JP3519295B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点が生じている。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点が生じている。
【０００３】このような欠点は、目的とする記録ビット
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
上に集光された光ビームのビーム径内に隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなることが原因である。
【０００４】上記の欠点を解消するために、特開平６−
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と、
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されてい
る。
１５０４１８号公報において、室温において面内磁化状
態であり温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層と、
記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層と
が静磁結合した構造の光磁気記録媒体が提案されてい
る。
【０００５】これにより、面内磁化状態にある部分の記
録ビットをマスクすることができるため、集光された光
ビームのビーム径内に複数の記録ビットが入る場合にお
いても、個々の記録ビットを分離して再生することが可
能となることが示されている。
録ビットをマスクすることができるため、集光された光
ビームのビーム径内に複数の記録ビットが入る場合にお
いても、個々の記録ビットを分離して再生することが可
能となることが示されている。
【０００６】また、特開平８−７３５０号公報や特開平
１０−２１５９５号公報では、記録層の磁区を再生層へ
転写し、この時に外部から再生磁界を印加して、磁区を
拡大させて再生する方式が示されている。
１０−２１５９５号公報では、記録層の磁区を再生層へ
転写し、この時に外部から再生磁界を印加して、磁区を
拡大させて再生する方式が示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
６−１５０４１８号公報に記載の手法では、さらに小さ
い記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録
再生を行った場合、再生信号強度が低下し、十分な再生
信号が得られなくなるという問題のあることが確認され
た。
６−１５０４１８号公報に記載の手法では、さらに小さ
い記録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録
再生を行った場合、再生信号強度が低下し、十分な再生
信号が得られなくなるという問題のあることが確認され
た。
【０００８】また、特開平８−７３５０号公報に記載の
手法も、記録密度が高くなり、再生磁区の下に、数多く
のビットが存在する場合は、記録層の複数のビットから
の磁界を再生層が受けることになり、真に再生すべきビ
ットからの磁界を正しく再生層が受けることができなく
なってしまう問題点があった。
手法も、記録密度が高くなり、再生磁区の下に、数多く
のビットが存在する場合は、記録層の複数のビットから
の磁界を再生層が受けることになり、真に再生すべきビ
ットからの磁界を正しく再生層が受けることができなく
なってしまう問題点があった。
【０００９】特開平１０−２１５９５号公報には、静磁
結合型の磁区拡大方式が示されている。この方式では、
記録層の磁区を実質上セレクトする機能を持つ第２磁性
層は、面内磁化から垂直磁化へ移行するという磁化の温
度特性を持っている。この場合、記録層の磁化を一旦交
換結合により第２磁性層へ転写させ、さらに第２磁性層
から静磁結合力で再生層に転写するという２段階必要と
することになり、記録層の情報を正確に再生層へ転写さ
せるには複雑な工程を必要としている。
結合型の磁区拡大方式が示されている。この方式では、
記録層の磁区を実質上セレクトする機能を持つ第２磁性
層は、面内磁化から垂直磁化へ移行するという磁化の温
度特性を持っている。この場合、記録層の磁化を一旦交
換結合により第２磁性層へ転写させ、さらに第２磁性層
から静磁結合力で再生層に転写するという２段階必要と
することになり、記録層の情報を正確に再生層へ転写さ
せるには複雑な工程を必要としている。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するものであっ
て、記録層における１つの記録磁区を正確に選択して再
生層に拡大転写できる光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
て、記録層における１つの記録磁区を正確に選択して再
生層に拡大転写できる光磁気記録媒体を提供することを
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、室温で面内磁化を示し所定温度Ｔtrans.以上で垂直
磁化に移行する再生層と、該再生層に静磁結合する室温
