KR100439472B1 - 공정 에러 측정 방법 및 장치와 이를 이용한 오버레이측정 방법 및 장치 - Google Patents

공정 에러 측정 방법 및 장치와 이를 이용한 오버레이측정 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

공정 에러를 최소화하기 위한 공정 에러 측정 방법 및 장치와 이를 이용한 오버레이 측정 방법 및 장치가 개시되어 있다. 소정의 단위 공정이 완료된 피측정물 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정한다. 상기 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 출력한다. 상기 공정 에러값들로 부터 각 영역에서의 보정값들을 각각 계산한다. 상기 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백하는 반도체 공정 에러 측정 방법을 제공한다. 상기 각각의 공정 에러값들은 머지되어 하나의 파일을 생성하여 출력된다. 따라서, 피측정물 상의 영역별로 보정값을 각각 반영함으로서, 단위 공정 시에 피측정물의 각 영역별로 발생되는 공정 불량을 최소화할 수 있다.

Description

공정 에러 측정 방법 및 장치와 이를 이용한 오버레이 측정 방법 및 장치{Method and apparatus for measuring of processing error and method and apparatus for measuring of overlay}
본 발명은 공정 에러 측정 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 사진 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 오버레이 측정을 포함하는 반도체 공정에서 공정 에러 측정 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 산업에서 경쟁력 강화를 위한 일환으로 높은 생산 수율을 보장할 수 있는 각각의 단위 공정이 개발되고 있으며, 동시에 각 단위 공정에서의 공정 에러를 측정하는 방법 및 장치도 활발하게 연구되고 있다. 특히 핵심 반도체 제조 공정들 중의 하나인 사진 공정(Photo-lithographic Process)의 경우에도 공정 조건의 변화가 빈번하여 이에 대처할 수 있는 공정 개발 및 이를 수행하기 위한 장치가 필요한 실정이다.
사진 공정 시에 고려되어야 하는 문제점 중의 하나는 노광 및 현상에 의해형성되는 포토레지스트 패턴의 미스얼라인(misalign)이다. 상기 미스얼라인은 반도체 장치의 고집적화에 따른 얼라인 마진(align margin)의 축소 및 웨이퍼의 대구경화 등에 따라 정확한 얼라인이 점점 어려워지면서, 더욱 심각한 문제점으로 대두되고 있다. 상기 미스얼라인 불량을 방지하기 위해, 웨이퍼에 형성되어 있는 포토레지스트 패턴의 정렬도를 확인하는 작업인 오버레이 측정 공정의 최적화가 필수적으로 요구된다.
종래의 오버레이 측정 방법을 설명하면, 우선, 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴를 형성시키고 하부 패턴층과의 중첩된 위치를 측정한다. 이 때, 상기 웨이퍼의 각 셀들에 형성된 패턴층들은 너무 복잡하여 중첩된 정도(alignment)를 측정할 수는 없으므로, 웨이퍼(W)의 스크라이브 라인 상에 부가된 얼라인 마크에서 상기 중첩도가 측정된다. 일반적으로, 상기 중첩도의 측정은 하나의 웨이퍼에 구비되는 샷(shot)의 개수의 30 내지 40%정도의 개수 만큼에 대해 수행한다. 또한 상기 웨이퍼의 국부적인 영역이 아니라, 상기 웨이퍼의 전 영역이 포함되도록 측정되는 얼라인 마크들을 지정한다.
상기 웨이퍼 상에 형성되어 있는 얼라인 마크에서 측정된 각각의 중첩도를 회기 분석하여 오버레이 데이터를 검출한다. 상기 오버레이 데이터는 웨이퍼 및 레티클에서 X,Y 방향으로의 틀어진 정도 및 회전 정도를 나타내는 데이터이다.
상기와 같이 검출된 오버레이 데이터를 사용하여 오버레이 보정값을 계산하고, 상기 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하여 이 후에 진행되는 웨이퍼에서 미스 얼라인 불량이 발생되지 않도록 한다.
그런데 상기와 같은 방법으로 오버레이를 측정할 경우 몇가지 문제점이 있다.
첫째, 상기 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하여 반영하더라도 웨이퍼의 전체 영역에서 미스 얼라인 불량을 방지하기가 어렵다.
이를 자세히 설명하면, 동일한 노광 조건에서 웨이퍼 상에 노광 공정을 수행하더라도, 웨이퍼 상에는 미스 얼라인 불량이 발생되는 영역이 있는 반면에 미스 얼라인 불량이 발생되지 않는 영역이 발생하게 된다. 이는 오버레이 보정값이 웨이퍼의 소정 영역에서는 정확히 반영되어 미스 얼라인이 유발되지 않았으나, 나머지 영역에서는 상기 오버레이 보정값이 유효하지 않다는 결과를 나타낸다. 이러한 현상은 웨이퍼가 대구경화되면서 더욱 심화되고 있다.
둘째, 하나의 웨이퍼에서 하나의 샷(shot)의 크기에 대해서만 중첩도 측정만이 가능하므로 웨이퍼의 가장자리에 보통 샷(normal shot)의 1/2 크기를 갖는 샷(이하 1/2 shot)에 대해서는 중첩도 측정이 불가능하다.
웨이퍼의 대구경화에 의해 웨이퍼의 가장자리에 형성되는 1/2샷의 수는 많아졌으나, 이러한 1/2샷의 중첩도를 전혀 확인하지 못한 상태에서 공정이 진행되므로 불량 발생의 가능성이 크다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 공정 불량을 최소화하기 위한 공정 에러 측정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 제2 목적은 공정 불량을 최소화하기 위한 공정 에러 측정 장치를제공하는데 있다.
본 발명의 제3 목적은 미스얼라인 불량을 최소화하기 위한 오버레이 측정 방법을 제시하는데 있다.
본 발명의 제4 목적은 미스얼라인 불량을 최소화하기 위한 오버레이 측정 방법을 제시하는데 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 에러 측정 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 에러 측정 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 사진공정을 수행하기 위한 장치의 블록구성을 나타낸다.
도 4는 오버레이 데이터를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5e는 오버레이 데이터의 각 파라메터의 개념을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 상기 오버레이 측정 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 7a 내지 도 7b는 웨이퍼 상의 영역 지정의 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 각 영역별로 검출된 오버레이 데이터의 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 노광 장치의 대략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 상기 오버레이 측정 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 11은 도 10의 장치에서 영역 입력부를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 공정 에러 측정 장치 12 : 영역 입력부
14 : 검출부 16 : 보정부
18 : 전송부 20 : 사진 장치
28 : 오버레이 측정 장치 30 : 얼라인 마크
상기한 제1 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 소정의 단위 공정이 완료된 피측정물 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정한다. 상기 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 검출한다. 상기 공정 에러값들로 부터 각 영역에서의 보정값들을 각각 계산한다. 상기 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백하는 공정 에러 측정 방법을 제공한다.
상기 각 영역에서 검출된 공정 에러값들은 머지되어 하나의 파일로 생성되어 검출된다.
상기한 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 소정의 단위 공정이 완료된 피측정물에 적어도 2 부분의 영역을 지정하여 입력하는 영역 입력부와, 상기 영역 입력부에 입력된 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 검출하는 검출부와, 상기 검출 부에서 검출된 공정 에러값들로 부터 각 영역에서의 보정값들을 각각 계산하는 보정부와, 상기 보정부에서 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백하는 데이터 전송부를 구비하는 공정 에러 측정 장치를 제공한다.
상기 공정 에러 측정 방법 및 장치에 의하면, 상기 피측정물 상의 각 영역별로 공정 에러값을 검출하고, 상기 각 영역별로 보정값을 계산할 수 있다. 때문에 단위 공정을 수행할 시에 각 영역별로 보정값을 각각 반영함으로서, 단위 공정 시에 상기 피측정물 상의 영역별로 발생되는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
상기한 제3 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 노광 공정이 수행된 웨이퍼 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정한다. 상기 각 영역에서 샘플링된 샷(shot)들의 소정 부위에 구비되는 얼라인 마크들을 각각 측정한다. 상기 각 영역에서 수득한 측정 데이터를 따로 취합하여 각각 오버레이 데이터를 검출한다. 상기 각 영역별 오버레이 데이터에 대해 각각 오버레이 보정값을 계산한다. 상기 계산된 각각의 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하는 오버레이 측정 방법을 제공한다.
상기한 제4 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 노광 공정이 수행된 웨이퍼 상에 적어도 2 부분의 영역을 임의로 지정하여 입력하는 영역 입력부와, 상기 영역 입력부에 입력된 각 영역에서 샘플링된 샷(shot)들의 소정 부위에 구비되는 얼라인 마크들의 중첩도를 각각 측정하는 측정부와, 상기 측정부에서 측정된 각 영역에서의 중첩도를 따로 취합하여 각각에 대한 오버레이 데이터를 검출하는 검출부와, 상기 데이터 검출부에서 검출된 각각의 오버레이 데이터에 대해 각각 오버레이 보정값을 계산하는 보정부와, 상기 보정부에서 계산된 각각의 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하기 위한 데이터 전송부를 구비하는 오버레이 측정 장치를 제공한다.
따라서, 웨이퍼 상의 각 영역별로 오버레이 데이터를 검출하고, 상기 각 영역별로 오버레이 보정값을 계산할 수 있다. 때문에 노광 공정을 수행할 시에 각 영역별로 오버레이 보정값을 각각 반영함으로서, 상기 노광 공정 시에 웨이퍼 영역별로 발생되는 미스얼라인 불량을 최소화할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 에러 측정 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
먼저, 소정의 단위 공정이 완료된 피측정물 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정한다.(S10) 상기 피측정물은 웨이퍼를 포함한다. 상기 피측정물상의 영역은 각 영역별로 발생되는 에러 발생의 분포에 따라 작업자에 의해 지정할 수 있다.
구체적으로, 상기 피측정물상의 영역은 피측정물 상의 중심 부위(center area) 및 주변 부위(edge are)로 나누어 지정할 수 있다. 상기와 같은 영역 지정은 일반적으로, 피측정물의 중심 부위 및 주변 부위에서 단위 공정시에 발생되는 공정 에러의 분포도가 다른 것에 기인한 것이다.
