KR100619655B1 - 질화물계 ⅲ-ⅴ족 화합물 반도체의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 적어도 III족 원소의 원료와, V족 원소의 원료의 암모니아와, 수소를 이용하여, 기상 성장에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 방법으로서,상기 수소와 상기 암모니아의 합계량에 대한 수소의 기상 몰비(molar ratio)[H2/(H2+NH3)라고 적는다]가,0.3<(H2/(H2+NH3))<0.7인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 적어도 III족 원소의 원료와, V족 원소의 원료의 암모니아와, 수소를 이용하여, 기상 성장에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 방법으로서,상기 수소와 상기 암모니아의 합계량에 대한 수소의 기상 몰비[H2/(H2+NH3)라고 적는다]가,0.3<(H2/(H2+NH3))<0.6인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 적어도 III족 원소의 원료와, V족 원소의 원료의 암모니아와, 수소를 이용하여, 기상 성장에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 방법으로서,상기 수소와 상기 암모니아의 합계량에 대한 수소의 기상 몰비[H2/(H2+NH3)라고 적는다]가,0.4<(H2/(H2+NH3))<0.5인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,P>1(기압)인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,P>1(기압)인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,P>1(기압)인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,상압(常壓)인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,상압인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기상 성장에서의 압력 P가,상압인 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 수소와, 불활성 가스와의 혼합 가스를 이용하여, 기상 성장에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 수소와, 불활성 가스와의 혼합 가스를 이용하여, 기상 성장에 의해 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 수소와, 불활성 가스와의 혼합 가스를 이용하여, 기상 성장에 의해, 질화물계 III-V족 화합물 반도체를 제조하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기상 성장을 유기 금속 기상 성장법(MOCVD법)에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 기상 성장을 유기 금속 기상 성장법(MOCVD법)에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 기상 성장을 유기 금속 기상 성장법(MOCVD법)에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 III-V족 화합물 반도체의 제조 방법.
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