KR100631129B1 - 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로, 사파이어 기판상에 n형 질화갈륨(GaN)층, 활성층, p형 질화갈륨(GaN)층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막을 형성하여 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 위에 금속 구조지지층을 패터닝하여 소정 두께로 형성하는 단계; 상기 금속 구조지지층을 마스크로 사용하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 식각하는 단계; 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 또는 상기 금속 구조지지층상에 보조기판을 부착한 후, LLO 공정으로 상기 사파이어 기판을 제거하는 단계; 상기 사파이어 기판이 제거된 상기 n형 질화갈륨(GaN)층상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및 상기 보조기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 주요한 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 최종적인 칩 분리공정에 발생할 수 있는 구조지지층의 휘말림 현상등을 미연에 방지할 수 있어, 수율이 우수한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자를 제조할 수 있는 이점이 있다

LED, 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드, 구조지지층, 보조기판, 보조테이프

Description

수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법{Manufacturing method of vertically structured GaN LED device}

도 1 및 도 2는 종래의 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 공정단면도

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제1실시예에 의한 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 의한 수직구조 질화갈륨계 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

300 : 질화갈륨계 LED 구조물 305 : 사파이어 기판

330 : 마스크(폴리머 마스크) 335 : 금속 구조지지층

340 : 보조기판 345 : n형 전극

350 : 보조테이프

본 발명은 수직구조(수직전극형) 질화갈륨계(GaN) 발광 다이오드(Light Emitting Diode; 이하, 'LED'라 칭함) 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속 구조지지층을 갖는 수율이 우수한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 질화갈륨계 LED는 사파이어 기판위에 성장하지만, 사파이어 기판은 단단하고 전기적으로 부도체이며 열전도 특성이 좋지 않아 질화갈륨계 LED의 크기를 줄여 제조원가를 절감하거나, 광출력, ESD(electostatic discharge)같은 칩의 특성을 개선시키는데 한계가 있다. 특히, LED의 고출력화를 위해서는 대전류 인가가 필수이기 때문에 LED의 열 방출 문제를 해결하는 것이 중요하다. 이러한 문제를 해결하기 위한 수단으로, 종래에는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off:LLO; 이하, 'LLO' 라 칭함)를 이용하여 사파이어 기판을 제거한 수직구조 질화갈륨계 LED가 제안되었다.

종래의 수직구조 질화갈륨계 LED는 첨부된 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이 사파이어 기판(105)상에 n형 질화갈륨층(110), 활성층(115), p형 질화갈륨층(120)을 순차적으로 결정성장시키고, p형 질화갈륨층(120) 위에 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막(125)을 형성한 후, 금속 공융(eutectic)접합층(130)을 형성한다. 이때, 상기 공융접합층(130)은 실리콘(Si) 기판(135)을 공융 접합법으로 부착하기 위하여 형성하는 것으로, 제1금속막(130a)과 제2금속막(130b)으로 구성된 금속합금층이다. 이때, 상기 금속합금층은 납(Pb), 인(In), 주석금(AuSn), 주석(Sn), 금(Au) 등의 금속을 이용하여 증착한다. 그 다음, 상기 공융접합층(130)에 소정의 온도와 압력을 가한 후 상기 공융접합층(130)상에 실리콘(Si) 기판(135)을 접합한다. 그 후, LLO 공정을 통해 상기 사파이어 기판(105)을 제거한 후, 상기 n형 질화갈륨층(110)상에 n형 전극(205)을 형성하고 이후 레이저 또는 건식식각공정을 통하여 소자분리 공정을 수행하거나 또는 소자분리 공정 후 n형 전극(205)을 형성한다(도 2 참조).

이처럼 종래에는 상기 사파이어 기판(105)을 대체하여 상기 실리콘(Si) 기판(135)을 상기 공융접합층(130)에 접합하여 사용하였는데, 이 경우 상대적으로 열전도 특성이 낮은 기판을 사용하기 때문에 소자에서 발생하는 열을 방출하는 데 한계가 있었다.