또한, 상기 피측정물 상의 영역은 이전의 단위 공정 수행 시의 히스토리 데이터로부터 추출된 에러 분포도의 정규 분포에서 소정의 편차 범위 이내인 영역 및 상기 편차 범위를 벗어나는 영역으로 나누어 지정할 수도 있다.
상기 지정된 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 검출한다.(S12) 이 때 상기 각 영역에서의 공정 에러값들은 머지되어 하나의 파일이 생성되어 출력된다. 즉, 하나의 피측정물에 해당되는 파일이 하나로 관리될 수 있도록 한다.
상기 공정 에러값을 검출하기 위해서는 먼저, 상기 피측정물 상의 각 영역에서 측정하여야 할 다수의 부위를 샘플링하고, 상기 샘플링된 부위들에서 에러 데이터를 측정한다. 이어서, 상기 측정된 에러 데이터들로부터 상기 각 영역별로 공정 에러값들을 계산한다. 이 때, 각 영역에서 샘플링된 다수의 부위는 상기 피측정물의 전체에 고르게 분포하도록 한다. 즉, 상기 각 영역에서 단위 면적당 샘플링된 부위의 개수가 소정 영역에 과다하게 편중되지 않도록 한다.
상기 검출된 공정 에러값들로부터 각 영역별로 보정값들을 각각 계산한다.(S14)
상기 각 영역에서의 수득한 공정 에러값들에 각각 가중치를 부여하여 상기 피측정물 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 더 검출하고, 상기 피측정물 전체 영역에 해당하는 보정값을 더 계산할 수도 있다.
상기 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백한다.(S16) 따라서, 상기 단위 공정 장치는 상기 각 영역에서의 보정값들을 각각 적용하고, 상기 각 영역별로 다르게 보정된 조건을 사용하여, 후속으로 진행되는 피측정물에 단위 공정을 수행한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 에러 측정 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
소정의 단위 공정이 완료된 피측정물 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정하여 입력하는 영역 입력부(12)가 구비된다.
상기 영역 입력부(12)에 입력된 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 검출하는 검출부(14)가 구비된다. 상기 검출부(14)는 상기 각 영역에서 공정 에러값들을 검출하고, 검출된 공정 에러값들을 머지하여 하나의 파일로 생성한다. 따라서 하나의피측정물에 해당하는 상기 공정 에러값은 하나의 파일로 관리된다.
상기 검출부(14)는 피측정물 상의 각 영역에서 공정 에러 데이터를 측정하기 위한 다수의 부위들을 샘플링하고, 상기 샘플링된 부위에서 각각 에러 데이터를 측정하는 측정부(14a)와, 상기 측정부(14a)로부터 측정된 에러 데이터들을 입력받고, 상기 각 영역에서의 공정 에러값들을 계산하는 계산부(14b)로 구성된다. 상기 계산부(14b)는 계산된 각 영역에서의 공정 에러값들에 각각 가중치를 부여하여 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 더 계산하도록 구비된다.
상기 검출부(14b)에서 검출된 공정 에러값들로 부터 각 영역에서의 보정값들을 각각 계산하는 보정부(16)가 구비된다. 상기 보정부(16)는 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 입력받고, 상기 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 보정값을 더 계산하도록 구비된다.
상기 보정부(16)에서 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백하는 데이터 전송부(18)를 구비한다.
따라서, 상술한 방법 및 장치를 이용하여 상기 피측정물 상의 각 영역별로 공정 에러값을 검출하고, 상기 각 영역별로 보정값을 계산할 수 있다. 때문에 단위 공정을 수행할 시에 각 영역별로 보정값을 각각 반영함으로서, 단위 공정 시에 피측정물 상의 각 영역별로 발생되는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
이하에서는, 상기 설명한 공정 에러 측정 방법 및 장치를 반도체 제조 공정에서 사진 공정(photo)의 오버레이 측정시에 적용하여 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 반도체 제조 공정에서 사진공정을 수행하기 위한 장치의 블록구성을나타낸다.
사진장비(20)는 코팅처리부(22), 얼라인 및 노광처리부(24) 및 현상처리부(26)를 포함한다.
사진장비(20)는 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트막을 코팅하고, 상기 포토레지스트막의 소정 부위를 노광하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 사진 장비에서 형성된 포토레지스트 패턴은 식각 마스크로 사용함으로서, 반도체 소자에 사용될 각 패턴층을 형성한다.
그러므로, 사진 공정은 반도체 소자의 제조공정에 있어서 생산수율에 지대한 영향을 미치는 매우 중요한 핵심 공정이라 할 수 있다.
사진 공정은 크게 코팅공정, 얼라인먼트 및 노광공정, 현상공정으로 구분될 수 있다.
코팅처리부(22)에서는 웨이퍼 표면의 습기를 제거하고, 도포될 포토레지스트와 웨이퍼 표면과의 밀착성을 증가시키기 위하여 프리 베이크 공정과 고압 순수와 브러쉬를 이용하여 웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 스크러빙공정, 균일한 코팅을 위한 스핀공정, 솔벤트를 휘발시키고 포토레지스트를 경화시키는 소프트 베이크 공정 등을 수행한다.
얼라인 및 노광처리부(24)에서는 스텝퍼의 기준마크에 의해 레티클을 정렬시키고, 웨이퍼와 레티클을 정렬시키는 프리 얼라인공정, 웨이퍼의 플랫존을 고정시키는 얼라인 공정, 노출량을 결정하여 포토레지스트를 노광시키는 노광공정 등을 수행한다.
현상처리부(26)에서는 정재파 효과를 제거하는 포스트 노광공정, UV광과 반응한 부분을 선택적으로 제거하는 현상공정, 웨이퍼에 남겨진 포토레지스트 패턴이 충분히 열적 환경에 견딜 수 있도록 경화시키는 하드 베이크 공정 등을 수행한다.
상기 오버레이 측정 장치(28)는 상기 사진 장비(20)를 통하여 웨이퍼(W) 상에 포토레지스트 패턴를 형성시킨 다음에 하부 패턴층과의 중첩도를 측정하여 오버레이 데이터를 검출하고, 상기 오버레이 데이터에 의해 계산된 보정값을 피드백 한다. 상기 오버레이 측정은 상기 포토레지스트 패턴이 정확한 위치에 형성되었는지를 확인하는 작업으로서, 포토 미스얼라인 불량 방지를 위해 반드시 필요한 작업이다.
그러나, 셀 영역에서 중첩된 막들의 모든 패턴들을 모두 비교하여 중첩도를 측정할 수는 없다. 따라서, 웨이퍼(W)상의 스크라이브 영역에 얼라인 마크를 형성하고, 상기 얼라인 마크에서 중첩도를 확인하여 상기 오버레이 데이터를 검출한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 오버레이 측정 장치는 노광 공정이 수행되는 웨이퍼 상에 적어도 2부분의 영역을 지정하고, 각 영역에서 측정된 얼라인 마크의 중첩도에서 오버레이 데이터를 각각 검출한다.
도 4를 참조하여, 오버레이 데이터에 대해 설명한다.
상기 오버레이 데이터는 상기 웨이퍼의 지정된 위치(예컨대 중심)로부터 각 마크(30)의 중심부까지의 거리인 x,y 와, 웨이퍼(W) 상에 형성된 얼라인먼트 마크들에서 하부 패턴층에 형성된 외측 마크(30a, Outer mark)와 상부 패턴층에 형성된 내측 마크(30b, Inner mark) 사이의 dx/dy를 측정한 다음, 상기 데이터에 대한 회귀분석을 통해 추출할 수 있다.
상기 오버레이 데이터는 웨이퍼 관련 파라메터들과 레티클 관련 파라메터들로 구분된다. 상기 웨이퍼 관련 파라미터는 웨이퍼 얼라인이 틀어진 정도를 나타내는 파라미터들이고, 상기 레티클(raticle) 관련 파라미터는 레티클 얼라인이 틀어진 정도를 나타내는 파라미터들이다.
도 5a 내지 도 5c는 웨이퍼 관련 파라메터의 개념을 나타내는 도면이고, 도 5d 내지 도 5e는 레티클 관련 파라메터의 개념을 나타내는 도면이다.
1)웨이퍼 관련 파라메터
오프셋(Offset); 얼라인먼트 패턴이 좌우, 상하로 어긋난 정도.(도 5a)
스케일링(Scaling);렌즈에 의해 웨이퍼 상의 패턴이 좌우, 상하로 확대된 정도.(도 5b)
회전(Rotation); 얼라인먼트 패턴의 축이 얼라인먼트 기준축에 대해 틀어진 정도.(도 5c)
직교(Orthogonality); 웨이퍼 얼라인 축이 서로 틀어진 정도.
2)레티클에 관련된 파라메터
레티클 회전(reticle rotation); 레티클이 부정확하게 세팅되어 얼라인먼트 패턴의 축이 얼라인먼트 기준축에 대해 틀어진 정도.(도 5d)
레티클 축소(reticle reduction); 레티클이 부정확하게 세팅되어 웨이퍼 상의 패턴이 좌우 상하로 확대된 정도. (도 5e)
도 6을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 상기 오버레이 측정 방법을 설명한다.
노광 공정이 수행된 웨이퍼 상에 적어도 2 부분의 영역을 지정한다.(S30)
도 7a를 참조하면, 상기 영역은 상기 노광 공정시에 사용되는 샷의 스텝 피치(step pitch)를 기준으로 하여 지정하였다. 여기서 상기 샷은 1회 노광을 의미하고, 상기 스텝 피치란 각 샷에서 X,Y 방향으로의 크기를 의미한다.
물론 상기 소정의 막이 형성되어 있는 웨이퍼 상에 사진 공정을 수행할 때 사용되는 샷의 스텝 피치는 동일하다. 그러나 상기 웨이퍼의 형상이 원판형이므로 사각형의 형상을 갖는 샷을 적용하면, 상기 웨이퍼의 가장자리 부위에는 보통 샷의 스텝 피치의 1/2의 크기를 갖게된다. 따라서 상기 스텝 피치를 기준으로, 보통의 샷의 스텝 피치를 갖는 영역(A)과 보통 샷의 스텝 피치의 1/2의 크기를 갖는 영역(B)으로 지정할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 영역은 웨이퍼의 중심 부위(A) 및 주변 부위(B)로 나누어 지정하였다. 상기 웨이퍼의 중심 부위와 주변 부위는 동일한 노광 조건에서 노광을 수행하더라도 미스얼라인 정도의 차이가 발생한다. 경험적으로, 상기 웨이퍼의 중심 부위에 비해 주변 부위에서 미스얼라인 불량이 더 많이 발생한다. 이러한 점을 고려하여 상기 영역을 웨이퍼의 중심 부위 및 주변 부위로 나누어 지정한다.
도시하지는 않았지만, 상기 영역은 이전의 사진 공정 수행시의 오버레이 측정에 따른 히스토리 데이터로부터 추출된 오버레이 데이터의 에러 분포도의 정규 분포에서 소정의 편차 범위 이내의 영역 및 상기 편차 범위를 벗어나는 영역으로나누어 지정할 수도 있다.
이외에도, 상기 웨이퍼 상의 영역 지정은 스텝 피치의 크기, 웨이퍼의 중심 부위 및 주변 부위, 또는 상기 오버레이 데이터의 에러 분포도 등을 모두 반영하여 적어도 2 영역으로 지정할 수 있다.
상기 지정된 각 영역에서 측정하여야 할 샷(shot)들을 샘플링하고, 상기 샘플링된 샷들에 구비되는 얼라인 마크들의 중첩도를 각각 측정한다.(S32)
상기 웨이퍼 상에 형성된 다수개의 얼라인 마크 모두에 대해 중첩도를 측정하는 것은 너무 오랜 시간이 소요되므로, 상기 웨이퍼 상에 형성되어 있는 얼라인 마크들의 약 30 내지 40%를 샘플링하여 중첩도를 측정한다. 이 때 상기 샘플링되는 얼라인 마크들은 상기 웨이퍼의 전 영역에 분포되도록 지정한다. 즉, 상기 각 영역에서 단위 면적당 샘플링된 샷의 개수가 소정 영역에 과다하게 편중되지 않도록 한다. 상기 얼라인 마크의 중첩도는 상기 웨이퍼의 지정된 위치(예컨대 중심)로부터 각 마크의 중심부까지의 거리인 x,y와, 상기 각 마크에서 하부 패턴층에 형성된 외측 마크(Outer mark)와 상부 패턴층에 형성된 내측 마크(Inner mark) 사이의 dx, dy를 각각 측정한 값을 의미한다. 만일, 스텝 피치가 다른 샷(1/2 샷)으로 구성되는 영역이 있을 경우에는, 상기 스텝 피치에 따른 중첩도를 측정한다.
상기 얼라인 마크들로부터 측정된 중첩도를 각 영역별로 취합하여 각 영역에서의 오버레이 데이터를 검출한다.(S34)
상기 오버레이 데이터는 상기에서 이미 설명한 웨이퍼 관련 파라메터와 레티클 관련 파라메터들이다.
상기 웨이퍼 관련 파라메터는 각 영역에서 측정한 x,y,dx,dy 값을 토대로 하여 다음의 수식을 만족시키는 Xoff, Xsca, Xrot, Yoff, Ysca, Yrot 값을 회귀 분석에 의해 구할 수 있다. 이들 각각의 값은 웨이퍼 관련 파라메터인 X 방향 오프셋, X 방향 스켈링, X 방향 회전, Y 방향 오프셋, Y 방향 스켈링, Y 방향 회전을 각각 나타낸다.
dx= Xoff + Xsca * x - Xrot * y
dy= Yoff + Ysca * y - Xrot * x
상기 레티클 관련 파라메터는 다음의 수식을 만족시키는 Xred, Xrot, Yred, Yrot를 회귀 분석에 의해 구할 수 있다. 이들 각각의 값은 레티클 관련 파라메터인 X 방향 축소, X 방향 회전, Y 방향 축소, Y 방향 회전을 각각 나타낸다.
상기 레티클 관련 파라메타를 계산하기 위해 대입되는 x,y 값은 샷 영역 하나에 구비되는 복수개의 얼라인 마크에서, 샷 영역의 중심에 구비되는 얼라인 마크를 기준으로 하여 각 얼라인 마크까지의 x 방향 및 y 방향으로의 거리를 의미한다.
dx= Xoff + Xred * x - Xrot * y
dy= Yoff + Yred * y - Xrot * x
이 때 상기 얼라인 마크로부터 측정한 중첩도 데이터는 각 영역별로 취합되어 오버레이 데이터를 추출하기 때문에, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 상에 구분된 영역의 개수만큼 상기 오버레이 데이터가 각각 검출된다. 즉, 상기의 수식은 상기 구분된 영역의 개수만큼 적용된다. 그리고, 상기 웨이퍼의 영역별로 샷의 스텝 피치가 다른 경우에도 상기의 수식이 각각 적용됨으로서, 오버레이 데이터를 검출할 수 있다. 따라서, 하나의 웨이퍼에서 단 하나의 오버레이 데이터만이 검출되는 것이 아니라, 각 영역별로 오버레이 데이터를 각각 검출할 수 있다.
상기 각 영역별로 검출된 오버레이 데이터에 각각 가중치를 부여하여 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터를 더 검출한다. 상기 가중치는 상기 각 영역 내에서 샘플링된 얼라인 마크의 개수 등을 기준으로 오버레이 데이터 각각에 대해 지정할 수 있다. 구체적으로, 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터는 전체의 오버레이 데이터들을 100%로 두고, 이에 대한 각 영역의 오버레이 데이터들이 해당하는 %를 지정하여 웨이퍼 및 레티클에 대한 파라메터들을 계산한 데이터이다. 예컨대, 영역 지정을 스텝 피치의 크기에 따라 지정하였다면, 보통 샷의 스텝 피치를 갖는 영역을 90%의 가중치를 두고, 1/2 샷의 스텝 피치를 갖는 영역을 10%로 가중치를 두어 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터를 더 검출할 수 있다.
상기 하나의 웨이퍼에 해당하는 각 영역별 오버레이 데이터들 및 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터는 머지(merge)되어 하나의 파일로 생성된다. 따라서, 각각의 오버레이 데이터들은 하나의 파일 내에서 관리된다.
이어서, 상기 각 영역별로 검출된 오버레이 데이터에 대해 각각 오버레이 보정값을 계산한다.(S36) 또한 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터에 대해 오버레이 보정값을 계산한다. 상기 오버레이 보정값은 상기 오버레이 데이터를 입력하여 소정의 알고리즘에 따라 계산된다. 그러므로, 각 영역별로 검출된 오버레이 데이터에 의해 각 영역별로 최적화된 오버레이 보정값을 수득할 수 있다.
상기 계산된 각 영역별 보정값을 상기 얼라인 및 노광처리부로 피드백한다.(S38)
도 9에 도시한 바와 같이, 노광 처리부(40)는 웨이퍼 스테이지(42), 렌즈계(44), 레티클(46) 및 미도시된 광원계를 포함한다. 상기 광원계에서 제공되는 광이 레티클(46)의 마스크 패턴 및 렌즈계(44)를 통하여 웨이퍼(W) 상에 조사되면 웨이퍼 상에 레티클의 마스크 패턴이 축소투영된다.
따라서, 웨이퍼 얼라인먼트는 웨이퍼 스테이지(42)에 재치된 웨이퍼(W)의 X축 및 Y축 어긋남, 회전, 직교 등의 보정이 필요하고, 웨이퍼 상에 투영된 상의 좌우 틀어짐 등의 보정이 필요하다. 레티클 얼라인먼트는 레티클의 회전 및 축소 등의 보정이 필요하다.
상기 보정은 상기 피드백된 각 영역별 보정값에 의해 이루어진다. 즉, 상기 웨이퍼 및 레티클 얼라인 먼트는 웨이퍼의 각 영역별로 다르게 보정되어 후속으로 진행되는 웨이퍼들에 노광 공정이 수행된다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 상기 오버레이 측정 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
노광 공정이 완료된 웨이퍼에 적어도 2 부분의 영역을 지정하여 입력하는 영역 입력부(52)가 구비된다. 상기 영역 입력부(52)는 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 상의 각 영역 및 각 영역에서의 스텝 피치를 입력할 수 있도록 구비된다.
상기 영역 입력부(52)에 입력된 각 영역에서 샘플링된 각 샷들의 소정 부위에 구비되는 얼라인 마크들의 중첩도를 각각 측정하는 중첩도 측정부(54)가 구비된다.
상기 중첩도 측정부(54)에서 측정된 각 영역에서의 중첩도를 따로 취합하여 각각에 대한 오버레이 데이터를 검출하는 오버레이 데이터 검출부(56)가 구비된다. 상기 오버레이 검출부(56)는 하나 이상의 스텝 피치에 대해 각각 오버레이 데이터를 검출할 수 있다. 또한 상기 오버레이 검출부(56)는 상기 각 영역별 오버레이 데이터들을 머지하여 하나의 파일로 생성시켜 출력한다. 따라서 하나의 웨이퍼에 해당하는 상기 오버레이 데이터들은 하나의 파일로 관리된다. 상기 오버레이 검출부(56)는 각 영역에서의 오버레이 데이터들에 각각 가중치를 부여하여 계산함으로서, 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 데이터를 더 검출한다.
상기 오버레이 데이터 검출부(56)에서 검출된 오버레이 데이터들로부터 각 영역에서의 오버레이 보정값들을 각각 계산하는 오버레이 보정부(58)가 구비된다. 상기 오버레이 보정부(58)는 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 보정값을 입력받고, 상기 웨이퍼 전체 영역에 해당하는 오버레이 보정값을 더 계산하도록 구비된다.
상기 오버레이 보정부(58)에서 계산된 보정값들을 노광 장치에 피드백하는 데이터 전송부(60)를 구비한다.
따라서, 상술한 방법 및 장치를 이용하여 상기 각 영역별로 오버레이 데이터를 검출하고, 상기 각 영역별로 오버레이 보정값을 계산할 수 있다. 때문에 노광 공정을 수행할 시에 각 영역별로 보정값을 각각 반영함으로서, 노광 공정 시에 웨이퍼 영역별로 발생되는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 피측정물 상의 각 영역별로 공정 에러값을 검출하고, 상기 각 영역별로 보정값을 계산할 수 있다. 때문에 피측정물 상의 각 영역별로 보정값을 피드백하여 단위 공정 시에 각각 반영함으로서, 상기 피측정물의 각 영역별로 발생되는 공정 불량을 최소화할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (28)

  1. 웨이퍼 상에 노광되는 샷의 크기의 군이 1개 이상인 웨이퍼에서 노광 공정시의 에러 측정에 있어서,
    상기 웨이퍼 상에서, 샷의 스텝 피치의 크기별로 복수의 영역을 지정하는 단계;
    상기 웨이퍼 상의 각 영역에서 소정 부위를 샘플링하여 복수의 에러 데이터를 측정하는 단계;
    상기 측정된 에러 데이터들로부터 상기 각 영역에서의 공정 에러값들을 계산하는 단계;
    상기 각 영역별로 공정 에러값들을 별도로 데이터 처리하여, 각 영역에서의 보정값들을 각각 출력하는 단계; 및
    상기 보정값들을 노광 공정 장치에 피드백하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 영역에서 검출된 공정 에러값들은 머지(merge)하여 하나의 파일로 생성되는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 각 영역에서 샘플링된 다수의 부위는 피측정물 전체에 고르게 분포하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서, 상기 각 영역에서의 수득한 공정 에러값들에 각각 가중치를 부여하여 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 더 검출하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값으로부터 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 보정값을 더 계산하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 노광 공정 장치에 피드백된 각 영역에서의 보정값들은 후속의 노광 공정 시에 적용시키는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 공정 에러값은 오버레이 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 방법.
  11. 삭제
  12. 웨이퍼 상에 노광되는 샷의 크기의 군이 1개 이상인 웨이퍼의 오버레이 측정에 있어서,
    상기 웨이퍼 상에서, 완전한 크기의 샷으로 형성되는 부위인 제1 영역 및 상기 완전한 크기의 샷의 1/2 크기의 샷으로 형성되는 부위인 제2 영역으로 각 영역을 지정하는 단계;
    상기 각 영역에서 샘플링된 샷(shot)들의 소정 부위에 구비되는 얼라인 마크들을 각각 측정하는 단계;
    상기 각 영역에서 수득한 데이터를 따로 취합하여 각각 오버레이 데이터를 검출하는 단계;
    상기 각 영역별로 검출된 오버레이 데이터들을 별도로 데이터 처리하여, 각 영역에서의 오버레이 보정값들을 각각 출력하는 단계; 및
    상기 각각의 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 각각의 오버레이 데이터는 머지(merge)하여 하나의 파일로 생성되는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제12항에 있어서, 상기 각 영역에서의 수득한 오버레이 데이터에 각각 가중치를 부여하여 상기 웨이퍼에 해당하는 전체적인 오버레이 데이터를 더 검출하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 방법.
  17. 제12항에 있어서, 상기 전체적인 오버레이 데이터에 대한 오버레이 보정값을 더 계산하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 방법.
  18. 웨이퍼 상에 노광되는 샷의 크기의 군이 1개 이상인 웨이퍼의 노광 공정시의 에러 측정 장치에 있어서,
    웨이퍼에서, 노광되는 샷의 스텝 피치의 크기별로 영역을 구분하여 입력시키기 위한 영역 입력 수단;
    상기 지정된 각 영역에서 각 샷을 샘플링하여 상기 샘플링된 다수의 부위에서 에러 데이터를 측정하는 측정부와, 상기 측정부로부터 측정된 에러 데이터들을 입력받고 상기 각 영역에서의 공정 에러값들을 각각 계산하는 계산부로 구성되어, 상기 지정된 각 영역에서 공정 에러값들을 각각 검출하는 검출 수단;
    상기 검출 수단에서 검출된 각 영역별 공정 에러값들을 별도로 데이터 처리하여, 각 영역에서의 보정값들을 각각 계산하는 보정 수단; 및
    상기 보정 수단에서 계산된 보정값들을 이 전에 수행한 단위 공정 장치에 피드백하는 데이터 전송 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 각각의 공정 에러값들을 머지하여 하나의 파일을 생성시키는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 장치.
  20. 삭제
  21. 제20항에 있어서, 상기 계산부는 계산된 각 영역에서의 공정 에러값들에 각각 가중치를 부여하여 상기 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 더 계산하도록 구비하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 보정 수단은 상기 계산부에서 계산된 피측정물 상의 전체 영역에 해당하는 공정 에러값을 입력받고, 상기 피측정물 상의 전체 영역에해당하는 보정값을 더 계산하도록 구비하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 장치.
  23. 제18항에 있어서, 상기 검출 수단으로부터 검출되는 공정 에러값은 오버레이 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 에러 측정 장치.
  24. 삭제
  25. 웨이퍼 상에 노광되는 샷의 크기의 군이 1개 이상인 웨이퍼의 노광 공정시의 에러 측정 장치에 있어서,
    웨이퍼에서, 노광되는 샷의 스텝 피치의 크기별로 영역을 구분하여 각 영역을 입력시키기 위한 영역 입력 수단;
    상기 지정된 각 영역에서 각 샷을 샘플링하여 상기 샘플링된 다수의 부위에구비되는 얼라인 마크들의 중첩도를 각각 측정하는 오버레이 측정부;
    상기 측정된 중첩도를 각 영역별로 각각 취합하여 각각에 대한 오버레이 데이터를 검출하는 오버레이 데이터 검출부;
    상기 오버레이 데이터 검출부에서 검출된 각 영역별 오버레이 데이터들을 별도로 데이터 처리하여 각 영역에서의 오버레이 보정값을 계산하는 오버레이 보정부; 및
    상기 오버레이 보정부에서 계산된 각각의 오버레이 보정값을 노광 장치에 피드백하기 위한 데이터 전송부를 구비하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 오버레이 검출부는 상기 각각의 오버레이 데이터들을 머지하여 하나의 파일을 생성시키는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 장치.
  27. 삭제
  28. 제1항에 있어서, 상기 복수의 영역은, 완전한 크기의 샷으로 형성되는 부위인 제1 영역 및 상기 완전한 크기의 샷의 1/2 크기의 샷으로 형성되는 부위인 제2 영역으로 구분하는 것을 특징으로 하는 오버레이 측정 장치.
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DE10250845A DE10250845A1 (de) 2001-11-13 2002-10-31 Verfahren und Vorrichtung zum Messen von Verfahrensfehler und Verfahren und Vorrichtung zur Messung einer Überdeckung unter Verwendung derselben
JP2002327728A JP2003282428A (ja) 2001-11-13 2002-11-12 工程エラー測定方法及び装置とこれを利用したオーバーレー測定方法及び装置

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567746B1 (ko) 2003-12-31 2006-04-05 동부아남반도체 주식회사 반도체 선폭 캘리브레이션 방법
KR100588911B1 (ko) * 2004-12-22 2006-06-09 동부일렉트로닉스 주식회사 오버레이 타겟 간의 측정치 보정 방법
KR20070033106A (ko) * 2005-09-20 2007-03-26 삼성전자주식회사 반도체 소자의 오버레이 측정 방법 및 오버레이 측정시스템
JP5041582B2 (ja) * 2006-12-05 2012-10-03 キヤノン株式会社 露光装置、計測条件を選定するための方法及びデバイス製造方法
KR100817092B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-26 삼성전자주식회사 중첩계측오차를 보정하기 위한 계측시스템 및 이를 이용한계측방법
DE102011077296B4 (de) * 2011-06-09 2020-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der relativen Lage einer ersten Struktur zu einer zweiten Struktur oder eines Teiles davon
KR101890783B1 (ko) * 2013-11-26 2018-08-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 계측을 위한 방법, 장치 및 기판
KR102170119B1 (ko) * 2013-12-18 2020-10-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 방법 및 장치, 및 리소그래피 장치
KR101861121B1 (ko) * 2016-11-21 2018-06-29 주식회사 오로스테크놀로지 웨이퍼 지오메트리 메트릭 측정을 위한 부구경 스티칭 방법
CN113376969A (zh) * 2020-03-10 2021-09-10 长鑫存储技术有限公司 套刻误差的补偿方法、曝光***、服务器及可读存储介质
KR20220099005A (ko) * 2021-01-05 2022-07-12 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
CN115042084A (zh) * 2022-05-31 2022-09-13 武汉东方骏驰精密制造有限公司 一种自动识别并纠偏的测量设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591826A (en) * 1978-12-29 1980-07-11 Fujitsu Ltd Method of exposing electronic beam
KR19980014172A (ko) * 1996-08-08 1998-05-15 김광호 반도체 제조공정의 오버레이 측정방법
KR19980021245A (ko) * 1996-09-14 1998-06-25 김광호 포토리소그래피 공정에서의 오버레이 데이터 보정 방법
KR19980045239U (ko) * 1996-12-27 1998-09-25 김영귀 차량 환기 장치
KR19990001730A (ko) * 1997-06-17 1999-01-15 문정환 스테퍼 장비의 얼라인 키 형성구조
KR20010058692A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 황인길 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225012B1 (en) * 1994-02-22 2001-05-01 Nikon Corporation Method for positioning substrate
JP3516546B2 (ja) * 1995-12-22 2004-04-05 株式会社ルネサステクノロジ 重ね合せ誤差の低減方法
KR20010105869A (ko) 2000-05-19 2001-11-29 김성천 네트워크 기반의 위치정보제공 및 자동 다이얼링 시스템및 그 운영방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5591826A (en) * 1978-12-29 1980-07-11 Fujitsu Ltd Method of exposing electronic beam
KR19980014172A (ko) * 1996-08-08 1998-05-15 김광호 반도체 제조공정의 오버레이 측정방법
KR19980021245A (ko) * 1996-09-14 1998-06-25 김광호 포토리소그래피 공정에서의 오버레이 데이터 보정 방법
KR19980045239U (ko) * 1996-12-27 1998-09-25 김영귀 차량 환기 장치
KR19990001730A (ko) * 1997-06-17 1999-01-15 문정환 스테퍼 장비의 얼라인 키 형성구조
KR20010058692A (ko) * 1999-12-30 2001-07-06 황인길 반도체 웨이퍼의 오버레이 파라미터 보정 방법

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