KR100606902B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 소자의 특성 및 수율을 향상시키도록 한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 금속 패드를 오픈하여 금속 패드 오픈부를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드 오픈부를 포함하여 상기 기판 전면에 베리어층을 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역의 상기 베리어층위에 R,G,B 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 각 칼라 필터층 상측에 마이크로렌즈를 형성하는 단계와, 상기 패드 영역의 베리어층을 제거하는 단계와, 상기 마이크로렌즈에 트랩된 전하를 중화시키기 위해 일렉트론 샤워를 실시하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이미지 센서, 금속 패드, 마이크로렌즈, 일렉트론 샤워
Description
도 1은 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 등가회로도
도 2는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 레이아웃도
도 3a 내지 도 3e는 종래 기술에 의한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도면의 주요 부분에 대한 설명
100 : 반도체 기판 101 : 절연막
102 : 금속 패드 103 : 보호막
104 : 감광막 105 : 금속 패드 오픈부
106, 111 : 평탄화층 107, 108, 109 : 칼라 필터층
112 : 마이크로렌즈 113 : 베리어층
본 발명은 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 소자 특성을 향상시킴과 동시에 수율을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게, 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
상기 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)는 빛의 신호를 전기적 신호로 변환하는 복수개의 포토 다이오드(Photo diode; PD)가 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 매트릭스 형태로 배열된 각 수직 방향의 포토 다이오드 사이에 형성되어 상기 각 포토 다이오드에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 방향 전하 전송 영역(Vertical charge coupled device; VCCD)과, 상기 각 수직 방향 전하 전송 영역에 의해 전송된 전하를 수평방향으로 전송하는 수평방향 전하전송영역(Horizontal charge coupled device; HCCD) 및 상기 수평방향으로 전송된 전하를 센싱하여 전기적인 신호를 출력하는 센스 증폭기(Sense Amplifier)를 구비하여 구성된 것이다.
그러나, 이와 같은 CCD는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다.
또한, 상기 전하 결합 소자는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소 형화가 곤란한 단점을 갖는다.
최근에는 상기 전하 결합 소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
즉, 상기 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 씨모스 이미지 센서는 씨모스 제조 기술을 이용하므로 적은 전력 소모, 적은 포토공정 스텝에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다.
또한, 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로 등을 씨모스 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다.
따라서, 상기 씨모스 이미지 센서는 현재 디지털 정지 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 등가회로 및 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이 오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(120, 130, 140)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(120)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(140)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(120, 130, 140) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다.
따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(120, 130, 140)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
이와 같이 패드를 구비한 각 신호 라인과 이 후에 진행되는 공정들에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3e는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(101)(예를 들면 산화막)을 형성하고, 상기 절연막(101)위 에 각 신호 라인의 금속 패드(102)를 형성한다.
이 때, 상기 금속 패드(102)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다.
그리고, 상기 금속 패드(102)를 포함한 상기 절연막(101) 전면에 보호막(103)을 형성한다. 여기서 상기 보호막(103)은 산화막 또는 질화막 등으로 형성한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(103)위에 감광막(104)을 도포하고, 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(102) 상측 부분이 노출되도록 패터닝한다.
그리고, 상기 패터닝된 감광막(104)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(103)을 선택적으로 식각하여 상기 금속 패드(102)에 오픈부(105)를 형성한다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(104)을 제거하고, 상기 보호막(103) 전면에 제 1 평탄화층(106)을 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 이용하여 상기 금속 패드 부분을 제외한 부분에만 남도록 한다.
그리고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 제 1 평탄화층(106)위에 차례로 청색 칼라 필터층(107), 녹색 칼라 필터층(108) 및 적색 칼라 필터층(109)을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층 형성 방법은, 해당 칼라 레지스트를 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(107, 108, 109)을 포함한 기판 전면에 제 2 평탄화층(111)을 형성하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 남도록 한다.
도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 평탄화층(111) 상의 각 칼라 필터층(107, 108, 109)에 대응하여 마이크로렌즈(112)를 형성한다.
그리고, 이와 같이 제조된 CMOS 이미지 센서의 각 금속 패드(102)의 프로브 테스트(probe test)하여 접촉저항을 체크한 후, 이상이 없으면 외부 구동회로와 상기 금속 패드를 전기적으로 연결시킨다.
그러나, 상기와 같은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 상기 금속 패드에 오픈부를 형성한 후, 상기 제 1 평탄화층 형성, 각 칼라 필터층 형성, 제 2 평탄화층 형성 및 마이크로렌즈 형성 등의 공정이 진행된다.
따라서, 상기 금속 패드가 노출된 상태에서 상기 각 후속 공정이 진행되므로, 상기 후속 공정으로 인해 상기 금속 패드가 TMAH 계열의 알카리(alkali) 용액에 지속적으로 노출되어(칼라 필터 진행시 최소 3회 이상) 상기 금속 패드가 부식되어 피티(pit)가 발생하여 소자의 신뢰성이 악화되고 수율이 저하한다.
종래의 다른 실시예로서, 상기 마이크로렌즈까지 형성한 후, 상기 금속 패드 오픈부를 형성할 수 있다.
그러나 상기와 같이 마이크로렌즈를 형성한 후 금속 패드 오픈부를 형성하는 경우에는, 상기 마이크로렌즈가 노출된 상태로 공정이 진행되어 플라즈마(plasma) 에 노출된 마이크로렌즈가 양(+) 전하로 대전되어 소자 동작시 광자(photon)가 대전된 마이크로렌즈에서 트랩(trap)되어 신호 입력부까지 광신호가 도달하지 못해 소자 특성이 저해되고, 수율이 감소하는 등의 문제가 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 마이크로렌즈를 형성한 후 금속 패드 오픈부를 형성하고, 표면에 양(+) 전하가 대전된 마이크로렌즈에 일렉트론 샤워(electron shower)를 통해 대전된 전하를 중화시킴으로써 소자의 특성 및 수율을 향상시키도록 한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조 방법은, 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 금속 패드를 오픈하여 금속 패드 오픈부를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드 오픈부를 포함하여 상기 기판 전면에 베리어층을 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역의 상기 베리어층위에 R,G,B 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 각 칼라 필터층 상측에 마이크로렌즈를 형성하는 단계와, 상기 패드 영역의 베리어층을 제거하는 단계와, 상기 마이크로렌즈에 트랩된 전하를 중화시키기 위해 일렉트론 샤워를 실시하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방 법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(101)을 형성하고, 상기 절연막(101)위에 각 신호 라인의 금속 패드(102)를 형성한다. 이 때, 상기 금속 패드(102)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다. 그리고, 상기 금속 패드(102)를 포함한 상기 절연막(101) 전면에 보호막(103)을 형성한다. 여기서 상기 보호막은 산화막 또는 질화막 등으로 형성한다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(103)위에 감광막(104)을 형성하고, 사진석판술을 이용한 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(102) 상측 부분을 노출시킨다. 그리고, 상기 감광막(104)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(103)을 선택적으로 식각하여 상기 금속 패드(102)에 금속 패드 오픈부(105)를 형성한 후, 상기 감광막(104)을 제거한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 금속 패드 오픈부(105)가 형성된 기판 전면에 베리어층(113)을 형성한다.
여기서, 상기 베리어층(113)은 PE(plasma emhancement) 산화막, PE TEOS 또는 PE 질화막으로 형성하며, 그 두께는 약 200Å 내지 600Å정도로 한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 베리어층(113) 전면에 제 1 평탄화층(106) 을 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 이용하여 상기 금속 패드 부분을 제외한 부분에만 남도록 한다.
그리고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 제 1 평탄화층(106)위에 차례로 청색 칼라 필터층(107), 녹색 칼라 필터층(108) 및 적색 칼라 필터층(109)을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층 형성 방법은, 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(107, 108, 109)을 포함한 기판 전면에 제 2 평탄화층(111)을 형성하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 남도록 한다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 평탄화층(111)상에 유전체 물질을 증착하고 사진 식각 공정으로 상기 유전체 물질을 선택적으로 제거하여 상의 각 칼라 필터층(107, 108, 109)에 대응하여 마이크로렌즈(112)를 형성한다.
이 때, 별도의 마스크를 추가하지 않고, 상기 금속 패드(102) 상측부의 상기 베리어층(113)을 블랭킷 식각 등에 의해 동시에 제거하여 상기 금속 패드 오픈부(105)를 노출시킨다.
그리고, 상기 베리어층(113)을 제거할 때, 상기 금속 패드(102) 표면에 상기 금속 패드를 부식시킬 수 있는 불소 이온(Fluorine)과 같은 물질이 존재할 수 있기 때문에 N2 가스를 이용한 RIE 열처리(curing)를 실시하여 상기 금속 패드(102) 표면 에 잔존하는 불소 이온을 제거한다.
따라서 본 발명은 금속 패드(202)의 부식을 방지할 수가 있다.
그러나 종래 기술에서와 같이, 상기 마이크로렌즈(211)를 형성한 후 금속 패드 오픈부(205)를 형성하는 경우에는, 상기 마이크로렌즈(211)가 노출된 상태로 공정이 진행되어 플라즈마(plasma)에 노출된 마이크로렌즈(211)가 양(+) 전하로 대전되는 현상이 발생한다.
도 4g에 도시한 바와 같이, 상기 양(+) 전하가 발생된 마이크로렌즈(211)에 일렉트론 샤워(electron shower)를 통해 음(-) 전하를 인가하여 상기 양(+) 전하를 중화시킨다.
여기서, 상기 일렉트론 샤워시 일렉트론 빔(electron beam)을 사용할 수 있고, 필라멘트를 이용한 공정을 사용할 수 있다.
한편, 일렉트론의 효율을 높이기 위해 마그넷(magnet)이나 전위층을 두어 방향성을 증진시킬 수도 있고, 일렉트론의 도달거리를 증가시키기 위해 고진공에서 실시할 수도 있다.
한편, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법은 상기 마이크로렌즈(211)를 형성한 후에 상기 패드 오픈부(205)를 형성하고 있지만, 본 발명의 제 2 실시예에 의한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법은 상기 패드 오픈부(205)를 먼저 형성한 후에 마이크로렌즈(211)를 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제 조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 금속 패드 오픈부를 형성하고, 이후 공정에서 현상액 또는 식각액으로부터 상기 금속 패드를 보호하기 위하여 상기 베리어층을 형성한 후, 나머지 공정을 수행하므로 상기 금속 패드가 부식되는 것을 방지하여 금속 패드의 접촉저항을 감소시킬 수 있다.
둘째, 금속 패드를 오픈할 때 마이크로렌즈의 표면에 트랜된 양(+) 전하와 대전되는 음(-) 전하를 일렉트론 샤워를 통해 인가함으로써 대전된 전하를 중화시키어 광자 트랩 현상을 근본적으로 방지하여 소자의 특성과 슈율을 향상시킬 수 있다.
셋째, 일렉트론 샤워를 사용함으로써 소자에 거의 데미지(damage)를 주지 않고 공정을 진행할 수 있다.
Claims (11)
- 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계;상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하고 상기 보호막을 선택적으로 제거하여 상기 금속 패드를 오픈하여 금속 패드 오픈부를 형성하는 단계;상기 금속 패드 오픈부를 포함하여 상기 기판 전면에 베리어층을 형성하는 단계;상기 액티브 영역의 상기 베리어층위에 R,G,B 칼라 필터층을 형성하는 단계;상기 각 칼라 필터층 상측에 마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 패드 영역의 베리어층을 제거하는 단계;상기 마이크로렌즈에 트랩된 전하를 중화시키기 위해 일렉트론 샤워를 실시하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 금속 패드 사이에 절연막을 더 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베리어층과 상기 칼라 필터층들 사이 및 상기 칼라 필터층들과 상기 마이크로렌즈 사이에 각각 제 1, 제 2 평탄화층을 더 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베리어층은 PE 산화막, PE TEOS 또는 PE 질화막으로 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베리어층은 약 200Å 내지 600Å정도의 두께로 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 패드는 알루미늄으로 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드 영역의 베리어층을 제거한 후, N2 가스를 이용한 RIE 열처리(curing)를 실시하여 상기 금속 패드 표면에 잔존할 수 있는 부식성 물질을 제거하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 일렉트론 샤워시 일렉트론 빔(electron beam)을 사용하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 일렉트론 샤워시 필라멘트를 이용하는 것을 특징으 로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 일렉트론 샤워시 일렉트론의 효율을 높이기 위해 마그넷이나 전위층을 두어 방향성을 증진시키는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 일렉트론 샤워시 일렉트론의 도달거리를 증가시키기 위해 고진공에서 실시하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003929A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4825087A (en) * | 1987-05-13 | 1989-04-25 | Applied Materials, Inc. | System and methods for wafer charge reduction for ion implantation |
| US5329129A (en) * | 1991-03-13 | 1994-07-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electron shower apparatus including filament current control |
| US5143855A (en) * | 1991-06-17 | 1992-09-01 | Eastman Kodak Company | Method for making contact openings in color image sensor passivation layer |
| JPH06203789A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Sony Corp | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| US5849639A (en) * | 1997-11-26 | 1998-12-15 | Lucent Technologies Inc. | Method for removing etching residues and contaminants |
| US6451674B1 (en) * | 1998-02-18 | 2002-09-17 | Matsushita Electronics Corporation | Method for introducing impurity into a semiconductor substrate without negative charge buildup phenomenon |
| US6633947B1 (en) * | 1998-09-16 | 2003-10-14 | Intel Corporation | Memory expansion channel for propagation of control and request packets |
| US6344369B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-02-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process |
| US6507059B2 (en) * | 2001-06-19 | 2003-01-14 | United Microelectronics Corp. | Structure of a CMOS image sensor |
| KR100462757B1 (ko) * | 2002-03-14 | 2004-12-20 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
| US6632700B1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to form a color image sensor cell while protecting the bonding pad structure from damage |
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000003929A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법 |
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