KR100345759B1 - 흡광성무반사처리필름을갖춘유기기판및이의제조방법 - Google Patents

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Abstract

유기 기판과, 저굴절율 필름쪽에서 입사광의 반사를 감소하기 위해 기판상에 흡광성 필름 및 저굴절율 필름 순으로 형성되어 이루어진 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판으로, 유기 기판은 플라즈마처리 표면을 갖고, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소(산화물-질화물)로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상으로 주로 이루어진 층은 플라즈마처리된 기판과 흡광 필름 사이에 형성된다.

Description

흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판 및 이의 제조 방법
본 발명은 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근에, 컴퓨터의 급속한 팽창과 함께, 디스플레이 표면상의 반사를 감소시키는 것 또는 단말기의 작업 환경을 개선하기 위해 CTR(음극선관) 표면의 대전을 방지하는 것을 원해왔다. 추가로, 최근에, 콘트라스트를 개선하기 위해 패널 유리의 투과율을 감소시키는 것, 또는 인체에 악영향을 줄 수 있는 극저주파의 전자기파를 차폐하는 것을 요구해 왔다.
이런 요구에 응답하기 위해, (1) 전기전도성 무반사처리 필름을 패널 표면상에 제공하는 방법, (2) 전기전도성 무반사처리 필름을 페이스 플레이트의 표면상에 형성한후, 그 다음 페이스 플레이트를 수지로 패널 표면에 결합시키는 방법, (3) 각 면상에 형성된 전기전도성 무반사처리 필름을 갖는 필터 유리를 음극선관 앞에 배치하는 방법을 채택해 왔다.
이들 중, (2) 및 (3) 방법에서, 진공증착법에 의해 복수층에서 무반사처리 필름을 형성하는 것은 보통이다.
이런 필름 구조의 특정예는 JP-A-60-168102 에 기재된 것과 같이, 유리/고굴절율 필름/저굴절율 필름/고굴절율 필름/고굴절율 도전필름/저굴절율 필름 구조이다. 패널 표면상에 이런 필름 구조를 갖는 다층 무반사처리 필름의 도포에 의해, 표면의 가시 반사율은 0.3 % 이하로 감소될 수 있고, 표면 저항은 1 kΩ /□ 이하로 감소될 수 있다. 추가로, 상기 전자기파 실딩(shielding) 효과를 이에 의해 부여할 수 있다.
추가로, 콘트라스트 증가 방법으로서, 흡광성 필름을 이의 구조의 일부로서 사용하는 것이 효과적임이 공지되었다. 예를 들어, JP-A-1-70701 에 기재된 것과 같이, 유리/금속 필름/고굴절율 필름/저굴절율 필름의 구조를 채택하는 것이 가능하다. 패널 표면에 이 구조의 다층 흡광성 무반사처리 필름을 도포하여, 표면의 가시 반사율은 0.5 % 이하로 감소될 수 있고, 표면 저항은 100 kΩ /□ 이하로 감소될 수 있다. 추가로, 동시에, 가시광선 투과율은 수십 %씩 감소될 수 있고, 이에의해 고 콘트라스트를 얻을 수 있다.
이에 반해, (1) 방법은 (a) 패널을 먼저 도포한 후, 음극선관으로 형성시키는 경우, 및 (b) 음극선관을 먼저 형성한 후 표면 도포를 여기에 가하는 경우를 포함한다. 어느 한 경우에서도, 현재 스핀 도포와 같은 소위 습식법에 의존한다.
다른 한 편으로, 상기와 같이 유리 표면상에 무반사처리 도포를 사용하는 대신, 무반사처리 도포를 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)의 유기 필름상에 미리 형성한 후 유리 표면에 결합시키는 방법을 고려할 수 있다.
그렇지 않으면, (2) 및 (3) 방법의 경우에서, 유리 쉬트(sheet) 대신, 유기 기판(소위 플라스틱 쉬트)을 사용할 수 있고, 이것은 예를 들어 안정성의 관점에서 바람직하다.
이런 경우에서, 기판이 열저항을 갖는 것이 요구되는 습식법을 사용할 수 없고, 기판의 온도상승을 피하기 위해 적절한 주의로 증착법 또는 스퍼터링(sputtering)법에 의해 무반사처리 필름을 형성한다.
유기 필름상의 도포는 소위 롤 도포기에 의해 실행할 수 있다. 필름의 이동 속도를 일정하게 유지하기 위해, 필름 형성 속도의 안정성이 필요하다.
추가로, 쉬트 형태의 기판상의 도포를 위해 인라인계 필름 형성 장치를 사용하고, 여기에, 필름 형성 속도의 안정성이 다시 요구된다. 이 관점에서, 중착법을 사용하는 것은 문제가 된다.
다른 한 편으로, 스퍼터링법에 의해, 고속도에서 일정하게 저굴절율 필름을 형성하기는 어렵다.
이런 환경하에서, 최근에 스퍼터링에 의해 고속도로 안정하게 SiO2를 형성하는 방법을 개발하기 위한 각종 시도를 해왔다. 그 결과, 몇가지 방법들이 현재 실제로 개발되고 있다. 예를 들어, 미국 특허 4,445,997 에 기재된 것과 같은 MMRS(금속 모드 반응성 스퍼터링) 및 미국 특허 4,851,095 에 기재된 것과 같은 C-Mag(원통형 마그네트론)을 언급할 수 있다.
그 결과, 스퍼터링에 의한 무반사처리 필름이 현실화되려하고 있다. 그러나, 무반사처리 필름의 구조에 있어서, 지금까지 진공증착에 의해 형성되어온 필름의 구조가 다수 경우에서 동반되었고, 스퍼터링에 의해서는 특히 효과적인 필름 구조는 공지되지 않았다.
