KR100499136B1 - 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법 - Google Patents

전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100499136B1
KR100499136B1 KR10-2002-0080059A KR20020080059A KR100499136B1 KR 100499136 B1 KR100499136 B1 KR 100499136B1 KR 20020080059 A KR20020080059 A KR 20020080059A KR 100499136 B1 KR100499136 B1 KR 100499136B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic
layer
delete delete
probe
hot electrons
Prior art date
Application number
KR10-2002-0080059A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040053499A (ko
Inventor
김성동
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0080059A priority Critical patent/KR100499136B1/ko
Priority to US10/456,634 priority patent/US7577078B2/en
Priority to CNA03148462XA priority patent/CN1508775A/zh
Priority to CNA2006100591098A priority patent/CN1831986A/zh
Priority to CNA2006100591100A priority patent/CN1831950A/zh
Priority to CNB2006100591115A priority patent/CN100419855C/zh
Priority to JP2003416091A priority patent/JP2004199857A/ja
Publication of KR20040053499A publication Critical patent/KR20040053499A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100499136B1 publication Critical patent/KR100499136B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/24—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by near-field interactions
    • G11B11/26—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by near-field interactions using microscopic probe means, i.e. recording by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in scanning tunneling microscopy [STM] or atomic force microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/676—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer
    • G11B5/678—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having magnetic layers separated by a nonmagnetic layer, e.g. antiferromagnetic layer, Cu layer or coupling layer having three or more magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1409—Heads
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

스핀-의존 산란을 이용한 자성매체 및 정보재생장치 및 정보재생방법을 개시한다. 개시된 정보재생장치는, 반도체 팁에 비자성 금속층이 캡핑된 쇼트키 접합을 가지고 쇼트키 접합을 통해 열전자를 방출하는 탐침과, 기판과 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층과 비자성층의 상부에 적층되고 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체와, 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부 및, 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 기록매체의 전류를 검출하여 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부를 구비한다. 개시된 자성매체 및 정보재생장치 및 정보재생방법은 열전자의 스핀-의존 산란을 이용하여 대용량의 메모리를 실현할 수 있으며 고해상도 및 고속으로 자성매체의 정보를 재생할 수 있다는 것이다.

Description

전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체 정보재생장치 및 재생방법{Magnetic medium using electron spin-dependent scattering and apparatus of reading data from the same and method thereof}
본 발명은 자성매체 및, 자성매체의 정보재생장치 및, 재생방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및, 자성매체의 정보재생장치 및, 재생방법에 관한 것이다.
종래의 정보저장기기에서 자성매체를 기록매체로 사용하는 경우 크게 두 가지 방법을 이용하여 자성매체의 정보를 재생한다. 첫 번째 방법은 자성매체에서 방출되는 자기장을 검출하는 방법이고, 두 번째 방법은 광자기 효과를 이용하는 방법이다. 이러한 두 방법은, 최근 기록밀도를 증가시킴에 따라 정보기록의 최소단위인 비트의 크기가 감소하게 되자 기술적인 문제점을 드러내고 있다. 예를 들어, 자성매체의 방출되는 자기장을 검출하여 정보를 재생하는 방법은 비트의 크기 감소에 따라 자기장 센서의 크기를 축소시키는 연구가 진행중이지만, 센서의 크기를 축소시키는 것은 한계가 있으며, 또한 비트의 크기가 감소하면서 출력신호가 감소하여 이를 증폭시키는데도 한계가 있다. 광자기 효과를 이용한 재생방법의 경우에는 해상도가 광의 파장에 의해 결정되기 때문에 적용할 수 있는 기록밀도에 제한이 따른다.
이러한 종래 기술의 기술적인 문제점을 극복하기 위하여 미국특허 제6,304,481호에서는 스핀 분극된 전자를 사용한 정보 저장장치 및 방법을 제안하고 있다.
도 1은 상기 미국특허에 개시된 정보저장장치를 보인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 미국특허에 개시된 정보저장장치에는, 제어 장치(1), 팁(2b)을 가지는 스핀-분극된 전자 소스(40), 익스트랙터(4), 콜리메이터(6, 7, 9), 정전형 렌즈(10, 11, 12) 및, 절연소자(5, 8)가 구비된다. 상기 정보저장장치는 또한 블랭킹 소자(13), 성글고 미세한 마이크로편향기(14, 15), 전자 검출기(16), 정보저장층(17) 및, 기판(18)을 구비한다.
제어 장치(1)는 ADDRESS IN, DATA IN, DATA OUT을 통해 외부 장치의 제어 신호 및 정보를 수신하고 필요한 프로토콜을 이용하여 해독한 다음, 제어 응답 및 정보를 다시 송신한다.
