KR100468737B1 - 웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법 - Google Patents

웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100468737B1
KR100468737B1 KR10-2002-0034144A KR20020034144A KR100468737B1 KR 100468737 B1 KR100468737 B1 KR 100468737B1 KR 20020034144 A KR20020034144 A KR 20020034144A KR 100468737 B1 KR100468737 B1 KR 100468737B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
probe
wafer
cleaning probe
megasonic
Prior art date
Application number
KR10-2002-0034144A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030084538A (ko
Inventor
여인준
윤병문
김경현
조현호
하상록
남정림
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR20030084538A publication Critical patent/KR20030084538A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100468737B1 publication Critical patent/KR100468737B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예들은 세정될 웨이퍼를 회전시킬 수 있고 세정 작용 중에 세정 프로브(probe)도 회전시킬 수 있는 메가소닉 에너지 세정 장치를 포함한다. 웨이퍼가 세정되는 동안에 세정 프로브를 회전시키는 것은 장치의 세정 작용을 효과적으로 증가시키고, 웨이퍼 패턴 데미지(damage) 발생은 최소로 한다. 웨이퍼 표면 또는 표면 위에 이미 형성되어 있는 구조에 데미지를 입힐 가능성이 있는 유해한 파동을 방지하도록 나선형 그루브와 같은 곡선의 그루브들이 세정 프로브 안에 식각될 수 있다. 곡선의 그루브를 가진 세정 프로브를 회전시키면서 사용하면 웨이퍼 표면의 데미지는 제한하면서 웨이퍼로부터 파티클(particle)들을 효과적으로 세정할 수 있다.

Description

웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법{Wafer cleaning system, cleaning probe and method for cleaning wafer}
본 발명은 웨이퍼 세정 시스템에 관한 것으로, 특히 제조하는 동안 반도체 웨이퍼를 세정하기 위하여 메가소닉 에너지를 사용하는 웨이퍼 세정 시스템에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 및 다른 아이템들은 종종 매우 높은 수준의 깨끗함을 요구한다. 특히, 반도체 회로를 제조하는 동안, 미세한 파티클들이 웨이퍼 구조의 표면 위에 잔류한다. 때로는 이러한 파티클들은 제거되지 않으면, 회로의 오동작을 유발하거나 동작불능을 야기한다. 따라서, 파티클들은 반도체 표면으로부터 가능한 한 많이 제거되어야 한다.
파티클들을 웨이퍼로부터 제거하는 하나의 방법은 메가소닉 에너지로 구동되는 막대(rod) 가까이에 웨이퍼를 위치시키고, 그 막대 아래에서 웨이퍼를 움직이는 것이다. 메가소닉 에너지는 막대가 파티클들을 웨이퍼 표면으로부터 분리시키는 세정 작용을 하도록 한다. 메가소닉 에너지는 초음파 에너지보다 10 내지 50배 높은 주파수를 가지는, 예를 들어 200 내지 1000 kHz의 범위 안에 있는, 에너지이다. 이러한 주파수에서, 약 0.01 내지 10 W/mm2(웨이퍼 표면) 사이의 파워 수준에서 우수한 세정 성능이 얻어진다. 추가적으로, 물 또는 다른 용액과 같은 케미칼들이 웨이퍼의 표면으로 공급되어, 세정 막대가 구동되는 동안에 용액이 웨이퍼와 세정 막대 사이에 있게 된다. 나아가, 세정 작용을 증진하기 위해서, 구동된 세정 막대 아래에서 웨이퍼가 회전될 수 있다. 메가소닉 에너지에 의한 웨이퍼 세정 시스템의 예는 브랜(Bran)에게 허여된 미국특허 제6,039,059호에 개시되어 있으며, 여기에 참조로써 결합시킨다.
도 1은 세정 막대 또는 프로브(probe)(20)에 의해 세정되도록 설치된 웨이퍼(10)의 예를 보이는 단면도이다. 세정액(12)은 웨이퍼(10) 표면에 존재하고 세정 막대(20) 주변에 메니스커스(meniscus)를 형성한다. 웨이퍼(10)가 세정 프로브(20) 아래에서 회전함에 따라 메니스커스가 비대칭일 수 있다.
세정 프로브(20)는 프로브와 웨이퍼(10) 사이에 있는 세정액(12)으로 고주파 에너지를 전달하는 데 중요한 역할을 한다. 메가소닉 에너지가 세정 프로브(20)에 인가되면, 공동 효과(cavity effect)가 세정액(12)에서 일어나, 파동의 1/2 주기 동안 용액 안에서 기포가 발생되어 성장하고 다른 1/2 주기동안 터진다. 기포가 발생되고 터짐에 따라 파티클들이 웨이퍼(10) 표면으로부터 분리되고 세정액(12)에 의해 옮겨짐으로써 웨이퍼 표면이 세정된다.
