KR100415601B1 - Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof - Google Patents

Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100415601B1
KR100415601B1 KR10-2001-0033094A KR20010033094A KR100415601B1 KR 100415601 B1 KR100415601 B1 KR 100415601B1 KR 20010033094 A KR20010033094 A KR 20010033094A KR 100415601 B1 KR100415601 B1 KR 100415601B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scan
supplied
pulse
data
scan line
Prior art date
Application number
KR10-2001-0033094A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020094709A (en
Inventor
문성학
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR10-2001-0033094A priority Critical patent/KR100415601B1/en
Publication of KR20020094709A publication Critical patent/KR20020094709A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100415601B1 publication Critical patent/KR100415601B1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits

Abstract

본 발명은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active planar field emission display device and a driving method thereof for improving uniformity.

본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자는 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와, 스위칭소자와 스캔라인 사이에 접속되어 스위칭소자가 턴-온되었을 때 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 스캔라인으로 공급되는 스캔펄스의 전압차에 대응하는 전하를 방출하기 위한 셀소자와, 스캔라인으로 스캔펄스와 중첩되지 않게 리셋펄스가 공급될 때 전류의 이동경로를 형성하기 위하여 스위칭소자에 접속되도록 설치되는 다이오드를 구비한다.The active planar field emission display device of the present invention is a switching element which is formed at each intersection of the data lines and the scan lines and is turned on by a scan pulse supplied from the scan line, and is connected between the switching elements and the scan line and switched. A cell device for releasing charge corresponding to the voltage difference between the data pulse supplied through the switching element and the scan pulse supplied to the scan line when the device is turned on, and the reset pulse not overlapping the scan pulse with the scan line It is provided with a diode which is installed to be connected to the switching element to form a movement path of the current when is supplied.

Description

액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법{Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof}Active planar field emission display device and its driving method {active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof}

본 발명은 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것으로 특히, 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active planar field emission display device and a driving method thereof, and more particularly to an active planar field emission display device and a method of driving the same for improving uniformity.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(FieldEmission Display : 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel), 일렉트로 루미네센스(Electro-Luminescence : 이하 "EL"이라 함) 등이 있다. 표시품질을 개선하기 위하여, 평판 표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색순도를 높이기 위한 연구개발이 활발이 진행되고 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs). Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCDs"), field emission displays (hereinafter referred to as "FEDs"), plasma display panels, and electroluminescence. (Electro-Luminescence: hereinafter referred to as "EL"). In order to improve the display quality, research and development for increasing the brightness, contrast and color purity of flat panel displays have been actively conducted.

이중 FED는 첨예한 음극(에미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출시키는 팁형 FED와, 소정 면적을 가지는 금속에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출시키는 평면형(Metal Insulator Metal : MIM) FED로 나뉘어진다.The dual FED is a tip type FED that concentrates a high field on a sharp cathode (emitter) and emits electrons by a quantum mechanical tunnel effect, and a quantum mechanical tunnel by focusing a high field on a metal having a predetermined area. It is divided into planar (Metal Insulator Metal: MIM) FED which emits electrons by Tunnel effect.

도 1은 종래의 팁형 전계 방출 표시장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a conventional tip type field emission display device.

도 1을 참조하면, 애노드 전극(4) 및 형광체(6)가 적층된 상부 유리기판(2)과, 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 전계방출 어레이(32)를 구비한 FED가 도시되어 있다. 전계방출 어레이(32)는 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 캐소드 전극(10) 및 저항층(12)과, 저항층(12)상에 형성되는 게이트 절연층(14) 및 에미터(22)와, 게이트 절연층(14) 상에 형성되는 게이트 전극(16)을 구비한다.Referring to FIG. 1, there is shown a FED having an upper glass substrate 2 on which an anode electrode 4 and a phosphor 6 are stacked, and a field emission array 32 formed on the lower glass substrate 8. have. The field emission array 32 includes the cathode electrode 10 and the resistive layer 12 formed on the lower glass substrate 8, and the gate insulating layer 14 and the emitter 22 formed on the resistive layer 12. ) And a gate electrode 16 formed on the gate insulating layer 14.

캐소드 전극(10)은 에미터(22)에 전류를 공급하게 되며, 저항층(12)은 캐소드 전극(10)으로부터 에미터(22) 쪽으로 인가되는 과전류를 제한하여 에미터(22)에 균일한 전류를 공급하는 역할을 하게 된다.The cathode electrode 10 supplies a current to the emitter 22, and the resistive layer 12 limits the overcurrent applied from the cathode electrode 10 toward the emitter 22, thereby making it uniform to the emitter 22. It serves to supply current.

게이트 절연층(14)은 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(16) 사이를 절연하게 된다. 게이트 전극(16)은 전자를 인출시키기 위한 인출전극으로 이용된다. 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이에는 스페이서(40)가 설치된다.The gate insulating layer 14 insulates between the cathode electrode 10 and the gate electrode 16. The gate electrode 16 is used as an extraction electrode for drawing electrons. A spacer 40 is installed between the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8.

스페이서(40)는 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이의 고진공 상태를 유지할 수 있도록 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8)을 지지한다.The spacer 40 supports the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8 so as to maintain a high vacuum state between the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8.

화상을 표시하기 위하여, 캐소드 전극(10)에 부극성(-)의 캐소드전압이 인가되고 애노드 전극(4)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그리고 게이트 전극(16)에는 정극성(+)의 게이트 전압이 인가된다. 그러면, 에미터(22)로부터 방출된 전자빔(30)이 적색·녹색·청색의 형광체(6)에 충돌하여 형광체(6)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(6)에 따라 적색·녹색·청색 중 어느 한 색의 가시광이 발광된다.In order to display an image, a negative (-) cathode voltage is applied to the cathode electrode 10 and a positive (+) anode voltage is applied to the anode electrode 4. The gate voltage of positive polarity (+) is applied to the gate electrode 16. Then, the electron beam 30 emitted from the emitter 22 collides with the red, green, and blue phosphors 6 to excite the phosphors 6. At this time, visible light of any one of red, green, and blue colors is emitted according to the phosphor 6.