이러한 열 방출 문제를 효과적으로 해결하기 위해 상기 실리콘 기판(135)을 텅스텐구리(CuW) 기판 등 금속 기판(이는 `금속 구조지지층`으로 달리 표현할 수 있다)으로 대체하는 방법이 제안되었다.

그러나, 이 경우에도 다이싱(dicing) 날(blade)을 사용하여 칩을 분리할 때에는 작업성을 위해 어느 정도의 공간을 확보해야하기 때문에 재료의 손실이 컸고, 또한 다이싱 날을 사용하여 칩을 분리할 때에 금속 구조지지층의 휘말림 현상 등이 나타나게 되었으며, 특히 상기 금속 구조지지층의 휘말림 현상으로 인하여 p-n 접합영역이 쇼트(short)되는 심각한 문제점이 발생하게 되었다. 또한, 상기 금속 구조지지층을 다이싱 날(blade)을 사용하여 칩을 분리하는 과정의 문제점을 방지하기 위해서 레이저 스크라이빙 장비를 사용할 수 있으나, 이 또한 고가의 장비라는 점과 금속의 연성에 의해 스크라이빙 공정 이후 칩 브레이킹(breaking) 작업이 어렵다는 문제점이 여전히 상존하였다.

따라서 본 발명은, 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 열 방출 특성이 뛰어나면서도 최종적인 칩 분리공정을 효과적으로 진행할 수 있고, 수율이 우수한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법은, 사파이어 기판상에 n형 질화갈륨(GaN)층, 활성층, p형 질화갈륨(GaN)층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극을 형성하여 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정의 두께로 패터닝된 금속 구조지지층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 금속 구조지지층을 마스크로하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 각 단위 칩으로 식각하는 단계; 상기 패터닝된 금속 구조지지층 상에 보조기판을 부착하는 단계; 상기 사파이어 기판을 LLO 공정으로 제거하는 단계; 상기 사파이어 기판이 제거된 n형 질화갈륨(GaN)층상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및 상기 보조기판을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계는, 상기 p형 전극 상에 반사막을 더 형성한 것을 특징으로 한다.

삭제

삭제

또한, 상기 금속 구조지지층을 형성하는 방법은, 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 금속을 도금하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 금속 구조지지층을 형성하는 방법은, 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정 두께의 금속을 도금하는 단계; 및 상기 도금된 금속층을 소정의 패턴으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 다른 본 발명에 따른 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법은, 사파이어 기판상에 n형 질화갈륨(GaN)층, 활성층, p형 질화갈륨(GaN)층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극을 형성하여 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계; 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정의 두께로 패터닝된 금속 구조지지층을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 금속 구조지지층을 마스크로하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 각 단위 칩으로 식각하는 단계; 지그(jig)를 사용하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 및 상기 금속 구조지지층을 고정하는 단계; 상기 사파이어 기판을 LLO 공정으로 제거하는 단계; 상기 사파이어 기판이 제거된 n형 질화갈륨(GaN)층상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및 상기 지그를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하에서는 본 발명에 따른 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하되, 중복되는 부분에 대한 설명은 생략하도록 한다.

<제1실시예>

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제1실시예에 의한 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도이다.

도 3a에 도시한 바와 같이, 먼저 사파이어 기판(305)상에 n형 질화갈륨(GaN)층(310), 활성층(315), p형 질화갈륨(GaN)층(320)을 순차적으로 결정성장시킨 후 상기 p형 질화갈륨(GaN)층(320) 상에 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막(325)을 형성한다. 이 때, 상기 순차적으로 형성된 n형 질화갈륨(GaN)층(310), 활성층(315), p형 질화갈륨(GaN)층(320) 및 p형 전극 또는 p형 전극 및 반사막(325)을 통틀어 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물(300)로 정의한다.