からキュリー温度まで垂直磁化状態の記録層と、前記再
生層と前記記録層との間に前記再生層に対して中間層を
介して配置され室温で面内磁化状態となる磁気マスク層
と、を少なくとも有している光磁気記録媒体であって、
前記磁気マスク層は、ＮｄＦｅＮｉからなることを特徴
とする。
は、室温で面内磁化を示し所定温度Ｔtrans.以上で垂直
磁化に移行する再生層と、該再生層に静磁結合する室温
からキュリー温度まで垂直磁化状態の記録層と、前記再
生層と前記記録層との間に前記再生層に対して中間層を
介して配置され室温で面内磁化状態となる磁気マスク層
と、を少なくとも有している光磁気記録媒体であって、
前記磁気マスク層は、ＮｄＦｅＮｉからなることを特徴
とする。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体は、上記の光磁気
記録媒体において、前記磁気マスク層は、ＮｄX（Ｆｅy
Ｎｉ100-y）100-xからなり、且つ、５．０≦ｘ≦１０．
５（ａｔ％）、０＜ｙ≦９９．０（ａｔ％）を満たすこ
とを特徴とする。
記録媒体において、前記磁気マスク層は、ＮｄX（Ｆｅy
Ｎｉ100-y）100-xからなり、且つ、５．０≦ｘ≦１０．
５（ａｔ％）、０＜ｙ≦９９．０（ａｔ％）を満たすこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体は、上記の光磁気
記録媒体において、前記磁気マスク層は、その磁化が少
なくとも室温からＴtrans.まで前記記録層の磁化よりも
大きく形成されていることを特徴とする。
記録媒体において、前記磁気マスク層は、その磁化が少
なくとも室温からＴtrans.まで前記記録層の磁化よりも
大きく形成されていることを特徴とする。
【００１４】本発明に記載の光磁気記録媒体は、上記の
光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層は、Ｔ
trans.以上の所定温度Ｔm以上で磁化が０となることを
特徴とする。
光磁気記録媒体において、前記磁気マスク層は、Ｔ
trans.以上の所定温度Ｔm以上で磁化が０となることを
特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００１６】図１に本発明の光磁気ディスクの原理図を
示す。図中、１は少なくとも再生時に垂直磁化を示す再
生層、２は非磁性中間層、３は再生温度付近で磁化の大
きさが０になる磁気マスク層、４は記録層を示してい
る。記録層４には記録情報が、ある大きさの磁化を持っ
た記録ビットとして記録されている。
示す。図中、１は少なくとも再生時に垂直磁化を示す再
生層、２は非磁性中間層、３は再生温度付近で磁化の大
きさが０になる磁気マスク層、４は記録層を示してい
る。記録層４には記録情報が、ある大きさの磁化を持っ
た記録ビットとして記録されている。
【００１７】再生時に再生層１側から光ビームを照射す
ると、光ビームの照射された部分は中心付近が最も温度
が高くなるガウス状の温度分布を持つ。ここで、ビーム
中心付近の温度を再生温度（Ｔr）、その周囲で再生層
１の磁化が垂直状態になる部分の温度を移行温度（Ｔ
trans.）とする。
ると、光ビームの照射された部分は中心付近が最も温度
が高くなるガウス状の温度分布を持つ。ここで、ビーム
中心付近の温度を再生温度（Ｔr）、その周囲で再生層
１の磁化が垂直状態になる部分の温度を移行温度（Ｔ
trans.）とする。
【００１８】磁気マスク層３は、上記のように再生温度
付近で磁化が０になる（磁化が０となる温度をＴmとす
る）磁性層からなっており、また、再生温度では記録層
４の磁化は安定しているので、再生温度では記録層４か
らの磁束が再生層１まで漏洩されてくる。一方、Ｔm以
下の温度では、磁気マスク層３は面内磁化状態を示し、
記録層４からの磁束が再生層１まで漏洩することを防止
する。ここで、Ｔtrans.をＴmよりも低く設定しておけ
ば、本来再生したい記録層４からの磁化のみを正確に選
択して磁束を漏洩させ、再生層１において大きな磁区を
形成することができる。このとき、静磁結合力により記
録層４からの磁化を直接再生層１に転写するので正確に
情報の転写を行うことができる。Ｔrとしては、磁気マ
スク層３の磁化が記録層の磁化より小さくなる温度以上
であれば、記録層４から磁化が再生層１に漏洩するので
再生できるが、Ｔm以上であれば磁化が０になっている
のでより再生特性が向上する。
付近で磁化が０になる（磁化が０となる温度をＴmとす
る）磁性層からなっており、また、再生温度では記録層
４の磁化は安定しているので、再生温度では記録層４か
らの磁束が再生層１まで漏洩されてくる。一方、Ｔm以
下の温度では、磁気マスク層３は面内磁化状態を示し、
記録層４からの磁束が再生層１まで漏洩することを防止
する。ここで、Ｔtrans.をＴmよりも低く設定しておけ
ば、本来再生したい記録層４からの磁化のみを正確に選
択して磁束を漏洩させ、再生層１において大きな磁区を
形成することができる。このとき、静磁結合力により記
録層４からの磁化を直接再生層１に転写するので正確に
情報の転写を行うことができる。Ｔrとしては、磁気マ
スク層３の磁化が記録層の磁化より小さくなる温度以上