이와 같은 팁형 FED는 전자 방출에 이용되는 에미터의 특성에 따라서 전자의 방출량이 결정된다. 따라서, 하나의 FED에 포함되는 모든 에미터를 균일하게 제작해야 한다. 하지만, 현재의 제조공정으로는 하나의 FED에 포함되는 모든 에미터가 균일한 특성을 갖도록 제작하기 곤란하다. 아울러, 에미터를 제작하기 위해 많은 공정시간이 소모되는 단점이 있다.The tip-type FED has an electron emission amount determined by the characteristics of the emitter used for electron emission. Therefore, all emitters included in one FED should be manufactured uniformly. However, in the current manufacturing process, it is difficult to fabricate all emitters included in one FED to have uniform characteristics. In addition, there is a disadvantage that a lot of processing time is consumed to manufacture the emitter.

또한, 팁형 FED는 첨예한 이미터에서 전자가 방출되기 때문에 캐소드 전극(10) 및 게이트전극(16)에 수십 내지 백 볼트 사이의 전압이 인가되야 된다. 따라서, 캐소드전극(10) 및 게이트전극(16)에 인가되는 전압에 의해 많은 소비전력이 소모된다.In addition, since the tip-type FED emits electrons from a sharp emitter, a voltage between several tens to one hundred volts must be applied to the cathode electrode 10 and the gate electrode 16. Therefore, much power consumption is consumed by the voltage applied to the cathode electrode 10 and the gate electrode 16.

도 3은 종래의 평면형 전계 방출 표시장치의 화소셀을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a pixel cell of a conventional planar field emission display device.

도 3을 참조하면, 종래의 평면형 전계 방출 표시소자의 화소셀(100)은 애노드전극(44) 및 형광체(46)가 적층된 상부기판(42)과, 하부기판(48) 상에 형성되는전계 방출 어레이(56)를 구비한다.Referring to FIG. 3, a pixel cell 100 of a conventional planar field emission display device includes an upper substrate 42 on which an anode electrode 44 and a phosphor 46 are stacked, and an electric field formed on the lower substrate 48. And an emission array 56.

전계 방출 어레이(56)는 하부기판(48) 상에 형성되는 스캔전극(50), 절연층(52) 및 데이터전극(54)을 구비한다. 절연층(52)은 스캔전극(50)으로부터의 전자가 터널링할 수 있도록 박막으로 형성된다.The field emission array 56 includes a scan electrode 50, an insulating layer 52, and a data electrode 54 formed on the lower substrate 48. The insulating layer 52 is formed of a thin film so that electrons from the scan electrode 50 can tunnel.

화상을 표시하기 위하여, 스캔전극(50)에 부극성(-)의 스캔펄스가 인가되고 데이터전극(54)에 정극성(+)의 데이터펄스가 인가된다. 그리고, 애노드전극(44)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그러면, 전자가 스캔전극(50)으로부터 데이터전극(54)으로 터널링(Tunneling)하여 애노드전극(44) 쪽으로 가속된다.In order to display an image, a negative scan pulse is applied to the scan electrode 50 and a positive data pulse is applied to the data electrode 54. Then, a positive anode voltage is applied to the anode electrode 44. Then, electrons are tunneled from the scan electrode 50 to the data electrode 54 and accelerated toward the anode electrode 44.

이 전자들은 적색, 녹색 및 청색의 형광체(46)에 충돌하여 형광체(46)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(46)에 따라 적색, 녹색, 청색 중 어느 한 색의 가시광이 발생된다.These electrons collide with the red, green and blue phosphors 46 to excite the phosphors 46. At this time, visible light of any one of red, green, and blue colors is generated according to the phosphor 46.

이와 같은 평면형 FED는 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)이 소정면적을 가지고 대향되게 설치되기 때문에 팁형 FED에 비해 저전압 구동이 가능하다. 즉, 평면형 FED의 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)에는 수 내지 10V 사이의 전압이 인가된다. 또한, 평면형 FED는 전자를 방출하는 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)이 소정면적을 가지기 때문에 팁형 FED에 비해 간단한 제조공정으로 스캔전극(50) 및 데이터전극(54)을 제조할 수 있다.The planar FED is capable of driving a lower voltage than the tip type FED because the scan electrode 50 and the data electrode 54 are installed to face each other with a predetermined area. That is, a voltage between several to 10V is applied to the scan electrode 50 and the data electrode 54 of the planar FED. In addition, in the planar FED, since the scan electrode 50 and the data electrode 54 emitting electrons have a predetermined area, the scan electrode 50 and the data electrode 54 can be manufactured by a simple manufacturing process compared to the tip type FED. .

한편, 이와 같은 평면형 FED는 절연층(52)이 박막으로 형성되기 때문에 캐패시턴스 성분이 매우 커지게 된다. 다시 말하여, C=ε×s/d(여기서 ε은 유전율, d는 유전율 두께, s는 셀 면적)의 식에서 유전율의 두께가 박막으로 되어 있기 때문에 캐패시턴스 성분이 매우 커지게 된다. 따라서, 평면형 FED의 화소셀(100)에는 높은 전류가 인가된다.On the other hand, in the planar FED, since the insulating layer 52 is formed of a thin film, the capacitance component becomes very large. In other words, the capacitance component becomes very large because the thickness of the dielectric constant is thin in the formula C = ε × s / d (where ε is the dielectric constant, d is the dielectric constant thickness, and s is the cell area). Therefore, a high current is applied to the pixel cell 100 of the planar FED.

도 4는 종래의 평면형 전계 방출 표시장치에 공급되는 구동파형을 나타내는 파형도이다.4 is a waveform diagram illustrating a driving waveform supplied to a conventional flat field emission display.

도 4를 참조하면, 종래의 평면형 FED의 스캔라인(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고 데이터라인(D)에는 부극성의 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)가 공급된 화소셀에서는 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)의 전압차에 의해 전자가 방출된다.Referring to FIG. 4, negative scan pulses SP are sequentially supplied to the scan line S of a conventional planar FED, and positive data synchronized with the negative scan pulses SP to the data line D. The pulse DP is supplied. In the pixel cells supplied with the scan pulse SP and the data pulse DP, electrons are emitted by the voltage difference between the scan pulse SP and the data pulse DP.