그 다음, 도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물(300) 위에 마스크(330) 패턴을 형성한다. 상기 마스크(330)는 다양한 재료 및 형상을 가질 수 있으나, 본 실시예에서는 제조 공정의 편리성과 최종적인 LED 칩 형상을 고려하여 격자 형상을 가진 폴리머 계열의 재질로 형성된 마스크를 사용한다.

그 다음, 상기 마스크(330) 패턴이 형성된 질화갈륨계 LED 구조물(300) 상에 금속을 소정 두께만큼 도금한다. 이때, 사용되는 도금방식으로서는 정류기를 사용하여 금속을 석출하는 전해도금방식, 환원제를 사용하여 금속을 석출하는 무전해 도금방식, 열증착(Thermal evaporator), 전자선증착(e-beam evaporator), 스퍼터링(Sputtering), 화학기상증착(CVD) 방식 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 도금에 사용되는 금속은 열 및 전기 전도성이 우수한 금속을 사용하는 것이 바람직하며, 예를 들어 Cu, Ni, Co, W, Mo, Au, Al, Pt, Pd, Ti, Ta, Sn, Fe, Cr(구리, 니켈, 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 금, 알루미늄, 백금, 팔라듐, 티타늄, 탄탈룸, 주석, 철, 크롬)등의 금속 또는 그 합금이 사용될 수 있다.

그 다음, 상기 마스크(330) 패턴을 아세톤 등의 용액을 사용하여 제거하게 되면 도 3c에 도시한 바와 같은 패터닝(patterning)된 금속 구조지지층(335)이 형성된다. 이때, 상기 마스크(330)의 재질에 따라서 다양한 마스크 제거방법이 있을 수 있다.

여기서, 상기 금속 구조지지층(335)은 LED 소자의 제조공정 및 LED 소자의 최종 패키징 공정시에 발생할 수 있는 외부의 충격에 의해 소자가 손상을 받지 않도록 소자의 형태를 유지할 수 있는 기능을 한다.

특히, 상기 금속 구조지지층(335)의 두께가 10μm 미만이면 소자의 형태를 유지할 수 있는 기능을 가지기 어렵고, 상기 금속 구조지지층(335)의 하부에 형성될 수 있는 다른 전도성 물질과 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)이 서로 쇼트(short)될 수 있다. 한편, 상기 금속 구조지지층(335)의 두께가 200μm 이상이면 LED 소자가 너무 커지게 된다. 따라서, 상기 금속 구조지지층(335)의 두께는 10μm 내지 200μm가 바람직하다.

그 다음, 도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 패터닝된 금속 구조지지층(335)을 식각 마스크로 사용하여 상기 금속 구조지지층(335) 하부에 형성되어 있는 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 식각하는데, 이 경우 상기 금속 구조지지층(335)의 하면과 접하지 않는 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)의 외주부분 및 그 외주부분 하면에 형성된 상기 사파이어 기판(305)의 외주부분은 모두 식각한다.

그리고, 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)의 외주부분을 제외한 영역을 식각할 때 그 식각 깊이는, 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300) 높이의 대부분을 식각하되 상기 사파이어 기판(305)에는 못 미치도록 함이 바람직하나, 경우에 따라서는 후처리공정을 고려하여 상기 사파이어 기판(305)에 미치도록 식각할 수도 있다. 상기 식각 방법으로서는 건식식각 또는 레이저 스크라이빙(scribing) 등의 방법이 사 용될 수 있고, 상기 레이저 스크라이빙 방법을 사용하는 경우에는 상기 레이저 스크라이빙 후에 발생되는 부산물을 제거하기 위해서 후처리공정으로서 건식식각 방법을 재차 사용함이 바람직하다.

그 다음, 도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 금속 구조지지층(335) 및 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 지지 및 고정하기 위한 보조기판(340)을 상기 금속 구조지지층(335) 상에 부착한다. 상기 보조기판(340)은 상기 사파이어 기판(305)을 제거하는 등의 후처리공정을 진행함에 있어 상기 금속 구조지지층(335) 및 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물(300)을 지지 및 고정하기 위하여 부착한다.

