KR100664473B1

KR100664473B1 - 충/방전 제어회로 및 충전형 전원장치

Info

Publication number: KR100664473B1
Application number: KR1020010025782A
Authority: KR
Inventors: 사쿠라이아츠시; 야마사키고이치
Original assignee: 세이코 인스트루 가부시키가이샤
Priority date: 2000-05-12
Filing date: 2001-05-11
Publication date: 2007-01-03
Also published as: HK1042169A1; JP2002034163A; TW522625B; CN1324132A; KR20010104277A; US6504345B2; SG91924A1; JP3471321B2; US20010052759A1

Abstract

충/방전 제어회로는 과전류 상태에서 정상상태로 복귀할 때 과전류를 검출하기 위한 검출전압과는 다른 또 다른 복귀 검출전압을 갖는 회로구성을 갖는다. 이러한 구성에 의해, 충/방전 제어회로는 저 임피던스의 1㏁ 이하의 부하가 개방될지라도 과전류 상태에서 정상상태로 확실하게 복귀한다.

Description

충/방전 제어회로 및 충전형 전원장치{Charge/discharge control circuit and charging type power supply device}

도 1은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 예를 도시한 설명도.

도 2는 종래의 충전형 전원장치의 회로블록의 예를 도시한 설명도.

도 3은 종래의 충전형 전원장치의 회로블록의 또 다른 예를 도시한 설명도.

도 4는 종래의 충전형 전원장치의 회로블록의 또 다른 예를 도시한 설명도.

도 5는 본 발명의 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

도 6은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

도 7은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

도 8은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

도 9는 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

도 10은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로블록의 다른 예를 도시한 설명도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

101; 2차전지 102; 충/방전 제어회로

103; 스위칭 회로 116 ; 기준전압 회로 A

117; 과전류 검출 비교기 118; 과방전 검출 비교기

119; 과충전 검출 비교기 120; 전압 분할기 회로 A

121; 기준전압 회로 B 122; 히스테리시스 회로 A

123; 히스테리시스 회로 B 128; 과전류 복귀 검출 비교기

141; 과충전/방전 보호회로 142; 과전류 검출 회로

144; 출력 로직 제어회로 162; 복귀 전압 조정회로

본 발명은 스위칭 회로의 온/오프 동작에 의해 2차전지의 충/방전을 제어할 수 있는 충/방전 제어회로 및 이 회로를 사용한 충전형 전원회로에 관한 것이다.

2차전지로 형성된 종래의 충전형 전원장치로서 도 2의 회로블록도로 도시한 전원장치가 공지되어 있다. 이 구성은 예를 들면 일본 특허출원 공개 평4-75430의 "충전형 전원장치"에 개시되어 있다. 즉, 2차전지(101)는 스위칭 회로(103)를 통해 외부 단자 -V0(105) 혹은 +V0(104)에 접속되어 있다. 충/방전 제어회로(102)는 또한 2차전지(101)와 병렬로 접속되어 있다.

충/방전 제어회로(102)는 2차전지(101)의 전압을 검출하는 기능을 갖는다. 2차전지(101)가 과충전 상태(전지전압이 소정의 전압값보다 높은 상태, 이하 "과충전 보호상태"라 함)에 있거나 과방전 상태(전지전압이 소정의 전압값보다 낮은 상태, 이하 "과방전 보호 상태"라 함)에 있는 경우, 스위칭 회로(103)가 턴 오프 되도록 충/방전 제어회로(102)로부터 신호가 출력된다. 또한, 외부단자 +V0(104)가 어떤 전압에 도달하였을 때 방전동작이 정지한다면, 스위칭 회로(103)에서 흐르는 전류를 제한시키는 것이 가능하다. 즉, 방전동작은 과도한 전류가 스위칭 회로(103)에 흐를 때 정지될 수 있다(과전류 제어). 이하, 이 상태를 "과전류 보호 상태"라 한다.

2차전지로 형성된 종래의 충전형 전원장치의 또 다른 예로서, 도 3의 회로 블록도로 도시한 전원장치가 공지되어 있다. 이 회로는 도 2에 도시한 스위칭 회로(103)가 2차전지의 음극(110)에 직렬로 접속되게 설계되어 있다.