であれば、記録層４から磁化が再生層１に漏洩するので
再生できるが、Ｔm以上であれば磁化が０になっている
のでより再生特性が向上する。
【００１９】ここで、磁気マスク層３を軽希土類金属と
遷移金属とで構成すれば、再生したい記録ビットの周り
の記録ビットを良くマスクすることができ、再生層１に
ノイズとして影響を与えることはない。以下にその説明
をする。一般的に記録層４は大きな垂直磁気異方性を得
るために重希土類金属と遷移金属で構成されており、例
えばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏから成っている。重希
土類金属副格子磁化と遷移金属副格子磁化はお互いに反
平行で結合している。このため、トータル磁化の大きさ
は重希土類金属副格子磁化と遷移金属副格子磁化の磁化
の差になる。これに対して、軽希土類金属副格子磁化と
遷移金属副格子磁化とは平行に結合している。このため
トータル磁化の大きさは軽希土類金属副格子磁化と遷移
金属副格子磁化の磁化の和になる。したがって、磁気マ
スク層３を軽希土類金属と遷移金属とで構成すれば磁気
マスク層３の磁化は記録層４の磁化よりかなり大きくな
り、再生したい記録ビットの周りの記録ビットを良くマ
スクすることができる。
遷移金属とで構成すれば、再生したい記録ビットの周り
の記録ビットを良くマスクすることができ、再生層１に
ノイズとして影響を与えることはない。以下にその説明
をする。一般的に記録層４は大きな垂直磁気異方性を得
るために重希土類金属と遷移金属で構成されており、例
えばＴｂＦｅＣｏやＤｙＦｅＣｏから成っている。重希
土類金属副格子磁化と遷移金属副格子磁化はお互いに反
平行で結合している。このため、トータル磁化の大きさ
は重希土類金属副格子磁化と遷移金属副格子磁化の磁化
の差になる。これに対して、軽希土類金属副格子磁化と
遷移金属副格子磁化とは平行に結合している。このため
トータル磁化の大きさは軽希土類金属副格子磁化と遷移
金属副格子磁化の磁化の和になる。したがって、磁気マ
スク層３を軽希土類金属と遷移金属とで構成すれば磁気
マスク層３の磁化は記録層４の磁化よりかなり大きくな
り、再生したい記録ビットの周りの記録ビットを良くマ
スクすることができる。
【００２０】〔参考例〕
以下、本発明に係る実施例を説明するための光磁気記録
媒体の参考例を説明する。図２は、参考例に係る光磁気
記録ディスクの断面図である。図２中、１０は例えばポ
リカーボネートやガラスから成るディスク状に形成され
た透光性基板、５は例えばＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ2等からなる誘電体層、１は例えばＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等から成る室温で面内磁化を示し所定温度で
垂直磁化へ移行する再生層、２は例えばＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＳｉＮ等から成る非磁性中間層、３は例えばＮｄ
Ｆｅから成る再生温度付近で磁化の大きさが０になる磁
気マスク層、４は例えばＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ等から成る室温からキュリー温度まで
垂直磁化を示す記録層を示している。６はＡｌＮ、Ａｌ
ＳｉＮ、ＳｉＮ等の誘電体やＡｌ、ＡｌＮｉ、ＡｌＴｉ
等の金属又は誘電体と金属を積層したものから構成され
る保護層である。さらに図には示していないが保護層６
上にはオーバーコート層を設けている。オーバーコート
層は紫外線硬化樹脂等をスピンコート法で塗布してい
る。
媒体の参考例を説明する。図２は、参考例に係る光磁気
記録ディスクの断面図である。図２中、１０は例えばポ
リカーボネートやガラスから成るディスク状に形成され
た透光性基板、５は例えばＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＳｉＯ2等からなる誘電体層、１は例えばＧｄＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等から成る室温で面内磁化を示し所定温度で
垂直磁化へ移行する再生層、２は例えばＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＳｉＮ等から成る非磁性中間層、３は例えばＮｄ
Ｆｅから成る再生温度付近で磁化の大きさが０になる磁
気マスク層、４は例えばＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ，
ＴｂＤｙＦｅＣｏ等から成る室温からキュリー温度まで
垂直磁化を示す記録層を示している。６はＡｌＮ、Ａｌ
ＳｉＮ、ＳｉＮ等の誘電体やＡｌ、ＡｌＮｉ、ＡｌＴｉ
等の金属又は誘電体と金属を積層したものから構成され
る保護層である。さらに図には示していないが保護層６
上にはオーバーコート層を設けている。オーバーコート
層は紫外線硬化樹脂等をスピンコート法で塗布してい
る。
【００２１】本参考例に係る光磁気ディスクの作製方法
は以下の通りである。
は以下の通りである。