전자 소스(40)는 스핀 분극된 전자(3)를 제공하고, 팁(2b)은 스핀 분극된 전자를 집속한다. 익스트랙터(4)는 스핀 분극된 전자(3)를 팁(2b)으로부터 추출하고, 콜리메이터(6, 7, 9)는 스핀 분극된 전자(3)를 스핀 분극된 전자빔(19)으로 집속한다. 정전형 렌즈(10, 11, 12)는 스핀-분극된 전자빔(19)을 포커싱하고 마이크로편향기(14, 15)는 상기 전자빔(19)을 정보가 저장될 정보저장층(17)의 일부분내 생성되는 자기장으로 편향시킨다.
정보저장층(17)은 복수의 정렬 영역(22)을 포함하고 절연체(28)에 의해 정보저장층(17)으로부터 절연되는 도전부재(27)를 구비한다.
제어장치(1)는 전자 소스(40)에 전압(V1)을 인가하고, 전압(V2-V5)를 스핀 분극된 전자(3)와 스핀 분극된 전자빔(19)의 원하는 특성을 얻기 위해 인가한다. 전압(V6-V8)은 제어장치(1)에 의해 정전형 렌즈(10, 11, 12)에 인가되어 렌즈 개구를 통과하는 전기장을 생성한다. 전압(V12-V19)은 제어장치(1)에 의해 스티그메이터(stigmator) 소자(25)의 일단에 인가된다. 제어장치(1)는 신호(S19)를 전자 소스(40)에 인가하여 전자(3)의 스핀 분극 방향을 결정하고, 신호(S2-S17)를 편향기(14, 15)에 인가하여 전자빔(19)을 편향시킨다. 또한, 제어장치(1)는 신호(S1)를 블랭킹 소자(13)에 인가하고 신호(S18, S20)를 번갈아 검출하여 정보를 재생한다.
상기 미국특허에 개시된 정보저장 및 재생장치는 전자빔을 특정 정보영역에 집중시키기 위해 전압을 미세하게 조절하여야 하므로 제어하기가 용이하지 아니할 뿐만 아니라 전자빔을 매체에 주사하기 위해 비전도성 공간을 유지하여야 하므로 그 효율이 떨어져 정보를 재생하는 검출신호를 정밀하게 출력하기가 어려운 한계가 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 전자의 스핀-의존 산란 현상을 이용한 고밀도 대용량의 자성매체와, 상기 자성매체에 기록된 정보를 전자를 주입하는 탐침을 이용하여 고속으로 재생하는 정보재생장치와 정보재생방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은,
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
반도체 팁에 비자성 금속층이 캡핑된 쇼트키 접합을 통해 열전자를 방출하는 탐침;
기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
열전자를 방출하는 반도체 팁을 구비하는 탐침;
기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치를 제공한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은 또한,
전자가 터널링하며 열전자로 변화하는 옥사이드층이 캡핑된 반도체 팁을 구비하는 탐침;
기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향과 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치를 제공한다.
상기 제1자성층의 하부 또는 제2자성층의 상부에 비자성 금속층을 더 구비할 수 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2자성층은 수평자기이방성 또는 수직자기이방성을 가진다.
상기 제1 및 제2자성층은 비트가 연속적인 박막층이거나, 층의 일부 또는 전체가 패터닝될 수 있다.
상기 제1 및 제2자성층은 비트가 나노입자로 이루어질 수 있다.
상기 제1 및 제2자성층은 복수의 자성층으로 이루어질 수 있다.
상기 비자성층은 금속층이다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명은 또한, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여,
탐침을 통해 열전자를 자성기록매체에 주입하는 제1단계;
상기 열전자가 상기 자성기록매체의 제1 및 제2자성층의 평행 또는 반평행한 자화방향에 따라 산란되어 생성하는 전류를 검출하는 제2단계; 및
상기 전류가 기준값을 초과하면 제1이진값으로 설정하고, 기준값 이하이면 제2이진값으로 설정하여 상기 자성매체의 정보를 재생하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법을 제공한다.
여기서, 상기 자성기록매체는,
기판;과 상기 기판 상부에 적층되는 제1자성층;과 상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층; 및 상기 비자성층의 상부에 적층되고, 자화 방향이 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행하게 변화하는 제2자성층;을 구비한다.
상기 자성기록매체는, 상기 제1자성층의 하부 또는 제2자성층의 상부에 비자성 금속층을 더 구비할 수 있다.
상기 탐침은 쇼트키 접합을 이루도록 비자성 금속층이 캡핑된 반도체 팁을 가지거나, 전자가 터널링하여 열전자로 형성되는 옥사이드층이 캡핑된 반도체 팁을 가질 수 있다. 또는, 상기 탐침은 열전자를 방출하는 반도체 팁을 가질 수 있다.
이 경우, 상기 자성기록매체는, 상기 제2자성층의 상부에 전자가 터널링하여 열전자로 변화하는 옥사이드층을 더 구비할 수 있다.
상기 탐침이 도전성 팁을 가지는 경우, 상기 비자성층은 전자가 터널링하여 열전자로 변화하는 옥사이드층을 가질 수 있다.
상기 탐침은 도전성 팁을 가질 수 있다.
본 발명은 열전자(Hot-electron)를 방출하는 탐침을 이용하여 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 적어도 두 자성층을 구비하는 자성매체를 제공하고, 상기 자성매체에 열전자를 주입하고 전자의 스핀 의존 산란 현상에 따라 검출되는 전류를 측정함으로써 상기 자성매체의 정보를 재생하는 정보재생장치 및 정보재생방법을 제공한다.
이하 본 발명의 실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치 및 정보재생방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체 및 이를 재생하는 정보재생장치를 간략히 보이는 구성도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체는, 기판(115d)과, 기판(115d)의 상면에 적층되고 수평자기이방성의 연속비트를 가지는 제1자성층(115c)과, 제1자성층(115c)의 상면에 적층되는 비자성 금속층(115b)과, 비자성 금속층(115b)의 상면에 적층되고 제1자성층(115c)의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 수평자기 이방성의 연속비트를 가지는 제2자성층(115a)을 구비한다. 여기서, 비자성 금속층(115b)은 접지한다. 제1 및 제2자성층(115c)(115a)은 일부 또는 전체가 패터닝될 수 있다. 기판(115a)은 반도체 기판이다.
상기 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체를 재생하는 정보재생장치는, 반도체 팁(111a)에 비자성 금속층(113)이 캡핑된 쇼트키 접합이 형성된 탐침(111)과, 탐침(111)이 열전자를 방출하도록 탐침(111)에 적정 전압을 인가하는 제어부(117)와, 탐침(111)을 통해 자성매체(115)에 주입된 열전자가 흐르면서 발생하는 전류를 검출하여 자성매체(115)의 정보를 재생하는 측정부(119)를 구비한다. 여기서, 참조부호 111b는 팁(111a)이 말단에 위치하는 캔티레버(111b)로서 제어부(117)의 신호에 따라 탐침(111)을 이동시킨다.
탐침(111)에 음극을 연결하면 음극으로부터 방출되는 전자가 탐침(111)의 팁(111a)으로 주입된다. 팁(111a)과 팁(111a)의 두부에 캡핑된 비자성 금속층(113)사이의 쇼트키 접합(Schottky junction)에 의해 팁(111a)과 비자성 금속층(113)사이의 계면에는 에너지 장벽, 즉 쇼트키 장벽이 형성된다. 팁(111a)에서 방출된 전자는 상기 쇼트키 장벽을 통과하여야 하므로, 페르미 에너지 준위보다 1eV 정도 높은 에너지를 가지는 비평형 열전자(hot electron)로 생성된다. 탐침(111)으로부터 방출된 열전자는 자성매체(115)로 주입되는데, 자성매체(115)를 통과하면서 열전자는, 열전자의 스핀 상태와 제1 및 제2자성층(115c)(115a)의 자화방향에 따라 상이하게 산란된다.
열전자는 제1 및 제2자성층(115c)(115a)을 통과하면서 열전자의 운동량 뿐만 아니라 에너지를 변화시키는 탄성 또는 비탄성 산란을 하게 된다. 열전자의 스핀과 자성매체(115)의 자화방향이 같을 경우 산란을 작게 하지만, 자화방향이 상이할 경우 산란을 많이 하게 되어 열전자의 에너지가 현저히 감소되게 된다. 제1자성층(115a)과 반도체 기판(115d) 사이의 계면에는 에너지 장벽이 형성되는데, 산란을 많이 겪은 열전자는 상기 에너지 장벽을 넘지 못하고, 산란을 적게 겪은 열전자는 상기 에너지 장벽을 넘을 수 있어 나타내는 전류량이 서로 상이하게 된다.
제1자성층(115c)과 제2자성층(115a)의 특정 비트의 자화방향이 평행(parallel)한 경우 일 스핀방향의 열전자들은 제1자성층(115c)과 제2자성층(115a)을 모두 통과하여 측정부(119)에 전류량이 크게 검출되지만, 제1자성층(115c)과 제2자성층(115a)의 특정 비트의 자화방향이 반평행(antiparallel)한 경우 모든 열전자는 각각 그 스핀 상태와 반대방향의 자화방향을 가지는 자성층을 통과하면서 많은 산란을 겪게 되어 측정부(119)에 검출되는 전류량은 감소된다. 측정부(119)에 검출되는 전류량이 소정 기준값보다 큰 경우 이진값 1로 두고 기준값보다 작은 경우 이진값 0으로 두거나, 그 역으로 값을 설정하면, 자성매체(115)의 소정 영역에 기록된 정보를 재생할 수 있다. 여기서, 전류는 그 방향이 역으로 인가되어 동일하게 자성매체의 정보를 재생할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체와 이를 재생하는 정보재생장치를 간략히 보인 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체(125)는, 기판(125d)의 상면에 제1자성층(125c), 비자성 금속층(125b) 및, 제2자성층(125a)이 순서대로 적층되어 있으며, 제1 및 제2자성층(125c)(125a)은 수직자기이방성을 가지는 연속박막층으로 형성된다. 여기서, 제1 및 제2자성층(125c)(125a)은 일부 또는 전체가 패터닝될 수 있다.
본 발명의 제2실시예에 따른 정보재생장치는, 본 발명의 제1실시예에 따른 정보재생장치와 동일하게 탐침(121)과, 탐침(121)에 전압을 인가하고 캔티레버(121b)의 위치를 이동하는 신호를 출력하는 제어부(117)와, 자성매체(125)를 통과하는 열전자의 산란정도에 따라 달라지는 전류량을 검출하여 정보를 재생하는 측정부(119)를 구비한다. 다만, 탐침(121)은 본 발명의 제1실시예에 따른 정보재생장치에 구비되는 탐침(111)과 달리, 쇼트키 접합 대신 팁(121a)의 두부에 옥사이드층(123)이 얇게 캡핑되어 전자가 터널링함으로써 열전자를 생성하는 점이 상이하다.
본 발명의 제2실시예에 따른 정보재생장치를 이용하여 정보를 재생하는 방법도 본 발명의 제1실시예에 따른 정보재생장치와 동일하게 제1자성층(125c)과 제2자성층(125a)의 자화방향의 평행 또는 반평행에 의존하는 열전자의 전류량을 검출하는 방법을 이용한다. 즉, 특정 스핀 상태의 열전자는 제1자성층(125c)과 제2자성층(125a)의 자화방향이 평행한 경우 적게 산란되고, 제1자성층(125c)과 제2자성층(125a)의 자화방향이 반평행한 경우 많이 산란되므로, 이러한 산란 정도에 따라 상이하게 측정되는 전류량을 기준으로 1 또는 0의 정보를 설정함으로써 자성매체(125)의 정보를 재생한다. 여기서, 전류는 그 방향이 역으로 인가되어 동일하게 자성매체의 정보를 재생할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 자성매체와 이를 재생하는 정보재생장치를 간략히 보인 구성도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 자성매체(135)는, 기판(135d)과, 기판(135d)의 상면에 순서대로 적층되는 제1자성층(135c), 비자성 금속층(135b) 및, 제2자성층(135a)을 구비한다. 제1자성층(135c)과 제2자성층(135a)은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 자성매체(115, 125)와 달리, 연속박막층이 아닌 나노입자가 비트를 형성하고 있으며, 수직자기이방성을 가진다. 나노입자를 가지는 제1 및 제2자성층(135c)(135a)은 진공 증착법을 이용하거나, 화학적인 방법을 통해 형성될 수 있다. 화학적인 방법은 예를 들어, Pt(acac)2(acac=acetylacetonate, CH3COCHCOCH3)를 디올로 환원시키고 Fe(CO) 5를 고온에서 분해하여 FePt 나노입자를 형성한 다음, 열처리(thermal annealing)을 통해 FePt 자성층을 형성하는 방법 등을 이용하여 제1 및 제2자성층(135c)(135a)을 형성할 수 있다.
본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 자성매체(115, 125, 135)의 제1자성층(115c, 125c, 135c)의 하부 또는 제2자성층(115a, 125a, 135a)의 상면에는 비자성 금속층이 더 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 제1 내지 제3실시예에 따른 자성매체(115, 125, 135)의 제1자성층(115c, 125c, 135c) 또는 제2자성층(115a, 125a, 135a)은 복수의 자성층으로 형성될 수 있다.
본 발명의 제3실시예에 따른 정보재생장치는, 반도체 팁(131a)과 반도체 팁(131a)이 말단에 마련된 캔티레버(131b)를 가지는 탐침(131)을 구비한다. 제어부(117)와 측정부(119)의 기능은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 정보재생장치에서 상술한 바와 동일하다. 여기서, 전류는 그 방향이 역으로 인가되어 동일하게 자성매체의 정보를 재생할 수 있다.
제어부(117)는 탐침(131)에 소정 전압을 인가하고 인가된 전압에 의해 팁(131a)을 통해 페르미 에너지 준위보다 높은 에너지를 가지는 열전자가 방출된다. 열전자는 제1자성층(135c)과 제2자성층(135a)의 나노입자로 이루어진 각 비트의 자화방향의 평행 또는 반평행 여부에 따라 산란 정도가 달라진다. 본 발명의 제3실시예에 따른 정보재생장치를 이용한 정보재생방법은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 정보재생장치를 이용한 정보재생방법과 동일하다.
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 자성매체와 이를 재생하는 정보재생장치를 간략히 보인 구성도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제4실시예에 따른 자성매체는, 기판(145d)과, 기판(145d)의 상면에 순서대로 적층되는 제1자성층(145c), 비자성 금속층(145b), 제2자성층(145d) 및, 옥사이드층(144)을 구비한다. 제1자성층(145c) 및 제2자성층(145d)은 수평자기 이방성을 가지고 박막층의 일부가 패터닝되어 있다. 옥사이드층(144)은 전자가 터널링하여 열전자로 생성되는 터널로 기능한다.
본 발명의 제4실시예에 따른 정보재생장치는, 도전성 팁(141a)과 캔티레버(141b)를 구비하는 탐침(141)을 구비한다. 도전성 팁(141a)을 통해 방출되는 전자는 옥사이드층(144)을 터널링하면서 에너지가 상승되어 열전자로 변화한다. 제어부(117)와 측정부(119)의 기능은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 정보재생장치에서 상술한 바와 동일하며, 자성매체(145)에 기록된 정보를 재생하는 방법도 동일하다.
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 자성매체 및 이를 재생하는 정보재생장치를 간략히 보인 구성도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제5실시예에 따른 자성매체는, 기판(155d)과, 기판(155d)의 상면에 적층되는 제1자성층(155c)과, 제1자성층(155c)의 상면에 적층되는 옥사이드층(154)과, 옥사이드층(154)의 상면에 적층되는 제2자성층(155a)을 구비한다. 제1자성층(155c)과 제2자성층(155a)은 수직자기이방성을 가지고 박막층의 일부가 패터닝되어 있다.
본 발명의 제5실시예에 따른 자성매체를 재생하는 정보재생장치는, 도 5에 도시된 본 발명의 제4실시예에 따른 정보재생장치와 동일하다. 본 발명의 제5실시예에 따른 정보재생장치를 이용하여 정보를 재생하는 방법은 본 발명의 제4실시예에 따른 정보재생장치와 동일하게 도전성 팁(141a)을 통해 방출되는 전자는 옥사이드층(154)을 터널링하면서 에너지가 상승되어 열전자로 변화한다. 제어부(117)와 측정부(119)의 기능은 본 발명의 제1 및 제2실시예에 따른 정보재생장치에서 상술한 바와 동일하며 자성매체(155)에 기록된 정보를 재생하는 방법도 동일하다.
본 발명의 제1 내지 제4실시예에 따른 자성매체는 제1 및 제2자성층을 복수의 자성 박막층으로 구성할 수 있으며 상술한 바와 같은 동일한 정보재생방법을 적용하여 소정 기준값보다 큰 전류값을 1(또는 0)으로 설정하고 기준값보다 작은 전류값을 0(또는 1)으로 설정할 수 있다.
본 발명의 자성매체는 자화방향을 평행 또는 반평행으로 형성시켜 대용량의 메모리를 가지도록 구성될 수 있다. 탐침을 이용하는 정보재생장치에서, 해상도는 주로 탐침의 크기에 의해 결정된다. 본 발명의 정보재생장치 및 재생방법은, 열전자를 주입한 다음 스핀-의존 산란 현상에 따른 전류값의 변화를 측정하므로, 구비되는 탐침을 나노미터 크기로 제조하여 수 나노미터 크기의 비트 정보를 읽을 수 있으며 탐침에 전자 주입기능만을 부여함으로써 탐침을 간단히 제조할 수 있다. 또한 전류 검출방식이므로 고속으로 정보를 재생할 수 있으며 주변 회로 및 전체 시스템 구성이 용이하다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다.
예를 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상에 의해 복수의 자성층의 평행 또는 반평행에 따라 전자가 스핀 산란됨으로써 검출되는 전류값을 멀티 레벨로 설정하여 대용량의 정보를 제공할 수도 있을 것이다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 자성매체의 장점은, 대용량의 메모리를 구현할 수 있다는 것이다.
또한 본 발명에 따른 자성매체를 재생하는 정보재생장치 및 방법의 장점은, 간단히 제조되는 탐침을 이용하여 열전자를 주입함으로써 고해상도 및 고속으로 자성매체의 정보를 재생할 수 있다는 것이다.
도 1은 미국특허 제6,304,481호에 개시된 정보저장장치를 보인 도면,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치를 간략히 보인 구성도,
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치를 간략히 보인 구성도,
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치를 간략히 보인 구성도,
도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치를 간략히 보인 구성도,
도 6은 본 발명의 제5실시예에 따른 자성매체 및 정보재생장치를 간략히 보인 구성도.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
111, 121, 131, 141 ; 탐침 111a, 121a, 131a, 141a ; 팁
111b, 121b, 131b, 141b ; 캔티레버
113, 115b, 125b, 135b ; 비자성 금속층
123, 144, 154 ; 옥사이드층
115, 125, 135, 145, 155 ; 자성매체
115a, 125a, 135a, 145a, 155a ; 제2자성층
115c, 125c, 135c, 145c, 155c ; 제1자성층
115d, 125d, 135d, 145d, 155d ; 기판

Claims (42)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 반도체 팁에 비자성 금속층이 캡핑된 쇼트키 접합을 통해 열전자를 방출하는 탐침;
    기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
    상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
    상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  13. 열전자를 방출하는 반도체 팁을 구비하는 탐침;
    기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
    상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
    상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  14. 전자가 터널링하며 열전자로 변화하는 옥사이드층이 캡핑된 반도체 팁을 구비하는 탐침;
    기판과, 상기 기판의 상부에 적층되는 제1자성층과, 상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층과, 상기 비자성층의 상부에 적층되고 상기 제1자성층의 자화방향과 평행 또는 반평행한 자화방향을 가지는 제2자성층을 구비하는 자성매체;
    상기 탐침이 열전자를 방출하도록 전압을 인가하는 제어부; 및
    상기 제1 및 제2자성층의 자화방향의 평행 또는 반평행 상태에 따라 변화하는 상기 기록매체의 전류를 검출하여 상기 자성매체에 기록된 정보를 재생하는 측정부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  15. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1자성층의 하부에 비자성 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  16. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2자성층의 상부에 비자성 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  17. 제 12 항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2자성층은 수평자기이방성 또는 수직자기이방성을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  18. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2자성층은 비트가 연속적인 박막층인 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  19. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2자성층은 층의 일부 또는 전체가 패터닝된 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  20. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2자성층은 비트가 나노입자로 이루어지는 박막층인 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  21. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2자성층은 복수의 자성층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  22. 제 12 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비자성층은 금속층인 것을 특징으로 하는 정보재생장치.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 탐침을 통해 열전자를 자성기록매체에 주입하는 제1단계;
    상기 열전자가 상기 자성기록매체의 제1 및 제2자성층의 평행 또는 반평행한 자화방향에 따라 산란되어 생성하는 전류를 검출하는 제2단계; 및
    상기 전류가 기준값을 초과하면 제1이진값으로 설정하고, 기준값 이하이면 제2이진값으로 설정하여 상기 자성매체의 정보를 재생하는 제3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 자성기록매체는,
    기판;
    상기 기판 상부에 적층되는 제1자성층;
    상기 제1자성층의 상부에 적층되는 비자성층; 및
    상기 비자성층의 상부에 적층되고, 자화 방향이 상기 제1자성층의 자화방향에 평행 또는 반평행하게 변화하는 제2자성층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 자성기록매체는,
    상기 제1자성층의 하부에 비자성 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 자성기록매체는,
    상기 제2자성층의 상부에 비자성 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  36. 제 32 항에 있어서,
    상기 탐침은 쇼트키 접합을 이루도록 비자성 금속층이 캡핑된 반도체 팁을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  37. 제 32 항에 있어서,
    상기 탐침은 전자가 터널링하여 열전자로 형성되는 옥사이드층이 캡핑된 반도체 팁을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  38. 제 32 항에 있어서,
    상기 탐침은 열전자를 방출하는 반도체 팁을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  39. 제 33 항에 있어서, 상기 자성기록매체는,
    상기 제2자성층의 상부에 전자가 터널링하여 열전자로 변화하는 옥사이드층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 탐침은 도전성 팁을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  41. 제 33 항에 있어서,
    상기 비자성층은 전자가 터널링하여 열전자로 변화하는 옥사이드층인 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
  42. 제 41 항에 있어서,
    상기 탐침은 도전성 팁을 가지는 것을 특징으로 하는 정보재생방법.
KR10-2002-0080059A 2002-12-14 2002-12-14 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법 KR100499136B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0080059A KR100499136B1 (ko) 2002-12-14 2002-12-14 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법
US10/456,634 US7577078B2 (en) 2002-12-14 2003-06-09 Magnetic recording medium and apparatus and method for reading data from the magnetic recording medium using parallel and anti-parallel magnetization direction in separate magnetic layers
CNA03148462XA CN1508775A (zh) 2002-12-14 2003-06-30 利用电子自旋相关的散射读取数据的介质、装置及其方法
CNA2006100591098A CN1831986A (zh) 2002-12-14 2003-06-30 利用电子自旋相关的散射读取数据的装置及其方法
CNA2006100591100A CN1831950A (zh) 2002-12-14 2003-06-30 磁记录介质和利用电子自旋相关的散射读取数据的装置
CNB2006100591115A CN100419855C (zh) 2002-12-14 2003-06-30 利用电子自旋相关的散射读取数据的装置及其方法
JP2003416091A JP2004199857A (ja) 2002-12-14 2003-12-15 電子のスピン依存散乱を利用した磁性記録媒体および磁性記録媒体のデータ再生装置およびデータ再生方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0080059A KR100499136B1 (ko) 2002-12-14 2002-12-14 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040053499A KR20040053499A (ko) 2004-06-24
KR100499136B1 true KR100499136B1 (ko) 2005-07-04

Family

ID=32501421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0080059A KR100499136B1 (ko) 2002-12-14 2002-12-14 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7577078B2 (ko)
JP (1) JP2004199857A (ko)
KR (1) KR100499136B1 (ko)
CN (4) CN1508775A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4102280B2 (ja) * 2002-10-14 2008-06-18 三星電子株式会社 スピン分極電子を用いた磁性媒体及び磁性媒体への情報記録装置及び記録方法
US20060228586A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Seagate Technology Llc Ferromagnetically coupled magnetic recording media
US20090155627A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Discrete track media with a capped media structure having high moment and exchange
CN104094349B (zh) 2011-12-05 2016-08-24 瓦里安半导体设备公司 写入头、磁性存储装置及在磁性存储装置记录数据的方法
US8933522B2 (en) * 2012-09-28 2015-01-13 Intel Corporation Repeated spin current interconnects
KR102073368B1 (ko) * 2018-07-23 2020-02-04 한국과학기술연구원 자기기록장치

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2788243B2 (ja) 1988-02-27 1998-08-20 キヤノン株式会社 半導体電子放出素子及び半導体電子放出装置
US5144581A (en) * 1989-02-09 1992-09-01 Olympus Optical Co., Ltd. Apparatus including atomic probes utilizing tunnel current to read, write and erase data
JP2880180B2 (ja) * 1989-03-28 1999-04-05 キヤノン株式会社 記憶媒体
JP2830977B2 (ja) * 1989-12-29 1998-12-02 キヤノン株式会社 記録媒体とそれを用いる記録方法及び記録・再生装置
JP2992910B2 (ja) * 1991-07-19 1999-12-20 キヤノン株式会社 情報処理装置
JP2930454B2 (ja) 1991-09-24 1999-08-03 キヤノン株式会社 記録及び／又は再生装置
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5331589A (en) * 1992-10-30 1994-07-19 International Business Machines Corporation Magnetic STM with a non-magnetic tip
JPH06300515A (ja) 1993-04-16 1994-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 走査プローブ顕微鏡用プローブと微細加工装置
US5723198A (en) * 1993-06-11 1998-03-03 Hitachi, Ltd. Multi-layered magnetic recording medium and magnetic recording system employing the same
TW241359B (ko) * 1993-08-04 1995-02-21 Philips Electronics Nv
KR950024146A (ko) * 1994-01-31 1995-08-21 모리시타 요이찌 정보기록재생장치 및 정보기록재생방법
US6304481B1 (en) 1994-01-31 2001-10-16 Terastore, Inc. Method and apparatus for storing data using spin-polarized electrons
JP2965121B2 (ja) * 1994-02-15 1999-10-18 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 高密度記録および再生装置
US5675532A (en) * 1994-07-28 1997-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Recording medium and recording/reproduction method
JP3443971B2 (ja) 1994-09-19 2003-09-08 ソニー株式会社 磁気記録信号再生方法
JP3429877B2 (ja) * 1994-12-27 2003-07-28 シャープ株式会社 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法
JPH08263884A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Canon Inc 記録再生装置
JPH0927151A (ja) * 1995-07-07 1997-01-28 Sharp Corp 光磁気記録媒体およびその再生方法
JPH09212927A (ja) * 1996-02-09 1997-08-15 Hitachi Ltd 光磁気記録媒体およびこれを用いる記録再生方法
JP3781823B2 (ja) * 1996-05-27 2006-05-31 シャープ株式会社 光磁気記録媒体及びその再生方法
JP4130488B2 (ja) 1996-07-24 2008-08-06 株式会社東芝 磁気記録装置
JPH10162443A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Sanyo Electric Co Ltd 情報再生装置
JPH10208320A (ja) 1997-01-21 1998-08-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 記憶装置
US6111784A (en) * 1997-09-18 2000-08-29 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory element utilizing GMR effect, and recording/reproduction method using such memory element
JP3679593B2 (ja) * 1998-01-28 2005-08-03 キヤノン株式会社 磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
EP0973169B1 (en) * 1998-05-13 2005-01-26 Sony Corporation Element exploiting magnetic material and addressing method therefor
US6162532A (en) 1998-07-31 2000-12-19 International Business Machines Corporation Magnetic storage medium formed of nanoparticles
JP2000268421A (ja) * 1999-03-12 2000-09-29 Canon Inc 記録再生用プローブ、及び該プローブによって構成された記録再生装置
KR100338140B1 (ko) 1998-09-25 2002-05-24 이마이 기요스케 전계 방사형 전자원
JP3519295B2 (ja) * 1998-11-30 2004-04-12 シャープ株式会社 光磁気記録媒体
US6519211B1 (en) * 1999-04-01 2003-02-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magneto-optical recording medium having magnetic domain shrinks and disappears
JP3436709B2 (ja) * 1999-06-28 2003-08-18 シャープ株式会社 光磁気記録媒体及びその再生方法
DE10029593A1 (de) 1999-07-03 2001-01-18 Ibm Verfahren und Vorrichtung zur Aufzeichnung, Speicherung und Wiedergabe von Daten
US6480365B1 (en) 1999-12-09 2002-11-12 International Business Machines Corporation Spin valve transistor using a magnetic tunnel junction
TW495745B (en) * 2000-03-09 2002-07-21 Koninkl Philips Electronics Nv Magnetic field element having a biasing magnetic layer structure
KR100331451B1 (ko) * 2000-05-10 2002-04-09 윤종용 탄소 함유 물질을 이용한 재기록 가능한 데이타 스토리지및 그 기록/재생 방법
US6515898B2 (en) * 2001-03-13 2003-02-04 Paul Scherrer Institut (Psi) Memory element, method for structuring a surface, and storage device
JP4304947B2 (ja) * 2002-09-26 2009-07-29 株式会社日立製作所 磁気記録媒体とそれを用いた磁気メモリ装置、磁気記録方法、信号再生方法
JP4095527B2 (ja) * 2003-09-29 2008-06-04 株式会社日立製作所 磁化情報記録再生方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20040114470A1 (en) 2004-06-17
CN100419855C (zh) 2008-09-17
CN1831950A (zh) 2006-09-13
KR20040053499A (ko) 2004-06-24
CN1508775A (zh) 2004-06-30
CN1831943A (zh) 2006-09-13
US7577078B2 (en) 2009-08-18
JP2004199857A (ja) 2004-07-15
CN1831986A (zh) 2006-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5432373A (en) Magnetic spin transistor
EP1727140A1 (en) Magnetic recording apparatus using magnetization reversal by spin injection with thermal assistance
US6987652B2 (en) Tapered angle magnetoresistive element and nonvolatile solid-state memory using the same
CN101178929A (zh) 利用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法
US20070274193A1 (en) Information recording and reproducing apparatus
US7042669B2 (en) Method and apparatus for recording/reproducing magnetization information
JP4317503B2 (ja) 磁化情報記録方法及び磁気記録再生装置
US9552834B1 (en) Stabilization of one or more upper sensors in multi-sensor readers
US8431255B2 (en) Galvanomagnetic device and magnetic sensor
JP5092464B2 (ja) 磁壁移動検出端子を有する磁壁移動型磁気記録素子
KR100499136B1 (ko) 전자 스핀의존 산란을 이용한 자성매체 및 자성매체정보재생장치 및 재생방법
US7068582B2 (en) Read head for ultra-high-density information storage media and method for making the same
US9886974B2 (en) Read head free layer having front and rear portions biased at different levels
JP2994505B2 (ja) 情報再生装置
US3453646A (en) Magnetic information storage utilizing an environmental force dependent coercivity transition point of ferrous ferrite
EP0996113A1 (en) Method and apparatus for magnetic recording
US8659852B2 (en) Write-once magentic junction memory array
JP2012084206A (ja) 磁気記録媒体、磁気再生装置、磁気再生方法、光変調素子
US8553517B2 (en) Magnetic medium using spin-polarized electrons and apparatus and method of recording data on the magnetic medium
US10008223B1 (en) Magnetoresistive sensor with recessed antiferromagnetic layer and stabilization feature
KR20040068300A (ko) 자기 디바이스, 어레이, 자기 메모리 소자, 자기 센서,자기 판독 헤드 및 자기 디바이스 판독 방법
KR100519772B1 (ko) 스핀 분극된 전자를 이용한 자성매체 및 자성매체를이용한 정보기록장치 및 기록방법
US20070055815A1 (en) Storage system using electromagnetic array
JP4667425B2 (ja) 磁気記録再生システム
Kaske et al. Vapor-deposited thin-film recording heads

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130522

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140522

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee