KR100698070B1 - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
본 발명은 금속 패드의 부식을 방지함으로써 접촉 저항의 감소 및 수율을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와; 상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 적어도 2층 이상의 절연막으로 적층된 보호막을 형성하는 단계와; 상기 금속 패드 상부의 보호막 중 최하부 절연막의 표면까지 상측의 절연막들을 선택적으로 제거하여 예비 패드 오픈부를 형성하는 단계와; 상기 기판의 액티브 영역상에 제 1 평탄화층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 평탄화층위에 칼라 필터층을 형성하는 단계와; 상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 액티브 영역상에 제 2 평탄화층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 평탄화층위에 칼라 필터층과 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계와; 그리고 상기 패드 영역에 잔류하는 보호막의 최하부 절연막을 제거하여 패드 오픈부를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
CMOS 이미지 센서, 금속 패드, 마이크로 렌즈, 프로빙 테스트
Description
도 1은 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 등가회로도
도 2는 일반적인 씨모스 이미지 센서의 1 화소의 레이아웃도
도 3a 내지 도 3e는 종래의 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도
〈도면의 주요 부분에 대한 설명〉
200 : 반도체 기판 201 : 절연막
202 : 금속 패드 203 : 보호막
204 : 감광막 205 : 패드 오픈부
206, 210 : 제 1, 제 2 평탄화층 207, 208, 209 : 칼라 필터층
211 : 마이크로 렌즈
본 발명은 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 금속 패드의 부식을 방지하도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게, 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)로 구분된다.
상기 전하 결합 소자(charge coupled device: CCD)는 빛의 신호를 전기적 신호로 변환하는 복수개의 포토 다이오드(Photo diode; PD)가 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 매트릭스 형태로 배열된 각 수직 방향의 포토 다이오드 사이에 형성되어 상기 각 포토 다이오드에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 방향 전하 전송 영역(Vertical charge coupled device; VCCD)과, 상기 각 수직 방향 전하 전송 영역에 의해 전송된 전하를 수평방향으로 전송하는 수평방향 전하전송영역(Horizontal charge coupled device; HCCD) 및 상기 수평방향으로 전송된 전하를 센싱하여 전기적인 신호를 출력하는 센스 증폭기(Sense Amplifier)를 구비하여 구성된 것이다.
그러나, 이와 같은 CCD는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다.
또한, 상기 전하 결합 소자는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소형화가 곤란한 단점을 갖는다.
최근에는 상기 전하 결합 소자의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 씨모스 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로 및 신호처리회로 등을 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
즉, 상기 씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 씨모스 이미지 센서는 씨모스 제조 기술을 이용하므로 적은 전력 소모, 적은 포토공정 스텝에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다. 또한, 상기 씨모스 이미지 센서는 제어회로, 신호처리회로, 아날로그/디지털 변환회로 등을 씨모스 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다. 따라서, 상기 씨모스 이미지 센서는 현재 디지털 정지 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
한편, CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 등가회로 및 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다.
그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다.
또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다.
따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(120, 130, 140)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(120)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(130)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(140)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(120, 130, 140) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다.
따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(120, 130, 140)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
이와 같이 패드를 구비한 각 신호 라인과 이 후에 진행되는 공정들에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 도 3e는 종래의 CMOS 이미지 센서의 각 신호라인 및 그 이후의 공정 단면도이다.
먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(101)(예를 들면 산화막)을 형성하고, 상기 절연막(101)위에 각 신호 라인의 금속 패드(102)를 형성한다.
이 때, 상기 금속 패드(102)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다.
그리고, 상기 금속 패드(102)를 포함한 상기 절연막(101) 전면에 보호막(103)을 형성한다. 여기서 상기 보호막(103)은 산화막 또는 질화막 등으로 형성한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(103)위에 감광막(104)을 도포하고, 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(102) 상측 부분이 노출되도록 패터닝한다. 그리고, 상기 패터닝된 감광막(104)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(103)을 선택적으로 식각하여 상기 금속 패드(102)에 오픈부(105)를 형성한다.