【００２２】スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで
真空排気後、プリグルーブを有するポリカーボネート基
板１０（トラックピッチ１．６μｍ、グルーブ幅、ラン
ド幅共に０．８μｍ）上にＡｌＮからなる誘電体層５を
６０ｎｍの膜厚で形成した。スパッタ条件は、ＡｒとＮ
2の混合ガスを導入し、スパッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒ
で Ａｌターゲットに電力を供給して形成した。
真空排気後、プリグルーブを有するポリカーボネート基
板１０（トラックピッチ１．６μｍ、グルーブ幅、ラン
ド幅共に０．８μｍ）上にＡｌＮからなる誘電体層５を
６０ｎｍの膜厚で形成した。スパッタ条件は、ＡｒとＮ
2の混合ガスを導入し、スパッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒ
で Ａｌターゲットに電力を供給して形成した。
【００２３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、ＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲット上に電力を供給しスパッタ圧５×１
０-3Ｔｏｒｒで、ＧｄＦｅＣｏ再生層１を形成した。こ
の時、室温で面内磁化を示し、Ｔtrans.は１２０℃、キ
ュリー温度は３３０℃である。
Ｔｏｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、ＧｄＦｅ
Ｃｏ合金ターゲット上に電力を供給しスパッタ圧５×１
０-3Ｔｏｒｒで、ＧｄＦｅＣｏ再生層１を形成した。こ
の時、室温で面内磁化を示し、Ｔtrans.は１２０℃、キ
ュリー温度は３３０℃である。
【００２４】次に、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、ス
パッタ圧２×１０-3ＴｏｒｒでＡｌターゲットに電力を
供給してＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚２０ｎｍ
で形成した。
パッタ圧２×１０-3ＴｏｒｒでＡｌターゲットに電力を
供給してＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚２０ｎｍ
で形成した。
【００２５】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、Ｆｅター
ゲットとＮｄターゲット上に電力を供給しスパッタ圧５
×１０-3Ｔｏｒｒで、ＮｄＦｅからなる磁気マスク層３
を形成した。このとき、磁気マスク層３の組成はＮｄ7.
6Ｆｅ92.4で磁化の大きさが０になるのは１３０℃であ
る。
Ｔｏｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、Ｆｅター
ゲットとＮｄターゲット上に電力を供給しスパッタ圧５
×１０-3Ｔｏｒｒで、ＮｄＦｅからなる磁気マスク層３
を形成した。このとき、磁気マスク層３の組成はＮｄ7.
6Ｆｅ92.4で磁化の大きさが０になるのは１３０℃であ
る。
【００２６】続けて、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット上に
電力を供給しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＴｂＦ
ｅＣｏ記録層４を形成した。このとき、キュリー温度は
２２０℃で室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す。
電力を供給しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＴｂＦ
ｅＣｏ記録層４を形成した。このとき、キュリー温度は
２２０℃で室温からキュリー温度まで垂直磁化を示す。
【００２７】次に、ＡｒとＮ2の混合ガスを導入し、ス
パッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒで Ａｌターゲットに電力
を供給してＡｌＮからなる保護層６を膜厚２０ｎｍで形
成した。
パッタ圧２×１０-3Ｔｏｒｒで Ａｌターゲットに電力
を供給してＡｌＮからなる保護層６を膜厚２０ｎｍで形
成した。
【００２８】次に、スパッタ装置内から保護層まで形成
した本体を取り出し、紫外線硬化樹脂等をスピンコート
法で塗布しオーバーコート層を形成した。
した本体を取り出し、紫外線硬化樹脂等をスピンコート
法で塗布しオーバーコート層を形成した。
【００２９】このように形成した光磁気ディスク（参考
例）について、ＣＮＲを測定して、従来ディスク（比較
例１）と比較した。なお、比較例１は、特開平６−１５
０４１８号公報に示されている超解像媒体と同じ構成の
ディスク、具体的には、基板／ＡｌＮ誘電体層８０ｎｍ
／ＧｄＦｅＣｏ再生層５０ｎｍ／ＤｙＦｅＣｏ記録層５
０ｎｍ／ＡｌＮ保護層２０ｎｍ／オーバーコート層から
なるものである。参考例と比較例１とを、再生条件を照
射光波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．５５、線速２．５ｍ／ｓ
