CN102085520A - 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗*** - Google Patents
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- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 title 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 22
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 2-[(E)-N-[2-(4-chlorophenoxy)propoxy]-C-propylcarbonimidoyl]-3-hydroxy-5-(thian-3-yl)cyclohex-2-en-1-one Chemical compound CCC\C(=N/OCC(C)OC1=CC=C(Cl)C=C1)C1=C(O)CC(CC1=O)C1CCCSC1 KRQUFUKTQHISJB-YYADALCUSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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Abstract
本发明是一种新型的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,包括高压电极、介质阻挡层、接地电极、电源、移动机械手以及进气和排气***。该***的特性在于高压电极和地电极分别由介质阻挡层包裹,在常压下即可在高压电极和接地电极的间隙中发生放电,产生等离子体,在一定压力的气流带动下,放电区所产生的高活性自由基由扁口型喷口喷射出来,在喷射到需要处理的物体表面时,去除物体表面的有机物质。本发明产生的活性自由基可用于硅片无损伤去胶和有机物清洗。
Description
技术领域
本发明涉及到一种新型的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,尤其指该***是高压电极和地电极分别贴附在形状为L形的两个介质阻挡层两侧,在该两个介质阻挡层之间设有一个放电间隙,自由基是由放电间隙产生的,并通过一定气压的气流携带喷出,形成一个扁平肯口的高浓度活性基团束流,用来对硅片上的光刻胶及有机物进行扫描清洗。
背景技术
随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的无损伤清洗的要求也越来越高。在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出管子来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。因此对硅片进行无损伤的清洗有着重要的意义。
目前常用的去胶和清洗方法,由湿法和干法两种方式。湿法清洗湿法清洗存在许多的缺点:例如:(1)不能精确控制;(2)清洗不彻底,需反复清洗;(3)容易引入新的杂质;(4)对残余物不能处理;(5)污染环境,需对废液进行处理;(6)消耗大量的酸和水。在等离子体的干法清洗工艺中,不使用任何化学溶剂,因此基本上无污染物,有利于环境保护。此外,其生产成本较低,清洗具有良好的均匀性和重复性、可 控性,易实现批量生产。但目前常用的干法去胶和清洗设备,是在真空状态下,使用等离子体对硅片表面直接清洗,这样等离子体中的离子会对硅片表面的刻蚀线条造成很大的损伤,不在适用于32nm及以下节点技术,并且,由于它使用的是真空***,这就会使得设备成本高昂,操作繁琐。
近几年,人们开始在大气压下进行光刻胶清洗的实验设备和工艺研究,但是,目前所采用的等离子体发生器,都是采用射频放电的形式,工作气体只能是采用氦与氧,或氩与氧的混合气体,其中氧气所占的比例是小于3%。由于大量采用惰性气体,致使工作气体的应用成本很高。
此外,近来人们采用的介质阻挡等离子体发生器,一般是采用单介质阻挡的等离子体发生器,其中一个电极是采用金属电极,容易造成电极烧蚀后,带来清洗时的电极污染。
本发明设计了常压下产生自由基的装置,是采用双介质阻挡的等离子体放电形式,两个放电电极都被介质包覆,不会带来电极烧蚀问题。所产生的自由基束流清洗,对硅片的表面器件几乎不会带来任何损伤。
发明内容
一种新型的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,包括一个壳体、高压电极、介质阻挡层、接地电极、电源、移动机械手以及进气和排气***。该***的特性在于在一个长方形的壳体内设有一个 高压电极和地电极,该两个电极之间设有两个介质阻挡层,在该两个介质阻挡层之间设有一个放电间隙产生等离子体,在一定压力的气流带动下,放电间隙所产生的高活性自由基由扁口型喷口喷射出来,在喷射到需要处理的物体表面时,去除物体表面的有机物质。本发明产生的活性自由基可用于硅片无损伤去胶和有机物清洗。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:在高压电极和地电极之间设有两个介质阻挡层,该两个介质阻挡层的形状都为L形,在该两个介质阻挡层之间设有一个放电间隙,该间隙的尺度范围是0.5-5毫米。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:两个介质阻挡层之间的放电间隙的一端通过气管与供气源贯通,另一端形成一个长条形喷口,在放电间隙的两侧设有绝缘材料密封。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该高压电极与地电极分别帖覆在两个介质阻挡层的两侧,高压电极与一个高频高压电源连接,地电极与壳体连接并接大地。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该高频高压电源的输出峰-峰电压值大于3000伏。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:放电区所采用的气体是氩氧混合气体、也可以是氧气或是洁净的空气,气体的流量是大于5升/分钟。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该自由基发生器***由机械手控制可以实现三维的移动。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该***设有排气罩和排气管道,使剩余的自由基束流和与有机物反应后的产物排出。
所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该硅片衬底下设有加热装置,在清洗时,硅片的温度可以被加热到200℃以内。
本发明的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其优点是:1,采用双介质阻挡形式放电,能在常压下产生准辉光的放电,更有利于产生高自由基浓度的等离子体。2,不会带来金属电极放电时所引起的电极烧蚀污染。3,采用高频电源放电,与相同功率的射频电源比较价格便宜。4,采用能在具有三个自由度的机械手装置,能对8英寸及以上的硅片表面进行均匀的扫描去胶和清洗。5,该***不需要抽真空,提高了生产效率,较低了生产成本。
本发明的主要用途是用在集成电路制造工艺中,在单片硅片清洗时,清洗硅片上的光刻胶和有机污染物。此外,它也可用于对其它物理表面的有机物清洗。
说明书附图
图1本发明的正面结构剖视示意图。
图2本发明的等离子体发生器俯视剖视图。
请参阅图1图2,本发明常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,包括一个壳体100、高压电极101、介质阻挡层105、接地电 极104、电源103、机械手支架205、移动机械手204、供气源102、排气罩110、硅片202、加热器203等。
等离子体发生器壳体100内设有一个高压电极101和一个地电极104,在该两个电极之间设有两个介质阻挡层105,在该两个介质阻挡层105之间设有一个放电间隙107产生等离子体,在一定压力的气流带动下,放电间隙107所产生的高活性自由基由扁口型喷口109喷射出来。
供气源102提供的洁净气体通过进气通道112进入到等离子体发生器的空隙107中,受激发电离产生等离子体和自由基,该等离子体在离开放电区后经过碰撞复合成自由基束流,并以一定的速度喷射到硅片202表面的光刻胶201上,与光刻胶进行反应形成C2O和H2O等反应副产物,并由排气罩110和与其连接的排气管道108排出。
电源103采用高频高压电源来激发放电,放电时的峰峰电压是大于3000伏,放电是在常压下进行。可以通过控制电源功率和气体流量来控制喷出的自由基束流。
在清洗过程中,硅片202的温度是可以被加热器203加热到200℃的范围内。通过加热硅片202的温度,可以提高反应清洗速度。
参阅图1和图2,高压电极101和地电极104是平板型,L型的介质阻挡材料105是分别包覆在两个电极的相对一侧和喷口的端部,采用绝缘材料106固定电极、绝缘介质和壳体,并在电极的两侧隔离两个介质阻挡材料形成放电的间隙107,喷口的形状为扁口形。
等离子体发生器壳体100,机械手204、机械手滑动杆206和支 架205,以及高压电极101和接地电极104是采用金属导电材料制成;绝缘连接材料106是由聚四氟材料制成、介质阻挡层105是由石英材料制成;排气管道125以及排气罩126是由有机材料制成。
上面参考附图结合具体的实施例对本发明进行了描述,然而,需要说明的是,对于本领域的技术人员而言,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对上述实施例作出许多改变和修改,这些改变和修改都落在本发明的权利要求限定的范围内。
Claims (9)
1.一种新型的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,包括一个壳体、高压电极、介质阻挡层、接地电极、电源、移动机械手以及进气和排气***。该***的特性在于在一个长方形的壳体内设有一个高压电极和地电极,该两个电极之间设有两个介质阻挡层,在该两个介质阻挡层之间设有一个放电间隙产生等离子体,在一定压力的气流带动下,放电间隙所产生的高活性自由基由扁口型喷口喷射出来,在喷射到需要处理的物体表面时,去除物体表面的有机物质。本发明产生的活性自由基可用于硅片无损伤去胶和有机物清洗。
2.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:在高压电极和地电极之间设有两个介质阻挡层,该两个介质阻挡层的形状都为L形,在该两个介质阻挡层之间设有一个放电间隙,该间隙的尺度范围是0.5-5毫米。
3.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:两个介质阻挡层之间的放电间隙的一端通过气管与供气源贯通,另一端形成一个长条形喷口,在放电间隙的两侧设有绝缘材料密封。
4.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该高压电极与地电极分别帖覆在两个介质阻挡层的两侧,高压电极与一个高频高压电源连接,地电极与壳体连接并接大地。
5.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该高频高压电源的输出峰-峰电压值大于3000伏。
6.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:放电区所采用的气体是氩氧混合气体、也可以是氧气或是洁净的空气,气体的流量是大于5升/分钟。
7.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该自由基发生器***由机械手控制可以实现三维的移动。
8.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该***设有排气罩和排气管道,使剩余的自由基束流和与有机物反应后的产物排出。
9.如权利1所述的常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗***,其特性在于:该硅片衬底下设有加热装置,在清洗时,硅片的温度可以被加热到200℃以内。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009102496104A CN102085520A (zh) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009102496104A CN102085520A (zh) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗*** |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102085520A true CN102085520A (zh) | 2011-06-08 |
Family
ID=44097668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009102496104A Pending CN102085520A (zh) | 2009-12-04 | 2009-12-04 | 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗*** |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102085520A (zh) |
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C06 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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