예를 들어, 도 5와 같이 제 1 스캔라인(S1)에 -5V의 스캔펄스(SP)가 인가되고, 데이터라인(D)에 5V의 데이터펄스(DP)가 인가되면 제 1 스캔라인(S1)에 형성되어 있는 제 1 화소셀들(P1)에서 10V의 전압차가 발생된다. 따라서, 데이터펄스(DP)가 공급된 제 1 화소셀들(P1)에서 전자가 방출된다.For example, as shown in FIG. 5, when -5 V scan pulse SP is applied to the first scan line S1 and 5 V data pulse DP is applied to the data line D, the first scan line S1 is applied. ), A voltage difference of 10V is generated in the first pixel cells P1 formed in FIG. Therefore, electrons are emitted from the first pixel cells P1 supplied with the data pulse DP.

이때, 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 계조에 따라 상이하게 설정된다. 예를 들어, 높은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 넓거나 높게 설정되고, 낮은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 좁거나 낮게 설정된다.At this time, the width and / or amplitude of the data pulse DP is set differently according to the gradation. For example, the width and / or amplitude of the data pulse DP is set to be wide or high when expressing a high gray level, and the width and / or amplitude of the data pulse DP is set to be narrow or low when expressing a low gray level.

한편, 제 2 내지 제 m 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성되어 있는 제 2 내지 제 m 화소셀들(P2 내지 Pm)에서는 5V, 즉 데이터펄스(DP)만이 인가되기 때문에 전자가 방출되지 않는다.Meanwhile, electrons are not emitted because only 5V, that is, the data pulse DP is applied to the second to mth pixel cells P2 to Pm formed in the second to mth scan lines S2 to Sm.

이후, 이와 같은 과정을 반복하여 제 m 스캔라인(Sm)까지 순차적으로 스캔펄스(SP) 및 데이터펄스(DP)를 인가하여 제 1 내지 제 m 화소셀(P1 내지 Pm)을 구동하여 화상을 표시한다. 화상이 표시된 후 제 1 내지 제 m 스캔라인(S1 내지 Sm)에는 정극성의 리셋펄스(RP)가 인가된다. 제 1 내지 제 m 스캔라인(S1 내지 Sm)에 리셋펄스(RP)가 인가되면 제 1 내지 제 m 화소셀(P1 내지 Pm)에 충전된 전하들이 제거된다.Thereafter, the process is repeated to sequentially apply the scan pulse SP and the data pulse DP to the m th scan line Sm to drive the first to m th pixel cells P1 to Pm to display an image. do. After the image is displayed, a positive reset pulse RP is applied to the first to m th scan lines S1 to Sm. When the reset pulse RP is applied to the first to mth scan lines S1 to Sm, the charges charged in the first to mth pixel cells P1 to Pm are removed.

한편, 이와 같은 종래의 평면형 FED에서는 제 1 데이터라인(D1)에 인가되는 전압과 제 n 데이터라인(Dn)에 인가되는 전압이 상이하게 된다. 다시 말하여, 종래의 평면형 FED는 패시브 형(Passive type)으로 구성되고, 이에 따라 높은 전압강하가 발생되게 된다. 이를 도 6을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Meanwhile, in the conventional planar FED, the voltage applied to the first data line D1 and the voltage applied to the nth data line Dn are different. In other words, the conventional planar FED is configured in a passive type, so that a high voltage drop is generated. This will be described in detail with reference to FIG. 6.

도 6을 참조하면, 화소셀(100)은 데이터라인(D)과 스캔라인(S)의 교차부에 위치된다. 스캔라인(S)에 스캔펄스(SP)가 인가되고, 데이터라인(D)에 데이터펄스(DP)가 인가될 때 화소셀(100)들에는 소정의 전압이 인가된다. 따라서, 스캔라인(S)의 위치에 따라서 인가되는 전압이 상이하게 된다.Referring to FIG. 6, the pixel cell 100 is positioned at the intersection of the data line D and the scan line S. FIG. When the scan pulse SP is applied to the scan line S and the data pulse DP is applied to the data line D, a predetermined voltage is applied to the pixel cells 100. Therefore, the voltage applied according to the position of the scan line S is different.

제 1 스캔라인(S1)에 스캔펄스(SP)가 공급되고 모든 데이터라인(D1 내지 Dn)에 데이터펄스(DP)가 공급될 때 화소셀(100)에 1㎃의 전류가 인가된다고 가정하여 스캔라인(S)의 전압강하를 상세히 설명하기로 한다. 이때, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 1 위치(70)까지의 저항을 R1으로 하고, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 2 위치(72)까지의 저항을 R2라고 가정한다. 또한, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 3 위치(74) 까지의 저항을 R3이라고 가정한다.Scanning assuming that a current of 1 mA is applied to the pixel cell 100 when the scan pulse SP is supplied to the first scan line S1 and the data pulse DP is supplied to all the data lines D1 to Dn. The voltage drop of the line S will be described in detail. In this case, it is assumed that the resistance from the start point of the first scan line S1 to the first position 70 is R1, and the resistance from the start point of the first scan line S1 to the second position 72 is R2. . In addition, it is assumed that the resistance from the starting point of the first scan line S1 to the third position 74 is R3.

먼저, 제 1 스캔라인(S1)의 제 1 위치(70)에는 옴의 공식(V=IR)에 의해 1㎃×R1의 전압강하가 발생된다. 또한, 제 1 스캔라인(S1)의 제 2 위치(72)에는 4㎃×R2의 전압강하가 발생된다. 아울러, 제 1 스캔라인(S1)의 제 3 위치(74)에는 100㎃×R3의 전압강하가 발생된다. 이와 같이 스캔라인(S)의 위치마다 상이한 전압이 인가되면 화면의 위치에 따라 상이한 밝기의 영상이 표현된다. 다시 말하여, 종래의 평면형 FED는 전압강하에 의하여 균일한 영상을 표현하지 못하였다.First, a voltage drop of 1 占 스캔 R1 is generated at the first position 70 of the first scan line S1 by the ohmic formula (V = IR). In addition, a voltage drop of 4 mA × R 2 is generated at the second position 72 of the first scan line S1. In addition, a voltage drop of 100 μs × R 3 is generated at the third position 74 of the first scan line S1. As such, when different voltages are applied to each position of the scan line S, images of different brightnesses are displayed according to the position of the screen. In other words, the conventional planar FED did not represent a uniform image due to voltage drop.

특히, 이러한 전압강하 현상은 평면형 FED가 대면적으로 갈수록 더욱 크게 발생된다. 따라서, 현재에는 평면형 FED를 대면적으로 제작하기 곤란하다.In particular, such a voltage drop phenomenon occurs more and more as the planar FED becomes larger. Therefore, it is currently difficult to produce a planar FED in a large area.

따라서, 본 발명의 목적은 균일성을 향상시킬 수 있도록 한 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법을 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an active planar field emission display device and a driving method thereof which can improve uniformity.

도 1은 종래의 팁형 전계 방출 표시소자를 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a conventional tip type field emission display device.

도 2는 도 1에 도시된 팁형 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a tip type field emission display device shown in FIG. 1. FIG.

도 3은 종래의 평면형 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a conventional planar field emission display device.

도 4는 도 1 및 도 3에 도시된 전계 방출 표시소자의 구동방법을 나타내는 파형도.4 is a waveform diagram illustrating a method of driving the field emission display device illustrated in FIGS. 1 and 3.

도 5는 도 3에 도시된 전계 방출 표시소자의 화소셀의 배치를 나타내는 도면.FIG. 5 is a diagram illustrating an arrangement of pixel cells of the field emission display device illustrated in FIG. 3.

도 6은 도 3에 도시된 평면형 전계 방출 표시소자의 화소셀을 등가적으로 나타내는 도면.FIG. 6 is an equivalent view of pixel cells of the planar field emission display shown in FIG. 3; FIG.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 화소셀의 구조를 나타내는 도면.7 illustrates a structure of a pixel cell according to an embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 화소셀들에 인가되는 구동파형을 나타내는 도면.8 is a diagram illustrating driving waveforms applied to the pixel cells illustrated in FIG. 7;

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 의하여 도 7에 도시된 화소셀들에 인가되는 구동파형을 나타내는 도면.FIG. 9 is a diagram illustrating driving waveforms applied to pixel cells shown in FIG. 7 according to another exemplary embodiment of the present invention; FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

2,42 : 상부기판 4,44 : 애노드전극2,42: upper substrate 4,44: anode electrode

6,46 : 형광체 8,48 : 하부기판6,46 phosphor 8,48 lower substrate

10 : 캐소드전극 12 : 저항층10 cathode electrode 12 resistive layer

14 : 게이트 절연층 16 : 게이트전극14 gate insulating layer 16 gate electrode

22 : 에미터 30 : 전자빔22 emitter 30 electron beam

32,56 : 전계방출 어레이 40 : 스페이서32,56: field emission array 40: spacer

50 : 스캔전극 52 : 절연층50 scanning electrode 52 insulating layer

54 : 데이터전극 78 : MIM 셀54 Data electrode 78 MIM cell

80,100 : 화소셀80,100: pixel cell

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자는 데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와, 스위칭소자와 스캔라인 사이에 접속되어 스위칭소자가 턴-온되었을 때 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 스캔라인으로 공급되는 스캔펄스의 전압차에 대응하는 전하를 방출하기 위한 셀소자와, 스캔라인으로 스캔펄스와 중첩되지 않게 리셋펄스가 공급될 때 전류의 이동경로를 형성하기 위하여 스위칭소자에 접속되도록 설치되는 다이오드를 구비한다.본 발명의 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법은 스캔라인으로 공급되는 스캔펄스에 의하여 스위칭소자가 턴-온되는 단계와, 데이터라인으로 공급되는 데이터펄스가 스위칭소자를 경유하여 셀소자로 공급되는 단계와, 셀소자에서 스캔펄스 및 데이터펄스의 전압차에 해당하는 전하가 방출되는 단계와, 스캐라인에 리셋펄스가 공급되어 셀소자가 초기화되는 단계를 포함한다.상기 스캔펄스는 셀 소자의 일측 전극에 공급되고, 데이터펄스는 셀 소자의 다른측 전극에 공급된다.상기 스캔펄스는 부극성의 전압레벨을 가지며, 데이터펄스는 정극성의 전압레벨을 갖는다.상기 리셋펄스는 모든 스캔라인들에 순차적으로 스캔펄스가 공급된 후에 스캔라인들로 공급된다.상기 리셋펄스는 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후에 스캔펄스가 공급된 스캔라인에 공급된다.상기 리셋펄스는 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후 모든 스캔라인들에 공급된다.상기 리셋펄스가 공급될 때 다이오드는 셀소자로부터 데이터라인으로의 전류 이동경로를 형성한다.In order to achieve the above object, the active planar field emission display device of the present invention includes a switching device formed at each intersection of the data lines and the scan lines and turned on by a scan pulse supplied from the scan line, and the switching device and the scan. Cell devices connected between the lines to discharge charges corresponding to the voltage difference between the data pulse supplied through the switching element and the scan pulse supplied to the scan line when the switching element is turned on, and the scan pulse to the scan line And a diode which is installed to be connected to the switching element so as to form a movement path of the current when the reset pulse is supplied so as not to overlap with each other. The driving method of the active planar field emission display device of the present invention is a scan supplied to a scan line. The switching element is turned on by the pulse, and the data pulse supplied to the data line is switched Supplying the cell element via the device, releasing charge corresponding to the voltage difference between the scan pulse and the data pulse from the cell device, and supplying a reset pulse to the scan line to initialize the cell device. The scan pulse is supplied to one electrode of the cell element and the data pulse is supplied to the other electrode of the cell element. The scan pulse has a negative voltage level and the data pulse has a positive voltage level. The reset pulses are supplied to the scan lines after the scan pulses are sequentially supplied to all the scan lines. The reset pulses are supplied to the scan lines to which the scan pulses are supplied after the scan pulses are supplied to one scan line. The reset pulse is supplied to all scan lines after the scan pulse is supplied to one scan line. When the reset pulse is supplied, the diode is connected from the cell element to the data line. It forms a current path to move.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하 도 7 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9.

도 7은 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 화소셀의 구조를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating a structure of a pixel cell of a planar FED according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 화소셀들(80)은 데이터라인들(D1 내지 Dn) 및 스캔라인들(S1 내지 Sm)의 교차부에 위치된다.Referring to FIG. 7, pixel cells 80 of a planar FED according to an exemplary embodiment of the present invention are positioned at intersections of data lines D1 to Dn and scan lines S1 to Sm.

화소셀들(80) 각각은 데이터라인(D) 및 스캔라인(S)의 교차부에 위치되는 스위칭소자(T)와, 스위칭소자(T)의 소오스전극 및 드레인전극의 사이에 접속되는 다이오드(D) 및 스위칭소자(T)의 드레인전극과 스캔라인(S) 사이에 접속되는 MIM 셀(78)로 구성된다.Each of the pixel cells 80 includes a switching element T positioned at an intersection of the data line D and the scan line S, and a diode connected between the source electrode and the drain electrode of the switching element T. D) and a MIM cell 78 connected between the drain electrode of the switching element T and the scan line S. FIG.

스위칭소자(T)의 게이트전극은 스캔라인(S)에 접속된다. 따라서, 스위칭소자(T)는 스캔라인(S)으로부터 스캔펄스가 공급되는 기간에 턴-온된다. 스위칭소자(T)의 소오스전극은 데이터라인(D)에 접속된다. 스위칭소자(T)는 자신이 턴-온되었을 때 데이터라인(D)으로부터 공급되는 데이터펄스를 MIM 셀(78)로 공급한다.The gate electrode of the switching element T is connected to the scan line S. Therefore, the switching element T is turned on in the period in which the scan pulse is supplied from the scan line S. The source electrode of the switching element T is connected to the data line D. The switching device T supplies the data pulses supplied from the data line D to the MIM cell 78 when it is turned on.

MIM 셀(78)의 구조는 도 3에 도시되어 있는 셀의 구조와 동일하다. 스캔라인(S)에 스캔펄스가 공급될 때 MIN 셀(78)에도 부극성의 스캔펄스가 공급된다. 또한, 스캔라인(S)에는 리셋펄스가 공급된다. 다이오드(D)는 스캔라인(S)에 리셋펄스가 인가되었을 때 전류가 흐를 수 있는 경로를 제공한다.The structure of the MIM cell 78 is the same as that of the cell shown in FIG. When the scan pulse is supplied to the scan line S, the negative scan pulse is also supplied to the MIN cell 78. In addition, the reset pulse is supplied to the scan line (S). The diode D provides a path through which current can flow when a reset pulse is applied to the scan line S. FIG.

본 발명의 제 1 실시예에 의한 구동방법에서는 도 4에 도시된 구동파형이 인가된다.In the driving method according to the first embodiment of the present invention, the driving waveform shown in FIG. 4 is applied.

도 4 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 평면형 FED의 스캔라인(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고, 데이터라인(D)에는 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다.4 and 7, a negative scan pulse SP is sequentially supplied to a scan line S of a planar FED according to an exemplary embodiment of the present invention, and a scan pulse SP is supplied to a data line D. Positive data pulses DP are synchronized with each other.

스캔라인(S)에 부극성의 스캔펄스(SP)가 공급되면 화소셀(80)에 형성되어 있는 스위칭소자(T)가 턴-온된다. 한편, 스캔라인(S)에 공급된 스캔펄스(SP)는 MIM 셀(78)의 스캔전극에 공급된다. 스위칭소자(T)가 턴-온되었을 때 데이터라인(D)에는 데이터펄스(DP)가 공급된다. 데이터라인(D)에 공급된 데이터펄스(DP)는 스위칭소자(T)를 거쳐 MIM 셀(78)로 공급된다. 즉, MIM 셀(78)에 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 이와 같은 데이터펄스(DP)는 MIM 셀(78)의 데이터전극에 공급된다.When the negative scan pulse SP is supplied to the scan line S, the switching element T formed in the pixel cell 80 is turned on. On the other hand, the scan pulse SP supplied to the scan line S is supplied to the scan electrode of the MIM cell 78. When the switching device T is turned on, the data pulse DP is supplied to the data line D. The data pulse DP supplied to the data line D is supplied to the MIM cell 78 via the switching element T. In other words, the positive data pulse DP is supplied to the MIM cell 78. The data pulse DP is supplied to the data electrode of the MIM cell 78.

즉, MIM 셀(78)에는 정극성의 데이터펄스(DP) 및 부극성의 스캔펄스(SP)가 공급된다. 이와 같이, 정극성의 데이터펄스(DP) 및 부극성의 스캔펄스(SP)를 공급받은 MIM 셀(78)은 데이터펄스(DP) 및 스캔펄스(CP)의 전압차에 의하여 전자를 방출하게 된다. 다시 말하여, MIM 셀(78)은 소정의 전자를 방출하여 화상을 표시하게 된다.In other words, the positive data pulse DP and the negative scan pulse SP are supplied to the MIM cell 78. As such, the MIM cell 78 supplied with the positive data pulse DP and the negative scan pulse SP emits electrons by the voltage difference between the data pulse DP and the scan pulse CP. In other words, the MIM cell 78 emits certain electrons to display an image.

이때, 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 계조에 따라 상이하게 설정된다. 예를 들어, 높은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 넓거나 높게 설정되고, 낮은 계조를 표현할 때 데이터펄스(DP)의 폭 및/또는 진폭은 좁거나 낮게 설정된다.At this time, the width and / or amplitude of the data pulse DP is set differently according to the gradation. For example, the width and / or amplitude of the data pulse DP is set to be wide or high when expressing a high gray level, and the width and / or amplitude of the data pulse DP is set to be narrow or low when expressing a low gray level.