도 4는 특정한 충/방전 제어회로의 회로 블록도의 종래의 예를 도시한 것이다. 2차전지(101)는 스위칭 회로(103)를 통해 외부단자 -V0(105)에 접속되어 있다. 스위칭 회로(103)는 2개의 n채널 FET로 구성된다. 2차전지(101)의 전압은 충/방전 제어회로(102)에 의해 검출된다. 충/방전 제어회로(102)는 과충전 검출 비교기(119), 과방전 검출 비교기(118), 과전류 검출 비교기(117), 기준전압 회로 A(116), 기준전압 회로 B(114), 전압 분할기 회로 A(120), 전압 분할기 회로 B(121), 출력 로직 제어회로(124) 등으로 구성된다. 충/방전 제어회로(102)는 신호라인(107A, 107B)에 의해 스위칭 회로(103)에 접속되어 있어 스위칭 회로(103)의 온/오프 신호를 내보낸다. 2차전지(101)를 충전하기 위한 충전기(108) 및 2차전지(101)에 의해 구동 가능한 장치(2차전지에서 본 부하)는 외부단자 +V0(104)와 -V0(105) 사이에 접속된다. FET-A(112) 및 FET-B(113)은 외부단자 -V0(105) 혹은 +V0(104)에 직렬로 접속된다.

과충전 검출 비교기(119) 및 과방전 검출 비교기(118)는 2차전지(101)의 전압을 기준전압 회로 A(116)의 전압과 비교한다. 출력 로직 제어회로(124)는 신호를 각각의 비교기(119, 118)의 출력들에 따라 단자(125A, 125B)로 내보내기 때문에, 각각의 FET의 게이트 전압은 각각의 상태에 따라 가변되어 2차전지에 관하여 충전 및 방전동작을 턴 온/오프시킨다. 예를 들면, 과충전 상태에서, 과충전 검출 비교기(119)의 입력단자 전압은 기준전압 A(116)보다 높아지게 되고, 비교기(119)의 출력은 로우에서 하이로 반전된다. 출력신호가 출력 로직 제어회로(124)에 입력될 때, 스위칭 회로 내 FET-B(113)의 게이트 전압은 하이에서 로우로 바뀐다. 결국, 방전전류는 2차전지(101)에서 흐르지 않게 되어 충전동작이 정지된다.

과전류 검출 비교기(117)는 외부단자 -V0(105)를 기준전압 회로 B(114)의 전압과 비교하고, 각각의 상태에 따른 신호를 출력 로직 제어회로(124)로 출력한다. 이 과전류 보호상태에서, 출력 로직 제어회로(124)는 신호를 FET-A(112)로 내보내어 방전동작을 정지시킴과 아울러 신호를 FET-C(126s)로 내보내어, 저항기(127)에 의해 외부단자 -V0(105)을 풀 다운시킨다. 부하(109)가 과전류의 검출 후에 과전류 보호상태에서 벗어나게 될 때, 외부단자 -V0(105)을 기준전압 B(114)의 전압 혹은 그 이하로 안정화시켜 상태를 정상상태로 복귀시키기 위해 풀 다운이 필요하게 된다.

전술한 스위칭 회로 대신 하나의 FET를 사용하여 스위치를 실현시키는 것이 가능할지라도, 이를 달성하기 위해서 기판 전위만이 아니라 FET의 게이트 전위를 변경할 필요가 있다. 이러한 변경이 행해지지 않으면, FET의 소스 전위는 드레인 전위보다 높아지게 될 수 있기 때문에, 전술한 충/방전 제어는 불가능하게 된다. 현재, 2개의 FET에 의해 충/방전을 제어하는 것이 일반적이다.

그러나, 이와 같이 구성된 충/방전 제어회로에서, 부하가 과전류 보호상태에서 벗어나서 충/방전 제어회로가 정상상태로 복귀할 때, 도 4를 참조로 후술할 다음의 문제가 발생한다.

부하(109)가 과전류 보호상태에서 벗어났을 때 충/방전 제어회로가 자동으로 복귀되게 하기 위해서, 외부단자 -V0(105)는 기준전압 B(114)의 전압 Va 혹은 그 미만으로 될 필요가 있다. 이것을 달성하기 위해서, 부하가 과전류 보호상태에서 벗어났을 때 개방회로 임피던스는 저항기(127)(Rb)에 관하여 일정값(Ra) 이상이 되어야 한다. 2차전지(101)가 Vb이면, Ra는 다음 식으로 나타낼 수 있다.

