JP2000200543A

JP2000200543A - 封止パネル装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000200543A
Application number: JP11001749A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Kikuchi; 一夫菊地; Tomoo Kosugi; 知生小杉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-01-07
Filing date: 1999-01-07
Publication date: 2000-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】真空空間の真空度を向上させると共に高真空度
の長期間維持を可能とする信頼性の高い封止パネル装置
提供する。【解決手段】封止パネル装置は、対向配置された第１パ
ネルＰ１と第２パネルＰ２とが周縁部において接着層Ａ
ｍによって接着され、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
と接着層Ａｍとによって囲まれた空間が真空にされた封
止パネル装置であって、接着層Ａｍは低融点金属材料か
ら成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、封止パネル装置及
びその製造方法に関し、より詳しくは、対向配置された
２枚のパネルの間の空間が真空にされたパネル装置の真
空度を良好に維持することを可能とする封止パネル装置
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、画像表示装置の分野において、
対向配置された２枚のパネルの間の空間が真空にされた
封止パネル装置が用いられている。封止パネル装置の一
般的な構成において、真空空間を規定する部材は、２枚
のパネル及びこれら２枚のパネルの間に介在する接合材
料層、あるいは２枚のパネルを所定の離間距離にて保持
するための支持部材である枠体と接合材料層との組み合
わせである。枠体は、通常、剛性材料で構成されている
ので、真空空間の真空度の維持の良否を決定付ける部材
は、実質的には接合材料層である。

【０００３】かかる封止パネル装置の具体例として、平
面画像表示装置、例えば冷陰極電界電子放出型の表示装
置（以下、単に表示装置と称する）を挙げることができ
る。この表示装置は、透明支持体上に蛍光体層とアノー
ド電極とが形成されて成るアノード・パネルと、支持体
上に複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、単に電界放
出素子と称する）が形成されて成るカソード・パネルと
が、真空空間を挟んで対向配置された構成を有する。電
界放出素子は、ミクロン・オーダーの寸法にて形成され
た電子放出部を有しており、この電子放出部が或る強度
以上の電界中に置かれたときに電子放出部から真空中へ
向けて電子が放出され、この電子がアノード電極に引き
つけられて蛍光体に衝突し、発光を得る仕組みである。

【０００４】上述の表示装置に代表される封止パネル装
置において、接合材料層の構成材料として、低融点のガ
ラス系材料、所謂フリットガラスが広く用いられてい
る。フリットガラスは、ガラス微粒子を有機バインダ中
に分散させた高粘度のペースト状材料であり、所定のパ
ターンに塗布した後、焼成によって有機バインダを除去
することにより、固体状の接合材料層となる。

【０００５】また、特開平７−１２２１８９号公報に
は、２枚のパネル１，２の間にガラス・スペーサ１３を
介在させ、フリットガラスのような接合材料を用いるこ
となく、互いに直接接合して気密的に封止する技術が開
示されている。この直接接合は、具体的には陽極接合に
よって行われる。即ち、２枚のパネル１，２とガラス・
スペーサ１３にそれぞれ電極を形成し、両パネルを３０
０゜Ｃ程度に加熱しながら、これらの電極間にパネル
１，２側が正、ガラス・スペーサ１３側が負となるよう
な直流電圧を印加し、パネル１，２とガラス・スペーサ
１３との接触面において両者を融着させている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
封止方法には問題点もある。先ず、フリットガラスを使
用して形成された封止パネル装置は、両パネル間の絶縁
性能には優れるものの、真空空間の汚染や真空度の劣化
を生じ易い。真空空間の汚染は、主としてフリットガラ
スのペーストに含まれる有機バインダに起因する。ま
た、真空度の劣化は、フリットガラスの高温焼成中にお
ける脱ガスに起因する。フリットガラスのペーストは一
般に高粘度であるため、パネル上に所定のパターンに塗
布する際に、塗膜中に気泡が形成され易く、この気泡の
中に含まれていたガスがパネル間の空間に放出されて真
空度を劣化させる。

【０００７】パネル間の空間に何らかのガスが存在して
いると、例えば冷陰極電界電子放出型の表示装置におい
ては、このガスから生じたイオンによって微小な電子放
出部がスパッタされ、電子放出効率が変化したり、ある
いは電子放出部が損傷を受けて表示装置の寿命が短縮す
るといった問題がある。また、フリットガラスの塗布
量、塗布厚さ、塗布幅等の制御は煩雑であり、均一な塗
膜形成が難しいために、局部的なパネルの接合不良を生
じ易い。更に、焼成におおよそ４５０゜Ｃ以上の高温を
要するので、加熱や冷却の工程に時間がかかり、生産性
を大幅に向上させることが困難である。

【０００８】一方、陽極接合では、真空空間の汚染や真
空度の劣化の問題は比較的起こり難いが、陽極接合を行
うための電極を予めパネルとガラス・スペーサとに形成
しておく必要があること、数百Ｖオーダーの高電圧を要
すること、従って、パネルの構成材料の選択幅が限られ
ること等の問題がある。

【０００９】そこで本発明は、真空空間の真空度を向上
させると共に高真空度の長期間維持を可能とする信頼性
の高い封止パネル装置、及び、かかる封止パネル装置
を、煩雑な操作を一切必要とせず、高い生産性をもって
製造することが可能な製造方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る封止パネル装置は、対向
配置された第１パネルと第２パネルとが周縁部において
接着層によって接着され、第１パネルと第２パネルと接
着層とによって囲まれた空間が真空にされた封止パネル
装置であって、接着層は低融点金属材料から成ることを
特徴とする。接着層の厚さは、第１パネルと第２パネル
と接着層とによって囲まれた空間が確実に真空状態に保
持される厚さであって、しかも、封止パネル装置に要求
される第１パネルと第２パネルとの対向距離に基づき決
定すればよく、０．１ｍｍ乃至０．２ｍｍを例示するこ
とができる。

【００１１】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
においては、第１パネルと第２パネルとの間隔を一定に
維持するための間隔維持部材が、第１パネルと第２パネ
ルとの間に挟持されている構成とすることもできる。間
隔維持部材は、典型的には、絶縁性を有するガラスやセ
ラミック等の剛性材料から構成することができる。間隔
維持部材を用いることにより、接着層のみから構成され
ている場合に比べて、第１パネルと第２パネルとの対向
距離をより精度良くより制御することが可能となる。間
隔維持部材の構成材料や形状や寸法は特に限定されない
が、所望の対向距離に応じて選択された直径を有する球
体、あるいは円筒体であることが好ましい。尚、後述す
る本発明の第１の態様に係る封止パネル装置の製造方法
において間隔維持部材を用いる場合も同様である。間隔
維持部材は、第１パネルと第２パネルと接着層とによっ
て囲まれた空間内にて挟持されていてもよいし、空間外
にて挟持されていてもよい。

【００１２】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る封止パネル装置は、枠体、並びに、該枠体
を挟んで対向配置された第１パネル及び第２パネルから
成り、枠体と第１パネルとは第１接着層によって接着さ
れ、枠体と第２パネルとは第２接着層によって接着さ
れ、第１パネルと第１接着層と枠体と第２接着層と第２
パネルとによって囲まれた空間が真空にされた封止パネ
ル装置であって、第２接着層は低融点金属材料から成る
ことを特徴とする。

【００１３】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
にあっては、枠体の高さを選択することにより、本発明
の第１の態様に係る封止パネル装置に比べて、パネル間
の対向距離をより長く設定することが可能である。枠体
は、絶縁性を有するガラス、セラミック等の剛性材料か
ら構成することができる。尚、後述する本発明の第２及
び第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法における
枠体も同様とすればよい。

【００１４】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
においては、２層の接着層の内の１層（即ち、第２接着
層）は必ず低融点金属材料から構成される。従って、２
層共フリットガラスを用いて構成されていた従来の封止
パネル装置に比べ、真空度の維持がより確実となり、封
止パネル装置の長寿命化を図ることができる。第２の態
様に係る封止パネル装置は、第１接着層の構成材料によ
って更に、以下の４つの構成に分けることができる。

【００１５】即ち、本発明の第２の態様に係る封止パネ
ル装置においては、第１接着層は低融点金属材料から成
り、第１接着層を構成する低融点金属材料の融点と、第
２接着層を構成する低融点金属材料の融点とは、略等し
い構成（第１の構成と呼ぶ場合がある）とすることがで
きる。このような構成にすることによって、１回の加熱
プロセスで第１パネルと枠体、第２パネルと枠体を同時
に接着できるので、製造された封止パネル装置の残留熱
歪みが低減され得る。あるいは又、第１接着層は低融点
金属材料から成り、第１接着層を構成する低融点金属材
料の融点は、第２接着層を構成する低融点金属材料の融
点よりも高い構成（第２の構成と呼ぶ場合がある）とす
ることもできる。このような構成にすることによって、
第１パネルと枠体の接着、第２パネルと枠体の接着とを
独立した加熱プロセスにて行うことができるので、製造
される封止パネル装置の組立て精度を向上させることが
できる。更には、第１接着層はフリットガラス（ガラス
ペーストとも呼ばれる）から成る構成（第３の構成と呼
ぶ場合がある）とすることもできる。フリットガラスは
低融点金属材料には望むことのできない高い絶縁性を備
えている。従って、例えば第１パネルが高電圧仕様であ
って、第１パネル上に形成されたパッシベーション膜等
の薄い絶縁層のみでは絶縁性が不足する場合に、フリッ
トガラスを用いる構成は極めて有効である。あるいは
又、第１接着層の一部分はフリットガラスから成り、第
１接着層の残部は低融点金属材料から成る構成（第４の
構成と呼ぶ場合がある）とすることもできる。フリット
ガラスにより構成される第１接着層の一部分と、低融点
金属材料により構成される第１接着層の残部とは、第１
接着層の形成領域内において如何なる配置をとっても構
わない。例えば、複数の「一部分」が残部の中に点在し
ていてもよい。

