KR100590763B1 - 이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
게이트 전극의 누설 전류를 방지할 수 있는 이종 접합을 가지는 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 HEMT의 제조방법은 절연 기판상부에 GaN 성분을 포함하는 반절연층을 형성하고, 상기 반절연층 상부에 반도체층을 형성한다음, 상기 반도체층 상부의 소정 부분에 저온 증착 방식에 의해 AlON층을 형성한다. 상기 AlON층 양측의 반도체층 상부에 오믹 콘택층을 형성하고, 상기 AlON층 상부에 쇼트키 콘택층을 형성한다.
GaN, HEMT, MISFET, AlON
Description
도 1은 본 발명에 따른 이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 각 공정별 단면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10 : 절연 기판 20 : SIGaN층
30 : AlGaN층 40 : AlON층
50 : 오믹 콘택층 60 : 쇼트키 콘택층
본 발명은 화합물 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 AlGaN/GaN 이종 접합을 갖는 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
GaN계 화합물 반도체는 열적 및 화학적 안정성, 전자 이동도 및 포화 전자 속도 및 에너지 밴드갭등의 측면에서 기존의 GaAs 및 InP계의 화합물 반도체 소자 보다 뛰어난 특성을 가지고 있다. 이에 따라, GaN계 화합물 반도체는 기존의 화합물 반도체로는 한계를 가지고 있는 분야, 예컨대, 고출력 및 고주파 특성이 요구되는 차세대 무선 통신 및 위성 통신 시스템, 및 고온 및 내열적 특성이 요구되는 엔진 제어 시스템등으로 적용 범위가 확대되고 있다.
특히, AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor:이하, HEMT)의 경우, 기존의 GaAs계 반도체 소자에 비해 높은 이차원 전자 가스(2-dimension Electron Gas, 이하 2DEG) 농도를 얻을 수 있으므로, 고주파 및 고출력 특성을 가지게 된다.
이와 같은 HEMT의 개략적인 구성은 다음과 같다.
절연 기판상에 SI-GaN층 및 AlxGa1-xN층이 적층된다. AlxGa1-x
N층의 소정 부분에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 게이트 절연막이 형성되어 있고, 게이트 절연막 상부에 쇼트키 콘택층 즉 게이트 전극이 형성된다. 쇼트키 콘택 양측의 AlxGa1-xN층 상부에는 오믹 콘택층이 형성된다.
그러나, 이러한 구성을 갖는 HEMT는 상기 SI-GaN층 및 AlxGa1-xN층 형성시, 그 내부 및 표면에 결정 결함이 발생될 확률이 높으며, 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막으로 된 게이트 절연막은 이들 결정 결함을 블록킹하지 못하고 상기 쇼트키 콘택층쪽으로 전달시킨다. 이에 따라, 이러한 결정 결함이 게이트 전극(및 게이트 산화막)에서 누설 전류원으로 동작하여, 게이트 전극에 심한 누설 전류를 유발한 다. 이로 인해, 고주파 동작시, 소자 특성이 크게 저하된다.
따라서, 본 발명의 이루고자 하는 기술적 과제는 게이트 전극의 누설 전류를 방지할 수 있는 이종 접합을 가지는 HEMT 의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 HEMT의 제조방법은 다음과 같다. 먼저, 절연 기판상부에 GaN 성분을 포함하는 반절연층을 형성하고, 상기 반절연층 상부에 반도체층을 형성한다음, 상기 반도체층 상부의 소정 부분에 저온 증착 방식에 의해 AlON층을 형성한다. 상기 AlON층 양측의 반도체층 상부에 오믹 콘택층을 형성하고, 상기 AlON층 상부에 쇼트키 콘택층을 형성한다.
상기 반절연층은 SI-GaN이고, 상기 반도체층은 AlxGa1-xN층이며, 상기 반절연층 및 반도체층은 MOCVD 방식으로 형성할 수 있다. 상기 AlON층은 ALD, PEALD, 스퍼터링 및 전자빔 이베포레이션 방법중 선택되는 하나의 방식으로 형성할 수 있다.
상기 AlON층을 형성하는 단계와, 상기 오믹 콘택층을 형성하는 단계 사이에, 상기 AlON층을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 열처리 단계는 300 내지 800ㅀC의 온도에서 0.1 내지 20분 동안 진행할 수 있다.
(실시예)
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한 다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
첨부한 도면 도 1은 본 발명에 따른 AlGaN/GaN 이종 접합 트랜지스터의 단면도이다.
도 1을 참조하여, 절연 기판(10), 예컨대, 사파이어 기판 상부에 SI-GaN층(20)이 적층되어 있다. SI-GaN층(20) 상부에 AlxGa1-xN층(30)이 적층된다. AlxGa1-xN층(30)은 예를 들어, 액티브 형태를 갖도록 패터닝되어 있다.
AlxGa1-xN층(30) 상부의 소정 부분에 게이트 절연막으로서, AlxOyNz층(40)이 형성되어 있고, AlxOyNz층(40) 양측에 오믹 콘택층(50)이 각각 형성된다. 여기서, AlxOyNz층(40)은 실리콘 산화막보다 낮은 디펙트 밀도를 갖고, 높은 절연 내압 강도를 가지며, 막질이 견고하므로, 하부의 SI-GaN층(20)내에 형성된 결정 결함 및 AlxGa1-xN층(40)의 표면 결정 결함을 용이하게 블록킹한다. 아울러, 이러한 AlxOyNz층(40)은 약 10 내지 1000Å의 두께를 갖는다. AlxOyNz층(40) 상부에 쇼트키 콘택층(60)을 형성하여, HEMT를 완성한다.
이와 같은 구조를 같은 본 발명의 HEMT의 제조방법에 대하여 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 자세히 설명하도록 한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 사파이어와 같은 절연 기판(10) 상부에 반절연층(semi-insulating layer)로서, GaN을 포함하는 층, 예컨대, SI-GaN층(20)을 형성한다. 이러한 SiGaN층(20)은 예를 들어 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 방식으로 형성한다. SiGaN층(20) 상부에 반도체층으로서, AlxGa1-xN층(30)을 형성한다. AlxGa1-xN층(30)은 상기 SI-GaN층(20)과 마찬가지로 MOCVD 방식으로 형성될 수 있다. 그후, 액티브 영역을 한정하기 위하여, AlxGa1-xN층(30)을 소정 부분 패터닝한다.
다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 액티브 형태로 패터닝된 AlxGa1-xN층(30) 상부에 게이트 절연막으로서, AlxOyNz층(40)을 형성한다. 본 실시예의 AlxOyNz층(40)은 ALD(atomic layer deposition), PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition), 스퍼터링, 및 전자빔 이베포레이션(E-beam evaporation) 방식등과 같이 저온 예를 들어 200 내지 500℃의 온도에서 진행됨이 바람직하다. 이와 같이, AlxOyNz층(40)이 저온에서 증착되면, 고온에서 증착되는 공정보다 표면 특성이 크게 개선된다. 또한, 이러한 AlxOyNz층(40)은 예컨대 약 10 내지 1000Å 두께로 형성할 수 있다. 그리고 나서, 경우에 따라, 게이트 절연막의 치밀도를 보다 개선시키기 위하여, 상기 AlxOyNz층(40)을 300 내지 800℃의 온도에서 0.1 내지 20분동안 열처리를 할 수 있다. 다음, AlxGa1-xN층(30) 상부의 소정 부분에 게이트 절연막이 존재하도록 AlxOyNz층(40)을 소정 부분 식각한다.
도 2c를 참조하여, 패터닝된 AlxOyNz층(40) 양측부에 공지의 방식으로 오믹 콘택층(50)을 형성한다음, 도 2d에 도시된 것과 같이, AlxOyNz층(40) 상부에 쇼트키 콘택층(60), 예컨대, 게이트 전극을 형성한다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 저온에서 증착된 AlxOyNz층을 HEMT의 게이트 절연막으로 이용한다. 이러한 Alx
OyNz층은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막에 비하여 낮은 디펙트 밀도를 가지면서 높은 절연 내압 강도를 가지므로, 하부층 증착시 발생된 결정 결함을 블록킹시킬 수 있다. 아울러, AlxOyN
z층은 저온에서 증착되었으므로, 표면 특성이 우수하여, HEMT의 성능을 개선시킬 수 있다.
또한, 이와 같은 특성을 갖는 AlxOyNz층을 게이트 절연막으로 사용함에 따라, 게이트 전극의 누설 전류를 감소시킬 수 있다. 따라서, 고주파 소자로 작동될 때, 소자 출력 특성을 크게 향상시킬 뿐만 아니라, 잡음의 발생을 대폭 줄여 신뢰성이 높은 RF 소자를 제조할 수 있다.
이상 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변경실시할 수 있다.
Claims (7)
- 절연 기판상부에 GaN 성분을 포함하는 반절연층을 형성하는 단계;상기 반절연층 상부에 AlGaN으로 된 반도체층을 형성하는 단계;상기 AlGaN과 직접 접촉하도록 상기 AlGaN 상부의 소정 부분에 200 내지 500℃의 저온에서 AlON층을 형성하는 단계;상기 AlON층을 열처리하는 단계;상기 AlON층 양측의 반도체층 상부에 오믹 콘택층을 형성하는 단계; 및상기 AlON층 상부에 쇼트키 콘택층을 형성하는 단계를 포함하는 HEMT의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반절연층은 SI-GaN인 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 반절연층 및 반도체층은 MOCVD 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 AlON층은 ALD, PEALD, 스퍼터링 및 전자빔 이베포레이션 방법중 선택되는 하나의 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 AlON층은 10 내지 1000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 HEMT의 제조방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 열처리 단계는 300 내지 800℃의 온도에서 0.1 내지 20분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 HEMT 제조방법.
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