여기서, 상기 보조기판(340)으로서는 사파이어 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, GaAs 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 유리판, 금속판 등의 재질로 구성된 보조기판이 사용될 수 있다. 또한, 상기 보조기판(340)은 보호 테이프(예를 들어, 대한민국 (주)화인테크놀리지사에서 제조한 VALFO tape) 등의 폴리머 계열의 보조기판일 수도 있는데, 이 경우, 상기 보호 테이프 자체의 접착력으로 인하여 별도의 접착제가 필요 없게 되고 또한, 후술하는 공정으로서 상기 보조기판(340) 제거 공정시에 소정의 온도(VALFO tape의 경우는 100℃)로 가열하면 상기 폴리머 계열의 보조기판이 상기 금속 구조지지층(335)으로부터 용이하게 분리된다.

상기 보조기판(340)을 상기 금속 구조지지층(335) 상에 부착하는 수단으로는 폴리이미드, BCB, 에폭시류 등의 폴리머 계열의 접착제를 사용할 수 있다.

그 다음, 상기 보조기판(340)을 지지수단으로 하여 상기 사파이어 기판(305)을 LLO공정을 통하여 제거한다.

그 다음, 상기 사파이어 기판(305)이 제거된 질화갈륨계 LED 구조물(300)의 표면에, 반사효율을 높이기 위한 러프니스(roughness)를 주기 위해 표면 식각 공정을 행한 후, 도 3f에 도시한 바와 같이 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)상에 n형 전극(345)을 형성한다.

그 다음, 상기 보조기판(340)을 제거하는데, 여기서, 상기 보조기판(340)이 VALFO tape일 경우 약 2분동안 100℃의 열을 가하면 상기 보조기판(340)은 용이하게 제거된다.

그 다음, 이미 상술한 상기 금속 구조지지층(335)을 마스크로 사용하여 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 식각하는 공정에서 미처 식각되지 않은 부분을 식각 또는 브레이킹(breaking)하여 소자(素子)로 분리함으로써, 최종적인 칩(chip) 형태를 구현한다(도 3g 참조). 여기에서 사용된 식각 방법은 전(前) 공정에서 행한 식각 방법과 마찬가지로 건식식각, 레이저 스크라이빙 등이 사용될 수 있다. 한편, 상기 금속 구조지지층(335)을 식각 마스크로 사용하여 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 식각하는 공정에서 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 사파이어 기판(305)에 미치도록 식각하였다면 소자를 분리하기 위해 식각 또는 브레이킹하는 공정은 생략할 수 있다.

마지막으로, 도 3g에 도시한 바와 같이, 상기 칩 형태의 소자(素子)를 각각의 패키지 내부에 장착하기 위하여 보조테이프(350)를 상기 금속 구조지지층(335) 하면에 부착함으로써, 본 실시예에 의한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조를 완성한다.

< 제1실시예의 변형예 >

상술한 제1실시예에서는 보조기판(340)을 사용하여 금속 구조지지층(335) 및 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 지지 및 고정하였으나, 본 변형예에서는 상기 보조기판(340) 대신에 지그(jig)(미도시)를 사용하여 상기 금속 구조지지층(335) 및 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 지지 및 고정한다. 예를 들어, 지그를 상기 금속 구조지지층(335)의 패터닝된 부분에 끼우거나, 또는 상기 질화갈륨계 LED 구조물(300)의 식각된 부분에 끼움으로써 상기 금속 구조지지층(335) 및 질화갈륨계 LED 구조물(300)을 지지 및 고정한다.

이 경우, 상술한 제1실시예에서의 보조기판(340)을 제거하는 공정이, 본 변형예에서는 지그를 제거하는 공정으로 대체될 것이다.

그 외의 다른 공정은 상술한 제1실시예와 동일하게 진행된다.

< 제2실시예 >

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제2실시예에 의한 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자의 제조방법을 설명하기 위한 각 단계별 공정단면도이다.

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 질화갈륨계 LED 구조물(410) 상에 소정의 두께로 금속을 도금하여 금속 구조지지층(415)을 형성한다. 이때, 사용되는 도금방식과 금속 재질 및 도금된 구조지지층의 두께 등은 상술한 제1실시예에서와 동일하다.

그 다음, 도 4에 도시한 바와 같이, 건식식각, 습식식각 또는 레이저 스크라이빙 등의 방법을 사용하여 상기 금속 구조지지층(415)을 소정의 패턴으로 식각함으로써, 패터닝된 금속 구조지지층(415)을 형성한다.

그 다음, 상기 패터닝된 금속 구조지지층(415)의 형성 공정 이후의 Fab 공정들은 상술한 제1실시예에서와 동일하게 진행된다.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 특허청구범위에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함되는 것으로 보아야 할 것이다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 수직구조 질화갈륨계 LED의 제조방법에 의하면, LLO공정 전에 질화갈륨계 LED 구조물 위에 형성된 금속 구조지지층을 미리 패터닝한 후 상기 패터닝된 금속 구조지지층을 식각 마스크로 사용하여 상기 질화갈륨계 LED 구조물을 식각함으로써, 칩을 분리하는 공정을 용이하게 하고, 열 방출 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한, 최종적인 칩 분리과정에서 발생할 수 있는 재료의 손실 및 금속 구조지지층의 휘말림 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 p-n 접합영역이 쇼트(short)되는 현상을 방지할 수 있기 때문에 불량율을 최소화할 수 있고, 수율이 우수한 수직구조 질화갈륨계 LED 소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (9)

1. 사파이어 기판상에 n형 질화갈륨(GaN)층, 활성층, p형 질화갈륨(GaN)층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극을 형성하여 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계;

   상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정의 두께로 패터닝된 금속 구조지지층을 형성하는 단계;

   상기 패터닝된 금속 구조지지층을 마스크로하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 각 단위 칩으로 식각하는 단계;

   상기 패터닝된 금속 구조지지층 상에 보조기판을 부착하는 단계;

   상기 사파이어 기판을 LLO 공정으로 제거하는 단계;

   상기 사파이어 기판이 제거된 n형 질화갈륨(GaN)층상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및

   상기 보조기판을 제거하는 단계;를 포함하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계는, 상기 p형 전극 상에 반사막을 더 형성한 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항에 있어서,

   상기 금속 구조지지층을 형성하는 방법은,

   상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;

   상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 금속을 도금하는 단계; 및

   상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 금속 구조지지층을 형성하는 방법은,

   상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정 두께의 금속을 도금하는 단계; 및

   상기 도금된 금속층을 소정의 패턴으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 금속 구조지지층은, 10㎛ 내지 200㎛ 범위의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
8. 사파이어 기판상에 n형 질화갈륨(GaN)층, 활성층, p형 질화갈륨(GaN)층을 순차적으로 형성하고 그 위에 p형 전극을 형성하여 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 형성하는 단계;

   상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 상에 소정의 두께로 패터닝된 금속 구조지지층을 형성하는 단계;

   상기 패터닝된 금속 구조지지층을 마스크로하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물을 각 단위 칩으로 식각하는 단계;

   지그(jig)를 사용하여 상기 질화갈륨(GaN)계 LED 구조물 및 상기 금속 구조지지층을 고정하는 단계;

   상기 사파이어 기판을 LLO 공정으로 제거하는 단계;

   상기 사파이어 기판이 제거된 n형 질화갈륨(GaN)층상에 n형 전극을 형성하는 단계; 및

   상기 지그를 제거하는 단계;를 포함하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 금속 구조지지층은, 10㎛ 내지 200㎛ 범위의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조 질화갈륨계 LED 소자의 제조방법.

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