ｅｃ、ビット長０．４μｍに設定してＣＮＲ測定した
所、参考例によりＣＮＲが１．５ｄＢ改善されることが
わかった。
例）について、ＣＮＲを測定して、従来ディスク（比較
例１）と比較した。なお、比較例１は、特開平６−１５
０４１８号公報に示されている超解像媒体と同じ構成の
ディスク、具体的には、基板／ＡｌＮ誘電体層８０ｎｍ
／ＧｄＦｅＣｏ再生層５０ｎｍ／ＤｙＦｅＣｏ記録層５
０ｎｍ／ＡｌＮ保護層２０ｎｍ／オーバーコート層から
なるものである。参考例と比較例１とを、再生条件を照
射光波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．５５、線速２．５ｍ／ｓ
ｅｃ、ビット長０．４μｍに設定してＣＮＲ測定した
所、参考例によりＣＮＲが１．５ｄＢ改善されることが
わかった。
【００３０】次に、ＮｄＦｅからなる磁気マスク層３に
ついて、その磁化の大きさをＶＳＭで用いて調べた。そ
の結果を、ＴｂＦｅＣｏ記録層４の測定結果と合わせて
図３に示す。
ついて、その磁化の大きさをＶＳＭで用いて調べた。そ
の結果を、ＴｂＦｅＣｏ記録層４の測定結果と合わせて
図３に示す。
【００３１】図３よりＮｄＦｅからなる磁気マスク層３
は１３０℃で磁化の大きさが０になるが、再生層１のＴ
trans.である１２０℃以下では記録層４の磁化より大き
くなっている。これは、磁気マスク層３は軽希土類金属
と遷移金属との合金から構成されているのに対して、記
録層４は重希土類金属と遷移金属で構成されているため
である。軽希土類金属と遷移金属はお互い平行方向で結
合するのでトータル磁化の大きさはそれぞれの和になる
が、重希土類金属と遷移金属はお互いに反平行方向で結
合するのでトータル磁化の大きさはそれぞれの差にな
る。このため、軽希土類金属と遷移金属で構成された磁
気マスク層３の方が、重希土類金属と遷移金属で構成さ
れた記録層４より磁化の大きさが大きくなる。
は１３０℃で磁化の大きさが０になるが、再生層１のＴ
trans.である１２０℃以下では記録層４の磁化より大き
くなっている。これは、磁気マスク層３は軽希土類金属
と遷移金属との合金から構成されているのに対して、記
録層４は重希土類金属と遷移金属で構成されているため
である。軽希土類金属と遷移金属はお互い平行方向で結
合するのでトータル磁化の大きさはそれぞれの和になる
が、重希土類金属と遷移金属はお互いに反平行方向で結
合するのでトータル磁化の大きさはそれぞれの差にな
る。このため、軽希土類金属と遷移金属で構成された磁
気マスク層３の方が、重希土類金属と遷移金属で構成さ
れた記録層４より磁化の大きさが大きくなる。
【００３２】このような磁気マスク層３を用いた光磁気
ディスクでは、磁気マスク層３の磁化が温度上昇と共に
減少して０になれば、記録層４の磁化が再生層１に漏洩
され、再生される。ここで、再生層１のＴtrans.は磁気
マスク層３の磁化が０になる温度Ｔmより低いため、再
生層１において形成される磁区の面積は記録層４の記録
ビットより大きくなり、その結果、ＣＮＲが改善され
る。このとき、記録層４から再生層１へ静磁結合力によ
り直接記録情報が転写されるので複雑な転写工程を必要
としない。また、本来再生すべき記録層４の記録ビット
の周りの記録ビットは記録層４より大きな磁化を示す磁
気マスク層３が有効に機能するため良好なマスク効果が
得られる。これらにより、ＣＮＲを改善することができ
る。
ディスクでは、磁気マスク層３の磁化が温度上昇と共に
減少して０になれば、記録層４の磁化が再生層１に漏洩
され、再生される。ここで、再生層１のＴtrans.は磁気
マスク層３の磁化が０になる温度Ｔmより低いため、再
生層１において形成される磁区の面積は記録層４の記録
ビットより大きくなり、その結果、ＣＮＲが改善され
る。このとき、記録層４から再生層１へ静磁結合力によ
り直接記録情報が転写されるので複雑な転写工程を必要
としない。また、本来再生すべき記録層４の記録ビット
の周りの記録ビットは記録層４より大きな磁化を示す磁
気マスク層３が有効に機能するため良好なマスク効果が
得られる。これらにより、ＣＮＲを改善することができ
る。
【００３３】次に、ＮｄＦｅからなる磁気マスク層３の
最適組成について調べた。磁気マスク層３としては記録
層４の磁化が再生層１に漏洩することを抑制できれば良
いが、記録層４の特性や再生層の特性により、実質上は
磁化の大きさが０になる温度Ｔmは１００℃以上２５０
℃以下程度に限定される。１００℃以下に成るようにす
れば記録層４の特性が悪くなり、２００℃以上に成れば
レーザの負担が多大となり、特に記録時のレーザに負担
がかかることになるため、実質上は記録層４のキュリー
温度は２５０℃程度以下である。従って、磁化の大きさ
が０になる温度が１００℃以上２５０℃以下程度になる
組成について、ＸＲＦ分析により調べた。その結果を表
１に示す。
最適組成について調べた。磁気マスク層３としては記録
層４の磁化が再生層１に漏洩することを抑制できれば良
いが、記録層４の特性や再生層の特性により、実質上は
磁化の大きさが０になる温度Ｔmは１００℃以上２５０
℃以下程度に限定される。１００℃以下に成るようにす
れば記録層４の特性が悪くなり、２００℃以上に成れば
レーザの負担が多大となり、特に記録時のレーザに負担
がかかることになるため、実質上は記録層４のキュリー
温度は２５０℃程度以下である。従って、磁化の大きさ
が０になる温度が１００℃以上２５０℃以下程度になる
組成について、ＸＲＦ分析により調べた。その結果を表
１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１より、組成としてはＮｄＦｅの組成を
ＮｄxＦｅ100-xで表すと、６．０≦ｘ≦１０．５（ａｔ
％）が好適である。
ＮｄxＦｅ100-xで表すと、６．０≦ｘ≦１０．５（ａｔ
％）が好適である。
【００３６】なお、再生層１や記録層４の特性は磁気マ
スク層３の特性に合わせて設計すれば良く、磁気マスク
層３の組成をこの範囲内にすれば、良好なマスク効果が
得られる。
スク層３の特性に合わせて設計すれば良く、磁気マスク
層３の組成をこの範囲内にすれば、良好なマスク効果が
得られる。
【００３７】〔実施例１〕
次に、本発明に係る実施例について説明する。基本的に
は参考例と同様の構成をしており、磁気マスク層３をＮ
ｄＦｅからＮｄＦｅＮｉに替えるものである。
は参考例と同様の構成をしており、磁気マスク層３をＮ
ｄＦｅからＮｄＦｅＮｉに替えるものである。
【００３８】製造方法についても参考例と同様で、磁気
マスク層３以外は参考例と同じ製造方法である。磁気マ
スク層３については、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、Ｆｅターゲッ
ト、Ｎｄターゲット及びＮｉターゲット上に電力を供給
しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＮｄＦｅＮｉを形
成した。このとき、磁気マスク層３の組成はＮｄ7.5
（Ｆｅ5Ｎｉ95）92.5で磁化の大きさが０になるのは１
３０℃である。
マスク層３以外は参考例と同じ製造方法である。磁気マ
スク層３については、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒまで真空排気後、Ａｒガスを供給し、Ｆｅターゲッ
ト、Ｎｄターゲット及びＮｉターゲット上に電力を供給
しスパッタ圧５×１０-3Ｔｏｒｒで、ＮｄＦｅＮｉを形
成した。このとき、磁気マスク層３の組成はＮｄ7.5
（Ｆｅ5Ｎｉ95）92.5で磁化の大きさが０になるのは１
３０℃である。
【００３９】このように形成した光磁気ディスク（実施
例１）について、再生条件を波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．
５５、線速２．５ｍ／ｓｅｃ、ビット長０．４μｍにし
て測定した所、上記した比較例１に比してＣＮＲが１ｄ
Ｂ改善された。
例１）について、再生条件を波長６８０ｎｍ、ＮＡ０．
５５、線速２．５ｍ／ｓｅｃ、ビット長０．４μｍにし
て測定した所、上記した比較例１に比してＣＮＲが１ｄ
Ｂ改善された。
【００４０】次に、ＮｄＦｅＮｉからなる磁気マスク層
３について、その磁化の大きさをＶＳＭで用いて調べ
た。その結果を、ＴｂＦｅＣｏ記録層の測定結果と合わ
せて図４に示すが、この図よりＮｄＦｅＮｉからなる磁
気マスク層３を用いた光磁気ディスクによれば、参考例
と同様の理由でマスク効果とＣＮＲの改善が得られるこ
とが分かる。
３について、その磁化の大きさをＶＳＭで用いて調べ
た。その結果を、ＴｂＦｅＣｏ記録層の測定結果と合わ
せて図４に示すが、この図よりＮｄＦｅＮｉからなる磁
気マスク層３を用いた光磁気ディスクによれば、参考例
と同様の理由でマスク効果とＣＮＲの改善が得られるこ
とが分かる。
【００４１】次に、ＮｄＦｅＮｉからなる磁気マスク層
３の最適組成について調べた。磁気マスク層３としては
記録層４の磁化が再生層１に漏洩することを抑制できれ
ば良いが、記録層４の特性や再生層１の特性により、実
質上は参考例に記載したように磁化の大きさが０に成る
温度は１００℃以上２５０℃以下程度に限定される。従
って、磁化の大きさが０に成る温度が１００℃以上２５
０℃以下程度になる組成について、ＸＲＦ分析により調
べた。その結果を表２に示す。
３の最適組成について調べた。磁気マスク層３としては
記録層４の磁化が再生層１に漏洩することを抑制できれ
ば良いが、記録層４の特性や再生層１の特性により、実
質上は参考例に記載したように磁化の大きさが０に成る
温度は１００℃以上２５０℃以下程度に限定される。従
って、磁化の大きさが０に成る温度が１００℃以上２５
０℃以下程度になる組成について、ＸＲＦ分析により調
べた。その結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
【００４３】表２より、組成としてはＮｄＦｅＮｉの組
成をＮｄX（ＦｅyＮｉ100-y）100-xで表すと、５．０≦
ｘ≦１０．５（ａｔ％）、０＜ｙ≦０．９９（ａｔ％）
である。
成をＮｄX（ＦｅyＮｉ100-y）100-xで表すと、５．０≦
ｘ≦１０．５（ａｔ％）、０＜ｙ≦０．９９（ａｔ％）
である。
【００４４】再生層１や記録層４の特性は磁気マスク層
３の特性に合わせて設計すれば良く、磁気マスク層３の
組成をこの範囲内にすれば、良好なマスク効果が得られ
る。
３の特性に合わせて設計すれば良く、磁気マスク層３の
組成をこの範囲内にすれば、良好なマスク効果が得られ
る。
【００４５】以上説明したように、磁気マスク層３とし
て軽希土類金属と遷移金属から成るＮｄＦｅやＮｄＦｅ
Ｎｉを用いれば良好なＣＮＲが得られ、再生特性の改善
が可能となる。
て軽希土類金属と遷移金属から成るＮｄＦｅやＮｄＦｅ
Ｎｉを用いれば良好なＣＮＲが得られ、再生特性の改善
が可能となる。
【００４６】また、以上説明したのは、実施例の一部に
過ぎない。
過ぎない。
【００４７】また、記録層の再生すべきビットからの磁
界をできるだけ大きく再生層へ漏洩させるために、マス
ク層（軽希土類金属と遷移金属を含んだ合金からなるも
のに限らない）の磁化が０になる温度（Ｔm）を再生層
のＴtrans.よりも低くしても良い。この場合、Ｔmを再
生層のＴtrans.よりも低くしすぎると、複数のビットか
らの磁界が漏洩されてしまうため、Ｔtrans.−８０
（℃）≦Ｔmが好ましく、さらにはＴtrans.−６０
（℃）≦Ｔmが望ましい。
界をできるだけ大きく再生層へ漏洩させるために、マス
ク層（軽希土類金属と遷移金属を含んだ合金からなるも
のに限らない）の磁化が０になる温度（Ｔm）を再生層
のＴtrans.よりも低くしても良い。この場合、Ｔmを再
生層のＴtrans.よりも低くしすぎると、複数のビットか
らの磁界が漏洩されてしまうため、Ｔtrans.−８０
（℃）≦Ｔmが好ましく、さらにはＴtrans.−６０
（℃）≦Ｔmが望ましい。
【００４８】さらに、光磁気ディスクの構成も上記実施
の形態に限られるものでなく、再生補助層や記録補助層
を設けた構成や磁気マスク層と記録層を静磁結合させた
構成でも良い。さらに、再生層と磁気マスク層との間に
は、再生層と磁気マスク層との交換結合を防止するよう
な層を設けておけばよく、上記例のような１層の非磁性
中間層に限るものではない。
の形態に限られるものでなく、再生補助層や記録補助層
を設けた構成や磁気マスク層と記録層を静磁結合させた
構成でも良い。さらに、再生層と磁気マスク層との間に
は、再生層と磁気マスク層との交換結合を防止するよう
な層を設けておけばよく、上記例のような１層の非磁性
中間層に限るものではない。
【００４９】
【発明の効果】本発明では、軽希土類金属と遷移金属を
含んだ磁気マスク層を使用するため、また、磁化がＴ
trans.まで記録層より大きい磁気マスク層を使用するた
め、記録層の磁化を安定にマスクすることができ、ＣＮ
Ｒを向上できる。
含んだ磁気マスク層を使用するため、また、磁化がＴ
trans.まで記録層より大きい磁気マスク層を使用するた
め、記録層の磁化を安定にマスクすることができ、ＣＮ
Ｒを向上できる。
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の原理を示す説明
図である。
図である。
【図２】実施例１の光磁気ディスクの断面図である。
【図３】実施例１における磁気マスク層と記録層の温度
と磁化の大きさの関係を示す図である。
と磁化の大きさの関係を示す図である。
【図４】実施例２における磁気マスク層と記録層の温度
と磁化の大きさの関係を示す図である。
と磁化の大きさの関係を示す図である。
１ 再生層
２ 非磁性中間層
３ 磁気マスク層
４ 記録層
５ 誘電体層
６ 保護層
１０ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 高橋 明
大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号
シャープ株式会社内
(56)参考文献 特開 平10−255344（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−21595（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−162029（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (2)
- 【請求項１】室温で面内磁化を示し所定温度Ｔtrans.以
上で垂直磁化に移行する再生層と、 該再生層に静磁結合する室温からキュリー温度まで垂直
磁化状態の記録層と、 前記再生層と前記記録層との間に前記再生層に対して中
間層を介して配置され室温で面内磁化状態となる磁気マ
スク層と、を少なくとも有している光磁気記録媒体であ
って、 前記磁気マスク層は、Ｎｄ X （Ｆｅ y Ｎｉ 100-y ） 100-x か
らなり、且つ、５．０≦ｘ≦１０．５（ａｔ％）、０＜
ｙ≦９９．０（ａｔ％）を満たし、その磁化が少なくと
も室温からＴ trans. まで前記記録層の磁化よりも大きく
形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記磁気マスク層は、Ｔtrans.以上の所定温度Ｔm以上
で磁化が０となることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| US09/451,260 US6477120B1 (en) | 1998-11-30 | 1999-11-30 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33864898A JP3519295B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000163816A JP2000163816A (ja) | 2000-06-16 |
