KR100633091B1 - 박막 트랜지스터 기판의 검사장치 - Google Patents

박막 트랜지스터 기판의 검사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다수의 픽셀이 형성된 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 검사장치는 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하게 이격 배치되며, 상기 픽셀에 대응하는 기준 패턴이 형성된 기준 기판과; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 기준 기판 사이의 이격 공간에 전계가 형성되도록 상기 픽셀 및 상기 기준 패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 유닛과; 상기 전자빔 방출 유닛으로부터 방출되어 상기 이격 공간을 통과한 전자빔을 검출하기 위한 전자빔 검출 유닛과; 상기 전자빔 검출 유닛에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 상기 박막 트랜지스터 기판의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사함에 있어서 저 진공 상태에서도 정확한 검사가 가능하고, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈의 변화에 적응적으로 대처할 수 있고, 검사 시간을 단축할 수 있다.

Description

박막 트랜지스터 기판의 검사장치{INSPECTION APPARATUS OF THIN FILM TRANSISTOR BOARD}
도 1은 본 발명에 따른 검사장치의 구성을 도시한 도면이고,
도 2 및 도 3은 도 1의 검사장치의 전자빔 방출 유닛 및 전자빔 검출 유닛을 설명하기 위한 도면이고;
도 4는 본 발명에 따른 검사장치의 구체적인 구성을 도시한 도면이고;
도 5는 본 발명에 따른 검사장치에서 전자빔의 편향 특성을 이용하여 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 판단하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 박막 트랜지스터 기판 20 : 기준 기판
30 : 전자빔 방출 유닛 40 : 전원공급부
50 : 전자빔 검출 유닛 60 : 제어부
본 발명은 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 전자빔의 편향 특성을 이용하여 박막 트랜지스터 기판 상의 픽셀의 결함 여 부를 검사할 수 있는 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 트랜지스터 기판(Thin film transistor board)의 검사장치로 오실로스코프(Oscilloscope)의 프로브(Probe)를 박막 트랜지스터 기판에 접촉시키고, 프로브로부터 얻은 신호 파형을 분석하여 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사하는 장치가 이용되고 있다. 이러한, 프로브의 접촉을 이용한 검사장치는 프로브를 기계적으로 이동시켜야 하기 때문에, 검사 시간이 길어지는 단점이 있다. 또한, 프로브가 박막 트랜지스터 기판에 직접 접촉하는 방식을 채용하기 때문에, 박막 트랜지스터 기판의 손을 야기할 우려가 있다.
이러한, 프로브 접촉에 의한 박막 트랜지스터 기판의 검사장치의 대안으로, 프로브를 사용하지 않는 비접촉 방식의 검사장치가 제안되었다. 비접촉 검사장치는 전압 대조 현상을 이용한 것으로 전자빔을 박막 트랜지스터 기판에 방출하고, 박막 트랜지스터 기판으로부터 반사되는 2차 전자를 검출하여 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 측정하는 방법이다.
2차 전자의 검출에 의한 검사장치의 일 예가 일본특허공개공보 제2000-3142호, 일본특허공개공보 평11-265678호에 개시되어 있다.
그런데, 이러한 2차 전자의 검출에 의한 검사장치는 박막 트랜지스터 기판이 수용되는 진공 챔버 내부를 고 진공 상태로 유지한 상태에서 측정하여야 하는 단점이 있다. 즉, 다수 개의 박막 트랜지스터 기판을 검사하는 경우, 각 박막 트랜지스터 기판을 진공 챔버에 수용시킬 때마다 진공 챔버를 고 진공 상태로 만들어야 하는 바, 이에 많은 시간이 소요된다.
또한, 진공 챔버를 고 진공 상태로 만드는데 필요한 장비에 의해, 전체 설비의 크기가 커지는 단점이 있다.
그리고, 전자총으로부터 방출되는 전자빔과 박막 트랜지스터 기판의 판면이 직교하기 때문에, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈가 바뀌는 경우 전자총의 스캔 영역을 고려하여 전자총과 박막 트랜지스터 기판의 위치를 변경해야 하는 불편함이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사함에 있어서 저 진공 상태에서도 정확한 검사가 가능하고, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈의 변화에 적응적으로 대처할 수 있고, 검사 시간을 단축할 수 있는 박막 트랜지스터 기판의 검사장치를 제공하는데 있다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 다수의 픽셀이 형성된 박막 트랜지스터 기판의 검사장치에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 기판과 대향하게 이격 배치되며, 상기 픽셀에 대응하는 기준 패턴이 형성된 기준 기판과; 상기 박막 트랜지스터 기판과 상기 기준 기판 사이의 이격 공간에 전계가 형성되도록 상기 픽셀 및 상기 기준 패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 유닛과; 상기 전자빔 방출 유닛으로부터 방출되어 상기 이격 공간을 통과한 전자빔을 검출하기 위한 전자빔 검출 유닛과; 상기 전자빔 검출 유닛에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 상기 박막 트랜지 스터 기판의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사장치에 의해 달성될 수 있다.
여기서, 상기 전자빔 방출 유닛은 상기 이격 공간의 일측에 상기 박막 트랜지스터 기판의 판면을 따라 배열되어 각각 전자빔을 방출하는 복수의 마이크로 전자총과, 상기 각 마이크로 전자총으로부터 방출되는 전자빔을 포커싱하는 포커스 유닛을 포함하고; 상기 제어부는 상기 각 마이크로 전자총으로부터 방출된 전자빔이 상기 박막 트랜지스터 기판의 상기 픽셀 열 중 한 열과 대응하는 기준 패턴 열 사이를 따라 통과하도록 상기 포커스 유닛을 제어할 수 있다.
그리고, 상기 제어부는 상기 전원공급부가 상기 기준 기판의 상기 기준 패턴 중 적어도 어느 하나에 선택적으로 전원을 공급하도록 제어할 수 있다.
또한, 상기 제어부는 상기 박막 트랜지스터 기판에 결함이 존재하는 않는 경우에 대응하는 기준 검출 위치에 대한 정보를 가지며, 상기 전자빔 검출 유닛에 의해 검출된 전자빔의 상기 검출 위치와 상기 기준 검출 위치 간의 편차에 기초하여 상기 박막 트랜지스터 기판의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단할 수 있다.
그리고, 상기 기준 기판과 대향하게 이격 배치되어 상기 박막 트랜지스터 기판이 설치되는 스테이지와; 상기 기준 기판, 상기 전자빔 검출 유닛 및 상기 기판 스테이지를 수용하는 진공 챔버와; 상기 제어부의 제어에 따라, 상기 진공 챔버를 진공시키는 챔버 진공부를 더 포함할 수 있다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판(10)의 검사장치의 구성을 도시 한 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 검사장치는 기준 기판(20), 전원공급부(40), 전자빔 방출 유닛(30), 전자빔 검출 유닛(50) 및 제어부(60)를 포함한다.
기준 기판(20)은 박막 트랜지스터 기판(10)과 대양하게 이격 배치된다. 여기서, 기준 기판(20)은 측정 대상인 박막 트랜지스터 기판(10) 상에 형성된 픽셀(11)에 대응하는 기준 패턴(21)이 형성되어 있다.
전원공급부(40)는 제어부(60)의 제어에 따라, 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)과 기준 기판(20)의 기준 패턴(21)에 전원을 공급한다. 여기서, 전원공급부(40)로부터 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)과 기준 기판(20)의 기준 패턴(21)에 전원이 공급되는 경우, 박막 트랜지스터 기판(10)과 기준 기판(20) 사이의 이격 공간에는 전계가 형성된다.
또한, 전원공급부(40)는 제어부(60)의 제어에 따라, 기준 기판(20)의 기준 패턴(21) 중 임의로 선택된 적어도 하나 이상의 기준 패턴(21)에만 전원을 공급할 수 있도록 마련된다.
전자빔 방출 유닛(30)은 박막 트랜지스터 기판(10)과 기준 기판(20) 간의 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출한다.
도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 본 발명의 일 예에 따른 전자빔 방출 유닛(30)은 복수의 마이크로 전자총(31a,31b)과, 각 마이크로 전자총(31a,31b)에 대응하는 포커스 유닛(32a,32b)을 포함할 수 있다.
마이크로 전자총(31a,31b)은 이격 공간의 일측에 박막 트랜지스터 기판(10) 의 판면을 따라 배열된다. 각 마이크로 전자총(31a,31b)으로부터 방출된 전자빔은 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 방출되어 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된다. 도 2에서는 전자빔 방출 유닛(30)이 4개의 마이크로 전자총(31a,31b)으로 구성되는 것을 일 예로 도시하고 있으나, 그 개수는 이에 국한되지 않음은 물론이다.
각 마이크로 전자총(31a,31b)은 포커스 유닛(32a,32b)에 의해 포커싱되어 각각 소정의 스캔 영역(S1,S2)을 갖는다. 도 3을 참조하여 설명하면, 각 마이크로 전자총(31a,31b)으로부터 방출된 전자빔은 포커스 유닛(32a,32b)에 의해 일정 각도 편향되어 박막 트랜지스터 기판(10)의 어느 한 픽셀 열과 해당 픽셀 열에 대응하는 기준 패턴 열 사이를 통과하게 된다. 여기서, 각 마이크로 전자총(31a,31b)으로부터 방출되는 전자빔이 포커스 유닛(32a,32b)에 의해 편향되는 각도에 따라 각 마이크로 전자총(31a,31b)의 스캔 영역(S1,S2)이 결정되고, 각 스캔 영역(S1,S2)에서의 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)의 결함 여부가 검사된다.
전자빔 검출 유닛(50)은 박막 트랜지스터 기판(10)과 기준 기판(20) 사이의 이격 공간을 사이에 두고 전자빔 방출 유닛(30)과 대향하게 배치된다. 여기서, 본 발명에서는 전자빔 검출 유닛(50)이 박막 트랜지스터 기판(10)의 판면을 따라 마련된 판 형상을 갖는 것을 일 예로 한다.
그리고, 전자빔 검출 유닛(50)의 판면에는 전술한 각 마이크로 전자총(31a,31b)으로부터 방출된 전자빔을 검출하기 위한 복수의 검출부(51a,51b,51c 및 51d)가 형성된다.
제어부(60)는 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)의 양부, 즉, 결함 여부를 판단한다.
여기서, 제어부(60)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 빔 제어 유닛(62)과, 전원 공급 제어 유닛(63)과, 메인 제어 유닛(61)을 포함할 수 있다.
빔 제어 유닛(62)은 메인 제어 유닛(61)과 연동하여 전자총 검출 유닛의 각 마이크로 전자총(31a,31b)의 전자빔 방출 여부와, 각 포커스 유닛(32a,32b)으로부터 편향되는 전자빔의 각도를 제어한다.
전원 공급 제어 유닛(63)은 메인 제어 유닛(61)과 연동하여 전원공급부(40)를 제어한다. 이에 따라, 박막 트랜지스터 기판(10) 및 기준 기판(20)에 공급되는 전원의 세기 및/또는 공급 여부 등이 제어될 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 전원 공급 제어 유닛(63)은 기준 기판(20)의 기준 패턴(21) 중 적어도 어느 하나에 전원이 공급되도록 전원공급부(40)를 제어할 수 있다.
메인 제어 유닛(61)은 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)의 결함 여부를 판단한다.
이하에서는, 메인 제어 유닛(61), 빔 제어 유닛(62) 및 전원 공급 제어 유닛(63) 상호 간의 연동을 통해 메인 제어 유닛(61)에 의해 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀(11)의 결함 여부를 판단하는 과정을 설명한다.
먼저, 메인 제어 유닛(61)은 검사하고자 하는 박막 트랜지스터 기판(10)의 픽셀 열을 선택한다. 여기서, 메인 제어 유닛(61)은 각 마이크로 전자총(31a,31b)의 스캔 영역(S1,S2)에 속하는 하나씩의 픽셀 열을 동시에 선택하여 마이크로 전자 총(31a,31b)의 개수에 해당하는 픽셀 열을 동시에 검사할 수 있다. 또한, 메인 제어 유닛(61)은 픽셀 열 중 하나 또는 2 이상을 선택적으로 검사할 수 있음은 물론이다.
그런 다음, 메인 제어 유닛(61)에 의해 선택된 픽셀 열에 대한 정보는 전원 공급 제어 유닛(63) 및 빔 제어 유닛(62)으로 제공된다.
빔 제어 유닛(62)은 메인 제어 유닛(61)에 의해 선택된 픽셀 열과 해당 픽셀 열에 대응하는 기준 패턴 열 사이로 전자빔이 통과할 수 있도록, 마이크로 전자총(31a,31b) 및 포커스 유닛(32a,32b)을 제어한다.
또한, 전원 공급 제어 유닛(63)은 메인 제어 유닛(61)에 의해 선택된 픽셀 열에 대응하는 기준 패턴 열에만 전원이 공급되도록 전원공급부(40)를 제어할 수 있다. 여기서, 전원 공급 제어 유닛(63)은 박막 트랜지스터 기판(10)의 결함 여부를 검사하기 위해 박막 트랜지스터 기판(10)의 모든 픽셀(11)에 전원이 공급되는 상태로 유지시킬 수 있다. 이에 따라, 전원 공급 제어 유닛(63)과 박막 트랜지스터 기판(10) 사이의 이격 공간에는 전계가 형성된다. 특히, 메인 제어 유닛(61)에 의해 선택되지 않은 픽셀 열에 대응하는 기준 패턴 열에 전원이 공급되지 않는 경우, 선택되지 않은 픽셀 열과 대응하는 기준 패턴 열 사이에는 전계가 형성되지 않게 된다.
한편, 마이크로 전자총(31a,31b)으로부터 방출된 전자빔은 박막 트랜지스터 기판(10)과 기준 기판(20) 사이의 이격 공간을 통과하면서, 이격 공간 상에 형성된 전계에 의해 편향된다. 그리고, 박막 트랜지스터 기판(10)과 기준 기판(20) 사이 의 이격 공간을 통과하면서 편향된 전자빔은 전자빔 검출 유닛(50)의 소정 위치에서 검출된다.
여기서, 메인 제어 유닛(61)은 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 해당 픽셀 열에 결함이 있는 픽셀(11)이 존재하는지 여부를 판단한다.
이하에서는, 도 5를 참조하여, 메인 제어 유닛(61)이 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여 해당 픽셀 열에 결함이 있는 픽셀(11)이 존재하는지 여부를 판단하는 방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 메인 제어 유닛(61)에는 선택된 픽셀 열의 모든 픽셀(11)에 결함이 존재하지 않을 경우에 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출되는 전자빔의 검출 위치, 즉, 기준 검출 위치에 대한 정보가 미리 저장된다. 여기서, 기준 검출 위치는 실험을 통해 얻거나, 전계와 전자빔의 편향 등에 기초하여 계산될 수 있다.
그리고, 메인 제어 유닛(61)은 선택된 픽셀 열을 통과하여 전자빔이 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치와 기준 검출 위치를 비교하여, 검출 위치가 기준 검출 위치(또는, 일정 검출 범위 내, 이하 동일)와 일치하는 경우 선택된 픽셀 열의 모든 픽셀(11)에 결함이 존재하지 않는 것으로 판단한다.
반면, 메인 제어 유닛(61)은 검출 위치가 기준 검출위치를 벗어나는 경우, 선택된 픽셀 열의 픽셀(11) 중 적어도 어느 하나에 결함이 존재하는 것으로 판단한다.
상기와 같은 방법을 통해, 메인 제어 유닛(61)은 박막 트랜지스터 기판(10)의 모든 픽셀 열 중 결함이 있는 픽셀(11)을 갖는 픽셀 열을 검출할 수 있게 된다.
한편, 메인 제어 유닛(61)은 결함이 있는 픽셀(11)을 갖는 픽셀 열에서 결함이 있는 픽셀(11)을 검출하는 과정은 다음과 같다. 여기서, 결함이 있는 픽셀 열을 결함 픽셀 열이라 임의로 정의하여 설명한다.
메인 제어 유닛(61)은 결함 픽셀 열을 통과한 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 결함 픽셀 열에 대응하는 기준 기판(20)의 기준 패턴 열 중 전원을 공급할 기준 패턴(21)을 선택한다. 예컨대, 메인 제어 유닛(61)은 결함 픽셀 열에 대해 검출된 검출 위치가 기준 검출 위치에서 벗어난 정도에 따라 결함 픽셀 열 중 결함이 있는 픽셀(11)의 대략적인 위치를 판단할 수 있다. 여기서, 결함이 있는 픽셀(11)의 결함 픽셀 열 상의 위치는 실험을 통해 얻거나, 전계와 전자빔의 편향 등에 기초하여 계산될 수 있다. 예를 들어, 검출 위치가 기준 검출 위치에서 벗어난 정도에 따라 기준 픽셀 열 중 전자빔 방출 유닛(30) 방향과 전자빔 검출 유닛(50) 방향 측의 두 그룹의 픽셀 군으로 구분할 수 있다.
여기서, 메인 제어 유닛(61)은 검출 위치가 기준 검출 위치를 벗어나는 정도에 기초하여 전자빔 방출 유닛(30) 방향 측의 픽셀 군 내에 결함이 있는 픽셀(11)이 위치하는 것으로 판단한 경우, 전원 공급 제어 유닛(63) 및 빔 제어 유닛(62)에 이를 통지한다.
이 때, 전원 공급 제어 유닛(63)은 메인 제어 유닛(61)에 의해 판단된 픽셀 군에 속하는 픽셀(11)에 대응하는 기준 패턴(21)에만 전원을 공급한다. 그리고, 빔 제어 유닛(62)은 메인 제어 유닛(61)에 의해 판단된 픽셀 군에 전자빔이 통과하 도록 전자빔 방출 유닛(30)을 제어한다.
여기서, 메인 제어 유닛(61)에는 판단된 픽셀 군의 모든 픽셀(11)에 결함이 존재하지 않을 경우에 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출되는 전자빔의 검출 위치, 즉, 판단된 픽셀 군에 대한 기준 검출 위치에 대한 정보가 미리 저장된다. 여기서, 판단된 픽셀 군에 대한 기준 검출 위치는 전술한 기준 검출 위치와 마찬가지로 실험을 통해 얻거나, 전계와 전자빔의 편향 등에 기초하여 계산될 수 있다.
그리고, 메인 제어 유닛(61)은 판단된 픽셀 군을 통과하여 전자빔이 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치와 판단된 픽셀 군에 대응하는 기준 검출 위치를 비교하여, 검출 위치가 판단된 픽셀 군에 대응하는 기준 검출 위치(또는, 일정 검출 범위 내, 이하 동일)와 일치하는지 여부에 따라 판단된 픽셀 군 중 어느 픽셀(11)에 결함이 존재하는지 판단한다.
여기서, 메인 제어 유닛(61)은 검출 위치가 판단된 픽셀 군에 대응하는 기준 검출 위치에서 벗어나는 정도에 따라 판단된 픽셀 군 중 결함이 있는 픽셀(11)의 대략적인 위치를 판단하고, 상기와 같은 과정을 통해 최종적으로 결함이 존재하는 픽셀(11)을 검출할 수 있다.
다시, 도 4를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 검사장치는 기준 기판(20)과 대향하게 이격 배치되어 박막 트랜지스터 기판(10)이 설치되는 스테이지(71)와, 기준 기판(20), 전자빔 검출 유닛(50) 및 기판 스테이지(71)를 수용하는 진공 챔버(70)와, 제어부(60)의 제어에 따라 진공 챔버(70)를 진공시키는 챔버 진공부(72)를 포함할 수 있다.
여기서, 제어부(60)는 박막 트랜지스터 기판(10)의 검사시 챔버 진공부(72)에 의한 진공 챔버(70)의 진공 상태를 전술한 종래의 검사장치에서도 보다 저 진공 상태로 유지시킨다. 즉, 종래의 검사장치에서, 2차 전자의 정확한 검출을 위해 요구되는 진공 챔버(70)의 진공 상태보다 낮은 진공 상태 만으로도, 전자빔의 편향에 의한 박막 트랜지스터 기판(10)의 양부를 정확하게 판단할 수 있다. 또한, 진공 챔버(70)를 저 진공 상태로 유지할 수 있게 되어, 진공 챔버(70)의 진공에 소요되는 시간을 줄이고, 챔버 진공부(72)의 구성을 간략하게 할 수 있다.
전술한 실시예에서는 결함 픽셀 열에서 실질적으로 결함이 있는 픽셀(11)을 판단하는 과정에서 결함 픽셀 열을 두개의 픽셀 군으로 구분하는 방법을 일 예로 하여 설명하였다. 이 외에도, 다수번의 실험이나, 전계 및 전자빔의 편향을 고려한 계산을 통해 최소한의 측정을 통해 결함이 있는 픽셀(11)을 찾아가는 알고리즘이 적용 가능함은 물론이다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그리고 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 박막 트랜지스터 기판의 결함 여부를 검사함에 있어서 저 진공 상태에서도 정확한 검사가 가능하고, 박막 트랜지스터 기판의 사이즈의 변화에 적응적으로 대처할 수 있고, 검사 시간을 단축할 수 있 는 박막 트랜지스터 기판의 검사장치가 제공된다.

Claims (5)

  1. 다수의 픽셀이 형성된 박막 트랜지스터 기판(10)의 검사장치에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터 기판(10)과 대향하게 이격 배치되며, 상기 픽셀에 대응하는 기준 패턴이 형성된 기준 기판(20)과;
    상기 박막 트랜지스터 기판(10)과 상기 기준 기판(20) 사이의 이격 공간에 전계가 형성되도록 상기 픽셀 및 상기 기준 패턴에 전원을 공급하는 전원공급부(40)와;
    상기 이격 공간의 일측으로부터 타측을 향해 전자빔을 방출하는 전자빔 방출 유닛(30)과;
    상기 전자빔 방출 유닛(30)으로부터 방출되어 상기 이격 공간을 통과한 전자빔을 검출하기 위한 전자빔 검출 유닛(50)과;
    상기 전자빔 검출 유닛(500에 의해 검출된 전자빔의 검출 위치에 기초하여, 상기 박막 트랜지스터 기판(10)의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 제어부(60)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전자빔 방출 유닛(30)은 상기 이격 공간의 일측에 상기 박막 트랜지스터 기판(10)의 판면을 따라 배열되어 각각 전자빔을 방출하는 복수의 마이크로 전자총(31a, 31b)과, 상기 각 마이크로 전자총(31a, 31b)으로부터 방출되는 전자빔을 포커싱하는 포커스 유닛(32a, 32b)을 포함하고;
    상기 제어부(60)는 상기 각 마이크로 전자총(31a, 31b)으로부터 방출된 전자빔이 상기 박막 트랜지스터 기판(10)의 상기 픽셀 열 중 한 열과 대응하는 기준 패턴 열 사이를 따라 통과하도록 상기 포커스 유닛(32a, 32b)을 제어하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부(60)는 상기 전원공급부(40)가 상기 기준 기판(20)의 상기 기준 패턴 중 적어도 어느 하나에 선택적으로 전원을 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제어부(60)는 상기 박막 트랜지스터 기판(10)에 결함이 존재하는 않는 경우에 대응하는 기준 검출 위치에 대한 정보를 가지며, 상기 전자빔 검출 유닛(50)에 의해 검출된 전자빔의 상기 검출 위치와 상기 기준 검출 위치 간의 편차에 기초하여 상기 박막 트랜지스터 기판(10)의 상기 픽셀의 결함 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기준 기판(20)과 대향하게 이격 배치되어 상기 박막 트랜지스터 기판(10)이 설치되는 스테이지(71)와;
    상기 기준 기판(20), 상기 전자빔 검출 유닛(50) 및 상기 기판 스테이지(71)를 수용하는 진공 챔버(70)와;
    상기 제어부(60)의 제어에 따라, 상기 진공 챔버(70)를 진공시키는 챔버 진공부(72)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780759B1 (ko) * 2005-01-24 2007-11-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 검사장치
US20060181266A1 (en) * 2005-02-14 2006-08-17 Panelvision Technology, A California Corporation Flat panel display inspection system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5432461A (en) * 1991-06-28 1995-07-11 Photon Dynamics, Inc. Method of testing active matrix liquid crystal display substrates
JPH09312318A (ja) 1996-05-21 1997-12-02 Hitachi Ltd パタ−ン欠陥検査装置
US6765203B1 (en) * 2003-01-31 2004-07-20 Shimadzu Corporation Pallet assembly for substrate inspection device and substrate inspection device
US6873175B2 (en) * 2003-03-04 2005-03-29 Shimadzu Corporation Apparatus and method for testing pixels arranged in a matrix array
JP4135143B2 (ja) * 2003-04-22 2008-08-20 株式会社島津製作所 基板検査装置
JP4062527B2 (ja) 2003-05-09 2008-03-19 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイ検査装置

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