판을 기판지지대에 장착시킨 상태를 보여주는 도면.
도 7은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제2절연층의 구조를 보여주는 도면.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 기판지지대의 다른 실시예를 보여주는 도면.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈의 다른 실시예들을 보여주는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1...전자빔 집속부 2...제3절연층
3...텅스텐 그물망 또는 그리드 전극부
4...제1절연층 5...탄소나노튜브 음극
6...기판 7,7'...기판지지대
8...소켓부 9...금속핀
10...제2절연층
본 발명은 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 관한 것으로서, 특히 탄소나노튜브 기반의 전자방출원을 간단한 모양의 칩으로 모듈화함으로써 음극부에 이상이 있을 경우 간단히 교체할 수 있는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 관한 것이다.
종래에 사용되고 있는 텅스텐 필라멘트 음극은 필라멘트 자체의 가열을 통해 발생하는 열전자에 의해 엑스선 광원을 방출한다. 그러나, 그 규모가 거대하여 상대적으로 많은 제작비용을 발생시키며, 장소가 한정되어 있어서 이용자들이 사용하는데 한계가 있다. 또한, 필라멘트 가열에 의해 생성되는 열전자들은 방출되는 방향이 일정하지 못하여 방사선 질을 떨어뜨리고, 낮은 열전자 밀도에 의해 타깃(target)에서 발생하는 방사선 발생효율이 낮으며, 필라멘트 및 집속부에서 발생하는 탈 기체(outgas)로 인해 진공도가 현저히 저하되어 내부 방전이 발생하여 사용하지 못하게 되는 경우가 발생하고, 열에 의한 타깃의 수명 단축이 기술적인 문제점으로 인식되어 왔다. 게다가 텅스텐 필라멘트의 사용이 길어질 경우 필라멘트의 표면에서 텅스텐이 증발되어 그 외경이 줄어들면서 열전자 방출 특성이 변하게 되고, 이때 증발된 텅스텐은 유리벌브 내벽에 증착되어 고압 절연을 저하시키고, 투과 방사선량이 줄어드는 문제가 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 종래에는 필라멘트 음극을 이용한 분리형 방사선관이 제작되어져 상용화되고 있으나, 광원이 필라멘트이기 때문에 위에서 언급한 많은 문제점들로 인하여 엑스-레이(X-ray) 품질이 낮은 상황이다. 이상과 같이 필라멘트 가열을 통한 열전자 방출기반의 방사선 광원을 사용할 경우 그 규모가 거대하고 상대적으로 많은 제작비용을 발생시키고, 장소가 한정되어 사용자들이 다루는데 한계가 있다. 또한 최근 연구되고 있는 레이저 기반의 방사선 광원발생 기술 및 거대한 방사광을 이용한 광원기술은 막대한 설치비용과 공간적 및 이동성 등의 제약에 의해 기계 및 반도체 산업으로의 적용이 어려운 실정이며, 많은 상업적 제약이 따르기 때문에 과학 및 의학 분야와 같은 특정한 연구분야에 국한하여 이용되고 있는 실정이다.
본 발명은 이상과 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 탄소나노튜브 기반의 전자방출원을 간단한 모양의 칩으로 모듈화함으로써 음극부에 이상이 있을 경우 간단히 교체할 수 있는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈을 제공함에 그 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈은,
전자방출원으로서의 탄소나노튜브를 기반으로 하는 음극부와, 상기 음극부로부터의 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 상기 음극부로부터 방출된 전자를 가속하는 한편 전자의 충돌에 의해 X-선을 발생시키는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 전자빔 발생을 위한 음극부로 채용되는 것으로서,
상기 음극부는 탄소나노튜브의 증착을 위한 기판과, 상기 기판 위에 증착되어 전자빔을 발생하는 탄소나노튜브로 이루어진 음극과, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대와, 상기 음극의 전자빔 발생부위의 일부를 제외하고, 상기 탄소나노튜브가 증착된 기판 및 기판지지대의 상면 일부 및 측면을 에워싸는 제1절연층과, 상기 제1절연층의 외부를 원통형으로 에워싸는 텅스텐 그물망 또는 고전압인가가 가능한 금속재질로 이루어진 그리드 전극부와, 상기 그리드 전극부의 측면 및 상기 기판지지대의 하면부를 원통형으로 에워싸는 제2절연층과, 상기 그리드 전극부의 상면의 전자빔 진행부를 제외한 나머지 부분에 도너츠 형태로 설치되는 제3절연층과, 상기 제2절연층 및 제3절연층을 원통형으로 에워싸는 전자빔 집속부가 하나의 모듈 칩화되어 구성된 점에 그 특징이 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈이 소켓에 장착된 모습을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈은, 전자방출원으로서의 탄소나노튜브를 기반으로 하는 음극부와, 상기 음극부로부터의 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 상기 음극부로부터 방출된 전자를 가속하는 한편 전자의 충돌에 의해 X-선을 발생시키는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 전자빔 발생을 위한 음극부로 채용되는 것으로서, 상기 음극부는 탄소나노튜브의 증착을 위한 기판(6)과, 그 기판(6) 위에 증착되어 전자빔을 발생하는 탄소나노튜브로 이루어진 음극(5)과, 상기 기판(6)을 지지하는 기판지지대(7)와, 상기 음극(5)의 전자빔 발생부위의 일부를 제외하고, 상기 탄소나노튜브가 증착된 기판(6) 및 기판지지대(7) 전체를 에워싸는 제1절연층(4)과, 그 제1절연층(4)의 외부를 원통형으로 에워싸는 텅스텐 그물망 또는 고전압인가가 가능한 금속재질로 이루어진 그리드 전극부(3)와, 그 그리드 전극부(3)의 측면 및 상기 기판지지대(7)의 하면부를 원통형으로 에워싸는 제2절연층(10)과, 상기 그리드 전극부(3)의 상면의 전자빔 진행부를 제외한 나머지 부분에 도너츠 형태로 설치되는 제3절연층(2)과, 상기 제2절연층(10) 및 제3절연층(2)을 원통형으로 에워싸는 전자빔 집속부(1)가 하나의 모듈 칩화되어 구성된다.
여기서, 바람직하게는 이상과 같은 모듈 칩의 하단부에는 소켓부(8)와의 끼움식 결합을 용이하게 할 수 있도록 하기 위한 복수의 금속핀(9)이 형성된다.
상기 전자빔 집속부(1)는 스테인레스 스틸 등의 금속재질로 구성되고, 상기 기판(6)은 스테인레스 스틸 또는 탄소나노튜브를 증착시킬 수 있고 전압인가가 가능한 금속 또는 반도체 재질로 구성되며, 상기 기판지지대(7)는 스테인레스 스틸 또는 전압인가가 가능한 금속 또는 반도체 재질로 구성된다.
도 2는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 전자빔 집속부(집속 렌즈)의 구조를 보여주는 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 전자빔 집속부(1)는 전체적으로 하나의 원통형상으로 구성되고, 그 중심부에는 음극(5)으로부터 발생한 전자빔의 진행을 위한 관통공이 형성된다.
도 3은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제3절연층의 구조를 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 이 제3절연층(2)은 전자빔 집속부(1)와 그리드 전극부(3) 사이를 절연시켜주기 위한 것으로, 그 중심부에 음극(5)으로부터 발생한 전자빔의 진행을 위한 관통공이 형성되어 있는 하나의 도너츠 형태로 구성된다.
도 4는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 그리드 전극부의 구조를 보여주는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 그리드 전극부(3)는 전체적으로는 하나의 원통형 구조를 이루며, 전자빔이 진행하는 부위는 도시된 바와 같이 망구조로 구성된다.
도 5는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제1절연층의 구조를 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 이 제1절연층(4)은 상기 그리드 전극부(3)와 탄소나노튜브 음극(5) 사이를 절연시켜주기 위한 것으로, 그 중심부에는 음극(5)으로부터 발생한 전자빔의 진행을 위한 관통공 및 탄소나노튜브가 증착된 기판(6)의 안착을 위한 홈이 단차지게 형성된다.
도 6은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 기판을 기판지지대에 장착시킨 상태를 보여주는 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판지지대(7)는 "T"자 형의 구조를 가지며, 그 T자형 구조체의 수평면부 위에 탄소나노튜브(5)가 증착된 기판(6)을 장착시키는 것이다.
도 7은 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 제2절연층의 구조를 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하면, 이 제2절연층(10)은 탄소나노튜브 음극(5)과 그리드 전극부(3)를 전자빔 집속부(1)와 절연시키기 위한 것으로, 그 저면에는 기판지지대(7) 의 수직부 및 그리드 전극부(3)의 전기적인 접속을 위한 핀의 삽입을 위한 홀이 각각 형성된다.
한편, 도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈에 있어서의 기판지지대의 다른 실시예를 나타낸 것으로서, 도 8a 는 기판지지대(7')를 위에서 본 모습으로 총 4개의 음극 기판을 설치할 수 있다. 또한, 도 8b는 기판지지대(7')를 측면에서 본 모습으로 탄소나노튜브 음극의 위치는 조정가능하다. 도 8c는 각을 가지는 기판지지대(7')에 음극을 설치했을 때에 기판지지대(7')가 가지는 각도에 따라 방출되는 전자의 집속 위치가 변화되는 것을 보여준다.
이와 같은 기판지지대(7') 구조는 음극 자체가 각을 가지게 하므로 자체 내적으로 양극 쪽으로의 전자빔 집속이 가능하며, 따라서 음극- 전자들의 양극부에 대한 집속면적을 마이크로 수준으로 집속시키기 위한 구조라고 할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈의 다른 실시예들을 나타낸 것으로서, 도 9a는 일반적인 형태의 음극 구조이고, 도 9b는 전자 빔의 마이크로 포커싱을 위한 음극 구조이며, 도 9c는 도 9a와 구조적으로 거의 유사하나 도 9a의 절연층 중에서 원통형의 제2절연층(10) 대신에 원판형의 절연층을 최하부에 깔고, 그 위에 음극을 올리고 계단모양의 절연 캡을 씌운 구조이다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈은 탄소나노튜브 기반의 전자방출원을 간단한 모양의 칩으로 모듈화함으로써 음극부에 이상이 있을 경우 간단히 교체할 수 있는 장점이 있다.
그리고, 기본적인 삼극 구조의 음극과 그리드 전극으로 이루어진 모듈은 제 작이 용이하며, 전자빔 집속렌즈에 의하여 양극에 대한 집속이 가능하다.
또한, 탄소나노튜브가 증착되어 있는 기판이 전자빔의 진행방향에 대하여 예각으로 각도를 가지고 있는 구조의 모듈은 음극부 자체에서부터 집속이 되어 전자빔이 방출이 되므로 마이크로 단위의 집속이 가능하다.
Claims (5)
- 전자방출원으로서의 탄소나노튜브를 기반으로 하는 음극부와, 상기 음극부로부터의 전자의 방출을 유도하는 게이트부 및 상기 음극부로부터 방출된 전자를 가속하는 한편 전자의 충돌에 의해 X-선을 발생시키는 양극부를 구비하는 탄소나노튜브 기반의 3극 X-선관에 전자빔 발생을 위한 음극부로 채용되는 것으로서,상기 음극부는 탄소나노튜브의 증착을 위한 기판과, 상기 기판 위에 증착되어 전자빔을 발생하는 탄소나노튜브로 이루어진 음극과, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대와, 상기 음극의 전자빔 발생부위의 일부를 제외하고, 상기 탄소나노튜브가 증착된 기판 및 기판지지대의 상면 일부 및 측면을 에워싸는 제1절연층과, 상기 제1절연층의 외부를 원통형으로 에워싸는 텅스텐 그물망 또는 고전압인가가 가능한 금속재질로 이루어진 그리드 전극부와, 상기 그리드 전극부의 측면 및 상기 기판지지대의 하면부를 원통형으로 에워싸는 제2절연층과, 상기 그리드 전극부의 상면의 전자빔 진행부를 제외한 나머지 부분에 도너츠 형태로 설치되는 제3절연층과, 상기 제2절연층 및 제3절연층을 원통형으로 에워싸는 전자빔 집속부가 하나의 모듈 칩화되어 구성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 모듈 칩의 하단부에는 소켓부와의 끼움식 결합을 용이하게 할 수 있도록 하기 위한 복수의 금속핀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 스테인레스 스틸 또는 탄소나노튜브를 증착시킬 수 있고 전압인가가 가능한 금속 또는 반도체 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 기판지지대는 스테인레스 스틸 또는 전압인가가 가능한 금속 또는 반도체 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 기판지지대는 전자빔의 진행방향에 대하여 예각의 경사각도를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 기반의 X-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈.
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|---|---|---|---|
| KR1020050135734A KR100665881B1 (ko) | 2005-12-30 | 2005-12-30 | 탄소나노튜브 기반의 엑스-선관의 전자빔 발생용 음극 모듈 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| KR (1) | KR100665881B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911740B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2009-08-13 | 한국전기연구원 | 전계 방출 및 전기적 특성 측정을 위한 시스템 |
| KR100988285B1 (ko) | 2008-10-09 | 2010-10-18 | 주식회사 엑사이엔씨 | 텅스텐 와이어 |
| KR101023704B1 (ko) | 2008-07-08 | 2011-03-25 | 한국전기연구원 | 탄소 나노 튜브를 이용하는 엑스선 발생 장치 |
| KR101214404B1 (ko) | 2011-05-02 | 2012-12-21 | 경희대학교 산학협력단 | Ｘ―선관에서 발생되는 전자 빔 성형을 위한 게이트―집속 전극 일체형 전극구조 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001250496A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Rigaku Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2003141986A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 電極デバイスの製造方法 |
| US6630772B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-10-07 | Agere Systems Inc. | Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device |
-
2005
- 2005-12-30 KR KR1020050135734A patent/KR100665881B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6630772B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-10-07 | Agere Systems Inc. | Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device |
| JP2001250496A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Rigaku Corp | Ｘ線発生装置 |
| JP2003141986A (ja) | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 電極デバイスの製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| USRE38561 E |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100911740B1 (ko) * | 2007-08-03 | 2009-08-13 | 한국전기연구원 | 전계 방출 및 전기적 특성 측정을 위한 시스템 |
| KR101023704B1 (ko) | 2008-07-08 | 2011-03-25 | 한국전기연구원 | 탄소 나노 튜브를 이용하는 엑스선 발생 장치 |
| KR100988285B1 (ko) | 2008-10-09 | 2010-10-18 | 주식회사 엑사이엔씨 | 텅스텐 와이어 |
| KR101214404B1 (ko) | 2011-05-02 | 2012-12-21 | 경희대학교 산학협력단 | Ｘ―선관에서 발생되는 전자 빔 성형을 위한 게이트―집속 전극 일체형 전극구조 |
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