Ra > Rb (Vb/Va -1) (1)

정상동작 동안 Vb는 일반적으로 약 3.5V로 설정되는 것이 알려져 있다. 충/방전 제어장치가 반도체 집적회로로 형성되는 경우에, 외부단자 -V0(105)의 전위는 충전기(108)가 충/방전 제어장치에 접속되었을 때 2차전지의 음극(111)의 전위보다 낮게 되고, 전류는 FET-C(126)의 드레인으로부터 저항기(127)(Rb)를 통해 흐르기 때문에, Rb는 FET-A(112) 및 FET-B(113)의 온 저항 및 이에 흐르는 전류들의 의거하여 설정되는 약 0.1V로 일반적으로 설정된다.

전술한 값들을 식(1)에 넣으면, Ra는 다음과 같이 된다.

Ra > 100 ㏀ (3.5V/0.1 - 1) = 3.4 ㏁

이를테면 실장된 기판의 특성에 따라 실제 개방회로 임피던스가 1㏁ 이하로 될 가능성이 있고, 충/방전 제어회로는 부하가 과전류 보호 상태에서 벗어났을 때만 정상상태로 복귀하지 않을 수 있다.

그러므로, 본 발명의 목적은 전술한 문제를 해결하는 것이다.

상기 문제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따라, 충전형 전원장치가 과전류 상태에서 정상상태로 복귀하였을 때 과전류를 검출하기 위한 검출전압과는 다른 또 다른 복귀 검출전압을 갖는 충/방전 제어회로가 제공된다.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 기술한다.

도 1은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 회로 블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 1에 도시한 회로에서, 과전류 복귀 검출 비교기(128) 및 기준전압 C(129)가 도 4에 도시한 회로에 추가되어 있다. 기준전압 C(129)는 기준전압 B(114)보다 큰 전압(Vc)으로 설정된다. 과전류 검출 비교기(117)가 과전류를 검출할 때, 과전류 복귀 검출 비교기(128)는 복귀 검출상태에 있으며, FET-A(112)는 과전류 복귀 검출 비교기(128)가 오기능하지 않도록 반전될 때까지 출력 로직 제어회로에 의해서만으로는 턴 온 되지 않는다. 마찬가지로, FET-A(112)는 과전류 검출 비교기(117)가 과전류 복귀시에 반전될 때까지 턴 오프 되지 않는다. 이 경우, 개방회로 임피던스 Ra는 식(1)에서 Vc가 1V이면 다음과 같이 된다.

Ra > 100 ㏀ (3.5V/1V - 1) = 0.25 ㏁

이 상황에서, 과전류 검출단자(115)에서의 전압, 즉 과전류 검출로부터의 복귀 전압은 1V이다.

전술한 바와 같이, 과전류 검출로부터의 복귀 전압이 1V인 반면 과전류 검출전압이 0.2V이기 때문에, 부하 개방회로 임피던스가 1 ㏁ 이하일지라도, 충/방전 제어장치는 과전류 상태에서 정상상태로 확실하게 복귀하는 것이 명백하다.

도 5는 본 발명에 따라 충전형 전원장치의 또 다른 회로블록도를 도시한 설명도이다.

도 1에 도시한 회로와의 차이는 스위칭 회로(103)가 p-채널 FET인 FET-D(132) 및 FET-E(133)로 구성된 점에 있으며, 충/방전 제어회로(102)의 구성은 p-채널 FET로 형성된 스위칭 회로(103)를 제어하기 위해서 때에 따른 요구에 따라 변경된다. 과충전 검출 비교기(119), 과방전 검출 비교기(118), 기준전압 회로 A(116), 전압 분할기 회로 A(120), 기준전압 회로 B(121), 히스테리시스 회로 A(122) 및 히스테리시스 회로 B(123)는 과충전/방전 보호회로(141)에 함께 형성된다.

과전류 검출 회로(142)는 2차전지(101)의 정(positive) 전압측으로 기준이 변경된 것을 제외하고 도 1에 도시한 회로와 그 동작이 동일하다. 과전류 검출 비교기(117)는 외부단자 +V0(104)을 기준전압 B(114)의 전압과 비교하고, 각각의 상 태에 따라 신호를 출력 로직 제어회로(144)로 출력한다. 과전류 보호 상태에서, 출력 로직 제어회로(144)는 방전 동작을 정지시키기 위해서 FET-D(132)로 신호를 내보내면서 신호를 FET-F(156)로 내보내어, 외부단자 +V0(104)을 저항기(127)에 의해 풀 업시킨다. 부하(109)가 과전류의 검출 후에 과전류 보호상태에서 벗어났을 때, 외부단자 +V0(104)을 기준전압 B(114)의 전압 혹은 이 이하로 안정화시켜 상태를 정상상태로 복귀되게 하기 위해서 풀 다운이 필요하게 된다.

기준전압 C(129)는 기준전압 B(114)보다 높은 전압 Vc로 설정된다. 과전류 검출 비교기(117)가 과전류를 검출하였을 때, 과전류 복귀 검출 비교기(128)는 복귀 검출 상태에 있으며, FET-D(132)는 오동작하지 않도록 과전류 복귀 검출 비교기(128)가 반전될 때까지 출력 로직 제어회로(144)에 의해 턴 온 되지 않는다. 마찬가지로, FET-D(132)는 과전류 복귀시 과전류 검출 비교기(17)가 반전될 때까지 턴 오프되지 않는다. 이 경우, 개방회로 임피던스 Ra는 식(1)과 동일하게 표현되고, Ra는 Rb, Vb 및 Vc에 대한 전술한 값을 사용함으로써, 도 1에의 경우처럼 표현된다.

Ra > 100 ㏀ (3.5V/1V - 1) = 0.25 ㏁

이 상황에서, 과전류 검출 단자(115)에서의 전압, 즉 과전류 검출로부터의 복귀전압은 3.5 내지 1V이다.

전술한 바와 같이, 과전류 검출 전압이 3.5V 내지 0.1V이고 과전류 검출로부터의 복귀 전압이 3.5V 내지 1V이기 때문에, 부하 개방회로 임피던스가 1 ㏁ 이하일지라도, 충/방전 제어장치는 과전류 상태에서 정상상태로 확실하게 복귀하는 것 이 명백하다.

전술한 바와 같이, 스위칭 회로(103)가 p-채널 FET로 구성된 경우에도, 완전히 동일한 동작이 수행되는 것이 명백하다.

도 6은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 또 다른 회로블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 6의 회로는 저항기(161)를 도 4의 회로에 추가하고 있다. 저항기(161)은 저항기(127)만이 아니라 과전류 검출 비교기(117)의 입력과 과전류 검출단자(115) 사이에 접속된다. 과전류를 검출하는 경우에, FET-C(126)는 오프이기 때문에, 과전류는 과전류 검출단자(115)가 도 4에서처럼 기준전압 B(114)의 전위로 될 때 검출된다. 한편, 과전류 검출로부터 복귀되는 경우, FET-C(126)이 온이기 때문에, 충/방전 제어장치는 과전류 검출단자(115)의 전위가 기준전압 B(114)보다 높을 때 복귀한다.

부하가 없을 때 개방회로 임피던스가 Ra, 저항기(127)의 저항이 Rb, 저항기(161)의 저항기 Rc이라고 하면, 기준전압 B(114)의 전압이 Va이고 2차전지(101)의 전압이 Vb이면, Ra는 다음 식으로 나타낼 수 있다.

Ra > Rb(Vb/Va -1) - Rc (2)

이 상황에서, 과전류 검출 단자(115)의 전압, 즉, 과전류 검출로부터의 복귀 전압(Vd)은 다음과 같이 표현된다.

Vd < (Rb + Rc)/Rb * Va (22)

이 식에서, 예를 들면, Rb = 10 ㏀, Rc = 90 ㏀, Va= 0.1V 및 Vb=3.5V라 하 면,

Ra > 100 ㏀ (3.5V/0.1V - 1) - 90 ㏀ = 0.25 ㏁

Vd < (10 ㏀ + 90 ㏀)/10 ㏀ * 0.1V = 1V

전술한 바와 같이, 과전류 검출전압이 0.1V이고 과전류 검출로부터 복귀 전압이 1V이기 때문에, 부하 개방회로 임피던스가 1㏁ 이하라 할지라도, 충/방전 제어장치는 과전류 상태에서 정상상태로 확실하게 복귀한다.

또한, Rb + Rc = 100 ㏀이기 때문에, 과전류 검출단자의 입력 임피던스는 도 4의 경우와 동일하다. 덧붙여, Rb 및 Rc는 자유롭게 설정될 수 있기 때문에, 과전류 검출로부터 복귀하는데 필요한 개방회로 임피던스는 의도된 사용에 따라 자유롭게 설정될 수 있다.

도 7은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 또 다른 회로블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 7에서, p-채널 FET로 구성된 스위칭 회로(103)를 사용한 충전형 전원장치는 도 6의 것과 구성이 동일하게 되도록 변경된다. 도 6과 동일한 동작이 수행됨이 명백하다.

도 8은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 또 다른 회로 블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 8의 회로는 도 1 및 도 6의 기능을 모두 갖고 있다.

부하가 없을 때 개방회로 임피던스가 Ra이고, 저항기(127)의 저항이 Rb, 저항기(161)의 저항이 Rc, 2차전지의 전압이 Vb, 기준전압 C(129)의 전압이 Vc라고 하면, Ra는 다음 식으로 나타낼 수 있다.

Ra > Rb(Vb/Vc - 1) - Rc (3)

이 상황에서, 과전류 검출단자(115)의 전압, 즉, 과전류 검출로부터의 복귀 전압 Vb는 다음과 같이 된다.

Vd < (Rb + Rc )/Rb * Vc (22)

이 식에서, 예를 들면, Rb = 136 ㏀, Rc = 90 ㏀, Vb = 3.5V, Vc = 1V라고 하면,

Ra > 136 ㏀(3.5V/1V - 1) - 90 ㏀ = 0.25 ㏁

Vd < (136 ㏀ + 90 ㏀)/136 ㏀ * 1V = 1.66 V

전술한 바와 같이, 과전류 검출전압이 0.1V이고 과전류 검출로부터의 복귀 전압이 1.66V이기 때문에, 부하 개방회로 임피던스가 1 ㏁ 이하라 할지라도, 충/방전 제어장치는 과전류상태에서 정상상태로 확실하게 되돌아가는 것이 명백하다.

또한, Rb + Rc = 226 ㏀이기 때문에, 다른 예들의 것과 동일한 복귀 임피던스에서도, 과전류 검출단자(115)의 입력 임피던스는 높게 설정될 수 있다. 이것은 충/방전 제어회로(102)가 반도체 집적회로로 형성된 경우에 충/방전 제어장치에 충전기(108)가 접속될 때 외부단자 -V0(105)를 2차전지의 음극보다 낮게 함으로써 FET-C(126)의 기생 다이오드를 흐르는 전류 제한에 효과적이다.

도 9는 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 또 다른 회로 블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 9에서, p-채널 FET로 구성된 스위칭 회로(103)를 사용한 충전형 전원장치 는 도 8과 구성과 동일하게 되도록 변경된다. 명백히, 도 8과 동일한 동작이 수행된다.

도 10은 본 발명에 따른 충전형 전원장치의 또 다른 회로 블록의 예를 도시한 설명도이다.

도 10의 회로는 복귀 전압 조정회로(162)를 도 6의 회로에 추가하고 있다. 복귀 전압 조정회로(162)는, 예를 들면, 휴즈로 형성되고, 저항기(127) 대 저항기(161)의 비는 임의의 휴즈를 끊음으로써 임의로 조정될 수 있으며, 과전류 검출로부터의 복귀전압은 다양한 개방회로 임피던스로부터의 요청에 신속하게 응답하도록 조정된다. 말할 나위없이 복귀 전압 조정회로(162)는 도 6의 실시예 이외의 실시예들에서 채용될 수 있다.

또한, 복귀 전압 조정회로(162)는 회로가 복귀전압을 조정할 수 있다면 임의의 회로로 구성될 수 있으며, 본 발명은 실시예들로 한정되지 않는다.

또한, 전술한 부하(109) 및 충전기(108)의 착탈을 포함하여 여러 가지 원인에 기인하여 발생하는 과도적인 전압변동에 관하여 안정화된 제어가 될 수 있게 하기 위해서, 이 실시예의 충/방전 제어회로(102)의 필요한 부분에 지연회로가 부가되는 것이 효과적이다.

예를 들면, 적합한 지연회로가 부가된다면 신호가 FET-A, FET-B(113) 및 FEC-C(113) 및 FEC-C(126)로 출력될 때까지 검출신호 및 복귀신호가 출력 로직 제어회로(124)에 입력되기 때문에 매우 안정화된 제어가 가능해진다.

이 실시예의 회로는 전술한 바와 같이 2차전지가 사용되는 모든 환경에 악영 향을 미침이 없이 종래의 회로의 문제를 해결한다.

전술한 실시예는 하나의 2차전지의 충/방전 동작을 제어한다. 그러나, 복수의 2차전지가 직렬로 접속될지라도, 각각의 전지의 전압이 충/방전 제어회로(102)에 의해 검출될 수 있도록 구성이 변경된다면, 충/방전 제어장치는 간단하게 구성될 수 있고, 본 발명은 이러한 구성에서 효과적이다.