드문 예로서, 미국 특허 5,091,244 에는 유리/전이금속 질화물/투명 필름/전이금속 질화물/투명 필름의 4층 구조가 기재되어 있다. 그러나, 이 미국 특허 5,091,244 에는, 가시광선 투과율을 50 % 이하로 감소시키기 위해, 흡괌층을 2 층으로 나누어 4층 이상으로 층수를 만들어 높은 제조 비용의 실제 문제가 있다.
추가로, 본 발명가들은 국제 공개 WO96/18917 에서 고생산성을 갖고, 무반사 처리 성능에서 우수하며 전자기파 차단에 적합한 저 표면 저항을 지니며, 고 콘트라스트를 확보하기 위해 적당한 흡광성을 지닌 흡광성 필름/저굴절율 필름의 단순 층 구조의 흡광성 무반사처리 필름은 앞서 제안하였다. 그러나, 이런 무기 재료로 구성된 흡광성 무반사처리 필름을 무기 기판에 형성하는 경우, 기판과 흡광필름간의 경계면에서 접착력은 반드시 충분한 것은 아니다. 추가로, 유기 기판의 사용으로 인해 색반점이 (color shading) 발생한다.
내구성이 우수하고 적당한 가시광선 흡광계수를 갖는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 값싼 유기 기판, 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명의 또다른 목적은 감소된 색반점과 적당한 가시광선 흡수능을 갖는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 값싼 유기 기판 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 유기 기판과, 저굴절율 필름쪽에서 입사광의 반사를 감소시키기 위해 기판상에 흡광성 필름 및 저굴절율 필름 순으로 형성되어 이루어진 흡광성 무 반사처리 필름(이후 때때로 흡광성 무반사기로 언급함)을 갖춘 유기 기판(이것은 플라즈마처리 표면을 갖고, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소(산화물-질화물)로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상으로 주로 이루어진 층(이후 접착층으로 언급됨)은 플라즈마처리된 기판과 흡광성 필름 사이에 형성된다), 및 이의 제조 방법을 제공한다.
첨부 도면에서 :
도 1은 본 발명의 구현예의 개략 횡단면도이다.
도 2는 실시예 1 에 사용된 규소 표적에 가한 전압의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 실시예 1 의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
도 4는 실시예 8 의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 실시예 15 의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
도 1 은 본 발명의 구현예의 개략 횡단면도이다.
도 2 는 실시예 1 에 사용된 실리콘 표적에 가한 전압의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3 은 실시예 1 의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
도 4 는 실시예 8의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
도 5 는 실시예 15의 분광반사율을 나타내는 그래프이다.
현재, 본 발명은 바람직한 구현예를 참조하여 자세히 기재될 것이다.
흡광성 필름의 기하학적 필름 두께는 저반사를 실현하기 위해 바람직하게는 2 내지 20 nm 이다. 추가로, 저굴절율 필름은 반사 방지의 관점에서, 바람직하게는 1.55 이하의 굴절율 및 60 내지 110 nm 의 광학 필름 두께를 갖는다. 특히 바람직하게는, 굴절율은 1.50 이하이고, 광학 필름두께는 70 내지 100 nm 이다. 예를 들어, 굴절율 1.47의 필름을 사용하는 경우, 기하학적 필름 두께는 바람직하게는 68 내지 110 nm, 더욱 바람직하게는 68 내지 100 nm 이다.
만일 층들중 하나의 필름 두께가 상기 특정 범위를 벗어나면, 가시광선 범위에서 충분한 무반사처리 성능을 얻을 수 없다. 추가로, 만일 저굴절율 필름의 굴절율이 1.55 를 초과하면, 흡광성 필름에 필요한 광상수의 범위는 협소해지고, 실제로 이용가능한 재료로 흡광성 필름을 실현하기가 어려워지는 경향이 있다.
도 1 은 본 발명의 구현예의 개략 횡단면도이다. 도 1 에서, 참고 숫자(10) 은 유기 기판을 나타내고, 숫자 (11) 은 하드 도포층, 숫자 (12) 는 접착층, 숫자 (13) 은 흡광필름, 숫자 (14) 는 산화방지층 및 숫자 (15) 는 저굴절율 필름을 나타낸다.
흡광성 무반사처리 필름의 광흡수는 10 내지 35 % 이다. 만일 광흡수가 이 범위밖에 있으면, 흡광성 필름의 필름 두께 범위는 적당하지 못하거나, 흡광성 필름의 광상수는 적당하지 못하고, 이에 의해 가시광선 범위에서 충분한 무반사처리성능을 수득하지 못하는 경향이 있다.
저굴절율 필름쪽에서 입사광의 반사율은 바람직하게는 파장 범위 430 내지 650 nm에서 0.6 % 이하이다. 흡광 무반사기의 가상 투과율(Rv)은 바람직하게는 0.6 % 이하이다.
저굴절율 필름은 바람직하게는 본래 산화규소로 구성된 필름이다. 이에 의해 충분한 저굴절율 수득 및 안정화된 조건하 스퍼터링법에 의해 필름 형성 실행이 가능하다.
본래 규소(Si) 산화물로 구성된 필름으로서, 산소 기체의 존재하 도전성 Si 표적의 직류(DC) 스퍼터링에 의해 수득된 하나를 사용하는 것이 생산성의 관점에서 가장 바람직하다. 여기에서, 표적이 전기전도성을 갖도록 소량의 불순물(예컨대 P, B 의 Aℓ)을 계획적으로 포함할 수 있다. 그러나, 저굴절율을 유지하기 위해, 주성분은 SiO2(실리카)이어야 한다.
Si 의 DC 스퍼터링에서, 아칭(arching)은 표적의 부식된 구역의 주위를 따라 축적된 절연 실리카 필름상의 전하 축적에 의해 유도되기 쉽고, 이에 의해 방전은 불안전해지며, 아크 스폿으로부터 방출된 실리카 입자는 기판에 축적하여 결정을 형성하기 쉽다. 이런 현상을 방지하기 위해, 음극에 양전압을 주기적으로 주는 것에 의해 전하를 중화시키는 방법을 사용하는 것이 보통이다. 이런 필름 형성 방법은 본 방법의 안정도의 관점에서 특히 바람직하다. 추가로, 실리카 필름 형성 방법으로서, RF(고주파) 스퍼터링을 또한 사용할 수 있다. RF 스퍼터링 이용에 의해,순수한 실리카 필름을 형성할 수 있다.
본 발명에서, 각각의 하기 공식을 만족시키는 것이 바람직하고, 흡광성 필름의 복잡한 광상수는 n-ik(식중, n 은 굴절율이고, k 는 흡광상수이다)로 나타내는 경우, 기하학적 필름 두께는 d 에 의해 나타내고, 400 nm 파장에서 k는 k400에 의해 나타내며, 700 nm 파장에서 k 는 k700에 의해 나타내고, 400 nm 파장에서 n 는 n400에 의해 나타내며, 700 nm파장에서 n 는 n700에 의해 나타내고, nave= (n400+ n700)/2, kave= (k400+ k700)/2, ndif= n400- n700, kdif= k700- k400, 저굴절율 필름의 굴절율은 n2로 나타내며, 기학학적 필름 두께는 d2로 나타내고, 함수 f(n2) = 1.6n2- 2.2 이다. 이런 설계에 의해, 저반사용 파장 범위는 넓어질 수 있다.
ndif> 0.5
kdif> 0.5
f(n2) - 0 2 < navekaved/d2< f(n2) + 0.2
상기 공식을 만족시키는 바람직한 흡광성 필름은 예를 들어, 1) 금 및/또는 구리를 함유하는 필름, 또는 2) 티타늄, 지르코늄 및 하프늄으로 구성된 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속의 질화물로 주로 구성된 필름이다.
구체적으로, 1) 금 및/또는 구리를 함유하는 필름은 예를 들어 금 필름, 금 50 wt% 이상 함유하는 합금 필름, 이런 합금의 질화물 필름, 이런 합금의 옥시-질화물 필름, 이런 합금의 탄화물 필름 또는 이런 합금의 카르보니트리드(carbonitride)필름일 수 있다.
여기에서, 금 또는 금 50 wt%이상 함유하는 합금 필름(이후 금 합금으로 칭함)을 사용하는 경우, 기하학적 필름 두께는 바람직하게는 2 내지 5 nm, 더욱 바람직하게는 2.5 내지 3.5 nm 이다.
비록 저반사용 파장 범위를 넓게 할 수 있어도, 만일 기하학적 필름 두께가 2 nm 미만이면, 반사율은 높아지기 쉽다. 다른 한 편으로, 이것이 5 nm 초과이면, 저반사용 파장 범위는 협소하기 쉽고, 반사율은 높아지기 쉽다. 이런 특성으로부터, 금 또는 금 합금의 필름 두께를 2 내지 5 nm, 좀더 바람직하게는 2.5 내지 3.5 nm 가 되도록 만들면, 흡광성 무반사기의 반사율은 낮아지고, 저굴절율용 파장 범위는 넓어질 것이다.
추가로, 금 합금의 질화물을 흡광성 필름으로 사용하는 경우, 흡광성 무반사기의 반사율을 낮추기 위해 및 저굴절을 위해 파장 범위를 넓히기 위해, 금 합금의 질소화 정도가 증가함에 따라 필름 두께를 증가시키는 것이 필요하다. 그러나, 필름 두께가 8 nm를 초과하는 경우, 반사율은 높아지기 쉽고, 저굴절용 파장 범위는 협소해지기 쉽다. 따라서, 필름 두께는 바람직하게는 2 내지 8 nm 이다. 금 합금의 옥시질화물, 탄화물 또는 카르보니트리드를 사용하는 경우, 유사한 현상이 또한 관찰된다.
금 필름을 사용하는 경우, 금은 화합물을 거의 형성하지 않는다. 따라서, 심지어 반응성 스퍼터링법에 의해 흡광성 무반사기를 제조하는 경우에서 조차 금 필름의 형성을 위한 스퍼터링 기체로서 예를 들어 산화 기체 또는 질소화 기체를 사용할 수 있다. 이 특성을 이용하여, 스퍼터링 기체의 변화없이 저굴절율 필름의 이후 형성에 필요한 스퍼터링 기체를 이용하여 하나의 필름 형성 실내에서 이중층 흡광성 무반사처리 필름을 형성할 수 있고, 이에 의해 제조 비용을 감소시킬 수 있다. 추가로, 금 또는 금 합금을 사용하는 무반사처리 필름의 흡수는 약 10 % 이고, 이에 의해 저 제조 비용의 단순층 구조에도 불구하고 고 투과율의 무반사기를 수득할 수 있다.
추가로, 질화물, 옥시질화물, 금 합금의 탄화물 또는 카르보니트리드의 이용에 의해, 무반사처리 필름의 흡수를 쉽게 조정할 수 있다. 즉, 니트리드화, 옥시니트리드화, 탄화 또는 금 합금의 카르보니트로화 정도의 증가에 의해, 생성 무 반사처리 필름의 흡수를 증가시킬 수 있다. 따라서, 니트리드화, 옥시니트리드화, 탄화 또는 카르보니트로화 정도의 억제에 의해, 생성 무반사처리 필름의 흡수를 원하는 수준으로 조정하는 것이 가능하다.
추가로, 1) 금 및/또는 구리 함유 필름의 특정예는 구리 필름, 구리 니트리드 필름, 구리 옥시니트리드 필름, 구리 탄화물 필름, 구리 카르보니트리드 필름, 구리 50 wt% 이상 함유한 합금 필름, 이런 합금의 질화물 필름, 이런 합금의 옥시 질화물 필름, 이런 합금의 탄화물 필름 또는 이런 합금의 카르보니트리드 필름일 수 있다. 특히 바람직한 것은 구리 필름 또는 구리 50 wt% 이상 함유한 합금 필름이다.
여기에서, 구리 또는 구리 50 wt% 이상 함유한 합금(이후 구리 합금으로 칭함)을 사용하는 경우, 기하학적 필름 두께를 바람직하게는 2 내지 5 nm, 더욱 바람직하게는 2.5 내지 3.5 nm 이다.
비록 저반사용 파장 범위를 넓일 수 있어도, 만일 기하학적 필름 두께가 2 nm 미만이면, 반사율은 높기 쉽다. 다른 한 편으로, 만일 이것이 5 nm를 초과하면, 저반사용 파장 범위는 협소하기 쉽고, 반사율은 높기 쉽다. 이 특성으로부터, 구리 또는 구리 합금의 필름 두께를 2 내지 5 nm, 바람직하게는 2.5 내지 3.5 가 되도록 만드는 경우, 흡광성 무반사기의 반사율은 낮아질 것이고, 저반사용 파장 범위는 넓어질 것이다.
추가로, 흡광성 필름으로서 질화구리 또는 구리 합금의 질화물을 사용하는 경우, 흡광성 무반사기의 반사율을 증가시키기 위해 및 저반사용 파장 범위를 넓히기 위해 구리 또는 구리 합금의 질소화 정도가 증가함에 따라 필름 두께를 증가시키는 것이 필요하다. 그러나, 만일 필름 두께가 8 nm 를 초과하면, 반사율은 높이지기 쉽고, 저반사용 파장 범위는 협소해지기 쉽다. 따라서, 필름 두께는 바람직하게는 2 내지 8 nm 이다. 옥시질화물, 구리 또는 구리 합금의 탄화물 또는 카르보니티리드를 사용하는 경우, 유사한 현상이 관찰된다.
추가로, 구리 또는 구리 합금을 사용하는 무반사처리 필름의 흡수는 약 10 % 이어서, 저 제조비용의 단순층 구조에도 불구하고 고 투과율의 무반사기를 수득할 수 있다.
추가로, 질화물, 옥시질화물, 구리(또는 구리 합금)의 탄화물 또는 카르보니트리드의 이용에 의해, 무반사처리 필름의 흡수를 쉽게 조정할 수 있다. 즉, 니트리드화, 옥시니트리드화, 탄화 또는 구리 또는 구리 합금의 카르보니트리드화 정도의 증가에 의해, 생성된 무반사처리 필름의 흡수도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 니트리드화, 옥시니트리드화, 탄화 또는 카르보니트리드화 정도의 억제에 의해, 생성 무반사처리 필름의 흡수를 원하는 수준으로 조정하는 것이 필요하다.
티타늄, 지르코늄 및 하프늄으로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상의 금속의 질화물로 주로 구성된 필름의 특정예 2) 는 질화티타늄 필름, 질화지르코늄 필름 또는 질화하프늄 필름일 수 있다.
이런 재료를 사용하는 경우, 기하학적 필름 두께는 바람직하게는 5 내지 20 nm 이다. 비록 저반사용 파장 범위가 넓어질 수 있어도, 만일 이것이 5 nm 미만이면, 반사율은 높아지기 쉽다. 다른 한 편으로, 만일 이것이 20 nm를 초과하면, 저반사용 파장 범위는 협소해지기 쉽고, 반사율은 높아지기 쉽다. 특히 바람직한 범위는 7 내지 14 nm 이다.
실리카 필름을 저굴절율 필름으로 사용하는 경우 질화티타늄 필름은 가시광선 범위에서 적당한 광상수를 갖고 잘 어울린다. 약 10 nm의 필름 두께로, 저 반사율 및 적당한 광흡수를 얻을 수 있다. 추가로, 이것은 내구성 또는 재료 비용의 관점에서 또한 바람직하다.
질화티타늄 필름으로서, 생산성의 관점에서 질소 기체의 존재하 금속 티타늄 표적의 DC 스퍼터링에 의해 제조된 것을 사용하는 것이 바람직하다.
여기에서, 바람직한 범위내 질화티타늄 필름의 광상수를 두기 위해, 스퍼터링 기체가 주성분으로서 질소 및 회유기체를 함유하는 것이 바람직하고, 여기에서질소의 분율은 3 내지 50 vol%, 특히 5 내지 20 vol% 이다. 만일 질소 분율이 이 범위 미만이면, 흡광성 필름은 과량의 티타늄을 함유하기 쉽고, 이에 의해 저반사 파장 범위는 협소해지기 쉽다. 다른 한 편으로, 만일 질소 분율이 상기 범위 초과이면, 흡광성 필름은 과량의 질소를 함유하기 쉽고, 이에 의해 저반사 파장 범위는 협소해지기 쉽고, 필름의 저항률은 높아지기 쉬워 표면 저항은 커지기 쉽다.
표적에 가한 전력은 대규모 생산을 위한 충분히 신속한 수준에서 필름 형성 속도를 유지 및 저수준에서 필름 형성동안 필름속에 들어간 불순물의 양을 유지하기 위해, 전력 밀도 1 W/cm2이상이 바람직하다. 이것은 이후 기재된 것과 같이, 필름속에 들어간 산소량을 억제하는데 효과적이다.
추가로, 그때 표적에 가한 전력은 적당한 광상수의 질화티타늄 흡광성 필름을 얻기 위해 및 이상 방전의 발생 또는 표적에 전력의 과량 가함에 의해 표적 또는 음극의 용융을 피하기 위해 바람직하게는 전력 밀도 10 W/cm2이하이다. 즉, 만일 순수 질소의 대기에서도 이보다 큰 전력을 가하면, 필름은 티타늄이 풍부할 것이고, 이에 의해 원하는 조성물을 얻기 어렵고, 표적 및 이의 주위 부분은 가열될 것이며, 이에 의해 아칭 또는 어떤 경우에서 가열된 부분의 용융은 발생하기 쉬울 것이다.
표적의 조성물에서 불순물의 소량 또는 스퍼터링 기체의 존재는 최종 형성된 얇은 필름이 실질적으로 질화티타늄의 광상수를 갖는 범위내에 있는 한 문제를 일으키지 않는다. 추가로, 표적로서 질화티타늄으로 주로 구성된 재료를 이용하여 스퍼터링에 의해 질화티타늄 필름을 형성할 수 있다.
다른 한 편으로, 산소 존재에 의해, 상층으로서 기판과 또는 실리카 필름과의 접착력은 개선될 것이다. 따라서, 질화티타늄의 광상수를 바람직한 범위내에 유지하는 한, 어떤 경우에서, 질화티타늄 필름내 산소의 존재는 바람직하다.
이런 경우에서, 질화티타늄 필름으로서, 필름내 산소 대 티타늄의 원자비는 광상수 및 저항율의 관점에서 바람직하게는 0.5 이하이다. 만일 이 비율이 0.5 초과이면, 생성물은 옥시질화티타늄 필름일 것이고, 이에 의해 저항율은 증가하며, 광상수는 부적당할 것이고, 결국 표면 저항 및 무반사처리 효과는 불만족해질 것이다.
통상 스퍼터링법에 의해 질화티티늄 필름을 형성하는 경우, 진공실에서 잔류 기체 성분으로 인해 필름내 산소를 함유하는 것은 피할 수 없다. TiN 필름의 광학 특성에 관해 필름내 산소의 영향은 이전까지 잘 공지되지 않았다. 특히, 본 발명에서 흡광층으로서 성능에 관한 영향에 대해 공지된 것은 없다.
본 발명가들은 질화티타늄 필름을 위한 필름 형성 조건과 질화티타늄 필름내 산소량간의 관계 및 본 발명에서 흡광층으로서 성능과의 관계에 관해 집중적인 연구를 했고, 그 결과, 본 발명에서 질화티타늄 필름으로서 필름내 산소 대 티타늄의 원자비는 광상수의 관점에서 바람직하게는 0.4 이하라는 것을 발견하였다. 만일 이 비율이 0.4 를 초과하면, 파장상의 질화티타늄 필름의 광상수의 의존성은 바람직한 범위로부터 벗어날 것이고, 이에 의해 저반사 특성은 악화될 것이다. 추가로, 생성물은 옥시질화물 필름일 것이고, 이에 의해 저항율은 증가할 것이며, 표면 저항은전자기파를 실딩하는데 필요한 1 kΩ /□ 를 초과하고, 이것은 바람직하지 않다.
흡광성 무반사기의 쉬트 저항(Rs)는 바람직하게는 500 Ω /□ 이하이다.
본 발명에서, 접착층은 접착력을 개선하기 위한 층으로서 작용한다. 구체적으로, 접착층은 예를 들어 규소 필름, 질화규소 필름, 산화규소 필름 또는 옥시질화규소 필름일 수 있다. 접착력을 개선하기 위한 효과는 이에 의해 주목할 만하기 때문에 본래 질화규소, 특히 질화규소 필름으로 주로 만든 층을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 질화규소 필름은 불순물 수준에서 산소를 함유할 수 있다. 산화규소 필름을 사용하는 경우, 이 필름의 조성물은 흡광성 필름으로서 바람직하게는 규소가 풍부하다. 산소 원자 대 규소 원자의 원자비는 1 이하인 것이 특히 바람직하다. 본래 질화알루미늄으로 주로 구성된 층으로, 접착력을 개선하는 효과는 불충분하다.
접착층의 기하학적 필름 두께는 바람직하게는 0.5 내지 10 nm 이다. 만일 이것이 0.5 미만이면, 접착력 개선 효과는 작아지기 쉽고, 만일 이것이 10 nm를 초과하면, 무반사처리 성능은 악화되기 쉽다. 이것은 1 내지 8 nm 가 특히 바람직하다. 추가로, 가시광선을 흡수할 수 있는 층(예컨대 흡광 규소, 질화규소, 산화규소 또는 옥시질화규소층)을 접착층으로 사용하는 경우, 기하학적 필름 두께는 바람직하게는 0.5 내지 5 nm이다.
본 발명에서, 본래 질화규소 및/또는 질화알루미늄으로 만든 산화방지층을 흡광성 필름과 저굴절율 필름 사이에 기하학적 필름 두께 0.5 내지 20 nm 로 형성하는 것이 특히 바람직하다. 만일 이것이 0.5 nm 미만이면, 산화방지 효과는 작아지고, 만일 이것이 20 nm를 초과하면, 무반사처리 성능은 악화되기 쉽다.
본 발명에서 유기 기층으로서, 유기 재료로 만든 쉬트 또는 필름을 사용할 수 있다. 폴리카르보네이트(PC) 쉬트, 또는 디스플레이 앞에서 사용되는 유리등에 결합시 유용한 PET 필름을 사용하는 것이 특히 바람직하고, 이에 의해 본 발명의 충분한 효과를 얻을 수 있다.
여기에서, 유리 등은 예를 들어 음극선관 자체 또는 음극선관에 수지에 의해 결합시 사용되는 페이스 플레이트 유리로 구성된 패널 유리, 또는 음극선관과 오퍼레이터 사이에 배치된 필터 유리일 수 있다.
추가로, 이런 유기 기판으로서, 내연소성을 개선하기 위해 표면에 형성된 각종 경질 도포층을 지닌 것을 사용하는 것이 바람직하고, 이에 의해 최종 내구성은 높아질 수 있다. 경질 도포층은 이에 의해 바람직한 결과를 얻을 수 있기 때문에, 바람직하게는 자외선 경화계 수지의 경화 생성물 또는 열경화성 수지의 경화 생성물로 만들어진 층이다. 경질 도포층은 자외선 경화계 아크릴 수지의 경화 생성물로 만들어진 층임이 특히 바람직하다. 자외선 경화계 아크릴 수지로서, 우레탄 결합(소위 우레탄 아크릴레이트)을 갖는 (메트)아크릴오일기 함유 화합물, 우레탄 결합(소위 폴리에스테르 아크릴레이트)이 없는(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시아크릴레이트를 예를 들어 언급할 수 있다.
본 발명에서, 유기 기판의 굴절율과 경질 도포층의 굴절율 사이의 차이가 작을수록, 더 좋다. 구체적으로, 유기 기판의 굴절율과 경질 도포층의 굴절율 사이의차이의 절대값은 0.05 이하, 특히 0.03 이하인 것이 바람직하다. 이런 방식으로 굴절율에서 차이를 감소시켜, 색반점을 감소시킬 수 있고, 외견상으로 제품 품질을 개선할 수 있다.
굴절율에서 차이를 감소시키기 위한 구체적 수단으로서, 경질 도포층의 굴절율이 유기 기판의 굴절율과 비교하여 낮은 경우 경질 도포층의 굴절율 증가를 언급할 수 있다. 이런 방법으로서, 경질 도포층 형성을 위한 재료(수지)에, 1) 굴절율을 증가시키는 구조 또는 관능기를 도입할 수 있거나, 2) 고굴절율의 미립자를 첨가할 수 있다. 유기 기판의 굴절율과 경질 도포층의 굴절율 사이의 차이가 큰 경우, 1) 및 2) 방법을 바람직하게 실행할 수 있다.
예를 들어, 유기 기판은 PET 필름이고, 경질 도포층을 자외선 경화계 아크릴 수지의 경화 생성물로 만들어진 층인 경우, 경질 도포층의 굴절율은 이 아크릴 수지에 고굴절율의 미립자를 분산시켜 PET 필름의 굴절율에 가깝게 할 수 있다. 여기에서, 고굴절율의 미립자는 예를 들어 안티몬(V) 옥시드, 티타늄(IV) 옥시드, 이트륨(III) 옥시드, 지르코늄(IV) 옥시드, 주석(IV) 옥시드, 인듐-주석 옥시드(ITO), 란타늄(III) 옥시드, 알루미늄(III) 옥시드, 아연(II) 옥시드 또는 세륨(IV) 옥시드일 수 있다.
본 발명에서, 플라즈마 처리로서, RF 플라즈마 처리를 사용하는 것이 바람직하다.
추가로, 플라즈마 처리를 위한 분위기는 바람직하게는 비산화성 분위기이다. 분위기를 비산화성 분위기로 만들기 위한 구체적인 방법으로서, 산소 원자를 함유하지 않는 기체를 방전 기체로서 사용한다. 예를 들어, 아르곤과 같은 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 만일 산소 원자를 함유한 기체(예컨대 산소, 일산화탄소, 이산화탄소, 일산화질소 또는 이산화질소)를 사용하면, 흡광성 필름의 특성은 악화되기 쉽고, 이에 의해 표면 저항의 증가 또는 투과율에서 증가를 관찰할 것이다. 이유는 명백히 이해되지 않지만, 플라즈마 처리 동안 유기 기판에 주입된 산소(또는 산소원자)는 접착층/흡광층의 연속적인 필름 형성에서 기판으로부터 떨어질 수 있고 흡광성 필름 속에 넣을 수 있다고 여겨진다.
유기 기판을 진공실에 설치한 후, 실내를 비산화성 분위기로 만들고, 고주파 전력을 유기 기판의 뒤쪽에 배치된 전극에 가하여 2P·t/(V·e·π)≥ 5x 1015(식중, P 는 유기 기판의 표면에 가하는 전력 밀도 (W/cm2) 이고, -V는 전극의 자기바이어스 전위(볼트)이며, t 는 처리시간(초)이고, e 는 1.6× 10-19(C)의 기본 전하이다)의 조건을 만족시키는 플라즈마 처리를 실행하는 방식으로 플라즈마 처리를 바람직하게 실행할 수 있다. 5x 1015이상의 값이면, 유기 기판과 필름 사이의 접착력을 개선하기 위한 충분한 효과를 얻을 수 있다.
유기 기판이 경질 도포층을 갖는 경우, 경질 도포층을 갖춘 유기 기판에 플라즈마 처리를 가한다.
추가로, 플라즈마 처리를 연속적으로 실행하고, 유기 기판을 연속적으로 휘감는 경우, 플라즈마 처리후 및 기판 휘감기전에 즉시 접착층을 형성하는 것이 바람직하다. 만일 기판을 접착층의 형성없이 휘감으면, 플라즈마처리된 기판 표면은 뒤쪽과 접촉할 것이고, 이에 의해 접착력은 낮아지기 쉽다.
본 발명에서, 스퍼터링법에 의해 접착층, 흡광성 필름 및 저굴절율 필름으로부터 선택된 하나 이상의 필름을 형성하는 것이 바람직하다. 필름 형성 속도의 안정성 및 광역의 기판에 가함의 용이성의 관점에서, 직류 스퍼터링법은 바람직하다. 동일 이유로, 스퍼터링법, 특히 직류 스퍼터링법에 의해 또한 산화방지층을 형성하는 것이 바람직하다. 추가로, 직류 스퍼터링법에 의해, 유기 기판에 가한 전자에너지는 RF(고주파) 스퍼터링법과 비교하여 작고, 이에 의해 유기 기판은 덜 손상받기 쉽다.
따라서, 본 발명에서, 유기 기판을 플라즈마 처리한 후, 유기 기판을 휘감기 전에 스퍼터링법에 의해 접착층을 즉시 형성할 수 있다. 이런 방식의 생산에 의해, 일정하게 고 내구성의 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 수득하는 것이 가능하다.
본 발명에서, 흡광성 무반사처리 필름은 입사광의 일부를 흡수하여 투과율을 감소시킨다. 1) 디스플레이의 프런트 유리에 접착되거나 2) 페이스 플레이트 유리 또는 필터 유리용 치환체로서 본 발명의 흡광성 무반사기를 사용하는 경우, 표면에서 들어간 후 디스플레이 소자쪽의 표면에 의해 반사되는 광(배경광)의 세기는 증가할 것이고, 이에 의해 디스플레이광 대 이 배경광의 비율을 증기시켜 콘트라스트를 개선할 수 있다.
본 발명에서, 1) 프레스넬(Fresnel) 반사계수, 2) 각 경계면 사이의 상전이및 3) 각 층내 진폭 감쇄도에 의해 측정된 전체 반사율이 가시광선 범위내에서 충분히 낮도록 흡광성 필름의 광학 콘트라스트와 필름 두께 및 저굴절율 필름을 설정한다.
특히, 흡광성 필름의 광학 콘트라스트는 가시광선 범위에서 통상 투명 필름의 분산 관계(파장 의존성)와 다른 의존성을 나타낸다. 따라서, 만일 적절히 선택된 흡광성 필름을 사용하면, 통상 투명 필름만으로 구성된 경우와 비교하여 가시광선 범위에서 저굴절율 범위를 상당히 넓히는 것을 가능하게 한다. 금, 금 합금, 구리, 구리 합금, 금 합금의 질화물, 구리의 질화물, 구리 합금의 질화물, 티타늄의 질화물, 지르코늄의 질화물 또는 하프늄의 질화물로 주로 구성된 필름을 흡광성 필름으로 사용하는 경우 이 효과는 주목할 만하다.
접착층의 삽입은 흡광성 필름과 유기 기판 또는 유기 기판에 도포된 경질 도포층간의 접착력을 개선하는 효과를 제공한다. 특히 비산화성 분위기에서 RF 플라즈마 처리를 실행하는 경우, 흡광성 필름에 형성된 흡광성 필름의 전도성의 손상 없이 또는 흡광성 필름의 광상수의 변환없이 접착력을 개선할 수 있다. 특히 티타늄, 지르코늄 및 하프늄중 하나 이상의 질화물 필름을 흡광성 필름으로 사용하고, 질화규소의 필름을 접착층으로 사용하는 경우, 흡광성 필름과 접착층의 친화력은 우수할 것이고, 우수한 내구성을 얻을 수 있다.
현재, 본 발명은 실시예를 참조하여 추가로 상술될 것이다. 그러나, 본 발명은 결코 이런 특정예에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.
실시예 1(본 발명)
진공실에서, 금속 티타늄 및 저항율 1.2Ω· cm 의 N 형 규소(인산 도핑된 단일 결정)을 음극에 표적로 장착한다.
다른 한 편으로, 아크릴레이트의 경질 도포층(굴절율: 1.53)을 갖춘 두께 약 150 μm 의 PET 필름(굴절율: 1.60)을 10 cm x 10 cm크기로 절단하고 기판 홀더에 장착한다.
진공실을 1x 10-5Torr 로 진공시킨후, 흡광성 무반사처리 필름을 하기와 같이 기판의 경질 도포층쪽에 형성한다.
(1) 먼저, 방전 기체로서, 아르곤을 도입하고, 압력이 1x 10-3Torr 가 되도록 컨덕턴스(conductance)를 조정한다. 그 다음, 200 W 의 RF 전력을 기판 홀더(표면적: 약 1,200 cm2)에 1 시간 동안 가하여 RF 플라즈마 처리를 실행한다. 그 때, 전극의 자기 바이어스 전압은 -280 V이다.
(2) 그 다음, 기체를 아르곤과 질소(질소: 10 %)의 기체 혼합물로 교체하고, 압력을 2x 10-3Torr 로 조정한다. 그 다음, 도 2 에 나타낸 것과 같은 파형의 전압을 규소 표적에 가하고, 규소 표적의 단속 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 2 nm 의 질화규소 필름(접착층)을 형성한다.
(3) 그 다음, 기체의 혼합비를 20 % 질소로 변환하고, 압력을 2× 10-3Torr로 조정한다. 그 다음, 네거티브 직류 전압을 티타늄 음극에 가하여, 티타늄 표적의 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 12 nm 의 질화티타늄 필름(흡광성 필름)을 형성한다.
(4) 기체 도입을 멈추고, 진공실의 내부를 고압력으로 한다. 그 다음, 아르곤 및 산소(산소: 50 %)의 기체 혼합물을 방전 기체로서 도입하고, 컨덕턴스를 압력이 2× 10-3Torr 가 되도록 조정한다. 그 다음, 도 2 에 나타낸 것과 같은 파형의 전압을 규소 표적에 가하여 규소 표적의 단속 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 85 nm 의 규소 필름(굴절율 1.47 의 저굴절율 필름)을 형성하고, 이에 의해 본 발명의 흡광성 무반사처리 필름(이후 표본 필름으로 칭함)을 갖춘 유기 기판을 얻는다.
수득된 표본 필름에 대해 측정된 분광반사율의 곡선을 도 3 에 나타낸다. 뒤쪽에 블랙 래커를 도포하여 뒤쪽에 반사율을 제거하는 상태로 분광반사율을 측정하여 단지 앞쪽 반사율을 측정한다. 가시 투과율(Tv)은 69.7 % 이고, 가시 반사율(Rv)은 0.34 % 이다. 추가로, 표본 필름의 쉬트 저항(Rs)을 비접촉 도전율 측정계에 의해 측정하여 340 Ω /□ 임을 발견하였다.