도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(104)을 제거하고, 상기 보호막(103) 전면에 제 1 평탄화층(106)을 증착하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 이용하여 상기 금속 패드 부분을 제외한 부분에만 남도록 한다. 그리고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 제 1 평탄화층(106)위에 차례로 청색 칼라 필터층(107), 녹색 칼라 필터층(108) 및 적색 칼라 필터층(109)을 형성한다. 여기서, 상기 각 칼라 필터층 형성 방법은, 해당 칼라 레지스트를 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(107, 108, 109)을 포함한 기판 전면에 제 2 평탄화층(111)을 형성하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 남도록 한다.
도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 평탄화층(111) 상의 각 칼라 필터층 (107, 108, 109)에 대응하여 마이크로 렌즈(112)를 형성한다.
그리고, 이와 같이 제조된 CMOS 이미지 센서의 각 금속 패드(102)의 프로브 테스트(probe test)하여 접촉저항을 체크한 후, 이상이 없으면 외부 구동회로와 상기 금속 패드를 전기적으로 연결시킨다.
그러나, 상기와 같은 종래의 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 금속 패드에 패드 오픈부를 형성한 후, 잔류하는 감광막 및 폴리머(polymer)를 제거하는 화학용액을 이용함에 따라 금속 패드의 표면에 부식 등이 발생하여 출하검사시 결함으로 작용하여 스크랩(scrap)되는 문제를 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 패드에 오픈부를 형성한 후 잔류하는 감광막 및 폴리머를 제거할 때 금속 패드 부분이 부식되는 것을 방지함으로써 접촉 저항의 감소 및 수율을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와; 상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 적어도 2층 이상의 절연막으로 적층된 보호막을 형성하는 단계와; 상기 금속 패드 상부의 보호막 중 최하부 절연막의 표면까지 상측의 절연막들을 선택적으로 제거하여 예비 패드 오픈부 를 형성하는 단계와; 상기 기판의 액티브 영역상에 제 1 평탄화층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 평탄화층위에 칼라 필터층을 형성하는 단계와; 상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 액티브 영역상에 제 2 평탄화층을 형성하는 단계와; 상기 제 2 평탄화층위에 칼라 필터층과 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계와; 그리고 상기 패드 영역에 잔류하는 보호막의 최하부 절연막을 제거하여 패드 오픈부를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서의 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(200)에 게이트 절연막 또는 층간 절연막 등의 절연막(201)을 형성하고, 상기 절연막(201)위에 각 신호 라인의 금속 패드(202)를 형성한다.
이 때, 상기 금속 패드(202)는 상기 도 2에서 설명한 바와 같은 각 게이트 전극(120, 130, 140)과 동일 물질로 동일 층에 형성될 수 있고, 별도의 콘택을 통해 다른 물질로 형성될 수 있으며, 대부분 알루미늄(Al)으로 형성된다.
그리고, 상기 금속 패드(202)를 포함한 상기 절연막(201)의 전면에 하부SiN(203a)/USG(203b)/상부 SiN(203c)으로 적층된 보호막(203)을 형성한다.
여기서, 상기 보호막(203)을 하부 SiN(203a)/USG(203b)/상부 SiN(203c)을 차례로 적층하여 구성하고 있지만, 이에 한정하지 않고 식각 선택비가 다른 적어도 2층 이상의 절연막을 차례로 적층하여 구성할 수도 있다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(203)위에 감광막(204)을 도포하고, 노광 및 현상하여 상기 금속 패드(202) 상측 부분이 노출되도록 선택적으로 상기 감광막(204)을 선택적으로 패터닝한다.
이어, 상기 패터닝된 감광막(204)을 마스크로 이용하여 상기 보호막(203)을 구성하는 하부 SiN(203a)의 표면이 소정부분 노출되도록 상기 상부 SiN(203c) 및 USG(203b)을 선택적으로 제거하여 상기 금속 패드(202)에 예비 패드 오픈부(205a)를 형성한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 감광막(204)을 제거하고, 상기 반도체 기판(200)의 전면에 제 1 평탄화층(206)을 증착하고, 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 이용하여 상기 금속 패드 부분을 제외한 부분에만 남도록 한다.
그리고, 각 포토다이오드 영역(도면에는 도시되지 않음)에 상응하는 상기 제 1 평탄화층(206)위에 차례로 청색 칼라 필터층(207), 녹색 칼라 필터층(208) 및 적색 칼라 필터층(209)을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층 형성 방법은, 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 각 칼라 필터층을 형성한다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 각 칼라 필터층(207, 208, 209)을 포함한 기판 전면에 제 2 평탄화층(210)을 형성하고 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 상기 금속 패드 부분을 제외한 영역에만 남도록 한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 평탄화층(210)상에 마이크로렌즈용 물질층을 증착하고, 사진 식각 공정으로 상기 물질층을 선택적으로 제거하여 마이크 로렌즈 패턴을 형성한다.
여기서, 상기 마이크로렌즈용 물질층으로, 레지스트 또는 TEOS와 같은 산화막을 사용할 수도 있다.
이어, 상기 마이크로렌즈 패턴이 형성된 반도체 기판(201)을 소정온도(150 ~ 200℃)에서 리플로우 공정을 실시하여 상기 각 칼라 필터층(207, 208, 209) 위에 반구형의 마이크로렌즈(211)를 형성한다.
여기서, 상기 리플로우 공정은 핫 플레이트(hot plate)를 이용하거나 퍼니스(furnace)를 이용할 수 있다. 이때 수축 가열하는 방법에 따라 마이크로렌즈(36)의 곡률이 달라지는데 이 곡률에 따라서 집속 효율도 달라지게 된다.
이어, 상기 마이크로렌즈(211)에 자외선을 조사하여 경화한다. 여기서, 상기 마이크로렌즈(211)에 자외선을 조사하여 경화함으로써 상기 마이크로렌즈(211)는 최적의 곡률 반경을 유지할 수 있다.
그리고, 별도의 마스크를 추가하지 않고, 상기 금속 패드(202) 상측부에 잔류하는 상기 보호막(203)의 하부 SiN(203a)을 블랭킷 식각(blanket etch) 등에 의해 선택적으로 제거하여 패드 오픈부(205)를 형성한다.
한편, 본 발명의 실시예에 의한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법은 상기 마이크로렌즈(211)를 형성한 후에 상기 패드 오픈부(205)를 형성하고 있지만, 본 발명의 다른 실시예에 의한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법은 상기 패드 오픈부(205)를 먼저 형성한 후에 마이크로렌즈(211)를 형성할 수 있다.
상기와 같이 제조된 본 발명에 의한 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 각 금속 패 드(202)의 프로브 테스트(probe test)하여 접촉저항을 체크한 후, 이상이 없으면 외부 구동회로와 상기 금속 패드를 전기적으로 연결시킨다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 씨모스(CMOS) 이미지 센서의 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 금속 패드 상부의 보호막을 하부 SiN/USG/상부 SiN로 형성하고, 금속 패드를 오픈할 때 상기 보호막 중 하부 SiN만이 잔류하도록 상부 SiN/USG을 선택적으로 식각하여 금속 패드 상부에 예비 오픈부를 형성함으로써 이후 공정에서 식각액으로부터 상기 금속 패드가 부식됨을 방지하여 금속 패드의 접촉저항을 감소시킬 수 있다.
Claims (4)
- 액티브 영역과 패드 영역으로 구분되는 기판상의 패드 영역에 금속 패드를 형성하는 단계와;상기 금속 패드를 포함한 기판 전면에 하부 SiN/USG/상부 SiN이 차례로 적층된 절연막으로 보호막을 형성하는 단계와;상기 금속 패드 상부의 보호막 중 최하부 절연막의 표면까지 상측의 절연막들을 선택적으로 제거하여 예비 패드 오픈부를 형성하는 단계와;상기 기판의 액티브 영역상에 제 1 평탄화층을 형성하는 단계와;상기 제 1 평탄화층위에 칼라 필터층을 형성하는 단계와;상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 액티브 영역상에 제 2 평탄화층을 형성하는 단계와;상기 제 2 평탄화층위에 칼라 필터층과 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계와;상기 패드 영역에 잔류하는 보호막의 최하부 절연막을 블랭킷 식각하여 패드 오픈부를 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
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- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 보호막을 구성하는 적어도 2층 이상의 절연막은 서로 다른 식각 선택비를 갖는 절연막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020050100097A KR100698070B1 (ko) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
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| KR100698070B1 true KR100698070B1 (ko) | 2007-03-23 |
Family
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| KR1020050100097A KR100698070B1 (ko) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR100698070B1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020014558A (ko) * | 2000-08-18 | 2002-02-25 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 제조방법 |
| KR20030073985A (ko) * | 2002-03-14 | 2003-09-19 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
-
2005
- 2005-10-24 KR KR1020050100097A patent/KR100698070B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
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