이 실시예에서, 충/방전 제어회로는 C-MOS(상보형 금속 산화막 반도체) 회로로 구성되나, 바이폴라 트랜지스터로 구성될 수 있고 실현은 쉽다.

또한, 본 발명이, 과전류 검출상태에서 정상상태로 충/방전 제어장치가 복귀할 때 과전류를 검출하기 위한 검출전압과는 다른 또 다른 복귀 검출전압을 갖도록 구성된다면, 임의의 다른 회로구성도 적용될 수 있으며, 본 발명은 전술한 실시예로 한정되지 않는다.

전술한 바와 같이, 본 발명에 따라, 부하가 1 ㏁ 이하의 저항에 의해 개방될지라도, 충/방전 제어장치는 과전류 상태에서 정상상태로 확실하게 복귀하며, 그럼으로써 제품의 신뢰성이 향상된다.

본 발명의 바람직한 실시예에 대한 전술한 바는 예시 및 설명의 목적으로 제시되었다. 구체적인 것으로 되게 하거나 개시된 상세한 형태로 본 발명을 한정하려고 한 것은 아니며, 전술한 교시로부터 수정 및 변형이 가능하고 또는 수정 및 변형은 본 발명의 실현으로부터 얻어질 수 있다. 실시예는 이 기술에 숙련된 자가 여러 가지 실시예와 의도된 특정한 사용에 적합한 여러 가지 수정에 의해 발명을 이용할 수 있게 하기 위해서 본 발명의 원리 및 이의 실제응용을 설명하기 위해 선택되고 기술되었다. 본 발명의 범위는 여기 첨부된 청구범위 및 이들의 등가물로 정해진다.

Claims

충전 및 방전을 할 수 있게 하는 2차전지의 전류를 조정하는 전류 제한 수단을 제어할 수 있고 상기 2차전지의 전압 및 전류 중 어느 하나 혹은 양자를 감시할 수 있는 충/방전 제어회로에 있어서,

상기 2차전지에 의해 방전가능한 상위 전류를 전압정보로서 감시하는 전류 감시 수단을 포함하며,

방전전류 증가로 상기 전류 감시 수단에 의해 검출된 전압은, 검출상태에 있었던 상기 전류 감시 수단이 방전전류 감소로 복귀하게 되는 전압과는 상이한 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
충전 및 방전을 할 수 있게 하는 2차전지의 전류를 조정하는 전류 제한 수단을 제어할 수 있고 상기 2차전지의 전압 및 전류 중 어느 하나 혹은 양자를 감시할 수 있는 충/방전 제어회로에 있어서,

상기 2차전지에 의해 방전가능한 상위 전류를 전압정보로서 감시하는 전류 감시 수단을 포함하며,

방전전류 증가로 상기 전류 감시 수단에 의해 검출된 전압의 절대값은, 검출상태에 있었던 상기 전류 감시 수단이 방전전류의 감소로 복귀하게 되는 전압의 절대값보다 큰 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
제1항에 있어서, 상기 전류 감시 수단은

방전전류 증가를 검출하는 검출회로; 및

방전전류 감소를 검출하는 복귀 검출회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
제1항에 있어서, 상기 전류 감시 수단은

상기 전압정보를 임의의 비로 분할하는 전압 분할기 회로; 및

상기 전압 분할회로에 의해 분할된 전압을 검출하는 검출회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
제1항에 있어서, 상기 전류 감시수단은,

상기 전압정보를 임의의 비로 분할하는 전압 분할기 회로;

상기 전압 분할회로에 의해 분할된 전압에 의해 방전전류 증가를 검출하는 검출회로; 및

상기 전압 분할기 회로에 의해 분할된 전압에 의해 방전전류 감소를 검출하는 복귀 검출 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
제4항에 있어서, 상기 전압정보를 임의의 비로 분할하는 전압 분할기 회로는 상기 임의의 비를 조정할 수 있는 것을 특징으로 하는 충/방전 제어회로.
충전 및 방전할 수 있게 하는 2차전지, 상기 2차전지의 전류를 조정하기 위한 전류 제한수단 및 상기 전류 제한 수단을 감시할 수 있고 외부단자들인 플러스 단자와 마이너스 단자 사이에 상기 2차전지의 전압 및 전류 중 어느 하나 혹은 양자를 감시할 수 있는 충/2방전 제어 회로를 구비하며, 상기 충/방전 제어회로는 제1항에 청구된 충/방전 제어회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 충전형 전원장치.