| JP3519295B2 true JP3519295B2 (ja) | 2004-04-12 |
Family
ID=18320160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33864898A Expired - Fee Related JP3519295B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6477120B1 (ja) |
| EP (1) | EP1006520B1 (ja) |
| JP (1) | JP3519295B2 (ja) |
| DE (1) | DE69911353T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| JPH07110971A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Pioneer Electron Corp | 光磁気記録媒体、光磁気記録媒体記録装置及び光磁気記録媒体再生装置 |
| JP3088619B2 (ja) * | 1994-01-17 | 2000-09-18 | 富士通株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体に記録された情報の再生方法 |
| JP3380621B2 (ja) | 1994-06-24 | 2003-02-24 | 日立マクセル株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法、光磁気記録媒体およびそれを用いた光磁気記録再生装置 |
| JP3781823B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2006-05-31 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JP3333389B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2002-10-15 | 株式会社日立製作所 | 光磁気情報記憶媒体およびその再生方法 |
| JP3400251B2 (ja) * | 1996-07-30 | 2003-04-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| US5903526A (en) * | 1996-09-20 | 1999-05-11 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers |
| US6147939A (en) * | 1997-03-06 | 2000-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium having intermediate layer of in-plane magnetization |
| JP4027490B2 (ja) | 1997-03-06 | 2007-12-26 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
| JP3349403B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2002-11-25 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH11162029A (ja) | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH11191244A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Sharp Corp | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP33864898A patent/JP3519295B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-11-26 EP EP99123588A patent/EP1006520B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-26 DE DE69911353T patent/DE69911353T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-30 US US09/451,260 patent/US6477120B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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