모든 스캔라인들(S1 내지 Sm)에 순차적으로 스캔펄스(SP)가 공급된 후 모든 스캔라인(S1 내지 Sm)에 공통적으로 정극성의 리셋펄스(RP)가 공급된다. 스캔라인(S1 내지 Sm)에 공급된 정극성의 리셋펄스(RP)는 스위칭소자(T) 및MIM(78)에 공급된다. 이때, 리셋펄스(RP)는 정극성의 전압을 갖기 때문에 스위칭소자(T)는 턴-온되지 않는다. 정극성의 리셋펄스(RP)를 공급받은 MIM 셀(78)은 자신에게 충전되었던 전하들을 다아오드(D)를 거쳐 방전시킨다.After the scan pulse SP is sequentially supplied to all the scan lines S1 to Sm, the positive reset pulse RP is commonly supplied to all the scan lines S1 to Sm. The positive reset pulse RP supplied to the scan lines S1 to Sm is supplied to the switching element T and the MIM 78. At this time, since the reset pulse RP has a positive voltage, the switching element T is not turned on. The MIM cell 78 supplied with the positive reset pulse RP discharges the charges charged to it through the diode D.

한편, 본 발명의 실시예에서는 스위칭소자들(T)이 턴-오프된 상태에서 스캔라인(S)에 스캔펄스(SP)가 된다. 다시 말하여, 스캔펄스(SP)가 인가될 때 MIM 셀(78)에 전류가 인가되지 않기 때문에 스캔라인(S)의 전압강하를 최소화할 수 있다.Meanwhile, in the exemplary embodiment of the present invention, the scan pulse S becomes the scan pulse S while the switching elements T are turned off. In other words, since the current is not applied to the MIM cell 78 when the scan pulse SP is applied, the voltage drop of the scan line S can be minimized.

예를 들어, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 1 위치(81)까지의 저항을 R1으로 하고, 제 1 스캔라인(S1)의 시작점으로부터 제 2 위치(82)까지의 저항을 R2라고 가정하면 제 1 위치에서는 R1 만큼의 전압강하가 발생된다. 또한, 제 2 위치(82) 까지는 R2 만큼의 전압강하가 발생된다.For example, the resistance from the start point of the first scan line S1 to the first position 81 is R1, and the resistance from the start point of the first scan line S1 to the second position 82 is R2. If it is assumed, the voltage drop by R1 is generated in the first position. In addition, a voltage drop by R2 is generated to the second position 82.

다시 말하여, 본 발명에서는 스캔라인(S)의 저항값에 의하여 전압강하가 발생된다. 이를 종래와 비교해 보면, 종래에는 스캔라인(S)의 저항값 및 셀에 인가되는 전류값에 의하여 전압강하가 발생하였다. 하지만, 본 발명에서는 셀에 인가되는 전류값과 상관없이 스캔라인(S)의 저항값에 의하여 전압강하가 결정되기 때문에 전압강하량을 최소화할 수 있다.In other words, in the present invention, the voltage drop is generated by the resistance of the scan line S. FIG. Compared with the conventional method, the voltage drop has occurred in the related art by the resistance value of the scan line S and the current value applied to the cell. However, in the present invention, since the voltage drop is determined by the resistance value of the scan line S regardless of the current value applied to the cell, the voltage drop amount can be minimized.

따라서, 본 발명에서는 평면형 FED의 균일성을 향상시켜 화면의 위치에 관계없이 동일한 밝기의 영상을 표현할 수 있다. 아울러, 대면적의 평면형 FED를 구현할 수 있다.Therefore, in the present invention, the uniformity of the planar FED may be improved to express an image having the same brightness regardless of the position of the screen. In addition, it is possible to implement a large area planar FED.

하지만, 이와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 구동방법에서는 제 1 스캔라인(S1)이 구동될 때 제 2 내지 제 m 스캔라인(S2 내지 Sm)에도 데이터펄스(DP)가 인가된다. 데이터펄스(DP)를 공급받은 제 2 내지 제 m 스캔라인(S2 내지 Sm)에는 소정의 전압이 인가되고, 이 소정의 전압에 의해 화소셀들의 캐패시턴스 값이 커지게 된다. 한편, 이와 같은 현상은 제 2 내지 제 m 스캔라인(S2 내지 Sm)에 형성된 화소셀들이 구동될때에도 동일하게 발생된다.However, in the driving method according to the first exemplary embodiment of the present invention, the data pulse DP is also applied to the second to m th scan lines S2 to Sm when the first scan line S1 is driven. A predetermined voltage is applied to the second to m-th scan lines S2 to Sm supplied with the data pulses DP, and the capacitance of the pixel cells is increased by the predetermined voltage. On the other hand, the same phenomenon occurs even when the pixel cells formed on the second to m th scan lines S2 to Sm are driven.

다시 말하여, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 구동방법에서는 하나의 스캔라인(S)이 구동될 때 모든 스캔라인(S)에 데이터펄스(DP)가 인가되기 때문에 화소셀들의 균일성(Uniformity)이 상이하게 된다. 이와 같이, 화소셀들이 균일하지 못한상태에서 동작하게 되면 FED의 화질이 저하되게 된다. 또한, 동작하지 않은 화소셀들에 충전된 커패시턴스 값에 의해 구동속도가 저하됨가 아울러 효율이 저하되게 된다.In other words, in the driving method according to the first embodiment of the present invention, the data pulses DP are applied to all the scan lines S when one scan line S is driven, so that uniformity of pixel cells is achieved. ) Will be different. As such, when the pixel cells operate in a non-uniform state, the image quality of the FED is degraded. In addition, the driving speed is lowered and the efficiency is lowered by the capacitance value charged in the non-operated pixel cells.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 구동방법을 나타내는 파형도이다.8 is a waveform diagram showing a driving method according to the second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 의한 구동방법에서 스캔라인들(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고, 데이터라인들(D)에는 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 데이터라인들(D)에 공급되는 데이터펄스(DP)는 FED에 표시되어질 화상에 의해서 공급 유/무가 결정된다.Referring to FIG. 8, in the driving method according to the second exemplary embodiment of the present invention, negative scan pulses SP are sequentially supplied to scan lines S, and scan pulses SP are sequentially supplied to data lines D. FIG. Is supplied with a positive data pulse DP synchronized with The data pulse DP supplied to the data lines D is supplied / determined by an image to be displayed on the FED.

스캔라인(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 공급된 후 정극성의 리셋펄스(RP)가 공급된다. 이러한, 리셋펄스(RP)는 어느 하나의 스캔라인(Si)에 공급되는 스캔펄스(SP) 및 다음 스캔라인(Si+1)에 공급되는 스캔펄스(SP)의 사이에 공급된다.다시 말하여, 리셋펄스(RP)는 스캔펄스(SP)들 사이의 소정의 시간(블랭킹 기간)에 공급된다.After the negative scan pulse SP is supplied to the scan line S, the positive reset pulse RP is supplied. The reset pulse RP is supplied between the scan pulse SP supplied to one of the scan lines Si and the scan pulse SP supplied to the next scan line Si + 1. The reset pulse RP is supplied at a predetermined time (blanking period) between the scan pulses SP.

예를 들어, 제 1 스캔라인(S1)에 스캔펄스(SP)가 공급된 후 제 1 스캔라인(S1)에는 리셋펄스(RP)가 공급된다. 이때, 제 1 스캔라인(S1)에 공급되는 스캔펄스(SP)는 제 2 스캔라인(S2)에 스캔펄스(SP)가 공급되기 전에 공급된다.For example, after the scan pulse SP is supplied to the first scan line S1, the reset pulse RP is supplied to the first scan line S1. In this case, the scan pulse SP supplied to the first scan line S1 is supplied before the scan pulse SP is supplied to the second scan line S2.

이와 같이, 특정 스캔라인(Si)이 구동된 후 특정 스캔라인(Si)에 리셋펄스(RP)가 공급되면 특정 스캔라인(Si)에 형성되어 있는 MIM 셀(78)들에 충전된 전하들을 제거할 수 있다. 다시 말하여,본 발명의 제 2 실시예에 의한 구동파형에 의하면 하나의 스캔라인(Si)이 구동된 후 그 스캔라인(Si)에 리셋펄스를 공급함으로써 평면형 FED를 구동할 수 있다.As such, when the reset pulse RP is supplied to the specific scan line Si after the specific scan line Si is driven, the electric charges charged in the MIM cells 78 formed in the specific scan line Si are removed. can do. In other words, according to the driving waveform according to the second embodiment of the present invention, after one scan line Si is driven, the planar FED can be driven by supplying a reset pulse to the scan line Si.

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 구동방법을 나타내는 파형도이다.9 is a waveform diagram showing a driving method according to the third embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 의한 구동방법에서 스캔라인들(S)에는 부극성의 스캔펄스(SP)가 순차적으로 공급되고, 데이터라인들(D)에는 스캔펄스(SP)에 동기되는 정극성의 데이터펄스(DP)가 공급된다. 데이터라인들(D)에 공급되는 데이터펄스(DP)는 FED에 표시되어질 화상에 의해서 공급 유/무가 결정된다.Referring to FIG. 9, in the driving method according to the third embodiment of the present invention, negative scan pulses SP are sequentially supplied to scan lines S, and scan pulses SP are sequentially supplied to data lines D. FIG. Is supplied with a positive data pulse DP synchronized with The data pulse DP supplied to the data lines D is supplied / determined by an image to be displayed on the FED.

특정 스캔라인(Si)에 부극성의 스캔펄스(SP)가 공급된 후 모든 스캔라인들(S1 내지 Sm)에는 정극성의 리셋펄스(RP)가 공급된다. 이러한, 리셋펄스(RP)는 스캔펄스들(SP)들 사이의 소정의 시간(블랭킹 기간)에 공급된다.After the negative scan pulse SP is supplied to the specific scan line Si, the positive reset pulse RP is supplied to all the scan lines S1 to Sm. This reset pulse RP is supplied at a predetermined time (blanking period) between the scan pulses SP.

예를 들어, 제 1 스캔라인(S1)에 스캔펄스(SP)가 공급된 후 제 1 내지 제 m스캔라인(S1 내지 Sm)에는 리셋펄스(RP)가 공급된다. 이와 같이, 특정 스캔라인(Si)이 구동된 후 모든 스캔라인들(S1 내지 Sm)에 리셋펄스(RP)가 공급되면 MIM 셀(78)들에 충전된 전하들을 제거할 수 있다. 다시 말하여,본 발명의 제 3 실시예에 의한 구동파형에 의하면 하나의 스캔라인(Si)이 구동된 후 모든 화소셀들(80)에 충전된 전하를 제거함으로써 셀의 균일성을 확보할 수 있다. 또한, 모든 화소셀들에 충전된 전하를 제거함으로써 구동속도 및 효율을 향상시킬 수 있다.For example, after the scan pulse SP is supplied to the first scan line S1, the reset pulse RP is supplied to the first to m th scan lines S1 to Sm. As such, when the reset pulse RP is supplied to all the scan lines S1 to Sm after the specific scan line Si is driven, the charges charged in the MIM cells 78 may be removed. In other words, according to the driving waveform according to the third exemplary embodiment of the present invention, the uniformity of the cell can be secured by removing the electric charges charged in all the pixel cells 80 after one scan line Si is driven. have. In addition, the driving speed and the efficiency may be improved by removing the charges charged in all the pixel cells.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액티브 형 평면 전계방출 표시소자 및 그 구동방법에 의하면 스캔라인에 위치에 따라서 상이하게 발생하는 전압강하량을 최소화할 수 있다. 따라서, 전계방출 표시소자의 균일성을 향상시킴과 아울러 균일한 휘도를 가지는 영상을 표현할 수 있다. 아울러, 스캔라인의 전압강하량이 최소화되므로 대면적의 평면형 전계방출 표시소자를 제작할 수 있다.As described above, according to the active planar field emission display device and the driving method thereof according to the present invention, it is possible to minimize the amount of voltage drop generated differently according to the position on the scan line. Therefore, it is possible to improve the uniformity of the field emission display device and to display an image having uniform luminance. In addition, since the voltage drop of the scan line is minimized, a large area flat field emission display device can be manufactured.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (10)

데이터라인들과 스캔라인들의 교차부마다 형성되어 상기 스캔라인으로부터 공급되는 스캔펄스에 의해 턴-온되는 스위칭소자와,A switching element formed at each intersection of the data lines and the scan lines and turned on by a scan pulse supplied from the scan line; 상기 스위칭소자와 상기 스캔라인 사이에 접속되어 상기 스위칭소자가 턴-온되었을 때 상기 스위칭소자를 경유하여 공급되는 데이터펄스와 상기 스캔라인으로 공급되는 상기 스캔펄스의 전압차에 대응하는 전하를 방출하기 위한 셀소자와,Connected between the switching element and the scan line to emit charges corresponding to the voltage difference between the data pulse supplied through the switching element and the scan pulse supplied to the scan line when the switching element is turned on Cell element for, 상기 스캔라인으로 상기 스캔펄스와 중첩되지 않게 리셋펄스가 공급될 때 전류의 이동경로를 형성하기 위하여 상기 스위칭소자에 접속되도록 설치되는 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자.And a diode provided to be connected to the switching element so as to form a movement path of the current when the reset pulse is supplied to the scan line so as not to overlap with the scan pulse. 삭제delete 삭제delete 데이터라인들 및 스캔라인들의 교차부마다 형성되는 스위칭소자와, 상기 스위칭소자와 상기 스캔라인 사이에 설치되는 셀소자와, 상기 스위칭소자와 접속되도록 설치되는 다이오드를 포함하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법에 있어서,An active planar field emission display device comprising a switching element formed at each intersection of the data lines and the scan lines, a cell element disposed between the switching element and the scan line, and a diode installed to be connected to the switching element In the driving method of, 상기 스캔라인으로 공급되는 스캔펄스에 의하여 상기 스위칭소자가 턴-온되는 단계와,Turning on the switching element by a scan pulse supplied to the scan line; 상기 데이터라인으로 공급되는 데이터펄스가 상기 스위칭소자를 경유하여 상기 셀소자로 공급되는 단계와,Supplying the data pulse supplied to the data line to the cell device via the switching device; 상기 셀소자에서 상기 스캔펄스 및 데이터펄스의 전압차에 해당하는 전하가 방출되는 단계와,Discharging a charge corresponding to a voltage difference between the scan pulse and the data pulse in the cell device; 상기 스캐라인에 리셋펄스가 공급되어 상기 셀소자가 초기화되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And supplying a reset pulse to the scan line to initialize the cell device. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스캔펄스는 상기 셀 소자의 일측 전극에 공급되고,The scan pulse is supplied to one electrode of the cell element, 상기 데이터펄스는 상기 셀 소자의 다른측 전극에 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And the data pulses are supplied to the other electrode of the cell element. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 스캔펄스는 부극성의 전압레벨을 가지며, 상기 데이터펄스는 정극성의 전압레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And said scan pulse has a negative voltage level and said data pulse has a positive voltage level. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 리셋펄스는 상기 모든 스캔라인들에 순차적으로 스캔펄스가 공급된 후에 상기 스캔라인들로 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And the reset pulse is supplied to the scan lines after the scan pulses are sequentially supplied to all the scan lines. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 리셋펄스는 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후에 상기 스캔펄스가 공급된 스캔라인에 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And the reset pulse is supplied to the scan line to which the scan pulse is supplied after the scan pulse is supplied to one scan line. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 리셋펄스는 하나의 스캔라인에 스캔펄스가 공급된 후 모든 스캔라인들에 공급되는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계방출 표시소자의 구동방법.And the reset pulse is supplied to all scan lines after the scan pulse is supplied to one scan line. 제 7 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 7 and 9, 상기 리셋펄스가 공급될 때 상기 다이오드는 상기 셀소자로부터 상기 데이터라인으로의 전류 이동경로를 형성하는 것을 특징으로 하는 액티브 형 평면 전계 방출 표시소자의 구동방법.And the diode forms a current movement path from the cell element to the data line when the reset pulse is supplied.
KR10-2001-0033094A 2001-06-13 2001-06-13 Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof KR100415601B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0033094A KR100415601B1 (en) 2001-06-13 2001-06-13 Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0033094A KR100415601B1 (en) 2001-06-13 2001-06-13 Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020094709A KR20020094709A (en) 2002-12-18
KR100415601B1 true KR100415601B1 (en) 2004-01-16

Family

ID=27708914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0033094A KR100415601B1 (en) 2001-06-13 2001-06-13 Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100415601B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07181927A (en) * 1993-12-24 1995-07-21 Sharp Corp Image display device
KR20000019654A (en) * 1998-09-14 2000-04-15 구자홍 Method for driving field emission display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07181927A (en) * 1993-12-24 1995-07-21 Sharp Corp Image display device
KR20000019654A (en) * 1998-09-14 2000-04-15 구자홍 Method for driving field emission display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020094709A (en) 2002-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100447117B1 (en) Flat Display Panel
KR100415614B1 (en) Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof
KR100415601B1 (en) Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof
KR100415602B1 (en) Active type Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof
KR100430085B1 (en) Flat Display Panel and Driving Method Thereof
KR100342831B1 (en) Field Emission Display and Driving Apparatus and Method thereof
KR100470207B1 (en) Apparatus and Method for Driving of Metal Insulator Metal Field Emission Display
KR100531476B1 (en) Driving Method of Field Emission Display
KR100448478B1 (en) Metal-Insulator-Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof
KR100352977B1 (en) Field Emission Display and Driving Method thereof
KR100747358B1 (en) Flat Display Panel and Driving Method Thereof
KR100509757B1 (en) Metal Insulator Metal Field Emission Display and Driving Method Thereof
KR100359020B1 (en) Field Emission Display
KR100469975B1 (en) Apparatus for driving metal-insulator-metal field emission display using constant-current circuit
KR100421481B1 (en) Metal Insulator Metal Field Emission Display
KR100338516B1 (en) Field Emission Display and Stabilization Method of Field distribution thereon
KR100475159B1 (en) Metal-insulator-metal type field emission display and driving apparatus and method thereof
KR100565729B1 (en) Field Emission Display and Method of Driving The Same
KR100353951B1 (en) Field Emission Display and Method of Driving the same
KR100293513B1 (en) Driving method of field emission display device
KR100658339B1 (en) Field Emission Display and Method of Driving the same
KR100456138B1 (en) Apparatus and Method for Driving of Metal Insulator Metal Field Emission Display
KR20060124028A (en) Electron emission display and driving method thereof
KR20020014551A (en) Field Emission Display and Driving Method thereof
KR20030008693A (en) Apparatus and Method for Driving of Metal Insulator Metal Field Emission Display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061220

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee