KR100400453B1 - 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평면 디스플레이 패널에 형성되는 후막을 소성하는 과정에 사용되는 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히, 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조방법은 후막을 형성하기 위해 평면 디스플레이 패널에 페이스트를 도포하는 제1 단계와, 상기 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널을 예열하는 제2 단계와, 상기 예열된 평면 디스플레이 패널을 가열하는 제3 단계와, 상기 제3 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널의 온도를 변형온도 이하로 유지하는 제4 단계와, 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널을 상기 제3 단계의 가열온도보다 높은 온도로 가열하는 제5 단계와, 상기 제5 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 냉각하는 제6 단계로 이루어져, 기포발생과, 변색 및 표면산화와 투명전극의 도전성 저하, 장시간의 공정시간 등을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

평면 디스플레이 패널 제조장치 및 제조방법{A Plasma Display Panel Manufacturing Device and a Method}
본 발명은 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 평면 디스플레이 패널 제조 시 발생하는 기포와 변색, 전극의 투명성 저하와 유리변형을 방지할 수 있는 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평면 디스플레이 패널은 서로 대항되는 2장의 유리기판 사이에서 네온(Ne), 헬륨(He), 크세논(Xe) 등의 불활성 가스 방전 시 발생하는 진공자외선이 형광체를 여기시키는 발광현상을 이용하는 기체방전 디스플레이 소자이다.
일반적인 평면 디스플레이 패널의 블록도는 도1을 참고로 설명하면 다음과 같다. 먼저, 평면 디스플레이 패널은 화상의 표시면인 프론트 패널(Front Panel;9)과, 상기 프론트 패널(9)과 소정 거리를 사이에 두고 평행하게 위치하는 리어 패널(Rear Panel;10)로 이루어진다.
이 때, 상기 프론트 패널(9)은 상기 리어 패널(10)과 대향면에 스트라이프형으로 배열 형성되는 복수개의 표시전극(1)과, 상기 표시전극(1)을 덮도록 적층되어 방전 시 방전전류를 제한하고 벽전하의 생성을 용이하게 하는 제1 유전체층(3)과, 상기 제1 유전체층(3)을 보호하기 위한 유전체 보호층(4)으로 이루어진다. 상기에서 표시전극(1)은 ITO(Indium Tin Oxide, 이하 ITO라고 함)를 이용한 투명전극(2b)과 버스라인(Bus Line)으로 사용되도록 Ag 베이스의 전극(2a)이 많이 사용되고 있다. 또한, 상기 유전체 보호층(4)은 산화마그네슘(MgO)으로 형성된다.
한편, 상기 리어 패널(10)은 상기 표시전극(1)과 직교하도록 스트라이프형으로 배열 형성되어 상기 표시전극(1)과 함께 전체 화면을 매트릭스 형태의 복수개 셀로 구분하는 복수개의 어드레스(Address) 전극으로 사용되도록 Ag 베이스의 전극(5)과, 전면에 도포되어 상기 어드레스 전극(5)을 보호하고 전기적인 절연을 수행하기 위한 제2 유전체층(6)과, 상기 제2 유전체층(6) 상에 스트라이프 형태로 배열 형성되어 방전공간을 형성하는 격벽(7)과, 상기 격벽(7)에 의해 형성된 방전공간 내부에 인쇄 도포되어 각 셀의 방전 시 자외선에 의해 여기되어 가시광을 방출하는 형광층(8)으로 이루어진다. 이 때 상기 형광층(8)은 적색(R), 녹색(G), 청색(B)으로 구분되어 교대로 도포된다.
그리고 일반적으로 상기와 같은 평면 디스플레이 패널의 상기 프론트 패널(9) 상에 형성된 막(膜) 중 버스라인 전극(2a), 제1 유전체층(3), 또 상기 리어 패널(10) 상에 형성된 막 중 어드레스 전극(5), 제2 유전체막(6), 격벽(7), 형광체(8) 등 많은 막들은 인쇄 방식에 의하여 도포, 건조된 후 소성공정을 거쳐 막을 형성한다.
종래에는 상기와 같이 막을 형성하기 위한 소성과정에서 보통 고온으로 5시간 이상씩 평면 디스플레이 패널과 상기 막을 형성하기 위해 상기 평면 디스플레이 패널에 도포된 페이스트를 가열하였다. 만일, 가열 시 전기저항히터에 의한 대류가열방식을 사용할 경우 상기 형광체(8)를 처리할 경우를 제외하고는 550℃ 이상의 고온처리를 행하여야 한다.
또한, 상기 평면 디스플레이 패널에 페이스트를 도포함으로써 형성하는 후막(厚膜;두께 10㎛~150㎛)의 경우 유기성분을 포함하고 있으며 그 두께로 인하여 유기성분제거와 그 밀도 및 결합력을 증가시키기 위하여 오랜 시간의 가열이 요구된다.
그러나 상기와 같이 고온에서의 장시간 소성공정은 기포발생과 막 변색, 투명전극의 도전성 저하와 유리기판의 변형 등을 초래하여 평면 디스플레이 패널의 화질 특성을 저하시킨다는 문제점이 있다.
그 외에도 상기와 같은 장시간 소성공정으로 인하여 평면 디스플레이 패널의 제조 시 소요되는 전체공정시간이 길어진다는 문제점이 있다.
따라서, 현재 각 평면 디스플레이 패널 제조업체에서는 제조공정상 수 회의 소성공정으로 인한 평면 디스플레이 패널 막의 열적 손상을 최소화하기 위해 계속적으로 노력하고 있다. 제조과정상 발생하는 이러한 반복적인 고온소성으로 인해 평면 디스플레이 필터 화질 특성이 저하되고 리페어 시간이 증가되며 제품 가격 상승의 요인으로 작용하고 있다.
엘지전자(주)는 자체적인 특허조사(LG-PM2000-014, 특허기술정보센터 발행)로 평판 디스플레이 산업 분야 중 LCD, 반도체를 대상으로 불순물 활성화, 어닐링, 결정화를 위해 급속열공정(Rapid Thermal Processing; 이하 RTP라 칭함) 기술이 사용되어 왔으나, 페이스트를 이용하여 후막을 형성함에 있어서는 RTP 기술이 적용된사례가 없는 점을 인지하고 상기 RTP 기술을 적절히 이용하여 평면 디스플레이 패널의 후막을 형성할 수 있는 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치 및 그 제조방법을 발명하였다.
종래에 따른 RTP 장치는 박막(薄膜;두께 2㎛ 이내)을 평면 디스플레이 패널에 형성하는 프로세스에 이용되는 장치로써 도 2에 도시된 바와 같이, 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널(10)이 이동되는 패널이동부(11)와, 상기 패널이동부(11)에서 이동되는 평면 디스플레이 패널(10)을 예열하는 예열부(12)와, 상기 예열된 평면 디스플레이 패널(10)을 가열하는 가열부(13)와, 상기 가열된 평면 디스플레이 패널(10)을 냉각하는 냉각부(14)로 이루어진다.
특히, 상기 예열부(12)와 냉각부(14)는 각각 상기 패널이동부(11)의 상하측에 배치된 복수개의 텅스텐 할로겐 램프(12a,14a)와, 상기 텅스텐 할로겐 램프(12a,14a)를 둘러쌓는 반사막부(12c,14c)로 이루어진다.
또한, 상기 가열부(13)는 상기 패널이동부(11)의 상하측에 배치된 복수개의 고출력 RTP 램프(13a)와, 상기 고출력 RTP 램프(13a)를 둘러쌓는 반사막부(13c)로 이루어지며, 상기 패널이동부(11)는 복수개의 롤러(11a)로 이루어진다.
도 3은 전기저항히터 가열방식을 사용한 공정과 종래 RTP의 시간에 따른 온도변화를 나타내고 있다.
여기서 종래 RTP 장치는 전지저항히터 가열보다 보다 짧은 시간에 막의 특성을 얻기 위해 상기 가열부(13)에서 순간적으로 750℃ 이상의 온도로 상기 평면 디스플레이 패널(10)을 가열하며 유리기판의 변형을 방지하기 위하여 수 십초 이내로그 공정을 처리하다.
그러나 상기와 같은 종래 RTP 장치는 박막을 형성하기 위한 것이므로 재료조성 및 막 두께가 반도체나 LCD 패널상에 형성되는 막과 차이가 있는 평면 디스플레이 패널의 후막을 형성하기 위하여 종래 RTP 장치를 사용할 경우 그에 따른 문제점이 발생한다.
즉, 막 두께로 인하여 후막을 형성하기 위한 페이스트에 포함되어 있는 다량의 유기성분이 종래 RTP 장치를 이용할 경우 외부로 충분히 방출되지 않아 심각한 기포발생의 초래한다는 문제점이 있다.
또한, 만일 페이스트에 포함된 유기성분을 외부로 방출시키기 위하여 예열부의 승온속도를 5℃/min 이내로 느리게 할 경우 전체 제조공정 시간이 증가한다는 문제점이 있다.
또한, 550℃ 이상의 고온에서 형성하려는 후막의 결합력과 밀도를 높이고자 상기 유기성분이 제거된 페이스트를 장시간 가열할 경우 유리기판 변형과 화질특성 저하의 문제점이 발생하며, 만일 이를 방지하기 위하여 짧은 시간 가열할 경우 막 두께로 인하여 Frit 재의 용융성이 전극내에서 균일하게 확보되기 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 RTP 기술을 적절히 적용함으로써 막의 기포발생과, 변색 및 표면산화와투명전극의 도전성 저하, 장시간의 공정시간 등을 방지할 수 있는 평면 디스플레이 패널의 제조장치 및 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 평면 디스플레이 패널이 도시된 사시도,
도 2는 종래 평면 디스플레이 패널 제조장치의 블록도,
도 3은 종래 전기저항히터와 램프에 따른 소성공정의 시간에 따른 온도변화가 도시된 그래프,
도 4는 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치의 블록도,
도 5는 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조방법의 순서가 나열된 순서도,
도 6은 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치의 소성공정의 시간에 따른 온도변화가 도시된 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
20 : 평면 디스플레이 패널 21 : 패널이동부
22 : 예열부 23 : 제1 가열부
24 : 패널온도유지부 25 : 제2 가열부
26 : 냉각부
상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 평면 디스플레이 패널의 제조장치의 특징에 따르면, 후막을 형성하기 위해 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널을 예열하는 예열부와, 상기 페이스트의 유기성분이 제거되도록 상기 예열된 평면 디스플레이 패널을 가열하는 제1 가열부와, 상기 제1 가열부에서 가열된 평면 디스플레이 패널의 변형이 방지되도록 상기 평면 디스플레이 패널의 온도를 변형온도 이하로 유지하는 패널온도유지부와, 형성되는 후막의 밀도 및 결합력이 증가되도록 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널을 상기 제1 가열부의 가열온도 이상의 온도로 가열하는 제2 가열부와, 상기 제2 가열부에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 냉각시키는 냉각부와, 상기 각 부를 순차적으로 통과하도록 상기 평면 디스플레이 패널이 이동되는 패널이동부로 구성된다.
또한, 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조방법의 특징에 따르면, 후막을 형성하기 위해 평면 디스플레이 패널에 페이스트를 도포하는 제1 단계와, 상기 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널을 예열하는 제2 단계와, 상기 예열된 평면 디스플레이 패널을 가열하는 제3 단계와, 상기 제3 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널의 온도를 변형온도 이하로 유지하는 제4 단계와, 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널을 상기 제3 단계의 가열온도보다 높은 온도로 가열하는제5 단계와, 상기 제5 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 냉각하는 제6 단계로 이루어진다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 의한 평면 디스플레이 패널 제조장치는 도 4에 도시된 바와 같이, 후막을 형성하기 위해 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널(20)이 이동되는 패널이동부(21)와, 상기 패널이동부(21)에서 이동되는 상기 평면 디스플레이 패널(20)을 30℃/min의 승온속도로 가열하는 예열부(22)와, 상기 예열부(22)의 빠른 승온속도로 인하여 유기성분이 충분히 빠져나가지 않은 페이스트의 유기성분이 제거되도록 상기 평면 디스플레이 패널을 400℃ 이상의 속도로 가열하는 제1 가열부(23)와, 상기 제1 가열부(23)에서 가열된 평면 디스플레이 패널(20)의 온도가 변형온도 이하로 유지되도록 상기 평면 디스플레이 패널(20)을 300℃~350℃의 온도로 가열하는 패널온도유지부(24)와, 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널(20)에 형성되는 후막의 밀도와 결합력이 증가되도록 상기 평면 디스플레이 패널(20)을 600℃ 이상의 온도로 가열하는 제2 가열부(25)와, 상기 제2 가열부(25)에서 가열된 상기 평면 디스플레이 패널(20)을 서서히 냉각시키는 냉각부(26)로 구성된다.
특히, 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치는 고출력 RTP 램프를 이용하여 상기 평면 디스플레이 패널을 가열한다.
여기서, 상기 예열부(22)와 상기 패널온도유지부(24) 및 상기 냉각부(26)는상기 패널이동부(21)의 상하측에 배열된 복수개의 텅스텐 할로겐 램프(22a,24a,26a)와, 상기 복수개의 텅스텐 할로겐 램프(22a,24a,26a)에서 발생한 열이 외부로 방열되지 않도록 상기 텅스텐 할로겐 램프(22a,24a,26a)의 외곽을 둘러쌓는 복수개의 반사막부(22c,24c,26c)로 이루어진다.
또한, 상기 제1,2 가열부(23,25)는 상기 패널이동부(21)의 상하측에 배열된 복수개의 텅스텐 할로겐 램프(23a,25a)와, 상기 텅스텐 할로겐 램프(23a,25a) 사이사이에 배열되어 상기 텅스텐 할로겐 램프(23a,25a)보다 높은 열을 출력하는 고출력 RTP 램프(23b,25b)와, 상기 고출력 RTP 램프(23b,25b)의 열이 외부로 방출되지 않도록 상기 고출력 RTP 램프(23b,25b)의 외곽을 각각 둘러쌓는 복수개의 반사막부(23c,25c)로 이루어진다.
특히, 상기 제1 가열부(23)는 상기 텅스텐 할로겐 램프(23a) 사이사이에 5개의 고출력 RTP 램프(23b)가 배열된다. 그리고 상기 제2 가열부(25)는 상기 텅스텐 할로겐 램프(25a) 사이사이에 3개의 고출력 RTP 램프(25b)가 배열된다.
또한, 상기 제2 가열부(25)는 상기 복수개의 텅스텐 할로겐 램프(25a)의 열이 외부로 방열되지 않도록 상기 텅스텐 할로겐 램프(25a)의 외곽을 둘러쌓는 복수개의 반사막부(25d)를 더 포함한다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 동작 도 5를 참고로 살펴보면 다음과 같다.
먼저 제1 단계에서 후막을 형성하기 위한 페이스트를 평면 디스플레이 패널에 도포한다. (S1)
제2 단계에서는 상기 제1 단계에서 페이스트가 도포된 상기 평면 디스플레이 패널은 30℃/min의 승온속도로 예열하여 상기 평면 디스플레이 패널의 온도가 300℃~350℃로 유지되도록 한다. (S2)
제3 단계는 상기 제2 단계의 빠른 승온속도로 인하여 유기성분이 제거되지 않은 페이스트에서 유기성분이 방출되도록 가열에 소정 패턴이 형성되도록 한 것으로서, 상기 평면 디스플레이 패널을 소정시간동안 소정횟수로 가열이 단속적으로 이루어지도록 한다. 본원발명의 실시예에서 이같은 가열 패턴은 400℃ 이상의 온도로 2분 동안 상기 평면 디스플레이 패널을 5회 급속 가열하도록 하고 있다. (S3)
제4 단계에서는 상기 제3 단계에서 유기성분이 제거된 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널의 변형이 방지되도록 상기 평면 디스플레이 패널의 온도를 유리 변형 온도인 510℃~570℃ 이하로 유지한다. (S4)
제5 단계에서는 상기 제4 단계에서 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널에 형성되는 후막의 결합력과 밀도를 증가시키기 위하여 소정시간동안 소정횟수로 가열을 단속적으로 실시하여 가열에 소정 패턴을 부여하고 있으며, 바람직하게는 600℃ 이상의 온도로 1분간 상기 평면 디스플레이 패널을 3회 급속 가열한다. (S5)
제6 단계에서는 상기 제5 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 서서히 냉각시킨다. (S6)
본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치에 관한 특징을 다음 표 1에 정리하였다.
용도 소성방식 예열부승온속도 제1가열부가열온도 제2가열부가열온도 전체처리시간
평면 디스플레이 패널후막 형성 램프가열 30℃/min 400℃이상(2분,5회) 600℃이상(1분,3회) 90분 이내
즉, 전체 소성공정의 처리시간이 90분 미만이어서 평면 디스플레이 패널의제조시간을 70%이상 크게 단축할 수 있다.
다음 표 2는 종래 전기저항히터 가열방식에 의해 제조된 평면 디스플레이 패널 및 그 후막과 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널 제조장치와 제조방법에 따라 제조된 평면 디스플레이 패널 및 그 후막의 특성을 정리한 것이다.
구분 후막기포 크기 변색 투명전극저항값 평면 디스플레이패널 변형값
종래기술 5㎛~7㎛이상 주변부에 발생 50Ω/square 0.05㎛
본 발명에따른 기술 2㎛~4㎛이상 우수 20Ω/square 0.03㎛
또한, 도 6은 본 발명에 따른 평면 디스플레이 패널의 제조방법의 온도변화를 시간에 따라 나타낸 그래프이다. 도 6에 도시되어 있든 후막을 형성하기 위한 페이스트에 포함된 유기성분을 짧은 시간내에 제거하였으며 고온 처리에 소요되는 시간을 단축시킴으로써 기포발생, 변색, 투명전극의 도전성 저하, 유리기판 변형 등을 방지하였다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 평면 디스플레이 패널 제조장치와 그 제조방법은 기존의 RTP 기술을 적절히 적용하여 후막을 형성하고자 하는 평면 디스플레이 패널을 소정시간 동안 소정횟수 급속 가열함으로써 전체 제조 공정 시 소요되는 시간을 줄이는 한편, 기포발생, 변색, 투명전극의 도전성 저하, 유리기판 변형 등의 문제점을 해소할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 후(厚)막을 형성하기 위해 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널을 예열하는 예열부와; 상기 페이스트의 유기성분이 제거되도록 상기 예열된 평면 디스플레이 패널을 가열하는 제1 가열부와; 상기 제1 가열부에서 가열된 평면 디스플레이 패널의 변형이 방지되도록 상기 평면 디스플레이 패널의 온도를 변형온도 이하로 유지하는 패널온도유지부와; 형성되는 후막의 밀도 및 결합력이 증가되도록 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널을 상기 제1 가열부의 가열온도 이상의 온도로 가열하는 제2 가열부와; 상기 제2 가열부에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 냉각시키는 냉각부와; 상기 각 부를 순차적으로 통과하도록 상기 평면 디스플레이 패널이 이동되는 패널이동부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 예열부와 상기 패널온도유지부 및 상기 냉각부는 각각 상기 패널이동부의 상하측에 배열된 복수개의 램프와; 상기 램프의 열이 외부로 방열되지 않도록 상기 복수개의 램프를 둘러쌓는 반사막부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1,2 가열부는 각각 상기 패널이동부의 상하측에 배열된 복수개의 제1 램프와; 상기 제1 램프 사이사이에 배열되어 상기 제1 램프보다 높은 온도로 방열하는 복수개의 제2 램프와; 상기 제2 램프의 열이 외부로 방열되지 않도록 상기 제2 램프를 외관을 각각 둘러쌓는 복수개의 반사막부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 가열부는 상기 제1 램프의 열이 외부로 방열되지 않도록 그 외관을 둘러쌓는 복수개의 반사막부를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조장치.
  5. 후(厚)막을 형성하기 위해 평면 디스플레이 패널에 페이스트를 도포하는 제1 단계와; 상기 페이스트가 도포된 평면 디스플레이 패널을 예열하는 제2 단계와; 상기 예열된 평면 디스플레이 패널을 가열하는 제3 단계와; 상기 제3 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널의 온도를 변형온도 이하로 유지하는 제4 단계와; 상기 온도가 유지된 평면 디스플레이 패널을 상기 제3 단계의 가열온도보다 높은 온도로 가열하는 제5 단계와; 상기 제5 단계에서 가열된 평면 디스플레이 패널을 냉각하는 제6 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 단계는 상기 평면 디스플레이 패널을 30℃/min 이상의 승온속도로 예열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 단계는 상기 평면 디스플레이 패널의 온도가 300℃~350℃로 유지되도록 상기 평면 디스플레이 패널을 예열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제3 단계는 상기 평면 디스플레이 패널을 2분 동안 5회 가열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  9. 삭제
  10. 제 5 항에 있어서,
    상기 제3 단계는 상기 평면 디스플레이 패널을 400℃이상의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 제4 단계는 상기 평면 디스플레이 패널의 온도를 유리 변형 온도(510℃~570℃) 이하로 유지하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 제5 단계는 상기 평면 디스플레이 패널을 1분 동알 3회 가열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
  13. 삭제
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 제5 단계는 상기 평면 디스플레이 패널을 600℃이상의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이 패널 제조방법.
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