KR100664571B1 - 기밀용기의 제조방법과 화상표시장치의 제조방법 및접합방법 - Google Patents

Abstract

접합제를 사용하는 접합방법으로서, 제 1부재 위에 하층을 형성하는 공정과, 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 공정과, 제 2부재 위에, 접합제와 상이한 접촉부재를 형성하는 공정과, 상기 제 1부재와 제 2부재가 서로 접합되도록 접합제를 접촉부재에 접촉시키는 공정과를 가지는 접합방법이 제공된다. 상기 설명한 방법에서, 상기 하층에 대한 접합제의 습윤성은, 상기 하층이 형성되기 전에 제 1부재의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하고, 접착부재에 대한 접합제의 접합성은, 접촉부재가 형성되기 전에 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다.

Description

기밀용기의 제조방법과 화상표시장치의 제조방법 및 접합방법{MANUFACTURING METHOD OF AIRTIGHT CONTAINER, MANUFACTURING METHOD OF IMAGE DISPLAY DEVICE, AND BONDING METHOD}

도 1은, 본 발명의 외위기의 주변부의 개략적 단면도.

도 2는, 본 발명의 화상표시장치에 이용되는 전자원의 구성의 개략적 평면도.

도 3은, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 4는, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 5는, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 6은, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 7은, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 8a, 도 8b 및 도 8c는, 도 2에 도시한 전자원의 제조공정의 설명도.

도 9a와 도 9b는, 시간에 대한 포밍 전압의 도면.

도 10은, 본 발명의 전자방출소자의 특성을 측정하기 위한 장치의 개략도.

도 11은, 본 발명의 표면전도형 전자방출소자의 소자전류와 방출전류에 대한 소자전압의 관계를 도시한 도면.

도 12a와 도 12b는, 시간에 대한 활성화 전압의 도면.

도 13은, 화상표시장치의 일반 구성의 개략적 사시도.

도 14a와 도 14b는, 본 발명의 화상표시장치의 형광막의 개략적 사시도.

도 15는, 본 발명의 화상표시장치의 구동회로를 도시한 도면.

도 16은, 본 발명의 In막(접합제)의 형성방법의 설명도.

도 17은, 본 발명의 밀봉방법에 사용되는 구성의 개략도.

도 18은, 본 발명에 의한 외위기의 주변부의 구성의 개략적 단면도.

도 19는, 본 발명의 밀봉 방법에 사용되는 구성의 개략도.

도 20은, 표면전도형 전자방출소자의 구성의 일예의 개략도.

도 21은, 종래의 외위기의 주변부의 구성의 일예의 개략적 단면도.

도 22는, 종래의 밀봉방법의 일예의 단면도.

도 23은, 본 발명에 의한 외위기의 주변부의 구성을 도시한 측면도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

21,81 : 기판 22,23 : 소자전극

24 : Y방향 배선 25 : 절연층

26 : X방향 배선 27,27' : 도전막(소자막)

28 : 전자방출부분 50,52 : 전류계

51 : 전원 53 : 고전압전원

54 : 애노드 55 : 진공장치

56 : 진공펌프 81 : 이면판

82 : 전면판 83 : 유리판

84 : 형광막 85 : 메탈백

86 : 지지 프레임 90 : 외위기

91 : 흑백 도체 92 : 형광부

93 : In막 101 : 화상표시패널

102 : 주사회로 103 : 제어회로

104 : 시프트 레지스터 105 : 라인 메모리

106 : 동기신호분리회로 107 : 정보신호발생기

203,203a,203b : 접촉부재 204 : 하층

215 : 초음파 납땜 인두

본 발명은, 부재를 서로 접합하기 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 기밀용기와 화상표시장치를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

기밀용기는 광범위하게 사용되고 있다. 특히, 화상표시장치의 분야에서는, 기밀용기의 제조는 매우 중요한 기술이다.

현재, 화상표시장치에 대해서, 음극선관(CRT)은 광범위하게 이용되고 있다. 최근, 30인치 이상의 표시화면 사이즈를 가지는 CRT관이 시장에 도입되고 있다.

또한, 평면형 화상표시장치로서, 예를 들면, 자외선이 조사될 때 형광막을 여기하여 발광하는 플라즈마 표시장치(PDP)와, 전자원으로서 이용하는 전계방출(FE)형 전자방출소자 또는 표면전도형 전자방출소자 등의 전자방출소자로부터 방출되는 전자가 조사될 때 형광막을 여기하여 발광하는 평면형 화상표시장치를 언급할 수 있다. 최근에, 대략 40인치 정도의 대화면 사이즈를 가지는 PDP가 시판되고 있다.

상기 설명한 바와 같은 화상표시장치는 각각 기밀용기를 가지므로, 그 제조방법은 기밀용기를 형성하는 공정을 포함한다. 예를 들면, 전자원의 기판과 형광막이 형성된 기판을 서로 접합하여 기밀용기를 형성하는 화상표시장치의 제조방법이 알려져 있다.

2개의 부재를 서로 접합하는 방법과, 접합된 2개의 부재를 사용하여 진공 외위기를 제조하는 방법과, 상기 외위기를 사용하여 화상표시장치를 제조하는 방법이, 예를 들면, 일본국 특허공개 제 2002-184313호공보에 개시되어 있다. 이 특허문헌에서는, 금속 밀봉재가 하층 위에 공급되고, 밀봉이 다음에 실시되는 구조가 개시되어 있다.

또한, 일본국 특허공개 제 2002-182585호공보에서는, 인듐과 실리콘 접착제가 프레임 위에 나란히 배치되고, 밀봉이 다음에 실시되는 구조가 개시되어 있다.

도 13은, 전자원 기판과 그 위에 배치된 다수의 전자방출소자가 형성된 표시패널의 일반적 구성의 개략도이다. 또한, 도 21은, 표시패널(외위기(90))의 주변부의 개략적 단면 구성을 도시한 도면이다.

도 13과 도 21에서, (81)은, 다수의 전자방출소자가 배치된 전자원 기판을 나타내고, 상기 전자원 기판(81)은 어떤 경우에는 이면판이라고 칭할 수 있다. (82)는, 형광막과 메탈백 등이 유리기판 위에 형성된 전면판을 나타낸다. (86)은, 지지 프레임을 나타낸다.

외위기(90)는, 밀봉하기 위해 상기 이면판(81)과 지지 프레임(86) 및 전면판(82)이 서로 접착됨으로써 형성된다. 이하, 외위기를 밀봉하는 순서를 도 21을 참조하여 간단하게 설명한다.

먼저, 이면판(81)과 지지 프레임(86)이 프릿 유리(202)에 의해서 미리 접합된다.

다음에, 패널 접합제로서 사용된 인듐(In)막(93)은, 납땜하여 지지 프레임(86)과 전면판(82)을 형성한다. 이 공정에서, 상기 지지 프레임(86)과 전면판(82)에 대한 In막(93)의 접착성을 증가시키기 위하여, 도 21에 도시한 바와 같이 하층으로서 은-페이스트 막(204)이 형성된다.

그 후, 진공 챔버에서, In의 융점 이상의 온도로 In막(93)을 개재하여 지지 프레임(86)을 전면판(82)에 접합함으로써 밀봉을 실시하고, 그에 의해 외위기(90)를 형성한다.

본 발명의 목적은, 부재 사이에 매우 신뢰성이 높은 접합을 실현할 수 있는 신규의 접합방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 다른 목적은, 높은 신뢰성으로 기밀조건을 유지할 수 있는 기밀용기의 제조방법을 제공하는 것이고, 또한 양호한 표시성능을 가지는 화상표시 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 제 1측면에 의하면, 기밀용기의 제조방법은, 제 1부재와 제 2부재를 접합하는 접합공정을 포함하고, 상기 접합공정은, 제 1부재 위에 하층을 형성하는 제 1공정과; 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 제 2공정과; 상기 제 2부재 위에 접합제와 상이한 접촉부재를 형성하는 제 3공정과; 상기 접합제를 상기 접촉부재에 접합시키는 제 4공정을 포함한다. 상기 설명한 제조방법에 있어서, 상기 하층에 대한 접합제의 습윤성은, 제 1공정 전의 제 1부재의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하고; 상기 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 제 3공정 전의 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하고, 제 3공정은, 상기 제 2부재에 소정의 처리를 실시한 후에 실시한다. 본 발명의 제 1측면에 의한 제조방법에 있어서, 상기 설명한 제 1공정, 제 2공정, 제 3공정 및 제 4공정은 그 순서로 실시될 필요는 없다.

소정의 처리로서, 예를 들면, 제 2부재 위에 막을 형성하는 공정이나, 상기 제 2부재를 소정의 대기에 노출하는 공정이 언급될 수 있다. 소정의 처리를 실시한 후, 접합제가 형성된 제 2부재의 위치는 접합하는 데에 적합하지 않은 경우, 소정의 처리 후 접촉부재를 형성하는 제 3공정을 실시함으로써, 양호한 접합을 실현할 수 있다.

본 발명의 제 2측면에 의하면, 상기 제 1측면에 의한 제조방법에 있어서, 상기 접합공정은, 상기 제 1부재와 제 2부재를 접합함으로써 기밀공간을 규정하는 폐쇄된 접합선을 형성하는 공정이고; 상기 제 3공정에서 형성된 접촉부재는, 접합제 에 접촉시키도록 상기 폐쇄된 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 적어도 배치되고; 상기 폐쇄된 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 배치된 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 제 3공정 전의 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다.

본 발명의 제 3측면에 의하면, 상기 기밀용기의 제조방법은, 기밀공간을 규정하는 폐쇄된 접합선을 형성하도록 제 1부재와 제 2부재를 접합하는 접합선 형성공정을 포함하고, 상기 접합선 형성공정은, 제 1부재 위에 하층을 형성하는 제 1공정과; 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 제 2공정과; 폐쇄된 접합선이 형성될 제 2부재의 위치 전체에 걸쳐서, 접합제와 상이한 접촉부재를 배치하는 제 3공정과; 상기 접합제를 접촉부재에 접촉시키는 제 4공정을 포함한다. 상기 설명한 제조방법에 있어서, 상기 하층에 대한 접합제의 습윤성은, 제 1공정 전의 제 1부재의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하고, 상기 접촉부재에 대한 상기 접합제의 접합성은, 제 3공정 전의 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다.

본 발명의 제 4측면에 의하면, 상기 제 1측면 내지 제 3측면 중의 어느 하나의 제조방법에 있어서, 상기 접합제는 금속을 함유하는 것이 바람직하다. 이 경우, 접합제 전체가 항상 금속으로 이루어질 필요는 없다. 또한, 금속으로서, 합금이 사용될 수도 있다. 접합제는 저융점을 가지는 것이 바람직하다. 특히, 200℃ 이하의 융점을 가지는 접합제를 사용하는 것이 바람직하다. 저융점 금속이 사용되고, 특히 200℃ 이하의 융점을 가지는 저융점 금속이 사용되는 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 제 5측면에 의하면, 제 1측면 내지 제 4측면 중의 어느 하나의 제조방법에 있어서, 상기 하층은 금속을 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 접합제에 접촉되는 하층의 표면은 금속을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 6측면에 의하면, 제 4측면의 제조방법에 있어서, 상기 하층은 접합제용 금속과 비교하여 산화되지 않는 금속으로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 7측면에 의하면, 제 1측면 내지 제 6측면 중의 어느 하나의 제조방법에 있어서, 상기 접합제는 접촉부재에 접촉될 위치에서 산화물을 함유하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 8측면에 의하면, 제 1측면 내지 제 7측면 중의 어느 하나의 제조방법에 있어서, 상기 접촉부재는 접합제에 접촉될 위치에서 산화물을 함유하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 9측면에 의하면, 제 8측면의 제조방법에 있어서, 상기 산화물은 SiO₂ 또는 PbO로 이루어진 것이 바람직하다.

본 발명의 제 10측면에 의하면, 제 1측면 내지 제 9측면 중의 어느 하나의 제조방법에 있어서, 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 상기 제 2공정은, 적어도 접합제의 표면이 산화되는 조건 아래에서 행해지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하층 위에 접합제를 형성하는 제 2공정으로서, 접합제의 적어도 일부분이 용융되는 온도에서 접합제를 하층 위에 배치하는 공정이 될 수 있다. 또한, 접합제를 형성하는 제 2공정의 종료로부터 접합공정의 종료까지 얻어진 최대온도에서 접합제의 적어도 일부분이 용융되는 공정을 이용할 수 있다. 이 경우, 접합제는 대기 중에 존재하는 산소에 의해서 산화되기 쉽다. 상기 설명한 조건 아래에서, 특히, 본 발명의 제조방법은 유효하게 실시된다. 또한, 상기 언급한 최대온도에서, 접촉부재가 용융되지 않는 것이 바람직하다.

본 발명의 제 11측면에 의하면, 기밀용기와 상기 기밀용기 내에 배치된 표시소자를 가지는 화상표시장치를 제조하는 제조방법으로서, 상기 화상표시장치의 제조방법은, 제 1측면 내지 제 10측면에 의한 제조방법 중의 하나에 의해 기밀용기를 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명의 제 12측면에 의하면, 상기 제 11측면의 제조방법에 있어서, 상기 기밀용기는, 제 1기판과, 상기 제 1기판과 대면하는 제 2기판과, 상기 제 1기판과 제 2기판 사이에 형성된 기밀공간을 둘러싸는 포위부재를 포함하고, 상기 제 1부재는 외위기 부재가 될 수 있다.

본 발명의 제 13측면에 의하면, 제 11측면에 의한 제조방법에 있어서, 상기 기밀용기는, 제 1기판과, 상기 제 1기판과 대면하는 제 2기판과, 상기 제 1기판과 제 2기판 사이에 형성된 기밀공간을 둘러싸는 포위부재를 포함하고, 상기 제 1부재는 제 1기판 또는 제 2기판일 수 있다.

본 발명의 제 14측면에 의하면, 기밀용기와 상기 기밀용기 내에 배치된 표시소자를 가지는 화상표시장치를 제조하는 제조방법으로서, 상기 화상표시장치의 제조방법은, 제 1측면 또는 제 2측면에 의한 제조방법에 의해 기밀용기를 형성하는 공정을 포함한다. 상기 설명한 화상표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 소정의 처리는 상기 제 2부재 위에 표시소자의 적어도 일부분을 형성하는 공정이거나, 또는 제 2부재 위에, 표시소자에 신호를 공급하는 배선의 적어도 일부분을 형성하는 공정이다. 제 14측면에 의한 제조방법은 제 4측면 내지 제 10측면에 의한 방법 중의 적어도 하나를 조합할 수도 있다.

본 발명의 제 15측면에 의하면, 기밀용기와 상기 기밀용기 내에 배치된 표시소자를 가지는 화상표시장치를 제조하는 제조방법으로서, 상기 화상표시장치의 제조방법은, 제 1측면 또는 제 2측면에 의한 제조방법에 의해 기밀용기를 형성하는 공정을 포함한다. 상기 설명한 화상표시장치의 제조방법에 있어서, 소정의 처리는, 상기 제 2부재 위에, 표시소자에 신호를 공급하는 배선의 적어도 일부분을 형성하는 공정과, 접촉부재의 적어도 일부분은 상기 배선의 적어도 일부분 위에 형성한다. 제 15측면에 의한 제조방법은 제 4측면 내지 제 10측면에 의한 방법 중의 적어도 하나를 조합할 수도 있다.

본 발명의 제 16측면에 의하면, 기밀용기와 상기 기밀용기 내에 배치된 표시소자를 가지는 화상표시장치를 제조하는 제조방법으로서, 상기 화상표시장치의 제조방법은, 제 1측면 또는 제 2측면에 의한 제조방법에 의해 기밀용기를 형성하는 공정을 포함한다. 상기 설명한 화상표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 소정의 처리는 상기 제 2부재 위에 전극 또는 형광막을 형성하는 공정이다. 제 16측면에 의한 이 제조방법은, 제 4측면 내지 제 10측면에 의한 방법 중의 적어도 하나를 조합할 수도 있다. 또한, 상기 설명한 화상표시장치의 제조방법의 각각은, 상기 설명한 표시소자를 형성하는 공정을 부가하여 포함할 수 있다. 표시소자를 형성하는 공정은 기밀용기를 형성하는 공정 전후에 실시될 수 있다. 또한, 표시소자를 형성하는 공정이 복수의 하위공정을 포함하는 경우, 다소의 하위공정은 기밀용기를 형성하는 공정 전에 실시될 수 있고, 기타 하위공정은 상기 설명한 공정 후에 실시될 수 있다.

본 발명의 제 17측면에 의하면, 접합제를 사용하는 접합방법으로서, 제 1부재 위에 하층을 형성하는 공정과; 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 공정과; 제 2부재 위에, 접합제와 상이한 접촉부재를 형성하는 공정과; 상기 제 1부재와 제 2부재가 서로 접합되도록 접합제를 접촉부재에 접촉시키는 공정을 포함한다. 상기 설명한 접합방법에 있어서, 상기 하층에 대한 접합제의 습윤성은, 상기 하층이 형성되기 전에 제 1부재의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하고, 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 접촉부재가 형성되기 전에 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다.

상기 설명한 본 발명의 측면에 의하면, 접합제에 대한 접촉부재의 접합성은, 접합제에 대하여, 접촉부재를 대신하여 제 2부재 위에 형성된 하층과 동일한 재료의 접합성보다 양호하다.

상기 설명한 본 발명의 측면에 의한 제조방법에 있어서, 접합제를 접촉부재에 접촉시키는 공정은 감압 대기에서 실시하는 것이 바람직하다.

본 발명의 측면에 의한 제조방법에 있어서, 접합제와 접촉부재를 서로 접촉시키는 온도는, 접촉부재가 유동하지 않는 온도가 바람직하다. 특히, 접합제와 접촉부재를 서로 접촉시키기 전에, 더욱 상세하게는, 접합제가 하층 위에 형성된 후와 접합제와 접촉부재를 서로 접촉시키기 전에, 접합제가 높은 유동성을 가지도록 온도를 높일 수 있으나, 상기 설명한 경우에서는, 접합제의 높은 유동성이 얻어진 온도보다 낮게 온도를 낮춤으로써 접합제의 유동성이 억제될 때에 접합제와 접촉부재를 서로 접촉시키는 것이 바람직하다. 또한, 상기 설명한 본 발명의 제조방법에 있어서, 하층으로서는, 은, 금, 백금, 또는 상기 언급한 금속 중의 적어도 하나를 포함한 합금을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 기타 목적과 특징과 이점은, 바람직한 실시예의 다음 설명으로부터 첨부도면을 참조하여 자명해진다.

본 발명에 의한 실시예를 설명한다. 본 실시예에서, 본 발명에 의한 접합방법과 기밀용기의 제조방법인 화상표시장치의 제조방법도, 구체적인 예를 참조하여 설명한다. 특히, 접합제가 양호한 균일성을 나타내도록 형성된 실시예를 실현하려고 한다. 습윤성을 향상시키는 하층을 부재 중의 하나, 즉, 제 1부재 위에 형성하는 경우, 균일성이 향상될 수 있다. 습윤성을 사용하여 접합제가 형성되는 처리로서, 하층에 접촉시키면서 접합제의 적어도 일부분이 용융되는 처리를 이용하는 것이 바람직하다. 더욱 상세하게는, 용융 상태의 접합제가 하층 위에 형성될 때나, 또는 그 위에 배치된 후 접합제가 용융될 때 상기 설명한 처리는 달성될 수 있다. 습윤성을 사용하여 균일한 접합제를 실현하면, 상기 접합제의 표면 위에 형성된 산화물의 존재가 문제를 일으킬 수 있다는 것을 발견하였다. 예를 들면, 가열되는 동안 접합제가 하층 위에 형성될 때나, 또는 공기에서와 같이 산화물을 함유한 대기에서 접합제가 그 위에 형성될 때, 접합제의 표면이 산화되기 쉽다. 따라서, 다른 부재, 즉, 상기 언급한 제 1부재에 접합되는 제 2부재에 대한 양호한 접합성을 가지는 접촉부재는, 상기 제 2부재 위에 형성되고, 그에 의해 제 1부재와 제 2부재간에 접합성이 향상된다.

본 발명에서 습윤성의 차이는, 다음의 방법에 의해 확인할 수 있다. 즉, 제 1부재의 하층 위에 도포된 접합제의 펼쳐진 폭을 측정한다. 다음에, 하층이 형성되지 않은(하층의 형성 전에), 상기 제 1부재 위에 도포된 접합제의 펼쳐진 폭은, 상기 측정과 동일한 조건 아래에서 측정된다. 그 후, 하층이 형성될 때 획득한 펼쳐진 폭을 하층이 형성되지 않을 때 얻어진 폭으로 나누고, 그에 의해 얻어진 값이 1 이상이면, 하층에 대한 접합제의 습윤성이, 하층이 형성되지 않은 제 1부재의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하다는 것이 확인된다.

또한, 접촉부재가 형성되지 않은(접촉부재의 형성 전에), 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호한 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 다음의 방법에 의해 확인될 수 있다. 즉, 제 1기밀용기는 본 발명에 의한 접합방법 또는 기밀용기의 제조방법을 사용하여 형성된다. 통풍관은 상기 기밀용기에 설치된다. 10개의 제 1기밀용기가 형성된다. 상기 제 1기밀용기와 동일한 조건 아래에서, 접촉부재가 형성되지 않은 제 2부재를 사용하여 제 2기밀용기를 형성한다. 통풍관은 또한 제 2기밀용기에도 설치된다. 10개의 제 2기밀용기가 또한 형성된다. 이들 기밀용기에 대하여, 헬륨을 불어넣어, 각각의 기밀용기에 설치된 통풍관에 접속된 헬륨누설검출기를 사용하여, 기밀용기에 도입되는 헬륨의 양을 측정한다. 측정조건은, 1 ×10^-12 Pa·m³/s 이상의 헬륨량이 20개의 기밀용기 중 적어도 5개에서 검출되도록 설정된다. 특히, 먼저, 접합된 부분에 분리방향으로 힘이 가해지지 않는 동안 20개의 기밀용기의 헬륨량이 측정된다. 이 공정에서, 1 ×10^-12 Pa·m³/s 이상의 헬륨량이 20개의 기밀용기에서 4개 이하의 기밀용기에서 검출되는 경우, 접합된 부분에 분리방향으로 힘이 약간 인가된 후, 다음에 20개의 기밀용기에서 헬륨량을 측정한다. 기밀용기의 전체 개수가 1 ×10^-12 Pa·m³/s 이상의 헬륨량을 가지는 5개 미만일 경우, 접합된 부분에 분리방향으로 증가된 힘을 더욱 인가한 후, 20개의 기밀용기의 헬륨량을 다음에 측정한다. 소정의 분리력이 인가된 일련의 측정(또는 분리력이 인가되지 않은 최초의 일련의 측정) 후, 1 ×10^-12 Pa·m³/s 이상의 헬륨량을 가지는 기밀용기의 개수가 5개 이상인 경우, 측정이 종료된다. 1 ×10^-12 Pa·m³/s 미만의 헬륨량을 가지는 기밀용기는 양호한 제품으로 간주하고, 2종류의 용기의 양품률을 다음에 서로 비교한다. 제 1기밀용기의 양품률이 제 2기밀용기보다 높으면, 접촉부재에 대한 접합제의 접합성이 접촉부재가 형성되지 않은 제 2부재의 면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다는 것이 확인된다.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시로 설명한다. 그러나, 본 실시예에서 설명하는 구성소자의 치수, 재료, 배치 등은 본 발명을 조금도 한정하지 않는다는 것을 이해하여야 한다. 본 실시예에서, 전자방출소자를 표시소자로 이용하고 있으나, 표시소자로서, 전기발광소자와 플라즈마 표시소자 등의 다른 소자도 이용될 수 있다.

본 실시예의 화상표시장치에서, 전자원에 배치되는 전자방출소자로서, 도 20에 도시한 구성을 가지는 소자가 이용된다.

기판(21)은 유리 등으로 이루어지고, 그 크기와 두께는 대략, 예를 들면, 전자방출소자의 개수와 개개의 소자의 설계 형상을 고려하여 결정된다. 또한, 전자원이 동작하는 동안 용기의 일부분으로서 기능하도록 상기 기판이 형성되는 경우, 용기를 진공으로 유지하기 위하여 대기압에 대한 저항을 가지는 구성 등의 역학적 조건을 또한 고려한다.

유리 재료로서는, 저가의 청색판 유리가 사용될 수 있다. 또한, 상기 유리 기판 위에, 2층의 기판을 형성하도록 실리콘 산화막을 그 위에 형성하는 것이 바람직하다. 청색판 유리가 기판으로서 이용되는 경우, 특히, 상기 실리콘 산화막은 나트륨 블록층으로서 이용될 수 있다. 상기 실리콘 산화막은 대략 0.5㎛의 두께를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 실리콘 산화막은 스퍼터링에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 미량의 나트륨을 함유하는 유리와 석영기판은 또한 본 발명에 의한 실시예의 기판으로서 이용될 수 있다.

소자전극(22),(23)의 재료로서, 일반적인 도체재료가 이용되고, 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 티타늄(Ti)의 금속 또는 합금이나, 또는 팔라듐(Pd)-은(Ag) 합금을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속 산화물과 유리 등으로 형성된 인쇄 도전재료와, 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 투명전도체가 이용될 수도 있다. 그 두께는 수백 Å 내지 수 ㎛의 범위가 바람직하다.

소자전극간의 간격 L, 그 길이 W, 형상 등은, 상기 소자가 실제적으로 이용되는 용도에 따라서 적절하게 설계되지만, 상기 간격 L은 수천 Å 내지 1mm의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 소자전극간에 인가된 전압을 고려하여, 1 내지 100㎛의 범위가 바람직하다. 또한, 상기 길이 W는, 전극저항과 전자방출특성을 고려하여 수 내지 수백 ㎛의 범위가 바람직하다.

전자원으로서 이용되는 도전막(소자막)(27)은, 소자전극(22),(23) 위에 배치되도록 형성된다.

도전막(27)으로서, 양호한 전자방출특성을 얻기 위하여, 미립자로 구성된 미립자막이 특히 바람직하다. 또한, 그 두께는 선택적으로 설정되고, 예를 들면, 소자전극(22),(23)에 대한 단위범위와, 소자전극 사이의 저항과, 나중에 설명되는 포밍 처리조건을 고려하여 선택되지만, 상기 두께는 수 내지 수천 Å의 범위가 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 10 내지 500 Å의 범위이다. 그 시트저항은 10³ 내지 10⁷Ω의 범위가 바람직하다.

도전막의 재료로서는, 일반적으로, Pd가 적절하게 사용되지만, 상기 재료에 한정하지 않는다. 또한, 막형성 방법, 예를 들면, 스퍼터링 또는 용액도포 후에 실시한 소성이 선택적으로 이용될 수 있다.

전자방출부분(28)은, 예를 들면, 하기 설명하게 되는 통전에 의해 형성된다. 도면의 예시의 편의상, 직사각형의 전자방출부분(28)을 도전막(27)의 중심에 도시 하지만, 이것은 개략도이고, 실제의 전자방출부분의 위치와 형상은 도면에 정밀하게 도시하고 있지 않다.

소정의 진공도로 도면에 도시하지 않은 전원에 의해 소자전극 (22)와 (23)간에 통전하면, 도전막(27)의 일부분의 구조가 변화하여 간극(균열)이 형성되고, 상기 간극 영역은 전자방출부분(28)을 형성한다. 또한, 이 포밍에 의해 형성된 간극 부근에 소정의 전압에서 전자방출이 일어나지만, 이 상태의 전자방출의 효율은 매우 낮다.

통전에 의해 포밍(이하, "전기적인 포밍"으로 칭함)에 사용된 전압파형의 예를 도 9에 도시한다. 특히, 전압파형은 펄스파형이 바람직하다. 그 방법으로서, 예를 들면, 일정한 피크펄스전압을 가지는 펄스가 도 9a에 도시한 바와 같이 연속적으로 인가되는 방법과, 피크펄스전압을 도 9b에 도시한 바와 같이 증가시키면서 펄스가 인가되는 방법을 언급할 수 있다.

먼저, 피크펄스전압이 일정한 경우 도 9a를 참조하여 설명한다. 도 9a에서, T1과 T2는 펄스폭과 펄스간격을 각각 나타낸다. 일반적으로, T1은, 1㎲ 내지 10ms의 범위로 설정되고, T2는 10㎲ 내지 100ms의 범위로 설정된다. 삼각파형의 피트전압(전기적인 포밍의 피크전압)은 전자방출소자의 상태에 따라서 적절하게 선택된다. 상기 설명한 조건 아래에서, 예를 들면, 수초 내지 수십분동안 전압이 인가된다. 펄스파는 삼각파에 한정하지 않는다. 방형의 파형 등의 소망한 파형이 또한 사용될 수 있다.

다음에, 피크펄스전압을 증가시키면서 펄스가 인가되는 경우를 도 9b를 참조하여 설명한다. 도 9b의 T1과 T2는 도 9a에 도시한 바와 동일하게 할 수 있다. 삼각파형의 피크전압(전기적인 포밍의 피크전압)은, 예를 들면, 대략 스텝당 0.1V 정도씩 증가시킬 수 있다.

전기적인 포밍은, 저항이 예를 들면, 펄스전압이 인가되는 소자를 통해 흐르는 전류를 측정함으로써 획득된 1㏁ 이상에 도달할 때 종료될 수 있다.

상기 전기적인 포밍이 완료된 후, 전자방출효율이 매우 낮아진다. 따라서, 전자방출효율을 증가시키기 위하여, "활성화"로 칭하는 처리를 소자에 실시하는 것이 바람직하다.

활성화처리는, 유기화합물이 존재하는 적절한 진공도에서 소자전극(22),(23) 사이에 펄스전압이 반복적으로 인가될 때 실시될 수 있다. 탄소원자를 함유하는 가스를 도입함으로써, 탄소 또는 거기에서 유도된 탄소화합물은 탄소막으로서 간극(균열)의 부근에 퇴적된다.

이러한 처리의 일예에서, 탄소원으로 사용되는 트리니트릴은, 저속 누설밸브를 통해 진공공간내에 도입되고, 그 내부는 대략 1.3 ×10^-4Pa의 압력으로 유지된다. 예를 들면, 진공장치의 형상과 진공장치에 설치된 부재에 의해 약간 영향을 받지만, 유도된 트리니트릴의 압력은 1 ×10^-5 내지 1 ×10^-2Pa의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

도 12a와 도 12b는, 활성화 공정에 사용된 전압인가의 바람직한 예를 도시한 도면이다. 최대인가전압은 10 내지 20V의 범위에서 적절하게 선택된다.

도 12a에서, T1은 전압파형의 정과 부의 각각의 펄스폭을 나타내고, T2는 펄스간격을 나타내고, 전압의 정과 부의 절대값이 서로 동일하게 설정된다. 또한, 도 12b에서, T1과 T1'는 전압파형의 정과 부의 펄스폭을 각각 나타내고, T2는 펄스간격을 나타내고, T1>T2를 만족하고, 전압의 정과 부의 절대값이 서로 동일하게 설정된다.

상기 설명한 경우에서, 방출전류 Ie가 대략 포화단계에 이르면, 통전이 정지되고, 저속 누설밸브를 폐쇄하고, 그에 의해 활성화처리를 종료한다.

상기 설명한 공정에 의해, 도 20에 도시한 바와 같은 전자방출소자를 형성할 수 있다.

소자 구조를 가지고 상기 설명한 바와 같은 제조방법에 의해 형성된 전자방출소자의 기본특성은, 도 10과 도 11을 참조하여 설명한다.

도 10은, 상기 설명한 구성을 가지는 전자방출소자의 전자방출특성을 측정하는 측정장치의 개략도이다. 도 10에서, (51)은, 소자전압 Vf을 소자에 인가하는 전원을 나타내고; (50)은, 소자의 전극부분을 통하여 흐르는 소자전류 If를 측정하는 전류계를 나타내고; (54)는, 상기 소자의 전자방출부분으로부터 방출된 방출전류 Ie를 수집하는 애노드이고; (53)은, 전압을 상기 애노드(54)에 인가하는 고전압전원을 나타내고; (52)는, 전자방출부분으로부터 방출된 방출전류 Ie를 측정하는 전류계이다.

전자방출소자의 소자전극(22),(23) 사이에 흐르는 소자전류 If와, 애노드에 흐르는 방출전류 Ie가 측정되면, 전원(51)과 전류계(50)는 소자전극(22),(23)에 접속하고, 전원(53)과 전류계(52)에 접속된 애노드(54)는 상기 전자방출소자위에 배치된다.

또한, 전자방출소자와 애노드(54)가 진공장치(55)내에 배치되고, 진공펌프(56)와, 진공장치에 필요한 진공계 등의 필요한 구성요소가 진공장치(55)에 설치되어, 소망한 진공도에서 전자방출소자의 측정을 실시할 수 있다. 또한, 1 내지 10kV의 애노드(54)의 전압과 2 내지 8mm의 상기 애노드와 전자방출소자 사이의 거리 H에서 측정을 실시한다.

도 10에 도시한 측정장치에 의해 측정된 방출전류 Ie와 소자전류 If에 의한 소자전압 Vf의 관계의 전형적인 예를 도 11에 도시한다. 이 도면에서, 방출전류 Ie의 크기는 소자전류 If와 현저하게 상이하지만, If와 Ie의 변화는 정성적으로 비교되므로, 상기 도면의 종축은 선형의 임의의 단위로 나타낸다.

상기 전자방출소자는 방출전류 Ie에 대한 3개의 특징을 가진다.

먼저, 도 11로부터 알 수 있는 바와 같이, 특정의 단계(이하 "한계전압"으로 칭함, 도 11에 도시한 Vth임) 이상을 가지는 소자전압이 상기 소자에 인가되면, 방출전류 Ie는 급격하게 증가되고, 한편, 소자전압이 한계전압 Vth 미만이면, 방출전류 Ie는 거의 검출되지 않는다. 즉, 상기 소자는, 방출전류 Ie에 대한 자명한 한계전압 Vth을 가지는 비선형 소자로서의 특성을 가진다고 이해하여야 한다.

두 번째는, 소자전압 Vf에 좌우하기 때문에, 방출전류 Ie는 소자전압 Vf에 의해 제어될 수 있다.

세 번째는, 애노드(54)에 의해 수집된 방출전하량은 소자전압 Vf을 인가하는 시간에 좌우한다. 즉, 애노드(54)에 의해 수집된 상기 전하량은 소자전압 Vf를 인가하는 시간에 의해 제어될 수 있다.

다음에, 본 실시예의 전자원과 화상표시장치를 설명한다.

본 실시예의 기본구성으로서, 예를 들면, 도 2에 도시한 구성을 언급할 수 있다. 이 전자원은, 기판(81) 위에, 복수의 Y방향 배선(하측 배선)(24)과 Y방향 배선(24) 위에 절연층(25)을 개재하여 복수의 X방향 배선(상측 배선)(26)이 배설되고, 양방향 배선 사이의 교차부의 각각의 부근에, 1쌍의 전극(소자전극(22),(23))을 포함한 전자방출소자가 배치된다.

본 실시예의 화상표시장치는, 도 2에 도시한 바와 같은 전자원을 가지는 구성과 그 기본구성을, 화상표시장치의 일반 구성을 도시한 도 13을 참조하여 설명한다.

도 13에서, (81)은, 전자원을 형성하는 기판을 나타내고, (82)는, 유리판(83) 위에 형성된 형광막(84), 메탈백(85) 등이 형성된 기판인 전면판을 나타내고, (86)은 포위부재로서 이용된 지지 프레임을 나타낸다. 전자원을 형성하는 상기 기판(81)과, 지지 프레임(86) 및 전면판(82)은, In막 또는 프릿유리 등의 접합제에 의해 서로 접합되고, 밀봉을 위해 400 내지 500℃로 10분 이상 소성하고, 그에 의해 기밀용기로서 외위기(90)를 형성한다.

스페이서(도면에 도시하지 않음)로 칭하는 지지체가 전면판(82)과 전자원 기판(81) 사이에 배치되면, 큰 영역의 패널에 사용될 수 있고, 또한 대기압에 대해서 충분한 강도를 가지는 외위기(90)를 형성할 수 있다.

본 실시예의 외위기의 제조방법은, 지지 프레임을 프릿 유리 등에 의해 전자원 기판(81) 또는 전면판(82)에 접합하고, 상기 외위기(90)가 전자원 기판(81)과 전면판(82) 사이의 소정의 공간에 형성되면 상기 지지 프레임(86)의 접촉면 위에 하층을 형성한 다음, 상기 하층 위에 접합제를 형성하는 공정을 포함한다. 상기 설명한 공정에서, 하층에 대한 접합제의 습윤성이 하층이 형성되지 않은 지지 프레임(86)의 표면에 대한 접합제의 습윤성보다 양호하도록 상기 하층을 선택한다.

접합제로서는, 금속을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 저융점 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 200℃ 이하의 융점을 가지는 접합제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 금속이 접합제로서 사용되면, 인듐 또는 그 합금이 금속으로서 사용하는 것이 바람직할 수 있다.

또한, 하층에 대하여, 금속을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 산화되기 어려운 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 하층은 접합제와 상이한 조성을 가지는 것이 바람직하다. 특히, 금속이 접합제로 사용되면, 접합제와 비교하여 산화되기 어려운 금속이 하층에 사용되는 것이 바람직하다. 산화에 대한 저항의 정도는 표준 산화환원 전위의 값에 의해 규정된다. 상기 하층에 대하여, 금, 은, 백금 또는 상기 언급한 금속 중의 적어도 하나를 함유한 합금을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 접합제에 대향하는 다른쪽 기판(지지 프레임(86)이 접합되지 않은 기판)의 위치에, 상기 접합제와 상이한 조성을 가지는 접촉부재가 형성된다. 이 공정에서, 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 접촉부재가 형성되지 않은 다른쪽 기 판(지지 프레임(86)이 접합되지 않은 기판)의 면에 대한 접합제의 접합성보다 양호하다.

접촉부재로서, 산화막이 사용되는 것이 바람직하고, 특히 SiO₂ 또는 PbO가 바람직하다.

또한, 하층과 접촉부재의 재료 또는 형상, 또는 그 재료와 형상 양쪽 모두가 서로 상이한 것이 바람직하다. 동일한 재료가 하층과 접촉부재에 이용될 수 있지만, 양호한 습윤성과 접합성은 동시에 항상 얻어질 수 없다. 특히, 접합제의 표면이 산화물층을 가지면, 동시에 이러한 특성을 획득하는 것이 곤란하다. 본 실시예에서는, 접촉부재가 형성되는 면(접촉부재가 그 위에 형성되기 전의 면)이 산화물을 포함하면, 접촉부재로서 산화막이 형성된다. 예를 들면, 접촉부재가 형성되는 부재가 전자원을 형성하는 기판이면, 전자원을 형성하는 기판이 그 표면 위에 산화물층을 가지고 있더라도, 예를 들면, 접합제에 접촉시키는 기판의 위치는, 전자방출소자의 형성 또는 배선의 형성 등의 처리에 의해 오염될 수 있고, 그리고/또는 배선 등의 부재가 형성될 수 있다. 또한, 접촉부재가 형성되는 부재가 전면판을 형성하는 기판이면, 전면판을 형성하는 기판이 그 표면 위에 산화물층을 가지고 있더라도, 예를 들면, 접합제에 접촉시키는 기판의 위치는, 형광막이 형성 또는 가속전극으로서 사용되는 메탈백의 형성 등의 처리에 의해 오염될 수 있고, 그리고/또는 전극, 배선 등의 부재가 형성될 수 있다. 따라서, 부재 위에 접촉부재를 형성하는 공정은, 접촉부재를 접합제에 접촉시키는 공정 전에 상기 부재에 실시되어 야 하고, 적어도 1개의 처리가 종료된 후에 실시하는 것이 바람직하다. 특히, 부재 위에 접촉부재를 형성하는 공정은, 배선 및/또는 전극 등의 소정의 구성소자의 형성이, 접합제에 접촉시키는 부재의 위치 위에 실시된 후에 실시하는 것이 바람직하다. 더욱 상세하게는, 접촉부재를 접합제에 접촉시키는 공정 전에 부재에 실시되어야 하는 모든 처리가 종료된 후에, 부재 위에 접촉부재를 형성하는 공정을 실시하는 것이 가장 바람직하다.

또한, 하층에 의해 형성된 접합부, 접합제 및 접촉부재는, 포위부재로서 기능하는 지지 프레임을 따라서 폐쇄된 접합선으로서 형성된다. 예를 들면, 도 13에 도시한 구성에서, 접합선을 지나서 외측으로 연장되도록, 전자원을 형성하는 기판(81)의 표면 위에 배선이 형성되는 경우와, 전자원을 형성하는 기판(81)이 접촉부재가 형성된 기판인 경우, 기판(81)이 실리콘 산화막으로 피복된 기판과 같이 표면에 산화물을 가지더라도, 배선이 표면을 형성하므로, 배선이 형성된 위치에서의 접합성은 몇몇 경우에서 불충분할 수 있다. 상기 설명한 경우에서, 접촉부재는 배선이 형성된 위치 위에 적어도 형성될 수 있다. 즉, 접합제에 접촉시키도록, 접합제에 대한 양호한 접합성을 가지는 접촉부재가 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 배치한 후, 접촉부재는 다음에 접합제에 접촉될 수 있다. 더욱 바람직하게는, 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 접촉부재를 형성하는 공정 후에, 접촉부재가 다음에 접합제에 접촉된다. 또한, 하층도 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 형성하는 것이 바람직하다.

본 발명의 접합방법은, 접합이 감압대기에서 실시되는 경우에 이용하는 것이 특히 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 하층 위에 접합제를 형성하는 공정이 적어도 접합제의 표면이 산화되는 대기에서 실시되는 경우에 상기 접합방법이 적절하게 이용된다.

또한, 하층 위에 접합제를 형성하는 공정에서, 접합제가 용융하여 배치되는 경우, 본 발명의 접합방법을 이용하는 것이 바람직하다.

본 실시예의 화상표시장치의 진공 밀봉부의 구체적인 구성과 동작 등은, 나중에 설명하는 실시예를 참조하여 상세하게 설명한다.

외위기, 즉, 본 실시예의 기밀용기의 내부압력(전체압력)은 10^-5Pa 이하이다. 이 압력을 얻은 후, 밀봉 후에 외위기(90)의 진공도를 유지하기 위하여, 게터처리를 또한 실시하였다.

게터에는, 증발형과 비증발형 게터가 있다. Ba 등을 주성분으로 함유하는 합금으로 이루어진 증발형 게터는, 외위기(90)내에서 통전 또는 고주파에 의해 가열하여, 상기 용기의 내벽에 증착막(게터 플래싱)을 형성하고, 그에 의해 내부에 발생된 가스를 활성의 게터 금속면에 의해 흡착하여 고진공을 유지한다.

한편, 비증발형 게터로서는, 가스 흡착특성을 얻기 위하여, "게터 활성화"의 진공상태에서 Ti, Zr, V, Al, Fe 등으로 이루어진 게터재료가 배치되어 가열되고, 그에 의해 발생된 가스를 흡착한다.

일반적으로, 평면형 화상표시장치가 얇은 두께를 가지므로, 증발형 게터가 배치되는 영역과 순간 방전을 위한 플래시 영역을 확보하기 곤란하고, 그에 의해 상기 게터는 화상표시영역의 외측에 배치된 지지 프레임의 부근에 설치된다. 따라서, 화상표시의 중앙부와 게터가 설치된 영역 사이의 컨덕턴스가 감소하여, 그 결과, 전자방출소자 및/또는 형광막의 중심부에서의 효율적인 배기속도가 감소된다.

전자원과 화상표시부재를 가지는 화상표시장치에서, 바람직하지 않은 가스가 발생된 영역은, 주로 전자빔에 의해 조사되는 화상표시영역이다. 따라서, 형광막과 전자원을 고진공도로 유지하기 위하여, 가스가 발생한 형광막과 전자원의 부근에 비증발형 게터를 배치하는 것이 바람직하다.

도 2에 도시한 바와 같이 단순 매트릭스형 전자원이 형성된 표시패널을 이용한 실시예를 통하여, NTSC시스템의 텔레비젼 신호에 의거한 텔레비젼 표시용 화상표시장치의 구성을 도 15에 도시하고 있다.

도 15에서, (101)은, 도 13에 도시한 바와 같은 화상표시패널(외위기)을 나타내고, (102)는, 주사회로를 나타내고, (103)은, 제어회로를 나타내고, (104)는, 시프트 레지스터를 나타내고, (105)는, 라인 메모리를 나타내고, (106)은, 동기신호분리회로를 나타내고, (107)은 정보신호발생기를 나타내고, Va는 DC전원을 나타낸다.

상기 설명한 바와 같이, 본 발명의 화상표시장치에서, 2종류 방향의 배선을 통하여 각각의 전자방출소자에 전압을 인가함으로써 전자방출을 실시하고, DC전압 Va에 접속된 고전압단자 Hv를 통하여 애노드로서 이용되는 메탈백(85)에 고전압을 인가함으로써 발생된 전자빔을 가속하여 형광막(84)에 충돌되고, 그에 의해 화상을 표시한다.

이 경우, 본 실시예의 화상표시장치의 제조방법에 의하면, 용접된 부분에서 진공누설의 발생을 상당히 효과적으로 억제할 수 있고, 양호한 화질을 가지는 화상을 긴 시간동안 표시할 수 있다.

본 실시예에서 설명한 화상표시장치의 구성은 본 발명의 화상표시장치의 일예이고, 본 발명의 정신과 범위에 따라서 다양한 변형이 이루어질 수 있다. 입력신호로서, 실시예를 통하여 NTSC시스템을 설명하지만, 입력신호는 그것에 한정하는 것이 아니고, PAL, HDTV 등에서도 이용될 수 있다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 다음의 실시예에 한정되지 않는다.

(제 1실시예)

제 1실시예에서는, 도 2에 도시한 바와 같은 매트릭스로 배선된 다수의 표면전도형 전자방출소자로 구성된 전자원을 형성하였고, 상기 전자원을 사용하여, 도 13에 도시한 바와 같은 화상표시장치를 형성하였다.

먼저, 전자원 기판(81) 위에, 전자방출소자로서, 도 20에 도시한 전자방출소자를 형성하였다.

이하, 제 1실시예에 의하여, 전자원의 제조방법을 도 2 내지 도 8을 참조하여 설명한다.

(소자전극의 형성)

유리 기판(81) 위에, 스퍼터링에 의해 하부의 층으로서 두께 5nm의 티타늄(Ti)을 먼저 증착한 후, 두께 40nm의 백금(Pt)을 그 위에 형성한 후, 포토레지스트, 노광, 현상 및 에칭의 적용을 포함한 포토리소그래피법에 의해 패턴화를 행하였고, 그에 의해 소자전극(22),(23)을 형성하였다(도 3 참조). 제 1실시예에서, 소자전극간의 간격 L은 10㎛로 설정하였고, 다른 전극에 대면하는 한쪽 전극의 길이 W는 100㎛로 설정하였다.

(Y방향 배선의 형성)

Y방향 배선(24)과 X방향 배선(26)의 배선재료는, 거의 균일한 전압을 다수의 표면전도형 전자방출소자에 공급할 수 있는 저저항재료가 바람직하고, 배선재료에 부가하여, 배선의 두께와 폭 등을 적절하게 결정한다.

Y방향 배선(24)은, 은(Ag) 페이스트 잉크를 화면인쇄하고, 그에 의해 인쇄된 잉크를 건조한 다음, 대략 420℃의 온도로 상기 잉크를 소성하는 공정에 의해 형성되었다(도 4 참조). 상기 Y방향 배선(24)은, Y방향으로 배치된 소자전극(그 각각은 소자전극의 1쌍 중의 1종류임)에 각각 접속되었고, 패널이 형성된 후 주사전극으로서 기능하도록 형성되었다. 상기 Y방향 배선(24)의 두께는 대략 15㎛였고, 그 폭은 대략 100㎛였다. 또한, 외부구동회로에 접속된 리드 배선도 상기 설명한 것과 마찬가지의 방법에 의해 형성하였다.

(층간 절연층의 형성)

X방향과 Y방향 배선 사이를 절연하기 위하여, 층간 절연층(25)을 형성하였다. 나중에 설명하는 X방향 배선과 먼저 형성된 Y방향 배선(주사신호 배 선) 사이의 교차부를 피복하기 위하여, 또한 X방향 배선과 소자전극(그 각각은 소자전극의 1쌍 중의 다른 종류임) 사이의 전기적 접속을 얻기 위하여, 개개의 소자에 대응하는 접속부에 접촉홀을 가지도록 층간 절연층(25)을 각각 형성하였다(도 5 참조).

특히, 포토 유리 페이스트를 기판 전체에 화면인쇄한 후, 소정의 패턴을 가지는 포토마스크를 사용한 노광을 실시하고, 현상하였으며, 마지막으로 소성을 실시하였다. 제 1실시예에서, 인쇄, 노광, 현상 및 소성을 포함하는 처리를 4회 반복하고, 그에 의해 적층을 형성하였다. 소성은 대략 480℃의 온도에서 실시하였다. 상기 층간 절연층(25)의 두께는 전체적으로 대략 30㎛였고, 그 폭은 150㎛였다.

(X방향 배선의 형성)

공통 배선으로서 사용되는 X방향 배선(26)은, X방향으로 배치된 전극의 1쌍 중의 다른 종류에 각각 접속되었고, 줄무늬 패턴으로 형성하였다(도 6 참조). 재료로서 이용된 은(Ag) 포토 페이스트 잉크를 화면인쇄한 후, 건조하고, 소정의 패턴을 가지는 포토마스크를 사용하여 노광을 실시한 다음, 현상을 실시하였다. 그 후, 대략 480℃의 온도에서 소성함으로써 배선을 형성하였다. 상기 X방향 배선(26)의 두께는 대략 10㎛였고, 그 폭은 대략 50㎛였다.

상기 설명한 바와 같이, XY 매트릭스 배선 배치를 가지는 기판을 형성하였다.

(도전막의 형성)

다음에, 기판을 충분히 세척한 후, 그 표면을 방수제를 포함한 용액으로 처리하여, 소수의 표면을 형성하였다. 이것은, 기판의 표면 위에 충분히 도포되는 도전막을 형성하기 위한 수용액을 배치하여 소자전극에 적절하게 확장시키기 위한 것이다.

그 후, 도전막(27)을 소자전극(22),(23) 사이에 형성하였다. 이 공정은, 도 8a 내지 도 8c에 도시한 개략도를 참조하여 설명한다. 기판(81) 위에 각각의 소자전극의 2차원의 위치편차를 보상하기 위하여, 기판 위의 수개소에서 패턴의 위치편차를 측정한 후, 측정점 사이의 편차량을 선형적으로 근사하고, 위치보정을 실시한 다음, 도전막 형성재료를 도포한다. 따라서, 각 화소의 위치편차를 보정할 수 있고, 재표의 도포를 적절한 위치에 정밀하게 실시할 수 있다.

제 1실시예에서, 도전막(27)으로서 팔라듐막을 얻기 위하여, 팔라듐-프롤린 착체를 용융하여 85대 15의 비율의 물과 이소프로필 알코올(IPA)이 함유된 수용액에서 0.15 가중치%의 농도를 가지고, 그에 의해 유기 팔라듐을 함유한 용액이 형성된다. 상기 용액에 대하여, 소량의 첨가제를 첨가하였다. 물방울 인가장치로서 압전기소자가 설치된 잉크젯 분사장치를 이용하여, 60㎛의 도트직경을 얻도록 상기 용액의 작은 물방울을 소자전극 사이에 인가하였다(도 8a).

그 후, 대기안에서 10분동안 350℃로 실시된 소성에 의해 기판을 처리하였고, 그에 의해 산화 팔라듐(PdO)으로 이루어진 도전막(27')이 형성되었다(도 8b). 대략 60㎛의 도트직경과 10nm의 최대두께를 가지는 막을 얻었다.

(포밍 공정)

다음에, 포밍공정으로 칭하는 공정에서, 통전함으로써 도전막(27')의 내부에 균열을 형성하였고, 그에 의해 전자방출부분(28)을 형성하였다(도 8C).

구체적인 방법으로서, 기판(81)의 부근을 따라서 배치된 리드 배선부분을 제외한 기판 전체를 피복하도록 설치된, 상기 기판(81)과 후드형상의 덮개 사이에 진공공간이 형성된 다음에, 이들 리드 배선의 단자를 통하여 2방향의 배선(24),(26) 사이에 외부의 전원에 의해 전압이 인가되어, 소자전극(22),(23)간에 통전되었다. 따라서, 도전막(27')의 일부분이 손상되어 변형되고 또는 변질되어, 그 결과, 전기적으로 고저항을 가지는 전자방출부분(28)을 형성하였다.

이 공정에서, 소량이 수소가스를 함유하는 진공대기에서 가열하는 동안 통전을 실시하면, 수소의 존재에 의해 환원이 촉진되고, 그 결과, 산화 팔라듐(PdO)으로 이루어진 도전막(27')이, 팔라듐(Pd)으로 이루어진 도전막(27)으로 변화하였다.

발생된 막의 환원과 수축에 의해 발생된 상기 변화에서, 그 일부분에 균열이 발생하지만, 균열이 발생된 위치와 그 형상은 원래의 막의 균일성에 크게 좌우되었다. 다수의 소자의 특성의 변화를 억제하기 위하여, 도전막(27)의 중심부에서 균열이 발생하는 것이 바람직하고, 선형 형상을 가지는 것이 가장 바람직하다.

상기 포밍에 의해 형성된 균열의 부근으로부터, 소정의 전압에서 전자방출이 또한 발생하지만, 현재의 조건 아래에서 방출효율은 여전히 매우 낮았다.

도 9b에 도시한 바와 같은 펄스파형을 사용하여 제 1실시예의 포밍처리를 실시하였고, T1과 T2는 0.1ms와 50ms로 각각 설정하였다. 인가된 전압을 0.1V로 시작하도록 설정한 다음에, 대략 0.1V로 5초마다 단계적으로 증가시켰다. 전기적인 포밍을 종료하기 위하여, 펄스전압을 인가할 때 소자를 통해 흐르는 전류를 측정하여 저항을 얻었고, 이 저항이 포밍처리 전에 얻어진 저항의 1,000배 이상이 되었을 때, 포밍처리를 종료하였다.

(활성화 공정)

상기 설명한 포밍과 같이, 기판(81)과 피복을 위해 그 위에 설치된 후드형상의 덮개 사이에 진공공간이 형성되었고, 2방향의 배선(24),(26)을 통하여 외측으로부터 소자전극(22),(23) 사이에 펄스전압이 반복적으로 인가되었다. 또한, 탄소원자를 포함하는 가스를 상기 공간에 도입하여, 그로부터 유래된 탄소 또는 탄소화합물을 상기 균열의 부근에 탄소막으로서 퇴적시킨다.

제 1실시예에서, 트리니트릴은 탄소원으로서 사용되었고, 저속 누설밸브를 통하여 진공공간으로 도입되었으며, 압력은 1.3 ×10^-4Pa을 유지하였다.

도 12는, 활성화 공정에서 이용된 바람직한 전압인가의 예를 도시한 도면이다. 인가를 위한 최대전압은 10 내지 20V의 범위에서 적절하게 선택되었다.

개시로부터 대략 60초 후에, 방출전류 Ie가 거의 포화된 시점에서, 통전을 정지하였고, 저속 누설밸브를 폐쇄하고, 그에 의해 활성화 처리를 종료하였다.

상기 설명한 공정에 의해, 기판 위에 매트릭스로 배선된 다수의 전자방출소자로 구성된 전자원을 형성하였다.

다음에, 그렇게 형성된 전자원을 사용하여, 화상표시장치를 제조하였다. 도 1, 도 13 및 도 14를 참조하여, 제조방법을 설명한다.

도 1은, 제 1실시예에 의한 화상표시장치의 외위기(90)의 주변부의 개략적 단면도를 도시한 도면이다.

도 1에서, (81)은, 다수의 전자방출소자가 설치된 전자원의 기판을 나타내고, 상기 기판은 이면판으로 칭한다. (82)는, 유리 기판, 형광막 및 메탈백으로 구성된 전면판을 나타내고, 후술한 2개의 구성소자는 상기 유리 기판의 내부면에 설치된다.

도 14a와 도 14b는, 전면판(82) 위에 설치된 형광막(84)의 설명도이다. 상기 형광막(84)은 단색 표시의 경우에 형광재료로만 구성되고, 컬러표시에 대한 형광막의 경우, 컬러 형광막은 형광부(92)와, 상기 형광부의 배치에 좌우하여 흑색 줄무늬 또는 흑색 매트릭스로 칭하는 흑백 도체(91)로 형성된다. 그렇게 형성된 흑색 줄무늬 또는 흑색 매트릭스의 목적은, 바람직하지 않은 컬러혼합 등을 숨기기 위하여, 컬러표시에 필요한 삼원색 형광부 등의 개개의 형광부 사이에 배치된 영역을 어둡게 하고, 또한 외부의 광반사에 의해 발생된 형광막(84)에서 명암의 감소를 억제하도록 하는데 있다.

또한, 형광막(84)의 내면측에는, 메탈백(85)이 일반적으로 설치된다. 메탈백(85)의 기능은, 예를 들면, 내측에 입사되는 형광막으로부터 방출된 광의 부분을 전면판(82)에 정반사함으로써 휘도를 향상시키는 것이고, 전자빔 가속전압을 인가하기 위한 애노드로서 기능하기 위한 것이다. 형광막의 형성 후 내측의 형광막의 표면을 평활화(일반적으로, 필밍으로 칭함)한 다음, 진공증착 등에 의해 알루미늄(Al)을 퇴적하는 공정에 의해 상기 메탈백(85)을 형성할 수 있다.

제 1실시예에서, 전면판(82)의 재료로서는, 이면판(81)의 경우에서와 같이 소량의 알칼리 성분을 함유하는 플라즈마 표시용으로 사용되는 전기유리인 PD-200(아사히 유리(주) 제조)가 이용된다.

스페이서(205)(도 1 참조)로 칭하는 지지체가 전면판(82)과 이면판(81) 사이에 설치되면, 큰 영역 패널에 이용되도록, 대기압에 대하여 충분한 강도를 가지는 외위기(90)를 형성할 수 있다.

지지 프레임(86)은 프릿 유리(202)에 의해 이면판(81)에 접착된 다음, 400 내지 500℃의 온도로 10분 이상 소성함으로써 고정되었다. 또한, 지지 프레임(86)과 전면판(82)은, 접합제로서 사용되는 In막(93)을 개재하여 서로 접합되었다.

프릿 유리(202)에 의해 이면판(81)에 접착되는 지지 프레임(86)의 높이 보다 스페이서(205)의 높이가 약간 높게 되도록, 지지 프레임(86)과 스페이서(205)를 형성하였고, 접합 후의 In막(93)의 두께를 결정하였다. 따라서, 스페이서(205)는 또한 In막(93)의 두께를 규정하는 부재로서도 기능한다.

고온에서도 소량의 가스가 배기되고 저융점을 가지므로, In막(93)을 이용하였다. 금속 또는 합금이 접합제로 이용되면, 용매와 바인더를 사용할 필요가 없다. 용매와 바인더를 포함하는 재료가 접합제에 이용되지 않으므로, 그로부터 배기되는 가스량이 감소될 수 있다.

하층(204)은 제 1부재에 상당하는 지지 프레임(86) 위에 형성된다. 상기 하층에 의해, 경계면의 접착성을 향상시킬 수 있다. 제 1실시예에서, 접합제로 사용된 금속 In에 대한 양호한 습윤성을 가지므로 은을 사용하였다. 은으로 이루어진 상기 하층(204)은, 소망한 형상을 가지도록 화면인쇄하는 것에 의해 용이하게 형성될 수 있다. In막(93)에 대한 하층(204)으로서, ITO, Pt 등으로 이루어진 금속박막을 이용할 수도 있다. 상기 언급한 하층은 진공증착에 의해 설치될 수도 있다.

접촉부재(203)는 제 2부재에 상당하는 전면판(82) 위에 형성된다. 제 1실시예에서, SiO₂가 주성분으로 구성된 SiO₂막이 이용되었다. SiO₂막으로 이루어진 접촉부재(203)는, SiO₂가 주성분으로 구성된 절연 인쇄 페이스트의 화면인쇄에 의해 형성되었다. 접촉부재(203)를 형성하는 방법으로서는, 스핀 피복에 의한 졸-겔 용액으로 도포하는 방법이나 또는 스퍼터링 등의 진공증착법이 또한 언급될 수 있다.

전면판(82)과 이면판(81)이 서로 접합되기 전에, 즉, 밀봉을 행하기 전에, In막(93)이 미리 패턴화되었다. 도 16을 참조하여, 이면판(81)에 접착된 지지 프레임(86) 위에 In막(93)을 형성하는 방법을 설명한다.

먼저, 용융된 In의 습윤성을 더욱 향상시키기 위하여, 지지 프레임(86)을 충분히 가열한 상태로 유지하였다. 100℃ 이상의 온도로 가열된 상태이면 충분하다. 은 페이스트로 이루어진 하층(204)은, 유리에 대해 높은 접착성을 가지지만 내부에 다수의 기공을 함유한 다공질막이었다. 따라서, 제 1실시예에서는, 용융된 In이 하층(204)을 스며들게 하기 위하여, 용융점 이상에서 용융된 In을 초음파 납땜 인두(215)로 하층(204)에 납땜하였고, 그에 의해 In막(93)을 형성하였다. 200℃ 이상의 온도에서 용융된 액체 In이면 상기 공정에서 충분하다. In공급부(도면에 도시하지 않음)에 의해 상기 납땜 인두(215)의 선단이 요구될 때마다 금속 In이 공급되어, In막(93)이 형성된 위치가 항상 In으로 형성된다. 또한, 접합 후의 In막(93)과 비교하여 충분히 큰 In막(93)의 두께를 얻기 위하여, 초음파 납땜 인두(215)의 이동 속도와 In의 공급량을 제어하였다. 제 1실시예에서는, 밀봉 후에 In막(93)을 형성하여 대략 300㎛의 두께를 가지도록, 지지 프레임(86)에 형성된 In막(93)의 막 두께를 대략 500㎛로 설정하였다. 접합제로서 사용된 In은 대기 조건 아래에서 하층 위에 형성되었다.

도 16에 도시한 포밍방법에 의해 지지 프레임(86) 위에 형성한 후, 도 17에 도시한 밀봉 방법에 의해 패널을 형성하였다. 진공챔버안에서 상기 공정과 이후의 공정을 실시하였다. 전면판(82)과 이면판(81) 사이에 소정의 간격을 유지하면서, 2개의 기판을 진공조건 아래에서 가열하였다. 진공소성을 300℃ 이상의 고온에서 실시하여, 가스가 기판으로부터 배기되었고, 온도가 실온으로 감소되었을 때, 상기 패널의 내부가 충분한 진공도가 되었다. 이 공정에서, In막(93)은 용융되었고 높은 유동성을 가졌다. 용융한 In이 흘러나오는 것을 방지하기 위하여, 이면판(81)은 수평위치에서 매우 엄격히 유지되었다. 진공 소성 후, 온도는 In의 융점에 근접한 온도로 감소하였고, 전면판(82)과 이면판(81) 사이의 간격을 단계적으로 감소시켜서 2개의 판이 서로 접촉하게 함으로서, 2개의 판은 서로 접합되었고, 즉, 밀봉을 행하였다. 온도를 융점에 근접한 온도로 감소시키는 이유는, 용융된 상태에서 액체 In의 유동성을 감소시켜서 In이 흘러나오거나 접합이 튀어나오는 것을 방지하기 위해서다.

도 16을 참조하여 상기 설명한 In막(93)을 형성하는 방법에서, 산화막이 그 표면 위에 형성되었다. 제 1실시예에서, In막(93)의 두께의 변화를 감소시키기 위하여, 하층(204)을 이용하였다. 또한, 상기 In막이 전면판(82)에 형성되지 않은 구성을 이용하였다. 또한, 전면판(82)측의 기판 위에, 접합제의 표면에 존재하는 산화막에 접합되기 쉬운 SiO₂막(접촉부재(203))은, 화면인쇄에 의해 미리 형성하여 In막(그 표면 위에 산화물층을 가지는 In막)은 SiO₂막에 접합되기가 용이하다.

도 13에 도시한 바와 같이 표시패널이 상기 설명한 바와 같이 제조된 후, 주사회로, 제어회로, 변조회로, DC전원을 포함하는 구동회로는 상기 표시패널에 접속되었고, 그에 의해 평면형 화상표시장치를 제조하였다.

제 1실시예의 전자원으로서 형성된 표면전도형 전자방출소자의 기본적 특징에 의하면, 전자방출부분으로부터의 방출전자량은, 전압이 한계전압 이상일 때 서로 대향하는 소자전극 사이에 인가되는 펄스전압의 피크값과 폭에 의해 제어되고, 전하량은 또한 전압의 중간값과 폭에 의해 제어되어, 중간조 표시를 실시할 수 있다.

또한, 다수의 표면전도형 전자방출소자가 배치되는 경우, 각 라인의 주사신호에 따라서 선택라인을 결정하여, 정보신호선을 통하여 각각의 소자에 상기 펄스전압을 적절하게 인가하면, 전압이 임의의 소자에 적절하게 인가될 수 있고, 그 결 과, 각각의 소자를 온(ON) 할 수 있다.

제 1실시예의 화상표시장치에서, X방향 배선과 Y방향 배선을 통하여, 소정의 전압이 개개의 전자방출소자에 시분할방식으로 인가되었고, 고전압이 고전압단자 Hv를 통해서 메탈백(85)에 인가함에 따라서, 매트릭스로 형성된 임의의 양호한 화상패턴을 화소결함없이 표시할 수 있다.

(제 2실시예)

도 18과 도 19에서, 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 도 18은, 외위기 부근의 접합부의 개략적 단면도이고, 도 19는, 접합공정의 개략도이다.

제 2실시예에서, 지지 프레임(86)과 이면판(81) 사이의 접합을 In막에 의해 또한 실시하였다. 즉, 지지 프레임은 제 1부재에 상당하고, 전면판과 이면판 모두는 제 2부재에 상당한다. 전압을 인가하기 위하여 이용되는 이면판(81)에 대하여 배선을 형성하였다. 접촉부재(203b)는, PbO가 주성분으로 구성된 PbO막이다. 상기 접촉부재는 접합제에 대한 접합성을 향상하기 위해 이용되었고, 또한, 배선으로부터 접합제로서 이용되는 In막을 절연하기 위한 절연층으로서 또한 이용되었다. 나머지 구성은 제 1실시예와 동일하였다. 도 23은, 층간 절연막과 접촉부재로서 이용되는 PbO막이, 배선을 피복하기 위하여 제 2부재에 상당하는 이면판 위에 형성된 상태를 도시한 도면이다. 도 23은, 도 18의 좌측에서 본 외위기의 접합부의 구성을 도시한 도면이다. 복수의 배선이 접촉부재(203b)에 피복되었고, 상기 배선의 존재에 의해 형성된 요철이 또한 상기 접촉부재(203b)에 의해 평활화되었다. 제 1실시예의 경우와 같이, 접촉부재는 외위기의 주변 전체에 걸쳐서 설치되어, 상 기 외위기의 접합이 그 주변 전체를 따라서 달성되었다.

제 2실시예에서, SiO₂가 주성분으로 구성된 막은, 전면판측의 접촉부재(203a)로서 이용되었고, PbO가 주성분으로 구성된 막은 이면판측의 접촉부재(203b)로서 이용되었으나, 상기 설명한 막의 조합을 선택적으로 변화시켜도 이점을 얻을 수 있다. 또한, 하층이 지지 프레임 위에 형성되고, 전면판 및/또는 이면판이 접촉부재에 형성되는 구성을 이용하였지만, 접합제가 형성되는 하층은, 전면판 및/또는 이면판 위에 형성될 수 있고, 접촉부재가 지지 프레임 위에 형성될 수 있다.

또한, 상기 제 1실시예와 제 2실시예에서, 밀봉처리를 진공조건 아래에서 행하였지만, 본 발명은, 대기조건 아래에서 밀봉을 행한 다음에 상기 기판에 별도로 설치된 배기홀을 통하여 패턴이 내부를 배기하는 공정에 의해, 진공공간을 가지는 외위기(90)가 형성되는 경우에서 효과적으로 적용할 수 있다.

상기 설명한 실시예에 의하면, 고진공도를 유지할 수 있는 외위기를 저비용으로 제조할 수 있다. 또한, 전자방출소자와 그것을 전자원으로서 이용한 표시장치를 형성하면, 고진공 아래에서 높은 전자방출특성을 가지고, 또한 양호한 표시품질을 가지는 화상표시장치를 제조할 수 있다.

본 발명에 의하면, 신뢰성이 매우 높은 접합을 실현할 수 있고, 신뢰성이 매우 높은 기밀용기를 제조할 수 있으며, 또한, 바람직한 화상표시장치를 제조할 수 있다.

본 발명은 바람직한 실시예로 현재 고려되는 것을 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시하고 있는 실시예에 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구항의 정신과 범위내에 포함된 다양한 변형과 균등한 구성을 포함하고자 한다. 다음의 청구항의 범위는 가장 넓은 해석을 허용하여 변형과 균등한 구성과 기능 모두를 포함하게 한다.

Claims (19)

1. 기밀용기를 제조하는 제조방법으로서,

   상기 기밀용기의 제조방법은,

   제 1부재와 제 2부재를 접합하는 접합공정을 포함하고,

   상기 접합공정은,

   상기 제 1부재 위에 하층을 형성하는 제 1공정과;

   상기 하층 위에 접합제를 형성하는 제 2공정과;

   상기 제 2부재 위에, 상기 접합제의 재료 및 상기 하층의 재료와는 상이한 재료의 접촉부재를 형성하는 제 3공정과;

   상기 접합제와 상기 접촉부재를 접촉시키는 제 4공정

   을 포함하는 기밀용기의 제조방법에 있어서,

   상기 하층은, 상기 하층에 대한 상기 접합제의 습윤성이, 상기 제 1공정 전의 상기 제 1부재의, 상기 하층을 형성하기 전의 표면에 대한 상기 접합제의 습윤성보다 양호하게 하는 하층이고,

   상기 접촉부재는, 상기 접촉부재에 대한 상기 접합제의 접합성이, 상기 제 3공정 전의 상기 제 2부재의, 상기 접촉부재를 형성하기 전의 표면에 대한 상기 접합제의 접합성보다 양호하게 하는 접촉부재인 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 접합공정은, 상기 제 1부재와 제 2부재를 접합함으로써 기밀공간을 규 정하는 폐쇄된 접합선을 형성하는 공정이고,

   상기 제 3공정에서 형성된 접촉부재는, 접합제에 접촉시키도록 상기 폐쇄된 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 적어도 배치되고,

   상기 폐쇄된 접합선이 형성될 위치 전체에 걸쳐서 배치된 접촉부재에 대한 접합제의 접합성은, 제 3공정 전의 제 2부재의 표면에 대한 접합제의 접합성보다 양호한 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
3. 기밀용기를 제조하는 제조방법으로서,

   상기 기밀용기의 제조방법은,

   제 1부재와 제 2부재를 접합해서 접합선을 형성하는 접합선 형성공정을 포함하고,

   상기 접합선 형성공정은,

   상기 제 1부재 위에 하층을 형성하는 제 1공정과;

   상기 하층 위에 접합제를 형성하는 제 2공정과;

   상기 접합선이 형성될 상기 제 2부재의 위치 전체에 걸쳐서, 상기 접합제의 재료 및 상기 하층의 재료와는 상이한 재료의 접촉부재를 배치하는 제 3공정과;

   상기 접합제와 상기 접촉부재를 접촉시키는 제 4공정

   을 포함하는 기밀용기의 제조방법에 있어서,

   상기 하층은, 상기 하층에 대한 상기 접합제의 습윤성이, 상기 제 1공정 전의 상기 제 1부재의, 상기 하층을 형성하기 전의 표면에 대한 상기 접합제의 습윤성보다 양호하게 하는 하층이고,

   상기 접촉부재는, 상기 접촉부재에 대한 상기 접합제의 접합성이, 상기 제 3공정 전의 상기 제 2부재의, 상기 접촉부재가 존재하기 전의 표면에 대한 상기 접합제의 접합성보다 양호하게 하는 접촉부재이며,

   상기 제2부재에는, 상기 제2부재와 상기 제1부재를 접합하는 위치를 지나는 배선이 설치되어 있고, 상기 접촉부재는 상기 배선의 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접합제는 200℃이하의 융점을 가지는 저융점 금속을 함유하는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하층은 은, 금, 백금, 또는 상기 은, 금, 백금 중 어느 하나를 포함하는 합금을 함유하는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
6. 제 4항에 있어서, 상기 하층은 접합제용 금속과 비교하여 산화되기 어려운 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
7. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접합제는 접촉부재에 접촉될 위치에서 접착제 재료의 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
8. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 접촉부재는 접합제에 접촉될 위치에서 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
9. 제 8항에 있어서, 상기 산화물은 SiO₂ 또는 PbO로 이루어진 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
10. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2공정은, 적어도 접합제의 표면이 산화되는 조건 아래에서 행해지는 것을 특징으로 하는 기밀용기의 제조방법.
11. 기밀용기와 상기 기밀용기 내에 배치된 표시소자를 가지는 화상표시장치를 제조하는 제조방법으로서,

    상기 화상표시장치의 제조방법은, 청구항 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 기밀용기를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
12. 제 11항에 있어서,

    상기 기밀용기는, 제 1기판과, 상기 제 1기판과 대면하는 제 2기판과, 상기 제 1기판과 제 2기판 사이에 형성된 기밀공간을 둘러싸는 포위부재를 포함하고,

    상기 제 1부재는 상기 포위부재인 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
13. 제 11항에 있어서,

    상기 기밀용기는, 제 1기판과, 상기 제 1기판과 대면하는 제 2기판과, 상기 제 1기판과 제 2기판 사이에 형성된 기밀공간을 둘러싸는 포위부재를 포함하고,

    상기 제 1부재는 제 1기판 또는 제 2기판인 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
14. 화상표시장치의 제조방법으로서,

    제1부재에 하층을 형성하는 공정과,

    상기 하층상에 접합제를 형성하는 공정과,

    제2부재에 상기 접합제의 재료 및 상기 하층의 재료와는 다른 재료의 접촉부재를 형성하는 공정과

    상기 접합제와 상기 접촉부재를 접촉시켜서 상기 제1부재와 상기 제2부재를 접합하는 공정, 및

    상기 제1부재와 상기 제2부재의 어느 한쪽에, 표시소자의 적어도 일부, 배선, 전극 또는 형광체의 적어도 어느 하나를 형성하는 공정을 포함하고,

    상기 하층은, 상기 하층에 대한 상기 접합제의 습윤성이, 상기 제1부재의, 상기 하층을 형성하기 전의 표면에 대한 상기 접합제의 습윤성보다도 양호하게 하는 하층이고,

    상기 접촉부재는, 상기 접촉부재와 상기 접합제와의 접합성이, 상기 접촉부재를 형성하기 전의 표면과 상기 접합제와의 접합성보다도 양호하게 되도록 하는 접촉부재인 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
15. 화상표시장치의 제조방법으로서,

    제1부재에 은, 금, 백금, 또는 이들 중 어느 것을 함유하는 합금을 재료로 하는 하층을 형성하는 공정과,

    상기 하층에 인듐 또는 인듐을 함유하는 합금을 재료로 하는 접합제를 형성하는 공정과,

    제2부재에 배선을 형성하는 공정과,

    상기 제2부재에 형성하는 상기 배선 상에 산화물의 막을 형성하는 공정, 및

    상기 접합제와 상기 산화물의 막을 접촉시켜서 상기 제1부재와 상기 제2부재를 접합하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
16. 삭제
17. 삭제
18. 제 14항에 있어서,

    상기 제1부재와 상기 제2부재의 한쪽은 상기 표시소자, 상기 배선, 상기 전극 또는 상기 형광체의 적어도 어느 하나가 형성되는 기판이고, 다른 쪽은 화상표시장치를 형성하는 기밀용기의 프레임부를 구성하는 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.
19. 제 15항에 있어서, 상기 제2부재는 상기 배선이 형성되는 기판이고, 상기 제1부재는 화상표시장치를 형성하는 기밀용기의 프레임부를 구성하는 것을 특징으로 하는 화상표시장치의 제조방법.

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