고주파 에너지로 세정하는 동안 발생되는 하나의 문제는 세정 작용이 웨이퍼(10)나 웨이퍼 위에 제조된 구조를 손상하는 것으로, 패턴 데미지(damage)라고 칭해진다. 세정 프로브(20) 바로 아래에 있는 위치에서는 그렇지 않은 위치에서보다 더 많은 패턴 데미지들이 관찰된다. 데미지의 원인은 프로브에 좀 더 횡적으로 투사되는 메가소닉 파동이라기보다 세정 프로브(20) 아래로 또는 수직으로 곧장 투사되는 메가소닉 파동인 것으로 생각된다. 세정 프로브(20)가 세정액(12)으로 메가소닉 에너지를 전달할 때, 에너지 일부는 웨이퍼(10) 표면으로부터 다시 세정 프로브(20)로 수직하게 반사된다. 이 반사된 에너지는 세정 프로브(20)에 의해 제공되는 추가적인(연속의) 에너지와 보강 간섭을 일으키고/일으키거나 세정 프로브와 웨이퍼(10) 사이에서 진동한다. 이와 같은 메가소닉 간섭 진동이 웨이퍼(10)에 데미지를 입히는 것으로 여겨진다.
몇 가지 웨이퍼 세정 시스템은 프로브(20)가 메가소닉 세정을 위해 구동되는 동안, 예를 들어 15 내지 30 rpm으로 웨이퍼(10)를 회전하여, 데미지를 최소화하고 세정 작용량을 증가시킨다. 웨이퍼(10)를 회전시키면서 세정하면 데미지의 양이 감소되기는 하나, 데미지가 제거되는 것은 아니다. 게다가, 웨이퍼가 너무 빠르게, 예를 들어 50 rpm을 초과하여 회전되면, 파티클들은 웨이퍼(10) 표면으로부터 효과적으로 제거되지 못한다는 것이 발견되었다. 웨이퍼(10)가 너무 빠르게, 예를 들어 50 rpm을 초과하여 회전되면, 세정액(12)의 두께가 너무 얇아져서 적당한 메가소닉 에너지가 세정 프로브(20)로부터 웨이퍼의 표면으로 전달될 수 없다.
세정 프로브(20)와 웨이퍼(10) 표면 사이의 거리도 세정 효율과 웨이퍼에의 데미지량에 영향을 끼치는 것으로 나타난다. 세정 프로브(20)의 바닥 에지면(edge surface)과 웨이퍼(10) 표면간의 가장 효과적인 거리는 세정 프로브를 여기시키는 메가소닉 에너지 파장의 대략 3/4으로 결정되었다. 이 거리에서, 세정액 안의 공동 효과는 가장 효율적인 것으로 보인다. 따라서 약 900 kHz의 메가소닉 에너지 파장이 주어지면, 세정 프로브(20)와 웨이퍼(10) 표면간의 최적 거리는 대략 1.65mm이다. 최적치보다 큰 거리는 웨이퍼(10) 표면을 잘 세정하지 못하는 경향이 있고, 최적치보다 작은 거리는 웨이퍼에 더 많은 데미지를 입히는 경향이 있다.
이러한 거리들을 유념하여, 웨이퍼(10) 표면을 더 효과적으로 세정하기 위해 사용된 다른 아이디어는 도 2에 도시된 대로 세정 프로브(22)의 바닥 에지면을 따라 가로지르는 그루브(groove)(23) 패턴을 식각하는 것이다. 세정 프로브(22)에 위치하는 그루브(23)는 프로브(22) 바로 아래에 위치하지 않는 웨이퍼 표면의 세정 작용은 유지한 채, 세정 프로브(22)와 웨이퍼(10) 표면간의 평균 거리를 증가시킨다. 다시 말해, 세정 프로브(22) 안의 그루브(23)는 세정 프로브(22)로부터 프로브 바로 아래가 아닌 웨이퍼(10) 영역에 전달되는 메가소닉 에너지는 감소시키지 않으면서, 세정 프로브(22)의 바닥면에서부터 세정 프로브의 바닥면 바로 아래에 있는 웨이퍼(10) 표면으로 전달되는 메가소닉 에너지를 감소시키는 데에 중요한 역할을 한다. 프로브(22) 안에 그루브(23)를 가짐으로써, 그루브가 형성된 세정 프로브(22) 바로 아래에 놓이는 웨이퍼(10) 표면과 세정 프로브(22) 사이의 증가된 평균 거리 때문에, 웨이퍼(10) 표면에 대한 데미지를 줄어드는 반면 세정 작용은 보존된다. 그러나, 여전히 웨이퍼(10) 표면에서 데미지가 발생되며, 이것은 세정 프로브(22) 안의 고정된 그루브(23)의 모서리에서 메가소닉 에너지가 집중되는 것에 주로 기인하는 것 같다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼를 세정하는 동안 발생되는 패턴 데미지를 감소시킬 수 있는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템 및 세정 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 세정 프로브에 의하여 세정되도록 놓여진 웨이퍼의 단면도이다.
도 2는 종래기술에 따라 그루브가 형성된 세정 프로브의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 세정 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 세정 프로브와 세정될 웨이퍼의 상면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 세정 프로브의 측면도이다.
도 6a와 도 6b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세정 프로브의 측면도들이다.
도 7a와 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 그루브 모양들을 도시한다.
도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 그루브 단면 모양들을 도시한다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
5 : 메가소닉 에너지 세정 장치 10 : 웨이퍼
12 : 세정액 20, 220 : 세정 프로브
23, 222 : 그루브 40 : 트랜스듀서
50, 80 : 회전장치 또는 모터 60 : 웨이퍼 지지대
본 발명의 실시예들은 깨끗함의 현재 기준을 유지하면서, 웨이퍼를 세정하는 동안 발생되는 데미지량을 감소시킨다. 본 발명의 실시예들은 세정될 웨이퍼를 회전시킬 수 있고 세정 작용 중에 세정 프로브를 회전시킬 수 있는 메가소닉 에너지 세정 장치를 포함한다. 웨이퍼가 세정되는 동안에 세정 프로브를 회전시키는 것은 장치의 세정 작용을 효과적으로 증가시키고, 웨이퍼 패턴 데미지 발생은 최소로 한다. 추가적으로, 회전하는 세정 프로브 안에 형성된 다른 곡선의 그루브들은 웨이퍼 표면 또는 이미 표면 위에 형성되어 있는 구조에 데미지를 입힐 가능성이 있는 유해한 파동을 방지하는 데에 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 웨이퍼 세정은 완성된 집적회로 또는 소자의 제조 공정 중에 한 번 이상 수행될 수 있다. 예를 들어, 이 공정은 완성된 소자를 형성하는 동안 여러 번 진행될 수 있는 화학적 기계적 연마(CMP) 단계 이후에 수행될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 메가소닉 에너지 세정 장치(5)를 도시한다. 세정 장치(5)는 장치(5) 측벽(30) 안의 구멍(32)에 맞게 가공된 연장된 세정 프로브(20)를 포함한다. 오링(34) 또는 다른 밀봉재가 세정 프로브(20)가 고주파로 진동할 때에도 장치(5) 안의 액체가 측벽(30)을 지나 새어나가는 것을 방지한다.
압전 변환기와 같은 트랜스듀서(transducer)(40)가 음향적으로 그리고 가능하게 다른 방법으로 세정 프로브(20)의 일단에 결합되고, 트랜스듀서가 에너지화되었을 때 세정 프로브로 전달되는 메가소닉 고주파 신호를 발생하는 기능을 한다.
모터와 같은 회전 요소(50)가 세정 프로브(20)에 결합되고 세정 프로브가 그 종축(longitudinal axis) 또는 주축 둘레로 회전하게 한다. 회전 요소(50)가 모터인 경우, 예를 들어 모터에 장착된 사슬톱니(sprocket)에 맞는 그루브를 가지고 세정 프로브(20)의 모서리를 수용할 수 있거나, 세정 프로브가 회전하기에 충분한 힘으로 세정 프로브의 넓은 단부 모서리에 접촉할 수 있는 고마찰 "탄력성" 물질에 모터(50) 스핀들이 부착될 수 있다. 세정 프로브(20)를 회전시킬 수 있는 방법은 많이 있으며 프로브를 회전시키는 것은 그 능력만큼 중요하지는 않다. 모터(50)는 세정 프로브(20)가 하나의 속도로 한 방향으로 회전하도록 구성될 수 있고, 또는 여러 다른 속도로 양쪽 방향으로 회전하도록 구성될 수도 있다.
프로브 지지대(52)가 세정 장치(5)에 결합되고, 모터(50)를 지지(이로써, 세정 프로브를 지지)하거나 세정 프로브를 직접 지지하는 것에 의하여, 측벽(30)의 구멍(32)에 추가하여 세정 프로브(20)의 2차 지지대로 사용될 수 있다. 추가적으로, 프로브 지지대(52)는 나삿니가 있는 막대(54)와 같은 플랫폼 이동 구조 위에 장착될 수 있다. 이 나삿니가 있는 막대(54)는 회전될 때, 프로브 지지대(52) 안에 나삿니가 있는 면(미도시)을 가지는데, 이것은 프로브 지지대가 세정 프로브(20)를 장치 안이나 밖으로 움직이게 할 수 있도록 한다. 플랫폼 이동 구조(54)는 세정 프로브(20)가 모터(50)에 의해 회전되고 있는 중이라도 움직일 수 있다. 나아가, 플랫폼 이동 구조는 임의의 모양을 취할 수 있고, 도 3에 도시한 나삿니가 있는 막대(54)가 구조를 움직이게 하는 유일한 방법은 아니다. 다른 방법들은 기술분야의 숙련된 자에게 알려져 있다.
세정될 웨이퍼(10)를 지지하기 위하여 장치(5) 안에 웨이퍼 지지대(60)가 장착된다. 웨이퍼(10)는 지지대(60) 위에 장착되었을 때, 세정 프로브(20)에 충분히 가깝게 위치하여 프로브와 웨이퍼 사이의 세정액(12)의 교란이 웨이퍼 표면 위의 파티클을 분해하도록 한다. 세정을 위한 위치에 있을 때, 세정 프로브(20)와 웨이퍼(10) 표면 사이의 거리는 0.1 인치보다 작은 것이 바람직하다.
지지대(60)는 세정 장치(5) 바닥면(70) 안의 구멍(72)을 관통하여 돌출되어 있다. 오링(74) 또는 다른 밀봉재가 장치(5) 안의 액체가 구멍(72)을 지나 새어나가는 것을 방지한다. 지지대(60)는 회전장치 또는 모터(80)에 결합되어 있는데, 이것은 세정하는 동안에 지지대를 회전(따라서, 지지대 위의 웨이퍼도 회전)시킬 수 있다.
도 3에는 모든 표면이 세정 프로브와 접촉되도록 웨이퍼가 회전하는 동안, 세정될 웨이퍼(10) 표면의 반을 가로질러 연장된 세정 프로브(20)를 가지는 것으로 도시하였으나, 웨이퍼와 세정 프로브를 가까이 접촉시키는 다른 방법들도 가능하다. 예를 들어, 세정 프로브는 웨이퍼(10) 전체를 가로질러 연장하는 것일 수 있고, 웨이퍼의 전체 표면이 세정 프로브에 가까이 위치하도록 하기 위해 위에 언급한 것처럼 웨이퍼가 완전히 회전하기보다 1/2 주기만 회전될 필요가 있을 수 있다. 또는, 웨이퍼를 움직이거나 프로브 지지대(52)를 움직임으로써 세정 프로브 자신을 움직이는 것에 의해 세정 프로브(20)를 웨이퍼(10)에 대하여 횡방향으로 움직일 수 있다.
세정하는 동안, 세정 프로브(20)에 결합된 트랜스듀서(40)는 전기적으로 여기되어 프로브(20)를 진동하게 한다. 트랜스듀서가 압전체이면, 여기 에너지가 진동을 제어한다. 웨이퍼(10)는 지지대(60) 위의 위치로 로딩되고, 세정액(12)이 그 표면에 가해진다. 세정 프로브(20)가 세정될 웨이퍼(10) 가까이 있을 때, 메가소닉 에너지가 세정 프로브에 인가되고, 이것은 세정액(12)을 교란시켜 세정액의 공동(cavity)을 일으킨다. 공동은 메가소닉 에너지의 파워가 증가함에 따라 증가한다. 이로서, 더 많은 파워가 유도되면, 웨이퍼 표면의 세정 효율이 높아진다. 그러나, 증가된 파워는 세정될 웨이퍼(10) 표면의 손상된 영역 수 또한 증가시킨다.
웨이퍼(10)가 세정되면서, 떨어진 파티클들은 웨이퍼 표면에서 세정액(12)으로 흡수되거나 "분리된다(lifted)". 분리된 파티클들을 포함한 세정액(12)은, 더러운 액체가 씻겨나가고 웨이퍼(10) 표면에 깨끗한 세정액이 지속적으로 공급되는 린스 사이클로 대체된다. 또는, 분리된 파티클들을 포함하는 세정액을 오염되지 않은 세정액으로 교체하는 다른 방법이 사용될 수 있다.
도 4는 웨이퍼 세정 동작동안 모터(80, 도 3)에 의해 지지대(60)를 통해 회전되는 웨이퍼(10)와 회전장치(50, 도 3)에 의해 회전되는 세정 프로브(20)의 상대적인 운동을 보여주는 상면도이다. 웨이퍼(10)가 반시계 방향으로 회전한다고 가정하면, 세정 프로브(20)도 웨이퍼로부터 이격된 끝에서 프로브의 종축을 따라 보았을 때 반시계 방향으로 회전한다. 다시 말하면, 도 4에 도시한 대로, 프로브에 가장 가까운 웨이퍼(10) 에지가 좌에서 우로 회전할 때에, 세정 프로브(20)는 프로브의 위로 우측으로 회전하고 프로브의 좌측 아래로 회전한다.
세정 프로브(20)를 회전시켜 작동하는 것에 추가하여, 세정 프로브의 세정작용은 프로브의 세정 작용을 증가시키기 위해 프로브를 식각하거나 그루빙하여 증가될 수 있다. 그루브(23)는 가능한 임의의 웨이퍼 패턴 데미지를 최소화하도록 형성될 수 있다. 웨이퍼 패턴 데미지의 소스는, 위에서 언급한 대로, 도 2에 도시한 것처럼, 구동된 세정 프로브(20)의 바닥면에 형성된 그루브(23)의 모서리(25)에 기인하여 세정액(12) 안에 파동이 형성될 때 발생된다.
세정액(12) 안에 임의의 파동 패턴을 최소화하도록 형성된 그루브가 도 5에 도시되어 있다. 도면에서 세정 프로브(220)는 프로브의 종축 또는 주축을 따라 형성된 대체적으로 곡선인 그루브(222)를 포함한다. 그루브(222)는 나선형 그루브이거나 또는 다른 패턴일 수 있다. 세정 프로브(220) 안에 나선형 그루브(222)를 가질 때의 장점은 프로브 회전장치(50, 도 3)와 함께 사용되었을 때, 그루브가 형성되지 않은 프로브에 비하여 더 많은 세정 작용을 일으킨다는 것이고, 그루브의 에지로부터 전달된 메가소닉 에너지를 프로브 바로 아래에 위치하는 웨이퍼(10) 표면으로 보다 잘 분산시키고 분배할 수 있게 됨으로써 웨이퍼로의 데미지를 최소화한다는 것이다. 도 5의 세정 프로브(220)는 도 3의 세정 장치(5)에 프로브 또는 장치의 변형없이 사용될 수 있다.
앞에서 언급한 것처럼, 세정되는 웨이퍼(10)가 세정 프로브(220) 아래에서 회전할 때에 프로브도 회전할 수 있다. 세정 공정 동안, 세정 프로브(220)는 그 주축 둘레로 회전하고, 곡선의 그루브(222) 때문에, 프로브에 의하여 세정액(12)으로 전달되는 메가소닉 에너지가 웨이퍼(10) 또는 세정액 안의 특정 영역에 집중되지 않는다. 세정 프로브(220)를 회전시킴으로써, 그루브의 모서리에서 방출되는 에너지는 웨이퍼(10) 전체 표면 위의 세정액(12)으로 분산된다. 따라서, 세정 프로브(220) 바로 아래로 투사되는 메가소닉 파동에 의해 야기되는 데미지가 현저하게 감소된다.
도 5에 도시한 대로, 바람직한 실시예에서, 세정 프로브(220)가 세정(연장된) 위치에 있을 때, 그루브(222)는 세정 프로브(220)를 따라 그 끝에서부터 세정될 웨이퍼(10) 에지 바로 위 영역에까지 연장된다. 어떤 경우이든, 그루브(222)가 세정 장치(5)의 측벽(30)을 넘어서까지 연장되는 것은 바람직하지 않은데, 그렇지 않으면 액체가 세정 프로브(220)의 그루브(222)를 흘러 넘쳐 장치 내부로부터 구멍(32)을 통해 새어나갈 수 있다.
덧붙여서, 도 6a 및 도 6b에 도시한 것처럼, 나선형 그루브(222)는 불연속적으로 감겨진 피치(pitch)를 가질 수 있는데, 여기서 연장단(elongated end) 가까이의 세정 프로브(220) 부분에 단위 길이당 더 많은 그루브가 있거나(도 6a), 음향 에너지가 인가되는 단부 가까이에 단위 길이당 더 많은 그루브가 있다(도 6b). 불균일한 피치를 갖는 것은 에너지를 세정 프로브(220)로부터 세정액(12) 안으로 더욱 고르게 분배하는 데 도움이 될 수 있다. 나아가, 그루브(222)의 폭이 그루브의 전체 길이에 걸쳐 일정할 필요는 없다. 예를 들어, 곡선의 그루브(222)를 직선으로 펼쳤다고 할 때의 도면인 도 7a에 보여진 대로, 그루브는 한쪽 끝이 다른 쪽보다 넓을 수 있다. 또는, 도 7b에 도시한 것처럼 그루브(222)는 연속하여 변화하는 폭을 가질 수 있거나, 도 7a와 도 7b에 나타낸 폭의 조합을 가진 모양이 또는 다른 것으로 디자인될 수 있다.
그루브(222) 모양 자체가 세정 프로브(220)의 세정 능력에 영향을 줄 수도 있다. 도 8a에 도시한대로, 그루브(222)는 비교적 편평한 바닥과, 바닥에 수직인 비교적 곧게 뻗은 두 측벽을 갖는 기본적인 그루브 모양을 가질 수 있다. 또는, 그루브(222)는 도 8b와 도 8c에 각각 도시한 것처럼 "U" 또는 "V"자형일 수 있다. 그루브(222)의 날카로운 모서리가 웨이퍼(10)에 데미지를 일으킬 경향을 증가시키므로, 도 8d와 도 8e는 둥글게 만든(flanged) 모서리를 갖는 "U" 또는 "V"자형 그루브를 보여주는데, 이것도 그루브에 사용될 수 있다. 추가적으로, 그루브(222)의 모서리는 그루브 자체만큼 넓어야 하거나 그루브보다 넓어야 할 필요는 없다. 따라서, 그루브(222)는 도 8f에 나타낸 모양일 수 있는데, 그루브의 바닥 면적보다 간격이 좁은 둥근 모서리들을 가진다. 도 8a 내지 도 8f에 몇 가지 그루브의 모양 예들을 나타내었지만, 본 발명 자체가 특정한 모양에 한정되는 것은 아니고, 실제로는 보여진 모양 또는 다른 것 또는 그들의 조합의 어느 것일 수 있다.
위에서 언급하지는 않았지만, 나선형 그루브(222)가 감겨지는 방향은 세정 작용과 웨이퍼 패턴 데미지 최소화에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 그루브(222)는 세정 프로브(220) 안에 프로브(220) 자체가 세정 장치(5) 안에서 회전하는 방향과 동일한 방향으로 회전하게 형성되거나, 반대 방향으로 회전하게 형성될 수 있다. 물론 일반적으로 모터(80)가 웨이퍼(10)를 일방향으로 회전하게 구성되고, 세정 프로브(220)도 웨이퍼와 동일한 방향으로 회전하기 때문에, 다르게 감겨진 방향을 갖는 그루브(222)를 가지는 두 프로브가 가능하다.
일반적으로, 세정 프로브(220)는 거의 모든 세정액(12)에 의한 영향을 받지않는 석영(quartz)으로 만들어진다. 그러나, 프로브는 다른 물질로도 만들어질 수 있다. 예를 들어, 세정 프로브(220)는 사파이어, 탄화규소, 질화붕소, 탄소 유리(vitreous carbon), 유리질 카본이 코팅된 흑연, 다른 적당한 물질 또는 이들의 조합을 가지고 석영과 함께 또는 석영 없이 만들 수 있다.
세정 장치(5)와 세정 프로브(220)의 완성은 이상 개시된 바로부터 알 수 있다. 여느 때처럼, 완성의 세부사항은 시스템 설계자에게 맡겨진다. 예를 들어, 웨이퍼(10)의 회전수에 대한 세정 프로브(220)의 회전수의 비는 실험적으로 가장 잘 결정된다. 게다가, 가장 좋은 피치, 피치들, 그루브 모양 또는 모양들, 및 그루브의 폭은, 세정 프로브(220)의 다른 세부사항과 함께 변형되고 최대화되어 여전히 본 발명의 범위에 포함된다.
따라서, 그루브가 형성된 세정 프로브 자체와 회전할 수 있는 세정 프로브를 포함하는 세정 장치의 특정 실시예들에 관하여 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 수정 및 변형이 가능함은 명백하다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부된 청구범위 및 그들의 등가물에 의해 정해져야 할 것이다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 웨이퍼 에지 부위의 에너지 집중현상을 개선하여 웨이퍼 상에 균일한 에너지를 인가할 수 있다. 따라서, 원하는 세정 효과를 얻기에 충분할 정도로 에너지의 크기를 증가시켜도 에너지가 웨이퍼 상의 어느 한 부위에 집중되지 않으므로, 패턴 데미지를 최소화하면서 웨이퍼의 표면으로부터 파티클들을 효과적으로 제거할 수 있다.

Claims (38)

  1. 세정 용기(vessel);
    상기 세정 용기 안에 위치하고 세정될 웨이퍼를 지지하도록 구성된 웨이퍼 지지대;
    상기 세정될 웨이퍼를 회전시키도록 구성되며 상기 웨이퍼 지지대에 결합된 웨이퍼 회전장치;
    프로브(probe) 회전장치;
    메가소닉 진동을 발생하게 구성된 프로브 진동자(vibrator); 및
    결합단(coupling end)과 연장단(elongated end)을 가진 세정 프로브로서, 상기 프로브의 결합단은 상기 프로브 회전장치와 프로브 진동자에 결합되고, 상기 프로브의 연장단은 상기 세정될 웨이퍼 근처에 적용되며, 상기 세정 프로브의 연장단의 적어도 일부는 그 안에 형성된 곡선의 그루브(curvilinear groove)를 갖는 세정 프로브를 포함하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안의 그루브는 상기 세정 프로브의 종축(longitudinal axis)을 따라 나선형(spiral)으로 감겨진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세정 용기는 그 안에 형성된 어퍼쳐(aperture)를 갖고, 상기 시스템은 상기 세정 용기의 표면에 부착된 프로브 마운트(mount)를 더 포함하며, 상기 프로브 마운트는 상기 세정 용기 안의 어퍼쳐를 관통하여 삽입될 수 있는 상기 세정 프로브를 지지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프로브 마운트는 상기 프로브 회전장치에 직접 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  5. 제3항에 있어서, 상기 프로브 마운트는 상기 세정 프로브가 상기 세정 용기 안의 어퍼쳐를 관통하여 미끄러질 수 있게 삽입되도록 구성되고, 상기 세정 프로브가 상기 세정 용기 안의 어퍼쳐로 충분히 삽입될 때, 상기 세정 프로브 안의 곡선의 그루브는 상기 세정 프로브의 연장단의 끝에서부터 상기 웨이퍼 지지대에 삽입된 웨이퍼의 에지 바로 위의 세정 프로브의 영역에까지 확장되어 있는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  6. 제2항에 있어서, 상기 나선형 그루브의 피치(pitch)는 상기 세정 프로브의 길이를 따라 변화하는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 나선형 그루브는 상기 세정 프로브의 결합단을 향한 제1 말단과 상기 세정 프로브의 연장단을 향한 제2 말단을 갖고, 상기 제1 말단에서보다 상기 제2 말단에서 단위 길이당 더 많은 상기 나선형 그루브가 있는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 프로브 회전장치는 모터인 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  9. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 U자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  10. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 모서리가 둥근(flanged) U자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  11. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 V자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 모서리가 둥근 V자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  13. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 비교적 편평한 바닥면을 갖고, 상기 바닥면에 수직으로 형성된 비교적 편평한 두 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  14. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 제1 모서리와 제2 모서리를 갖고, 상기 제1 모서리와 제2 모서리 사이의 거리는 상기 그루브의 가장 넓은 부분을 가로지르는 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  15. 제1항에 있어서, 상기 프로브 회전장치는 상기 웨이퍼 회전장치가 상기 세정될 웨이퍼를 회전시키는 동안 상기 세정 프로브를 회전시키는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 세정 프로브의 회전 속도는 상기 세정될 웨이퍼의 회전 속도에 무관한 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  17. 제15항에 있어서, 상기 프로브 회전장치는 상기 세정될 웨이퍼의 회전 방향에 대해 순방향 또는 역방향으로 상기 세정 프로브를 회전시키는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  18. 제1항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 하나 이상의 폭을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 상기 세정 프로브의 결합단을 향한 제1 말단과 상기 세정 프로브의 연장단을 향한 제2 말단을 갖고, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 상기 제2 말단에서보다 제1 말단에서 더 큰 폭을 가진 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 시스템.
  20. 세정 챔버, 상기 세정 챔버 안의 웨이퍼 지지대, 프로브 회전장치 및 프로브 진동자를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치 안에, 상기 프로브 진동자와 프로브 회전장치에 결합되게 적용된 세정 프로브로서, 상기 세정 프로브는 에너지를 수용하기 위한 제1 단부(first end)와 세정 작용을 발생하기 위한 연장단(elongated end)을 가진 일반적으로 연장된 막대(rod)를 포함하고, 상기 세정 프로브의 연장단의 적어도 일부는 그 안에 형성된 나선형(spiral) 그루브를 갖는 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  21. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안의 나선형 그루브는 상기 세정 프로브의 종축(longitudinal axis)을 따라 감겨진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  22. 제20항에 있어서, 상기 나선형 그루브의 피치는 상기 세정 프로브의 길이를따라 변화하는 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  23. 제20항에 있어서, 상기 나선형 그루브는 상기 세정 프로브의 제1 단부를 향한 제1 말단과 상기 세정 프로브의 연장단을 향한 제2 말단을 갖고, 상기 제1 말단에서보다 상기 제2 말단에서 단위 길이당 더 많은 상기 나선형 그루브가 있는 것을 특징으로 하는 메가소닉 웨이퍼 세정 프로브.
  24. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 U자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  25. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 모서리가 둥근(flanged) U자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  26. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 V자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  27. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 모서리가 둥근 V자형 단면을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  28. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 비교적 편평한 바닥면을 갖고, 상기 바닥면에 수직으로 형성된 비교적 편평한 두 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  29. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 제1 모서리와 제2 모서리를 갖고, 상기 제1 모서리와 제2 모서리 사이의 거리는 상기 그루브의 가장 넓은 부분을 가로지르는 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  30. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 하나 이상의 폭을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  31. 제20항에 있어서, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 상기 세정 프로브의 제1 단부를 향한 제1 말단과 상기 세정 프로브의 연장단을 향한 제2 말단을 갖고, 상기 세정 프로브 안에 형성된 그루브는 상기 제2 말단에서보다 제1 말단에서 더 큰 폭을 가진 것을 특징으로 하는 세정 프로브.
  32. 회전시킬 수 있는 마운트(mount) 위에 세정될 웨이퍼를 장착하는 단계;
    상기 세정될 웨이퍼 표면에 액체를 가하는 단계;
    상기 장착된 웨이퍼를 회전시키는 단계;
    상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 세정 프로브를 위치시키는 단계;
    상기 세정 프로브에 메가소닉 에너지를 인가하는 단계; 및
    상기 장착된 웨이퍼가 회전하는 것과 동시에 상기 세정 프로브를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 세정 프로브를 위치시키는 단계는 그 안에 형성된 곡선의 그루브(curvilinear groove)를 갖는 세정 프로브를 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 위치시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 그 안에 형성된 곡선의 그루브를 갖는 세정 프로브를 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 위치시키는 것은 그 안에 형성된 나선형 그루브를 갖는 세정 프로브를 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 위치시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 나선형 그루브는 불균일한 피치를 가진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 메가소닉 에너지는 상기 세정 프로브의 일단에 인가되고, 상기 일단 쪽에서보다 상기 세정 프로브의 다른 부분에서 단위 길이당 더 많은 상기 나선형 그루브가 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  37. 제32항에 있어서, 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 세정 프로브를 위치시키는 단계는 상기 장착된 웨이퍼가 회전하는 동시에 상기 세정 프로브를 회전시키는 단계 이후에 일어나는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
  38. 제32항에 있어서, 상기 회전하는 장착된 웨이퍼 가까이 세정 프로브를 위치시키는 단계는 상기 세정 프로브에 메가소닉 에너지를 인가하는 단계 이후에 일어나는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
KR10-2002-0034144A 2002-04-25 2002-06-18 웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법 KR100468737B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/133,710 US6843257B2 (en) 2002-04-25 2002-04-25 Wafer cleaning system
US10/133,710 2002-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030084538A KR20030084538A (ko) 2003-11-01
KR100468737B1 true KR100468737B1 (ko) 2005-01-29

Family

ID=29249033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0034144A KR100468737B1 (ko) 2002-04-25 2002-06-18 웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6843257B2 (ko)
JP (1) JP4242677B2 (ko)
KR (1) KR100468737B1 (ko)
CN (1) CN1267971C (ko)
DE (1) DE10310543B4 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130135778A (ko) * 2012-06-03 2013-12-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 표면 준비, 세정, 및 에칭을 위한 활성종을 생성하는 음향 에너지
KR101424622B1 (ko) * 2007-07-05 2014-08-01 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 세정 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100493016B1 (ko) * 2002-03-23 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치
US7185661B2 (en) * 2002-05-06 2007-03-06 Akrion Technologies, Inc. Reciprocating megasonic probe
KR100526192B1 (ko) * 2003-05-28 2005-11-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비
KR100598112B1 (ko) * 2004-12-20 2006-07-07 삼성전자주식회사 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
JP4324653B2 (ja) * 2005-05-26 2009-09-02 本多電子株式会社 超音波洗浄装置
KR200449384Y1 (ko) * 2008-04-30 2010-07-07 박효준 기둥 부착용 전기장치함
JP5245701B2 (ja) * 2008-10-03 2013-07-24 富士通株式会社 超音波照射装置、洗浄装置及び洗浄方法
TWI483299B (zh) * 2009-01-09 2015-05-01 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
TWI501297B (zh) * 2009-03-31 2015-09-21 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
SG174616A1 (en) 2009-03-31 2011-11-28 Acm Res Shanghai Inc Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
JP5520511B2 (ja) * 2009-04-07 2014-06-11 サムスン電機ジャパンアドバンスドテクノロジー株式会社 ディスク駆動装置の生産方法及びディスク駆動装置
CN101927242B (zh) * 2009-06-25 2014-08-20 盛美半导体设备（上海）有限公司 半导体硅片的清洗方法和装置
JP2013004126A (ja) * 2011-06-14 2013-01-07 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置の製造方法及びその製造方法により生産されたディスク駆動装置
JP2013030235A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Alphana Technology Co Ltd 回転機器および回転機器を製造する方法
CN102327883B (zh) * 2011-10-10 2013-12-18 北京七星华创电子股份有限公司 兆声波清洗头及具有该清洗头的兆声波清洗***
CN107636799B (zh) 2015-05-20 2021-12-03 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体衬底的方法和装置
CN105396826A (zh) * 2015-11-20 2016-03-16 无锡南方声学工程有限公司 一种超声波清洗机旋转支架结构
JP7032816B2 (ja) 2016-09-19 2022-03-09 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板の洗浄方法及び洗浄装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP2001053047A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Ebara Corp 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4401131A (en) * 1981-05-15 1983-08-30 Gca Corporation Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US6679272B2 (en) * 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US6295999B1 (en) * 1996-09-30 2001-10-02 Verteq, Inc. Wafer cleaning method
JP2001053047A (ja) * 1999-08-13 2001-02-23 Ebara Corp 半導体基板の洗浄装置及びその洗浄方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101424622B1 (ko) * 2007-07-05 2014-08-01 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 세정 방법
US9070723B2 (en) 2007-07-05 2015-06-30 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers
KR20130135778A (ko) * 2012-06-03 2013-12-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 표면 준비, 세정, 및 에칭을 위한 활성종을 생성하는 음향 에너지
KR102117125B1 (ko) * 2012-06-03 2020-05-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 표면 준비, 세정, 및 에칭을 위한 활성종을 생성하는 음향 에너지

Also Published As

Publication number Publication date
DE10310543A1 (de) 2003-11-20
DE10310543B4 (de) 2006-11-16
KR20030084538A (ko) 2003-11-01
US6843257B2 (en) 2005-01-18
US20030200986A1 (en) 2003-10-30
JP4242677B2 (ja) 2009-03-25
JP2003318147A (ja) 2003-11-07
CN1453827A (zh) 2003-11-05
CN1267971C (zh) 2006-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100468737B1 (ko) 웨이퍼 세정 시스템, 세정 프로브 및 웨이퍼 세정 방법
KR100824362B1 (ko) 반도체기판 세정장치 및 세정방법
JP3876167B2 (ja) 洗浄方法および半導体装置の製造方法
KR101546660B1 (ko) 반도체 웨이퍼 세척 방법 및 장치
JP5648047B2 (ja) 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
JP5466638B2 (ja) 半導体基板を洗浄する装置及び方法
JP4676856B2 (ja) 洗浄プローブ及びこれを具備するメガソニック洗浄装置
JP4519541B2 (ja) 超音波洗浄装置
JP2010532556A5 (ko)
US20060130871A1 (en) Megasonic cleaner having double cleaning probe and cleaning method
JPH0855827A (ja) ウェーハカセットおよびこれを使用した洗浄装置
JP3746248B2 (ja) 超音波洗浄用ノズル、超音波洗浄装置及び半導体装置
US7089947B2 (en) Apparatus and method for cleaning a semiconductor wafer
JP2007027241A (ja) 超音波洗浄装置
JP2004039843A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR20230107333A (ko) 초음파 세정을 위한 캐러셀 및 그 사용 방법
JP3927936B2 (ja) 枚葉式洗浄方法及び洗浄装置
JP4144201B2 (ja) ウエット洗浄処理装置
JP4263926B2 (ja) 基板洗浄方法及び洗浄装置
JP2001085380A (ja) 半導体基板の洗浄装置
KR20070073311A (ko) 웨이퍼 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정방법
KR20230135714A (ko) 웨이퍼 세정 장치
JP2004079767A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR20080023861A (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법
JP3729476B2 (ja) 基板洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130102

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141231

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160104

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170102

Year of fee payment: 13