【００１６】例えば、第１パネルが封止パネル装置の外
部へ引き出される電極を含む場合には、この電極の周囲
のみをフリットガラスで覆う構成が可能である。また、
第１パネルや第２パネルが封止パネル装置の外部へ引き
出される電極を含む場合には、電極上に絶縁層を形成
し、かかる絶縁層の上に第１接着層や第２接着層を形成
又は配置すればよい。このような構成においては、第１
パネルや第２パネルにはかかる絶縁層が含まれる。ある
いは又、場合によっては、第１接着層や第２接着層と接
する電極の部分（表面）に絶縁膜（例えば電極を構成す
る材料の酸化膜）を形成してもよい。

【００１７】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る封止パネル装置の製造方法は、本発明の第
１の態様に係る封止パネル装置を製造するための方法で
あり、（イ）第１パネル及び／又は第２パネルの周縁部
に低融点金属材料から成る接着層を形成し、あるいは配
置する工程と、（ロ）接着層を構成する低融点金属材料
の融点よりも高い温度に接着層を加熱することにより、
第１パネルと第２パネルとを接着層によって接着する工
程、を有することを特徴とする。

【００１８】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法の工程（イ）においては、接着層の形成ある
いは配置は、第１パネル及び第２パネルのいずれか一
方、又は両方に対して行うことができる。第１パネル又
は第２パネルに対する接着層の濡れ性が十分に高い場合
は、いずれか一方のパネルに形成してもよい。

【００１９】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法における工程（イ）では、第１パネルと第２
パネルとの間隔を一定に維持するための間隔維持部材を
予め第１パネル又は第２パネル上に配置しておくことが
好ましい。間隔維持部材は、第１パネル又は第２パネル
上に単に置くことによって配置することができるし、あ
るいは又、塗布、散布、吹付け等の任意の方法により配
置することもでき、配置のパターンはランダムであって
も規則的であっても構わない。プロセスの容易化の観点
からは、工程（イ）における間隔維持部材の配置のタイ
ミングは、接着層を形成した後とすることが好ましい。
あるいは又、工程（イ）における間隔維持部材の配置の
タイミングは、接着層を配置する前あるいは配置した後
とすることが好ましい。

【００２０】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る封止パネル装置の製造方法は、本発明の第
２の態様に係る封止パネル装置を製造するための方法で
あり、枠体、並びに、該枠体を挟んで対向配置された第
１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装置の製造
方法であって、（イ）第１パネルの周縁部及び／又は枠
体に低融点金属材料から成る第１接着層を形成し、ある
いは配置し、一方、第２パネルの周縁部及び／又は枠体
に低融点金属材料から成る第２接着層を形成し、あるい
は配置する工程と、（ロ）第１接着層を構成する低融点
金属材料の融点、及び第２接着層を構成する低融点金属
材料の融点よりも高い温度に第１接着層及び第２接着層
を加熱することにより、枠体と第１パネルとを第１接着
層によって接着し、且つ、枠体と第２パネルとを第２接
着層によって接着する工程、を有することを特徴とす
る。

【００２１】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
の製造方法では、第１パネルと枠体と第２パネルの三者
が１回の加熱プロセスにより同時に接着される。従っ
て、第１接着層と第２接着層がいずれも低融点金属材料
から構成されることが前提となっている。ここで、第１
接着層を構成する低融点金属材料の融点が第２接着層を
構成する低融点金属材料の融点と異なっている場合に
は、工程（ロ）における加熱温度を融点の高い方に合わ
せて設定する必要がある。但し、第１接着層を構成する
低融点金属材料の融点が第２接着層を構成する低融点金
属材料の融点と余り大きく異なっていると、融点の高い
方の接着層を溶融し得る温度において、融点の低い方の
接着層が過度に変形したり、あるいは流失する虞れがあ
る。従って、第１接着層を構成する低融点金属材料の融
点と、第２接着層を構成する低融点金属材料の融点とが
略等しくなるように、例えば、温度差が０゜Ｃ〜１００
゜Ｃ程度となるように、第１接着層を構成する低融点金
属材料及び第２接着層を構成する低融点金属材料を選択
することが特に好ましい。

【００２２】本発明の第２の態様に係る封止パネル装置
の製造方法の工程（イ）においては、第１接着層の形成
あるいは配置は、第１パネル及び枠体のいずれか一方、
又は両方に対して行うことができる。第１パネル又は枠
体に対する接着層の濡れ性が十分に高い場合は、いずれ
か一方に形成してもよい。また、第２接着層の形成ある
いは配置は、第２パネル及び枠体のいずれか一方、又は
両方に対して行うことができる。第２パネル又は枠体に
対する接着層の濡れ性が十分に高い場合は、いずれか一
方に形成してもよい。

【００２３】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る封止パネル装置の製造方法は、本発明の第
２の態様に係る封止パネル装置を製造するための方法で
あり、枠体、並びに、該枠体を挟んで対向配置された第
１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装置の製造
方法であって、（イ）第１パネルの周縁部と枠体とを第
１接着層によって接着する工程と、（ロ）第２パネルの
周縁部及び／又は枠体に低融点金属材料から成る第２接
着層を形成し、あるいは配置する工程と、（ハ）第２接
着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い温度に
第２接着層を加熱することにより、枠体と第２パネルと
を第２接着層によって接着する工程、を有することを特
徴とする。

【００２４】本発明の第３の態様に係る封止パネル装置
の製造方法の工程（ロ）においては、第２接着層の形成
あるいは配置は、第２パネル及び枠体のいずれか一方、
又は両方に対して行うことができる。第２パネル又は枠
体に対する接着層の濡れ性が十分に高い場合は、いずれ
か一方に形成してもよい。

【００２５】本発明の第３の態様に係る封止パネル装置
の製造方法では、第１パネルと枠体とを先ず接着し、し
かる後に枠体と第２パネルとを接着する。従って、第１
パネルと枠体と第２パネルの三者を同時に接着する本発
明の第２の態様に係る製造方法に比べ、三者の位置合わ
せが容易となり、位置合わせ精度を向上させることがで
きる。但し、枠体と第２パネルとの接着時に、既に形成
されている第１接着層を変形させないよう、第１接着層
の構成材料は、第２接着層の構成材料よりも高い融点等
を有している必要がある。

【００２６】即ち、本発明の第３の態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法においては、第１接着層は、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い融点を有
する低融点金属材料から成り、工程（イ）では、第１接
着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い温度に
て第１接着層を加熱し、工程（ハ）では、第２接着層を
構成する低融点金属材料の融点よりも高い温度であっ
て、第１接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも
低い温度に第２接着層を加熱する形態とすることができ
る。この場合、工程（イ）に先立ち、第１パネルの周縁
部及び／又は枠体に低融点金属材料から成る第１接着層
を形成し、あるいは配置しておけばよい。あるいは又、
第１接着層は、第２接着層を構成する低融点金属材料の
融点よりも高い焼成温度（封着温度あるいは固着温度と
も呼ばれる）を有するフリットガラスから成り、工程
（イ）では、フリットガラスを焼成することによって第
１パネルの周縁部と枠体とを接着し、工程（ハ）では、
第２接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高い
温度であって、第１接着層を構成するフリットガラスの
焼成温度よりも低い温度に第２接着層を加熱する形態と
することもできる。この場合、工程（イ）に先立ち、第
１パネルの周縁部及び／又は枠体にフリットガラスから
成る第１接着層を形成しておけばよい。あるいは又、第
１接着層の一部分は、第２接着層を構成する低融点金属
材料の融点よりも高い焼成温度を有するフリットガラス
から成り、第１接着層の残部は、第２接着層を構成する
低融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金
属材料から成り、工程（イ）では、フリットガラスを焼
成し、且つ、第１接着層を構成する低融点金属材料を溶
融させることによって第１パネルの周縁部と枠体とを接
着し、工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金
属材料の融点よりも高い温度であって、第１接着層の残
部を構成する低融点金属材料の融点よりも低い温度に第
２接着層を加熱する形態とすることもできる。この場
合、工程（イ）に先立ち、第１パネルの周縁部及び／又
は枠体にフリットガラスから成る第１接着層の一部分を
形成し、また、低融点金属材料から成る第１接着層の残
部を形成し、あるいは配置しておけばよい。

【００２７】低融点金属材料は、高粘度ペースト状にて
使用されるフリットガラスとは異なり、接着層として構
成された場合にも層内に気泡を含むことがなく、また、
接着層の幅や厚さ等の寸法精度にも優れている。従っ
て、低融点金属材料から成る接着層を用いれば、脱ガス
や接着不良による経時的な封止パネル装置の真空度劣化
を防止し、封止パネル装置の性能及び長期信頼性を大幅
に改善することができる。

【００２８】ここで、「低融点」の語が意味する温度範
囲は、概ね４００゜Ｃ以下である。一般的なフリットガ
ラスの軟化温度は６００゜Ｃ前後、焼成温度は４５０゜
Ｃ前後であるから、低融点金属材料の融点はこれらの温
度よりも更に低い。融点の下限は、特に限定されるもの
ではない。但し、余り低すぎると、接着を行うための加
熱時に接着層の表面に吸着した水分を除去することがで
きないので、概ね１２０゜Ｃ以上であることが好まし
い。尚、後述する封止パネル装置の製造方法によって
は、接着層を形成するための加熱を真空中で行うため、
接着層表面に吸着した水分は１００゜Ｃ未満でも除去で
きる。従って、水分除去の観点のみで考えると、融点が
１００゜Ｃ未満の低融点金属材料も使用可能であるが、
通常の使用環境下における封止パネル装置の信頼性を考
慮すると、やはり融点の下限は概ね１２０゜Ｃ以上であ
ることが好ましい。

【００２９】本発明の封止パネル装置の製造方法におい
て、接着層の「形成」とは、接着層が第１パネルや第２
パネル、枠体の表面に原子間力によって密着している状
態を指す。かかる接着層の形成は、例えば、蒸着法、ス
パッタリング法、イオン・プレーティング法等の真空薄
膜形成技術を用いて達成することができるし、あるいは
又、第１パネルや第２パネル、枠体上で接着層を一旦溶
融させることによって達成することもできる。一方、接
着層の「配置」とは、接着層が第１パネルや第２パネ
ル、枠体の表面に重力や摩擦力により保持されている状
態を指す。かかる「配置」は、低融点金属材料から成る
線材や箔を第１パネルや第２パネル、枠体の表面に載置
したり、貼り付けることにより達成される。箔のように
ある程度の密着性をもってパネルや枠体の表面に保持さ
れることが可能であって、場合によっては保持面を下に
向けても脱落しない密着性を有する接着層を用いるとき
には、第１パネルと第２パネルの両方、第１パネルと枠
体の両方、第２パネルと枠体の両方に接着層を配置する
こともできる。しかし、線材のように単に重力によって
第１パネルや第２パネル、枠体の表面に保持されるよう
な接着層を用いる場合には、接着層の配置は、第１パネ
ルと第２パネルのいずれか一方、第１パネルと枠体のい
ずれか一方、第２パネルと枠体のいずれか一方のみに対
して行うことが好ましい。

【００３０】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法における工程（ロ）、本発明の第２の態様に
係る封止パネル装置の製造方法における工程（ロ）、本
発明の第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法にお
ける工程（イ）あるいは（ハ）における加熱は、ランプ
を用いた加熱、レーザを用いた加熱、炉を用いた加熱等
の公知の加熱方法により行うことができる。

【００３１】本発明の封止パネル装置あるいはその製造
方法における第１パネルと第２パネルと接着層とによっ
て囲まれた空間、あるいは、第１パネルと第１接着層と
枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲まれた空間
（以下、これらの空間を総称して、単に空間と呼ぶ場合
がある）の真空度は、封止パネル装置の構成に応じて異
なる。封止パネル装置として冷陰極電界電子放出型の表
示装置を想定した場合、要求される真空度はおおよそ１
０^-2Ｐａのオーダー、あるいはそれ以上（即ち、より低
圧）である。

【００３２】本発明の封止パネル装置の製造方法におい
ては、この空間を真空とするタイミングによって、更に
２つの態様が含まれる。即ち、本発明の第１の態様に係
る封止パネル装置の製造方法における工程（ロ）、本発
明の第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法におけ
る工程（ロ）、本発明の第３の態様に係る封止パネル装
置の製造方法における工程（ハ）において、加熱を真空
雰囲気中で行い、以て、空間を真空にする態様である。
尚、本発明の第１の態様に係る封止パネル装置の製造方
法におけるかかる態様を本発明の第１Ａの態様と称し、
本発明の第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法に
おけるかかる態様を本発明の第２Ａの態様と称し、本発
明の第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法におけ
るかかる態様を本発明の第３Ａの態様と称する。また、
本発明の第１の態様に係る封止パネル装置の製造方法に
おける工程（ロ）、本発明の第２の態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法における工程（ロ）、本発明の第３の
態様に係る封止パネル装置の製造方法における工程
（ハ）を総称して、加熱・接着工程と呼ぶ場合がある。
尚、加熱・接着工程においては、先ず、大気雰囲気を不
活性ガスで置換した後、雰囲気温度を昇温し、その後、
雰囲気を真空とすることが好ましく、あるいは又、大気
雰囲気を不活性ガスで置換した後、雰囲気を真空とし、
その後、雰囲気温度を昇温することが好ましく、あるい
は又、大気雰囲気を不活性ガスで置換した後、雰囲気を
真空としながら雰囲気温度を昇温することが好ましい。

【００３３】あるいは又、本発明の第１の態様に係る封
止パネル装置の製造方法における工程（ロ）の後に、本
発明の第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法にお
ける工程（ロ）の後に、本発明の第３の態様に係る封止
パネル装置の製造方法における工程（ハ）の後に、即
ち、加熱・接着工程の後に、空間を排気することにより
真空にする態様である。尚、本発明の第１の態様に係る
封止パネル装置の製造方法におけるかかる態様を本発明
の第１Ｂの態様と称し、本発明の第２の態様に係る封止
パネル装置の製造方法におけるかかる態様を本発明の第
２Ｂの態様と称し、本発明の第３の態様に係る封止パネ
ル装置の製造方法におけるかかる態様を本発明の第３Ｂ
の態様と称する。これらの第１Ｂ〜３Ｂの態様では、加
熱・接着工程における加熱を真空下で行う必要がなく、
常圧下、あるいは減圧下で行うことができる。更に、常
圧下あるいは減圧下の雰囲気は、大気であっても、ある
いは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒ
ガス）を含む不活性ガス雰囲気であってもよい。具体的
な排気の方法としては、第１パネルと第２パネルのいず
れか一方であって、封止パネル装置の機能に影響を与え
ない部位に例えばガラスから成る排気管を挿通してお
き、この排気管を真空排気装置に接続して所望の真空度
を得るまで排気し、しかる後に排気管を熱融着により封
じる方法を例示することができる。尚、封止を行う前
に、封止パネル装置全体を一旦加熱してから降温させる
と、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留
ガスを排気により空間外へ除去することができるので好
適である。また、加熱・接着工程における加熱を不活性
ガス雰囲気下で行うことは、残留ガスを低減する上で一
層効果的である。

【００３４】以上述べた本発明の第１あるいは第２の態
様に係る封止パネル装置、本発明の第１の態様〜第３の
態様に係る封止パネル装置の製造方法において、低融点
金属材料として、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜
Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ
₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２
２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ
_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融
点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融
点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａ
ｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はん
だ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐ
ｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はん
だ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁ ₂（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上
の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。

【００３５】本発明の封止パネル装置あるいはその製造
方法においては、低融点金属材料に対する濡れ性を改善
するための濡れ性改善層を接着層形成予定部位に形成し
てもよい。接着層形成予定部位は、本発明の第１の態様
に係る封止パネル装置あるいは本発明の第１の態様に係
る封止パネル装置の製造方法においては、第１パネル及
び／又は第２パネルに存在する。また、本発明の第２の
態様に係る封止パネル装置の製造方法においては、第１
パネル、枠体及び第２パネルのいずれかに存在する。更
には、本発明の第２の態様に係る封止パネル装置あるい
は本発明の第３の態様に係る封止パネル装置の製造方法
においては、第２パネル及び／又は枠体（使用する第１
接着層の材料に依っては、更に、第１パネル及び／又は
枠体）に存在する。第１パネルや第２パネル、枠体の表
面に対する低融点金属材料の濡れ性が劣る場合、かかる
濡れ性改善層を設けることにより、加熱前の濡れ性改善
層と接着層との位置合わせ精度がそれ程高くなくても、
加熱を経て最終的な接着が終了した時点で低融点金属材
料が自らの表面張力により濡れ性改善層の上に自己整合
的に収斂し、最終的に濡れ性改善層と接着層とが正確に
位置合わせされるメリットも得られる。濡れ性改善層の
構成材料としては、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、酸化銅（ＣｕＯ）を例示することができる。濡れ
性改善層の厚さは０．１μｍ前後であればよい。尚、濡
れ性改善層の表面には自然酸化膜が成長する場合がある
ので、接着層や第１接着層、第２接着層を形成する直前
に、自然酸化膜を除去することが好適である。自然酸化
膜の除去は、エッチング法、超音波印加法等の公知の方
法で行うことができる。濡れ性改善層の形成方法とし
て、スパッタ法、メッキ法を例示することができる。

【００３６】本発明の製造方法においては、接着層や第
１接着層、第２接着層の表面に自然酸化膜が成長する場
合があるので、加熱による接着を行う直前に、自然酸化
膜を除去することが好適である。自然酸化膜の除去は、
例えば、希塩酸を用いたウェットエッチング法、塩素系
ガスを用いたドライエッチング法、超音波印加法等の公
知の方法で行うことができる。

【００３７】本発明における第１パネルあるいは第２パ
ネルは、少なくとも表面が絶縁性部材より構成されてい
ればよく、ガラス基板、表面に絶縁層が形成されたガラ
ス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成された石英基
板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を用いること
ができる。

【００３８】本発明の第１あるいは第２の態様に係る封
止パネル装置、本発明の第１の態様〜第３の態様に係る
封止パネル装置の製造方法において、封止パネル装置
は、例えば、第１パネルは、透明支持体、並びに、該透
明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層から
成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形
成され、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷
陰極電界電子放出素子（以下、単に電界放出素子と称す
る）から成り、電界放出素子から放出された電子が蛍光
体層に衝突することによる発光に基づいて表示を行う構
成とすることができる。尚、このような構造の封止パネ
ル装置を、以下、冷陰極電界電子放出型表示装置と呼
び、場合によっては、単に表示装置と呼ぶ。

【００３９】この場合、本発明の第１の態様に係る封止
パネル装置、本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
の製造方法において、第１パネルと第２パネルとは互い
に交換可能である。また、本発明の第２の態様に係る封
止パネル装置、本発明の第２若しくは第３の態様に係る
封止パネル装置の製造方法においては、第１パネルと第
２パネルとを交換すると同時に、第１接着層と第２接着
層とを交換してもよい。

【００４０】表示装置の構成要素である電界放出素子と
しては、公知の如何なる型式の電界放出素子をも用いる
ことができ、例えば、所謂スピント型、平面型、エッジ
型等の型式を例示することができる。

【００４１】表示装置の第１パネルを構成する透明支持
体として、ガラス基板、表面に絶縁層が形成されたガラ
ス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成された石英基板
を例示することができる。また、表示装置の第２パネル
を構成する支持体は、少なくとも表面が絶縁性部材より
構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁層が形
成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁層が形成さ
れた石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を
用いることができる。

【００４２】表示装置を構成するゲート電極及びアノー
ド電極は、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タン
タル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、
クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｕ）等の金属層又はこれらの金属元素を含む合金
層、あるいは不純物を含有するシリコン等の半導体層を
用いて形成することもできる。また、絶縁層の構成材料
としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ガラス・ペー
スト硬化物を単独あるいは適宜積層して使用することが
できる。絶縁層の成膜には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッ
タリング法、印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき、本
発明の封止パネル装置及びその製造方法について説明す
る。

【００４４】（実施の形態１）実施の形態１は、本発明
の第１の態様に係る封止パネル装置、並びに、第１Ａ及
び第１Ｂの態様を含む本発明の第１の態様に係る封止パ
ネル装置の製造方法に関する。実施の形態１に係る封止
パネル装置の概念図を図１に示し、この封止パネル装置
を適用して構成された冷陰極電界電子放出型の表示装置
の模式的断面図を図２に示し、係る表示装置の一部を拡
大して模式的に示す分解斜視図を図３に示す。また、第
１の態様に係る封止パネル装置の製造方法における工程
図を図４に示し、第１Ａの態様に係る封止パネル装置の
製造方法の工程図を図５に示し、第１Ｂの態様に係る封
止パネル装置の製造方法の工程図を図６に示す。

【００４５】図１に、実施の形態１の封止パネル装置の
概念的な構成を示す。図１の（Ａ）は模式的断面図、図
１の（Ｂ）は模式的斜視図である。矩形形状を有する第
１パネルＰ１と第２パネルＰ２とは、周縁部において接
着層Ａｍによって接着され、第１パネルと第２パネルと
接着層とによって囲まれた空間が真空（ＶＡＣ）にされ
ている。接着層Ａｍは低融点金属材料から成る。図１の
（Ｂ）では、図示を簡略化するために、接着層Ａｍの厚
みを省略し、形成部位のみをハッチングで示している。
尚、本明細書において、接着層を表す符号Ａの添字ｍ
は、低融点金属材料から成ることを表す際に用いる。第
１パネルＰ１と第２パネルＰ２との対向距離は、接着層
Ａｍの厚さによって決定されている。

【００４６】図２に、実施の形態１の封止パネル装置を
表示装置に適用した例を示す。また、図３には表示装置
の一部分を拡大して示す。第１パネルＰ１は、透明支持
体１０、並びに、該透明支持体１０上に形成されたアノ
ード電極１３及び３原色の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１
２Ｂから成る。個々の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ
は一例として矩形形状を有しており、所定の規則的なパ
ターンに従って配列されている。隣接する蛍光体層１２
Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの間は、カーボン等の光吸収性材料
から成るブラック・マトリクス１１で埋め込まれ、表示
画像の色濁りが防止されている。図２及び図３では、透
明支持体１０上において蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２
Ｂがアノード電極１３に被覆されているが、積層順を逆
にしても構わない。但し、逆とした場合は、表示装置の
観察面側から見てアノード電極１３が蛍光体層１２の手
前に来るため、アノード電極１３をＩＴＯ（インジウム
・錫酸化物）等の透明導電材料にて構成する必要があ
る。

【００４７】第２パネルＰ２は、支持体２０、並びに、
該支持体２０上に形成され、アノード電極１３及び蛍光
体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに対向した複数の電界放出
素子から成る。電界放出素子は、一方向に設けられた帯
状のカソード電極２１と、絶縁層２２と、絶縁層２２上
に形成され、カソード電極２１と直交する方向に帯状に
形成されたゲート電極２３と、カソード電極２１とゲー
ト電極２３との重複領域においてゲート電極２３及び絶
縁層２２に設けられた円形の開口部２５内に配された電
子放出部から構成される。図２に示す表示装置において
は、開口部２５の底面に露出したカソード電極２１の部
分が電子放出部として機能する、所謂平面型の電界放出
素子が例示されているが、他の型式の電界放出素子であ
っても勿論構わない。例えば、カソード電極２１上に導
電材料から成る円錐形の電子放出部が形成されていれ
ば、所謂スピント型の電界放出素子である。また、絶縁
層に埋め込まれた導電材料層を有し、この導電材料層の
開口部内における露出端部が電子放出部とされていれ
ば、これは所謂エッジ型の電界放出素子である。

【００４８】尚、図２では１画素の領域内に開口部が一
つしか図示されていないが、実際には、図３のように、
複数の開口部２５が形成される場合が多い。但し、本発
明の封止パネル装置は、図２及び図３に何ら限定される
ものではない。例えば、図３では、１画素の領域内に開
口部２５が１６個形成されているが、勿論これは例示に
過ぎず、実際には数千個にも及ぶ場合がある。また、ア
ノード電極１３とカソード電極２１とゲート電極２３の
形成方向や、開口部２５の形状も任意である。

【００４９】カソード電極２１には走査回路５３から相
対的に負電圧が印加され、ゲート電極２３には制御回路
５２から相対的に正電圧が印加され、アノード電極１３
にはゲート電極２３よりも更に高い正電圧が加速電源５
１から印加される。表示装置において表示を行う場合、
制御回路５２にはビデオ信号、走査回路５３には走査信
号が入力される。カソード電極２１とゲート電極２３と
に電圧を印加した際に生ずる電界により、電子放出部か
ら電子ｅが放出される。この電子ｅが、アノード電極１
３に引き付けられて蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに
衝突すると、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが発光
し、所望の表示を得ることができる。この表示装置の動
作は、基本的にゲート電極２３に印加される電圧によっ
て制御される。尚、加速電源５１に対する接続端子を形
成するためにアノード電極１３を外部に引き出す部分に
は、低融点金属材料から成る接着層Ａｍとアノード電極
１３とを絶縁するための絶縁層１４が形成されている。
また、制御回路５２に対する接続端子を形成するために
ゲート電極２３を外部に引き出す部分には、接着層Ａｍ
とゲート電極２３とを絶縁するための絶縁層２４が形成
されている。それ以外の部分の構造は、図２に示した表
示装置の向かって右側に示した接着層３０ｍと同様の構
造とすることができる。

【００５０】以下、上述した封止パネル装置の製造方法
を、図４を参照して説明する。この製造方法は、本発明
の第１の態様に係る製造方法であり、図４の（Ａ）乃至
（Ｃ）は第１パネルＰ１と第２パネルＰ２の周縁部に低
融点金属材料から成る接着層Ａｍを形成あるいは配置す
る際のパターン、図４の（Ｄ）は加熱・接着工程を示
す。図４の（Ａ）では、加熱前の接着層Ａｍは第１パネ
ルＰ１側のみ、図４の（Ｂ）では第２パネルＰ２側のみ
に、それぞれ形成又は配置されているが、接着層Ａｍを
構成する低融点金属材料が第１パネルＰ１又は第２パネ
ルＰ２に対して十分な濡れ性を有していれば、このよう
な一方のパネル側のみにおける形成又は配置で構わな
い。一方、図４の（Ｃ）に示すように第１パネルＰ１と
第２パネルＰ２の双方に加熱前の接着層Ａｍを形成又は
配置すると、低融点金属材料の濡れ性が不足する場合の
パネルの接着不良を低減させることができ、また、パネ
ル間の対向距離もある程度大きく確保することができ
る。

【００５１】製造された封止パネル装置は、図４の
（Ｄ）に示すように、第１パネルＰ１と接着層Ａｍと第
２パネルＰ１とによって囲まれた空間が真空（ＶＡＣ）
とされているが、以下、この真空を達成するための２通
りの製造方法、即ち、第１Ａ及び第１Ｂの態様に係る封
止パネル装置の製造方法について、それぞれ図５及び図
６を参照して説明する。

【００５２】図５は、接着層Ａｍを構成する低融点金属
材料の融点よりも高い温度に接着層Ａｍを加熱すること
により第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とを接着層によ
って接着する加熱・接着工程における雰囲気を真空と
し、以て、第１パネルと第２パネルと接着層とによって
囲まれた空間を真空にする製造方法の工程図である。即
ち、図５の（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１と第２
パネルＰ２の周縁部に、接着層Ａｍを形成又は配置す
る。尚、図５の（Ａ）では第１パネルＰ１と第２パネル
Ｐ２の双方に接着層Ａｍが形成又は配置されているが、
いずれか一方のパネルのみに形成又は配置しても構わな
い。次に、図５の（Ｂ）に示すように、接着層Ａｍが形
成された第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とを、真空容
器ＶＣ内で位置合わせし、接着層Ａｍを構成する低融点
金属材料の融点よりも高い温度（例えば、４００゜Ｃ以
下）に加熱しながら接着し、第１パネルＰ１と第２パネ
ルＰ２とを接着層Ａｍによって接着することによって、
封止パネル装置を得ることができる。得られた封止パネ
ル装置においては、図５の（Ｃ）に示すように、上記空
間が接着と同時に真空（ＶＡＣ）とされる。

【００５３】図６は、接着層Ａｍを構成する低融点金属
材料の融点よりも高い温度に接着層Ａｍを加熱すること
により第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とを接着層によ
って接着する加熱・接着工程の完了後、第１パネルＰ１
と第２パネルＰ２と接着層Ａｍとによって囲まれた空間
を接着後に排気することにより真空にする製造方法の工
程図である。即ち、図６の（Ａ）に示すように、第１パ
ネルＰ１と第２パネルＰ２の周縁部に、接着層Ａｍを形
成又は配置する。第２パネルＰ２には、その機能に影響
を及ぼさない部位に、例えばガラスから成る排気管Ｅが
挿通されている。但し、排気管Ｅが第１パネルＰ１に挿
通されていても構わない。尚、図６の（Ａ）では第１パ
ネルＰ１と第２パネルＰ２の双方に接着層Ａｍが形成又
は配置されているが、いずれか一方のパネルのみに形成
又は配置されていても構わない。次に、図６の（Ｂ）に
示すように、接着層Ａｍが形成された第１パネルＰ１と
第２パネルＰ２とを位置合わせし、例えば４００゜Ｃ以
下の温度で加熱しながら接着する。加熱・接着は、常圧
下、あるいは封止パネル装置に要求される最終的な真空
度には至らない減圧下で行うことができ、雰囲気は大気
あるいは不活性ガスとする。この時点では、第１パネル
Ｐ１と第２パネルＰ２と接着層Ａｍとによって囲まれた
空間は、未だ真空ではない。次に、排気管Ｅを図示しな
い排気装置に接続し、排気を行う。上記空間が所望の真
空度に達した時点で排気管Ｅを加熱により融着すると、
上記空間が真空（ＶＡＣ）とされた封止パネル装置が得
られる（図６の（Ｃ）参照）。

【００５４】第１Ａ及び第１Ｂの態様に係る製造方法で
製造された封止パネル装置は、接着層が低融点金属材料
から構成されているので、接着層がフリットガラスによ
り構成されている従来の封止パネル装置に比べ、真空度
の経時劣化が大幅に抑制されている。また、製造プロセ
ス全体を例えば４００゜Ｃ以下に低温化することが可能
なので、従来方法に比べてスループットや経済性を向上
させることが可能である。

【００５５】（実施の形態２）実施の形態２は、実施の
形態１の変形例である。実施の形態２の封止パネル装置
においては、図７の（Ｃ）に示すように、第１パネルＰ
１と第２パネルＰ２との間隔を一定に維持するための間
隔維持部材Ｓが、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２との
間に挟持されている。この間隔維持部材Ｓは絶縁性を有
する剛性材料、例えばガラス球から成る。かかる構成を
有する封止パネル装置においては、パネル間の対向距離
は、実質的に間隔維持部材Ｓの寸法により決定される。
従って、接着層Ａｍの形成又は配置の段階における接着
層Ａｍの寸法制御や形状制御の負担を軽減しても、寸法
精度に優れる封止パネル装置を得ることができる。

【００５６】かかる封止パネル装置を製造するには、図
７の（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１と第２パネル
Ｐ２の周縁部に接着層Ａｍを形成又は配置し、しかる後
に第２パネルＰ２の表面に、間隔維持部材Ｓを塗布、散
布、吹付け等の方法により配置する。図７の（Ａ）で
は、第１パネルＰ１と第２パネルＰ２の双方に接着層Ａ
ｍが形成又は配置されているが、いずれか一方のパネル
のみに形成又は配置されていてもよい。次に、第１パネ
ルＰ１と第２パネルＰ２とを接着する。図７の（Ｂ）に
は、接着層Ａｍが形成された第１パネルＰ１と第２パネ
ルＰ２とを、真空容器ＶＣ内で位置合わせし、例えば４
００゜Ｃ以下の温度に加熱しながら接着する第１Ａの態
様に係る製造方法を一例として示したが、接着後に排気
を行う第１Ｂの態様に係る製造方法を適用しても、勿論
構わない。

【００５７】（実施の形態３）実施の形態３は、実施の
形態１の更に他の変形例である。実施の形態３の封止パ
ネル装置においては、図８の（Ｃ）に示すように、接着
層Ａｍと第１パネルＰ１との間、及び接着層Ａｍと第２
パネルＰ２との間に濡れ性改善層Ｗが形成されている。
尚、図８の（Ａ）では第１パネルＰ１と第２パネルＰ２
の双方に濡れ性改善層Ｗが形成されているが、いずれか
一方のパネルのみに形成されていても構わない。かかる
構成を有する封止パネル装置においては、低融点金属材
料から成る接着層Ａｍが自己整合的に濡れ性改善層Ｗと
位置合わせされ、接着層Ａｍの形状精度や寸法精度が改
善されている。

【００５８】かかる封止パネル装置を製造するには、接
着層Ａｍを形成する前に、第１パネルＰ１及び／又は第
２パネルＰ２の接着層形成予定部位に、低融点金属材料
に対する濡れ性を改善するための濡れ性改善層Ｗを形成
しておき、しかる後、図８の（Ａ）に示すように、濡れ
性改善層Ｗの上に接着層Ａｍを形成する。この段階で
は、濡れ性改善層Ｗと接着層Ａｍの位置合わせ精度はそ
れ程高くなくてもよい。次に、第１パネルＰ１と第２パ
ネルＰ２とを接着する。図８の（Ｂ）には、接着層Ａｍ
が形成された第１パネルＰ１と第２パネルＰ２とを、真
空容器ＶＣ内で位置合わせし、例えば４００゜Ｃ以下の
温度に加熱しながら接着する第１Ａの態様に係る製造方
法を一例として示したが、接着後に排気を行う第１Ｂの
態様に係る製造方法を適用しても、勿論構わない。ま
た、実施の形態２にて説明した封止パネル装置を実施の
形態３の封止パネル装置に適用することもできる。

【００５９】（実施の形態４）実施の形態４は、本発明
の第２の態様に係る封止パネル装置、並びに、第２Ａ及
び第２Ｂの態様を含む本発明の第２の態様に係る封止パ
ネル装置の製造方法に関する。実施の形態４に係る封止
パネル装置の概念図を図９、図１０、図１１に示し、こ
れらの封止パネル装置を適用して構成された冷陰極電界
電子放出型の表示装置の模式的断面図を図１２に示す。
また、第２の態様に係る封止パネル装置の製造方法の概
念図を図１３に示し、第２Ａの態様に係る封止パネル装
置の製造方法の工程図を図１４に示し、第２Ｂの態様に
係る封止パネル装置の製造方法の工程図を図１５に示
す。尚、これらの図面で使用する符号は図１〜図８と一
部共通であり、共通部分については詳しい説明を省略す
る。

【００６０】図９に、第１及び第２の構成に係る封止パ
ネル装置の概念図を示す。図９の（Ａ）は模式的断面
図、図９の（Ｂ）は模式的斜視図である。矩形形状を有
する第１パネルＰ１は、周縁部において第１接着層Ａ１
ｍによって枠体Ｆと接着され、枠体Ｆは第２接着層Ａ２
ｍによって第２パネルＰ２と接着されている。第１パネ
ルＰ１と第１接着層Ａ１ｍと枠体Ｆと第２接着層Ａ２ｍ
と第２パネルＰ２とによって囲まれた空間は、真空（Ｖ
ＡＣ）である。かかる構成を有する封止パネル装置にお
いては、パネル間の対向距離は、実質的に枠体Ｆの高さ
により決定される。従って、枠体Ｆの高さを選択するこ
とにより、第１の態様に係る封止パネル装置に比べて、
パネル間の対向距離をより長く設定することが可能であ
る。

【００６１】図９に示した封止パネル装置においては、
第１接着層Ａ１ｍ及び第２接着層Ａ２ｍはいずれも低融
点金属材料から構成されるが、第１接着層Ａ１ｍを構成
する低融点金属材料の融点と第２接着層Ａ２ｍを構成す
る低融点金属材料の融点が略等しく（第１の構成）、あ
るいは又、第１接着層Ａ１ｍを構成する低融点金属材料
の融点の方が、第２接着層Ａ２ｍを構成する低融点金属
材料の融点よりも高い（第２の構成）。

【００６２】図１０に、第３の構成に係る封止パネル装
置の概念図を示す。図９の（Ａ）は模式的断面図、図１
の（Ｂ）は模式的斜視図である。第３の構成において
は、第１接着層Ａ１ｆはフリットガラスから成る。尚、
本明細書において、第１接着層を表す符号Ａ１の添字ｆ
は、フリットガラスから成ることを表すときに用いる。
また、第１接着層を表す符号Ａ１に添字が無い場合は、
第１接着層が低融点金属材料とフリットガラスのいずれ
により形成されてもよい場合である。更に図１１には、
第４の構成に係る封止パネル装置の概念図を示す。第４
の構成においては、第１接着層の一部分が低融点金属材
料から成り（第１接着層Ａ１ｍ）、残部がフリットガラ
スから成る（第１接着層Ａ１ｆ）。図１１では、フリッ
トガラスから成る第１接着層Ａ１ｆが矩形の枠体Ｆの短
辺中央部に形成されているが、形成部位はこれに限られ
ない。

【００６３】図１２に、実施の形態４の封止パネル装置
を表示装置に適用した例を示す。この表示装置において
は、第１パネルＰ１は、周縁部において第１接着層３１
によって枠体４０と接着され、枠体４０は第２接着層３
２ｍによって第２パネルＰ２と接着されている。第１パ
ネルＰ１と第１接着層３１と枠体４０と第２接着層３２
ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間は、真空で
ある。かかる表示装置の構成において、アノード電極１
３を有する第１パネルＰ１には、電界放出素子を有する
第２パネルＰ２よりも高い電圧が印加されるので、アノ
ード電極１３の引き出し部に形成される絶縁層１４のみ
では、十分な絶縁性が確保できない場合がある。このよ
うな場合には、第３又は第４の構成を適用し、少なくと
も絶縁層１４と枠部４０の間に形成される第１接着層の
一部分をフリットガラスから構成すればよく、これによ
って十分な絶縁性を確保することが可能となる。

【００６４】以下、実施の形態４の封止パネル装置の製
造方法について、図１３を参照しながら説明するが、第
１パネルＰ１及び／又は第２パネルＰ２の周縁部に低融
点金属材料から成る接着層を形成し、あるいは配置する
工程において、第１接着層及び第２接着層の形成又は配
置のパターンとして、（Ａ）〜（Ｉ）の９種類が存在す
る。どのパターンを選択するかは、第１パネルＰ１、枠
体Ｆ、第２パネルＰ２の三者の各々に対する低融点金属
材料の濡れ性に依存する。図１３に示すパターンのいず
れかに従って第１接着層Ａ１ｍ及び第２接着層Ａ２ｍを
形成又は配置した後、第１接着層Ａ１ｍを構成する低融
点金属材料の融点、及び第２接着層Ａ２ｍを構成する低
融点金属材料の融点よりも高い温度に第１接着層Ａ１ｍ
及び第２接着層Ａ２ｍを加熱することにより、枠体Ｆと
第１パネルＰ１とを第１接着層Ａ１ｍによって接着し、
且つ、枠体Ｆと第２パネルＰ２とを第２接着層Ａ２ｍに
よって接着する。

【００６５】製造された封止パネル装置は、図９の
（Ａ）、図１０の（Ａ）及び図１１の（Ａ）に示すよう
に、第１パネルＰ１と第１接着層Ａ１ｍと枠体Ｆと第２
接着層Ａ２ｍと第２パネルＰ１とによって囲まれた空間
が真空（ＶＡＣ）とされているが、以下、この真空を達
成するための２通りの製造方法、即ち、第２Ａ及び第２
Ｂの態様に係る封止パネル装置の製造方法について、そ
れぞれ図１４及び図１５を参照して説明する。

【００６６】図１４は、加熱・接着工程における雰囲気
を真空とし、以て、第１パネルと第２パネルと接着層と
によって囲まれた空間を真空にする第２Ａの態様に係る
製造方法の工程図である。この製造方法では、第１の構
成に係る封止パネル装置、即ち、第１接着層Ａ１ｍと第
２接着層Ａ２ｍとが融点の略等しい低融点金属材料から
成る封止パネル装置を製造することができる。また、第
２の構成に係る封止パネル装置であっても、第１接着層
Ａ１ｍと第２接着層Ａ２ｍとの融点の差がおおよそ１０
０゜Ｃ程度であれば、製造可能である。

【００６７】先ず、図１４の（Ａ）に示すように、第１
パネルＰ１の周縁部と枠体Ｆとに第１接着層Ａ１ｍ、枠
体Ｆと第２パネルＰ２の周縁部に第２接着層Ａ２ｍを形
成又は配置する。尚、図１４の（Ａ）では図１３のパタ
ーン（Ｈ）に従って第１接着層Ａ１ｍと第２接着層Ａ２
ｍとが形成又は配置されているが、その他のパターン
（Ａ）〜（Ｇ）やパターン（Ｉ）に従って形成又は配置
されていてもよい。次に、図１４の（Ｂ）に示すよう
に、接着層Ａ１ｍ，Ａ２ｍが形成された第１パネルＰ１
と枠体Ｆと第２パネルＰ２とを、真空容器ＶＣ内で位置
合わせし、例えば４００゜Ｃ以下の温度に加熱しながら
接着し、封止パネル装置を得ることができる。このとき
の加熱温度は、第１接着層Ａ１ｍと第２接着層Ａ２ｍを
構成する低融点金属材料の融点が略等しい場合にはその
融点以上の温度とし、いずれかの融点が高い場合には、
高い方の融点以上の温度とする。得られた封止パネル装
置においては、図１４の（Ｃ）に示すように、上記空間
が接着と同時に真空（ＶＡＣ）とされる。

【００６８】一方、図１５は、加熱・接着工程の後、第
１パネルＰ１と第１接着層Ａ１ｍと枠体Ｆと第２接着層
Ａ２ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間を排気
することにより真空にする第２Ｂの態様に係る製造方法
の工程図である。即ち、図１４の（Ａ）と同様に、第１
パネルＰ１の周縁部、枠体Ｆ、第２パネルＰ２の周縁部
に第１接着層Ａ１ｍと第２接着層Ａ２ｍを形成又は配置
する。但し、第２パネルＰ２には排気管Ｅが挿通されて
いる。次に、図１５の（Ｂ）に示すように、第１パネル
Ｐ１と枠体Ｆと第２パネルＰ２とを位置合わせし、第１
接着層Ａ１ｍ及び第２接着層Ａ２ｍとを例えば４００゜
Ｃ以下の温度で加熱しながら接着する。加熱・接着は、
常圧下、あるいは封止パネル装置に要求される最終的な
真空度には至らない減圧下で行うことができ、雰囲気は
大気あるいは不活性ガスとする。この時点では、第１パ
ネルＰ１と第１接着層Ａ１ｍと枠体Ｆと第２接着層Ａ２
ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間は、未だ真
空ではない。この後の排気、及び排気管Ｅの融着は実施
の態様１にて説明した通りであり、最終的に図１５の
（Ｃ）に示すように、上記空間が真空（ＶＡＣ）とされ
た封止パネル装置が得られる。

【００６９】尚、実施の形態３にて説明した濡れ性改善
層Ｗを、実施の形態４の封止パネル装置に適用すること
ができる。この場合、第１接着層Ａ１ｍに関する濡れ性
改善層Ｗは、第１パネルＰ１の接着面、あるいは、枠体
Ｆの接着面、あるいは、第１パネルＰ１と枠体の両方の
接着面に形成すればよい。一方、第２接着層Ａ２ｍに関
する濡れ性改善層Ｗは、第２パネルＰ２の接着面、ある
いは、枠体Ｆの接着面、あるいは、第２パネルＰ２と枠
体の両方の接着面に形成すればよい。従って、第１接着
層Ａ１ｍに関する濡れ性改善層Ｗと第２接着層Ａ２ｍに
関する濡れ性改善層Ｗに関しては、都合、９通りの形成
パターンが存在する。また、第１接着層及び第２接着層
の形成又は配置のパターンは、都合、９通りが存在す
る。それ故、第１接着層Ａ１ｍに関する濡れ性改善層Ｗ
と第２接着層Ａ２ｍに関する濡れ性改善層Ｗの形成パタ
ーンと、第１接着層及び第２接着層の形成又は配置のパ
ターンとの組合せは、合計、８１通りが存在する。第１
パネルＰ１、第２パネルＰ２、枠体Ｆ、第１接着層Ａ１
ｍ及び第２接着層Ａ２ｍを構成する材料に依存して、こ
れらの組合せの中から最適な組合せを選択すればよい。

【００７０】（実施の形態５）実施の形態５は、本発明
の第２の態様に係る封止パネル装置、及び、本発明の第
３の態様に係る封止パネル装置の製造方法に関する。第
３の態様に係る封止パネル装置の製造方法の概念図を図
１６を示し、第３Ａの態様に係る封止パネル装置の製造
方法の工程図を図１７に示し、第３Ｂの態様に係る封止
パネル装置の製造方法の工程図を図１８に示す。尚、封
止パネル装置を適用して構成された冷陰極電界電子放出
型の表示装置の模式的断面図は、図１２に示した冷陰極
電界電子放出型の表示装置の模式的断面図と同様であ
る。

【００７１】第３の態様に係る封止パネル装置の製造方
法では、第２パネルＰ２の周縁部及び／又は枠体Ｆに低
融点金属材料から成る第２接着層Ａ２ｍを形成しあるい
は配置する工程における第２接着層Ａ２ｍの形成又は配
置のパターンとして、（Ａ）〜（Ｃ）の３種類が存在す
る。どのパターンを選択するかは、枠体Ｆと第２パネル
Ｐ２の双方に対する低融点金属材料の濡れ性に依存す
る。図１６に示すパターンのいずれかに従って第１接着
層及び第２接着層を形成又は配置した後、第２接着層を
構成する低融点金属材料の融点よりも高い温度に第２接
着層を加熱することにより、枠体と第２パネルとを第２
接着層Ａ２ｍによって接着する。

【００７２】尚、実施の形態３にて説明した濡れ性改善
層Ｗを、実施の形態５の封止パネル装置に適用すること
ができる。この場合、第２接着層Ａ２ｍに関する濡れ性
改善層Ｗは、第２パネルＰ２の接着面、あるいは、枠体
Ｆの接着面、あるいは、第２パネルＰ２と枠体の両方の
接着面に形成すればよい。一方、第１接着層Ａ１ｍとし
て低融点金属材料を少なくとも用いる場合には、第１接
着層Ａ１ｍに関する濡れ性改善層Ｗは、第１パネルＰ１
の接着面、あるいは、枠体Ｆの接着面、あるいは、第１
パネルＰ１と枠体の両方の接着面に形成すればよい。従
って、このような場合には、第１接着層Ａ１ｍに関する
濡れ性改善層Ｗと第２接着層Ａ２ｍに関する濡れ性改善
層Ｗに関しては、都合、９通りの形成パターンが存在す
る。また、第１接着層及び第２接着層の形成又は配置の
パターンは、都合、９通りが存在する。それ故、第１接
着層Ａ１ｍに関する濡れ性改善層Ｗと第２接着層Ａ２ｍ
に関する濡れ性改善層Ｗの形成パターンと、第１接着層
及び第２接着層の形成又は配置のパターンとの組合せ
は、合計、８１通りが存在する。第１パネルＰ１、第２
パネルＰ２、枠体Ｆ、第１接着層Ａ１ｍ及び第２接着層
Ａ２ｍを構成する材料に依存して、これらの組合せの中
から最適な組合せを選択すればよい。

【００７３】製造された封止パネル装置は、図１７の
（Ｃ）及び図１８の（Ｃ）に示すように、第１パネルＰ
１と第１接着層Ａ１と枠体Ｆと第２接着層Ａ２ｍと第２
パネルＰ１とによって囲まれた空間が真空（ＶＡＣ）と
されているが、以下、この真空を達成するための２通り
の製造方法、即ち、第３Ａ及び第３Ｂの態様に係る封止
パネル装置の製造方法について、それぞれ図１７及び図
１８を参照して説明する。

【００７４】図１７は、加熱・接着工程における雰囲気
を真空とし、以て、第１パネルと第２パネルと接着層と
によって囲まれた空間を真空にする第３Ａの態様に係る
製造方法の工程図である。この製造方法では、第２、第
３及び第４の構成に係る封止パネル装置を製造すること
ができる。

【００７５】第１接着層Ａ１が第２接着層を構成する低
融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属
材料から成る場合（第２の構成）、先ず、図１７の
（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１の周縁部と枠体Ｆ
とに第１接着層Ａ１を形成又は配置する。次に、図１７
の（Ｂ）に示すように、第１接着層Ａ１を構成する低融
点金属材料の融点よりも高い温度にて第１接着層Ａ１を
加熱することにより、第１パネルＰ１と枠体Ｆとを接着
する。このときの加熱は、後述する第２接着層Ａ２ｍの
加熱温度よりも高い。一方、図１７の（Ｃ）に示すよう
に、枠体Ｆと第２パネルＰ２の周縁部に第２接着層Ａ２
ｍを形成又は配置する。次に、図１７の（Ｄ）に示すよ
うに、既に枠体Ｆと接着された第１パネルＰ１に対し、
第２パネルＰ２を真空容器ＶＣ内で位置合わせし、第２
接着層Ａ２ｍを構成する低融点金属材料の融点よりも高
い温度であって、第１接着層Ａ１を構成する低融点金属
材料の融点よりも低い温度に第２接着層Ａ２ｍを加熱す
ることによって、封止パネル装置を得ることができる。
得られた封止パネル装置においては、図１７の（Ｅ）に
示すように、上記空間が接着と同時に真空（ＶＡＣ）と
される。この場合、第１パネルＰ１の周縁部と枠体Ｆと
に第１接着層Ａ１を形成又は配置する前に、第１パネル
Ｐ１の周縁部及び／又は枠体Ｆの第１接着層形成予定部
位に、実施の形態３にて説明したような、低融点金属材
料に対する濡れ性を改善するための濡れ性改善層を形成
しておいてもよい。

【００７６】あるいは又、第１接着層Ａ１は第２接着層
Ａ２ｍを構成する低融点金属材料の融点よりも高い焼成
温度を有するフリットガラスから成る場合（第３の構
成）、先ず、図１７の（Ａ）に示すように、第１パネル
Ｐ１の周縁部と枠体Ｆとにフリットガラスから第１接着
層Ａ１を塗布法等に基づき形成し、１００゜Ｃ前後で乾
燥し、次いで、３５０゜Ｃ前後で仮焼成を行い、第１パ
ネルＰ１の周縁部と枠体Ｆとにフリットガラスから第１
接着層Ａ１を形成する。次に、図１７の（Ｂ）に示すよ
うに、フリットガラスを焼成することによって第１パネ
ルＰ１の周縁部と枠体Ｆとを接着する。一方、図１７の
（Ｃ）に示すように、枠体Ｆと第２パネルＰ２の周縁部
に第２接着層Ａ２ｍを形成又は配置する。次に、図１７
の（Ｄ）に示すように、既に枠体Ｆと接着された第１パ
ネルＰ１に対し、第２パネルＰ２を真空容器ＶＣ内で位
置合わせし、第２接着層Ａ２ｍを構成する低融点金属材
料の融点よりも高い温度であって、第１接着層Ａ１を構
成するフリットガラスの焼成温度よりも低い温度に第２
接着層Ａ２ｍを加熱することによって、封止パネル装置
を得ることができる。得られた封止パネル装置において
は、図１７の（Ｅ）に示すように、上記空間が接着と同
時に真空（ＶＡＣ）とされる。

【００７７】あるいは又、第１接着層Ａ１の一部分は第
２接着層Ａ２ｍを構成する低融点金属材料の融点よりも
高い焼成温度を有するフリットガラスから成り、第１接
着層Ａ１の残部は第２接着層Ａ２ｍを構成する低融点金
属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料か
ら成る場合（第４の構成）、先ず、第１パネルＰ１の周
縁部と枠体Ｆとにフリットガラスから成る第１接着層Ａ
１の一部分を塗布法等に基づき形成し、乾燥、仮焼成を
行う。次いで、第１接着層の残部を形成すべき第１パネ
ルＰ１の領域に低融点金属材料を形成又は配置する。こ
うして、図１７の（Ａ）に示すように、第１パネルＰ１
の周縁部と枠体Ｆとに、フリットガラスから成る第１接
着層Ａ１の一部分、及び、第２接着層Ａ２ｍを構成する
低融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金
属材料から成る第１接着層Ａ１の残部を形成することが
できる。次に、図１７の（Ｂ）に示すように、フリット
ガラスを焼成し、且つ、第１接着層を構成する低融点金
属材料を溶融させることによって第１パネルＰ１の周縁
部と枠体Ｆとを接着する。一方、図１７の（Ｃ）に示す
ように、枠体Ｆと第２パネルＰ２の周縁部に第２接着層
Ａ２ｍを形成又は配置する。次に、図１７の（Ｄ）に示
すように、既に枠体Ｆと接着された第１パネルＰ１に対
し、第２パネルＰ２を真空容器ＶＣ内で位置合わせし、
第２接着層Ａ２ｍを構成する低融点金属材料の融点より
も高い温度であって、第１接着層Ａ１の残部を構成する
低融点金属材料の融点よりも低い温度に第２接着層Ａ２
ｍを加熱することによって、封止パネル装置を得ること
ができる。得られた封止パネル装置においては、図１７
の（Ｅ）に示すように、上記空間が接着と同時に真空
（ＶＡＣ）とされる。

【００７８】一方、図１８は、加熱・接着工程の後、第
１パネルＰ１と第１接着層Ａ１と枠体Ｆと第２接着層Ａ
２ｍと第２パネルＰ２とによって囲まれた空間を排気す
ることにより真空にする第３Ｂの態様に係る製造方法の
工程図である。即ち、図１８の（Ａ）に示す第１接着層
Ａ１の形成又は配置、及び図１８の（Ｂ）に示す第１パ
ネルＰ１と枠体Ｆとの接着は、上述した第３Ａの態様に
係る製造方法と同様とすることができる。次に、第２パ
ネルＰ２の周縁部及び枠体Ｆに第２接着層Ａ２ｍを形成
又は配置する。但し、第２パネルＰ２には排気管Ｅが挿
通されている。次に、図１８の（Ｃ）に示すように、既
に枠体Ｆと接着された第１パネルＰ１を第２パネルＰ２
と位置合わせし、枠体Ｆと第２パネルＰ２とを加熱・接
着する。尚、枠体Ｆと第２パネルＰ２との加熱・接着
は、上述した第３Ａの態様に係る製造方法と同様とする
ことができる。加熱・接着は、常圧下、あるいは封止パ
ネル装置に要求される最終的な真空度には至らない減圧
下で行うことができ、雰囲気は大気あるいは不活性ガス
とする。この時点では、第１パネルＰ１と第１接着層Ａ
１ｍと枠体Ｆと第２接着層Ａ２ｍと第２パネルＰ２とに
よって囲まれた空間は、未だ真空ではない。この後、図
１８の（Ｄ）に示す排気工程と、図１８の（Ｅ）に示す
融着工程を、実施の形態１にて説明した第２Ｂの態様に
係る製造方法と同様の方法にて行い、最終的に図１８の
（Ｅ）に示すように、上記空間が真空（ＶＡＣ）とされ
た封止パネル装置を得ることができる。

【００７９】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。封止パネル装置の構造の細部、封止パネル装置を適
用した表示装置の構造の細部は例示であり、適宜変更、
選択、組合せが可能である。例えば、濡れ性改善層Ｗ
は、本発明の全ての態様に係る封止パネル装置及びその
製造方法に適用することができる。また、本発明の全て
の態様に係る封止パネル装置を適用して表示装置を構成
することができる。

【００８０】本発明の第１の態様に係る封止パネル装置
あるいはその製造方法においては、第１パネル及び／又
は第２パネルとして、周縁部にフリットガラスから成る
突起部（第２の態様に係る封止パネル装置における枠体
に相当する）が形成された第１パネル及び／又は第２パ
ネルを用いることもできる。そして、必要に応じて、第
１パネル及び／又は第２パネルのかかる突起部に低融点
金属材料から成る接着層を形成し、あるいは配置すれば
よい。また、かかる構造の第１パネル及び／又は第２パ
ネルを用いる場合であって、濡れ性改善層を形成する必
要がある場合には、フリットガラスから成る突起部の頂
面に濡れ性改善層を形成すればよい。

【００８１】

【発明の効果】本発明の封止パネル装置あるいはその製
造方法においては、対向配置された第１パネルと第２パ
ネルとを接着する接着層、第１パネルと枠体を接着する
第１接着層、あるいは、枠体と第２パネルとを接着する
第２接着層が低融点金属材料から成るので、真空空間の
真空度を向上させると共に高真空度を長期間維持するこ
とが可能となり、封止パネル装置の信頼性が向上する。
枠体を用いる構成において、フリットガラスを第１接着
層の少なくとも一部分に用いれば、高電圧仕様の第１パ
ネルに対して高い絶縁性能を保証することができる。ま
た、本発明の封止パネル装置の製造方法によれば、煩雑
な操作を一切必要とせずに、高い生産性をもって封止パ
ネル装置を製造することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態１の封止パネル装置の概念図
であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図である。

【図２】表示装置として構成された発明の実施の形態１
の封止パネル装置の模式的断面図である。

【図３】図２に示した封止パネル装置の一部を拡大して
示す分解斜視図である。

【図４】発明の実施の形態１の封止パネル装置の製造方
法を概念的に示す工程図である。

【図５】接着と同時に真空の空間を形成する発明の実施
の形態１の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す工
程図である。

【図６】接着後の排気により真空の空間を形成する発明
の実施の形態１の封止パネル装置の製造方法を概念的に
示す工程図である。

【図７】間隔維持部材を用いた発明の実施の形態２の封
止パネル装置の製造方法を概念的に示す工程図である。

【図８】濡れ性改善層を用いた発明の実施の形態３の封
止パネル装置の製造方法を概念的に示す工程図である。

【図９】発明の実施の形態４の封止パネル装置の概念図
であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解斜視図である。

【図１０】発明の実施の形態４の封止パネル装置の他の
構成を示す概念図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分
解斜視図である。

【図１１】発明の実施の形態４の封止パネル装置の更に
他の構成を示す概念図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）
は分解斜視図である。

【図１２】表示装置として構成された発明の実施の形態
４の封止パネル装置の概念的な断面図である。

【図１３】発明の実施の形態４の封止パネル装置の製造
方法を概念的に示す工程図である。

【図１４】接着と同時に真空の空間を形成する発明の実
施の形態４の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す
工程図である。

【図１５】接着後の排気により真空の空間を形成する発
明の実施の形態４の封止パネル装置の製造方法を概念的
に示す工程図である。

【図１６】発明の実施の形態５の封止パネル装置の製造
方法を概念的に示す工程図である。

【図１７】接着と同時に真空の空間を形成する発明の実
施の形態５の封止パネル装置の製造方法を概念的に示す
工程図である。

【図１８】接着後の排気により真空の空間を形成する発
明の実施の形態５の封止パネル装置の製造方法を概念的
に示す工程図である。

【符号の説明】

Ｐ１・・・第１パネル、Ｐ２・・・第２パネル、Ａｍ，
３０ｍ・・・接着層、Ｆ，４０・・・枠体、Ａ１，Ａ１
ｆ，３１・・・第１接着層、Ａ２，Ａ２ｍ，３２ｍ・・
・第２接着層、Ｓ・・・間隔維持部材、Ｗ・・・濡れ性
改善層、ＶＣ・・・真空容器、Ｅ・・・排気管、１０・
・・透明支持体、１１・・・ブラック・マトリクス、１
２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ・・・蛍光体層、１３・・・アノ
ード電極、１４，２４・・・絶縁層、２０・・・支持
体、２１・・・カソード電極、２３・・・ゲート電極、
５１・・・加速電源、５２・・・制御回路、５３・・・
走査回路

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向配置された第１パネルと第２パネルと
が周縁部において接着層によって接着され、第１パネル
と第２パネルと接着層とによって囲まれた空間が真空に
された封止パネル装置であって、接着層は低融点金属材料から成ることを特徴とする封止
パネル装置。
【請求項２】第１パネルと第２パネルとの間隔を一定に
維持するための間隔維持部材が、第１パネルと第２パネ
ルとの間に挟持されていることを特徴とする請求項１に
記載の封止パネル装置。
【請求項３】第１パネルは、透明支持体、並びに、該透
明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層から
成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項１に記載の封止パネル装置。
【請求項４】枠体、並びに、該枠体を挟んで対向配置さ
れた第１パネル及び第２パネルから成り、枠体と第１パ
ネルとは第１接着層によって接着され、枠体と第２パネ
ルとは第２接着層によって接着され、第１パネルと第１
接着層と枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲ま
れた空間が真空にされた封止パネル装置であって、第２接着層は低融点金属材料から成ることを特徴とする
封止パネル装置。
【請求項５】第１接着層は低融点金属材料から成り、第
１接着層を構成する低融点金属材料の融点と、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点とは、略等しいこと
を特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。
【請求項６】第１接着層は低融点金属材料から成り、第
１接着層を構成する低融点金属材料の融点は、第２接着
層を構成する低融点金属材料の融点よりも高いことを特
徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。
【請求項７】第１接着層はフリットガラスから成ること
を特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。
【請求項８】第１接着層の一部分はフリットガラスから
成り、第１接着層の残部は低融点金属材料から成ること
を特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。
【請求項９】第１パネルは、透明支持体、並びに、該透
明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層から
成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項４に記載の封止パネル装置。
【請求項１０】（イ）第１パネル及び／又は第２パネル
の周縁部に低融点金属材料から成る接着層を形成し、あ
るいは配置する工程と、（ロ）接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高
い温度に接着層を加熱することにより、第１パネルと第
２パネルとを接着層によって接着する工程、を有するこ
とを特徴とする封止パネル装置の製造方法。
【請求項１１】工程（ロ）における加熱を真空雰囲気中
で行い、以て、第１パネルと第２パネルと接着層とによ
って囲まれた空間を真空にすることを特徴とする請求項
１０に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項１２】工程（ロ）の後、第１パネルと第２パネ
ルと接着層とによって囲まれた空間を排気することによ
り真空にすることを特徴とする請求項１０に記載の封止
パネル装置の製造方法。
【請求項１３】工程（イ）では、第１パネルと第２パネ
ルとの間隔を一定に維持するための間隔維持部材を予め
第１パネル又は第２パネル上に配置しておくことを特徴
とする請求項１０に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項１４】工程（イ）に先立ち、第１パネル及び／
又は第２パネルの接着層形成予定部位に、低融点金属材
料に対する濡れ性を改善するための濡れ性改善層を形成
することを特徴とする請求項１０に記載の封止パネル装
置の製造方法。
【請求項１５】第１パネルは、透明支持体、並びに、該
透明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層か
ら成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項１０に記載の封止パネル装置の製造方
法。
【請求項１６】枠体、並びに、該枠体を挟んで対向配置
された第１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装
置の製造方法であって、（イ）第１パネルの周縁部及び／又は枠体に低融点金属
材料から成る第１接着層を形成し、あるいは配置し、一
方、第２パネルの周縁部及び／又は枠体に低融点金属材
料から成る第２接着層を形成し、あるいは配置する工程
と、（ロ）第１接着層を構成する低融点金属材料の融点、及
び第２接着層を構成する低融点金属材料の融点よりも高
い温度に第１接着層及び第２接着層を加熱することによ
り、枠体と第１パネルとを第１接着層によって接着し、
且つ、枠体と第２パネルとを第２接着層によって接着す
る工程、を有することを特徴とする封止パネル装置の製
造方法。
【請求項１７】工程（ロ）における加熱を真空雰囲気中
で行い、以て、第１パネルと第１接着層と枠体と第２接
着層と第２パネルとによって囲まれた空間を真空にする
ことを特徴とする請求項１６に記載の封止パネル装置の
製造方法。
【請求項１８】工程（ロ）の後、第１パネルと第１接着
層と枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲まれた
空間を排気することにより真空にすることを特徴とする
請求項１６に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項１９】工程（イ）では、第１パネル、枠体及び
第２パネルの少なくともいずれかの接着層形成予定部位
に、低融点金属材料に対する濡れ性を改善するための濡
れ性改善層を形成することを特徴とする請求項１６に記
載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項２０】第１接着層を構成する低融点金属材料の
融点と、第２接着層を構成する低融点金属材料の融点と
は、略等しいこと特徴とする請求項１６に記載の封止パ
ネル装置の製造方法。
【請求項２１】第１パネルは、透明支持体、並びに、該
透明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層か
ら成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項１６に記載の封止パネル装置の製造方
法。
【請求項２２】枠体、並びに、該枠体を挟んで対向配置
された第１パネル及び第２パネルから成る封止パネル装
置の製造方法であって、（イ）第１パネルの周縁部と枠体とを第１接着層によっ
て接着する工程と、（ロ）第２パネルの周縁部及び／又は枠体に低融点金属
材料から成る第２接着層を形成し、あるいは配置する工
程と、（ハ）第２接着層を構成する低融点金属材料の融点より
も高い温度に第２接着層を加熱することにより、枠体と
第２パネルとを第２接着層によって接着する工程、を有
することを特徴とする封止パネル装置の製造方法。
【請求項２３】工程（ハ）における加熱を真空雰囲気中
で行い、以て、第１パネルと第１接着層と枠体と第２接
着層と第２パネルとによって囲まれた空間を真空にする
ことを特徴とする請求項２２に記載の封止パネル装置の
製造方法。
【請求項２４】工程（ハ）の後、第１パネルと第１接着
層と枠体と第２接着層と第２パネルとによって囲まれた
空間を排気することにより真空にすることを特徴とする
請求項２２に記載の封止パネル装置の製造方法。
【請求項２５】工程（ロ）に先立ち、第２パネルの周縁
部及び／又は枠体の第２接着層形成予定部位に、低融点
金属材料に対する濡れ性を改善するための濡れ性改善層
を形成することを特徴とする請求項２２に記載の封止パ
ネル装置の製造方法。
【請求項２６】第１接着層は、第２接着層を構成する低
融点金属材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属
材料から成り、工程（イ）では、第１接着層を構成する低融点金属材料
の融点よりも高い温度にて第１接着層を加熱し、工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点よりも高い温度であって、第１接着層を構成する
低融点金属材料の融点よりも低い温度に第２接着層を加
熱することを特徴とする請求項２２に記載の封止パネル
装置の製造方法。
【請求項２７】工程（イ）に先立ち、第１パネルの周縁
部及び／又は枠体の第１接着層形成予定部位に、低融点
金属材料に対する濡れ性を改善するための濡れ性改善層
を形成することを特徴とする請求項２６に記載の封止パ
ネル装置の製造方法。
【請求項２８】第１接着層は、第２接着層を構成する低
融点金属材料の融点よりも高い焼成温度を有するフリッ
トガラスから成り、工程（イ）では、フリットガラスを焼成することによっ
て第１パネルの周縁部と枠体とを接着し、工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点よりも高い温度であって、第１接着層を構成する
フリットガラスの焼成温度よりも低い温度に第２接着層
を加熱することを特徴とする請求項２２に記載の封止パ
ネル装置の製造方法。
【請求項２９】第１接着層の一部分は、第２接着層を構
成する低融点金属材料の融点よりも高い焼成温度を有す
るフリットガラスから成り、第１接着層の残部は、第２接着層を構成する低融点金属
材料の融点よりも高い融点を有する低融点金属材料から
成り、工程（イ）では、フリットガラスを焼成し、且つ、第１
接着層を構成する低融点金属材料を溶融させることによ
って第１パネルの周縁部と枠体とを接着し、工程（ハ）では、第２接着層を構成する低融点金属材料
の融点よりも高い温度であって、第１接着層の残部を構
成する低融点金属材料の融点よりも低い温度に第２接着
層を加熱することを特徴とする請求項２２に記載の封止
パネル装置の製造方法。
【請求項３０】第１パネルは、透明支持体、並びに、該
透明支持体上に形成されたアノード電極及び蛍光体層か
ら成り、第２パネルは、支持体、並びに、該支持体上に形成さ
れ、アノード電極及び蛍光体層に対向した複数の冷陰極
電界電子放出素子から成り、冷陰極電界電子放出素子から放出された電子が蛍光体層
に衝突することによる発光に基づいて表示を行うことを
特徴とする請求項２２に記載の封止パネル装置の製造方
法。