추가로, 표본 필름을 항온 및 항습도실(상대 습도 95 %하 50 ℃ 에서)에 48시간 동안 침적시키고, 그 위에 10 회 왕복 동안 약 2 kg/cm2의 하중하 에탄올이 스며든 거즈로 문지르고, 이에 의해 필름의 박리가 발생할 것인지 아닌지는 시각적으로 관찰된다. 결과를 표3에 나타낸다. 표에서, HC-PET는 경질 도포층을 갖춘 PET 필름을 나타내고, Si:P 는 저항율 1.2 Ω · cm 의 N 형 규소를 나타내며, 1.4E17은 1.4× 1017을 나타낸다.
실시예 2 내지 9(본 발명) 및 실시예 10 내지 14(비교예)
표 1 또는 2 에 증명한 것과 같이 제조 조건을 변환하는 것을 제외하고 실시예 1 에서와 동일한 방식으로 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 제조하고, 특성을 측정한다. 그러나, 실시예 9 및 14 에서 접착층의 형성 동안 산소 함량은 각각 2 vol% 및 10 vol%이다. 결과를 표3 및 4에 나타낸다. 표에서, PC 플레이트는 폴리카르보네이트 플레이트를 나타내고, Si:Al 은 Al 도핑된 규소를 나타내며, Cu-Al 은 Cu 및 Al 의 합금을 나타낸다. 추가로, 표에서 필름 두께는 기하학적 필름 두께를 나타낸다. 추가로, 실시예 8 에서 수득된 표본 필름에 대해 측정된 분광반사율의 곡선은 도 4에 나타낸다.
실시예 1 내지 9 에서, 접착력 즉 내구성은 비교예인 실시예 10 내지 14 와 비교하여 우수하다. 추가로, 실시예 1 내지 6, 8 및 9 에서, 접착력은 2P·t/(V·e·π)의 값이 4.7x 1015인 실시예 7 과 비교하여 우수하다. 실시예 1 내지 7 에서, 산소 기체에 의해 플라즈마 처리를 실행한 실시예 8 에서의 것들보다 반사율 및 저항율에 대해 우수하다. 추가로, 실시예 1 내지 4 및 10 내지 13에서, 각각의 흡광성 필름에서 산소 대 티타늄의 원자비는 0.1 내지 0.25 이다.
도 3 에 명백하듯이, 본 발명에 따라, 가시광선 범위의 전체 영역에 걸쳐 저 굴절율을 실현할 수 있고, 투과율을 균일하게 상당히 감소시킬 수 있다. 따라서, 본 발명을 패널 유리, 예를 들어 음극선관의 디스플레이 스크린의 앞에 배치되는페이스 플레이트 유리 또는 필터 유리에 사용하는 경우, 디스플레이 스크린의 콘트라스트를 개선하는 효과는 투명 무반사처리 필름을 사용하는 경우보다 더욱 주목할 만할 것이다.
실시예 15(본 발명)
유기 기판으로서 두께 약 150 μm 의 PET 필름(굴절율:1.60)을 이용하여, 경질 도포층을 하기와 같이 형성한다. 고굴절율의 미립자를 방향환을 함유하는 자외선 경화계의 아크릴 수지에 분산시키고, 수지를 PET 필름에 도포시킨다. 수지를 여기에 자외선 방사에 의해 경화시켜 경질 도포층을 형성한다. 이 경질 도포층의 필름 두께는 3μm 이다. 경질 도포층의 굴절율이 사실상 1.60 이도록 고굴절율의 미립자의 양을 조절한다.
PET 필름에 형성된 경질 도포층을 갖는 이 PET 필름을 사용하는 것을 제외하고 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 실시예 1 과 동일한 방식으로 제조한다. 수득된 표본 필름에 대해 측정된 분광반사율의 곡선은 도 5 에 나타낸다.
도 5 에 명백하듯이, 유기 기판의 굴절율과 경질 도포층의 굴절율 사이의 차이의 감소에 의해, 도 3 에서 관찰된 것과 같은 반사율 곡선에서 리플(ripple)을 감소시킬 수 있다. 결국, 색반점은 실시예 1 과 비교하여 감소되고, 다양한 각 도에서 검사시 색변환은 거의 관찰되지 않고, 그래서 외관상의 제품 품질은 개선될 것이다.
실시예 16(본 발명)
기체 분리가 불가능한 구조의 롤 도포기(롤 대 롤 도포기) 진공실에서, 금속티타늄 표적 및 붕소 도핑된 규소 표적을 음극에 장착한다.
다른 한 편으로, 아크릴레이트의 경질 도포층(자외선 경화성 아크릴 수지의 경화 생성물로 제조된 경질 도포층, 굴절율: 1.53)을 갖춘 두께 약 150 μm의 롤형 PET 필름(굴절율:1.60)을 분산롤에 장착한다.
진공실을 1x 10-5Torr로 진공시킨 후, 흡광성 무반사처리 필름을 하기와 같이 기판의 경질 도포층쪽에 형성한다.
(1) 먼저, 방전 기체로서, 아르곤을 도입하고, 컨덕턴스를 압력이 4× 10-3Torr 가 되도록 조정한다. 그 다음, 200 W 의 RF 전력을 필름 뒤쪽에 배치된 전극(표면적: 약 150 cm2)에 가하고, 라인 속도 0.2 m/분에서 필름을 보내면서 RF 플라즈마 처리를 실행한다. 그 때, 전극의 자기 바이어스 전압은 -15 V 이다. 필름의 플라즈마 처리된 부분이 휘감기롤에 닿기 전에 필름을 보내는 것을 멈춘다.
(2) 그 다음, 기체를 아르곤과 질소(질소: 50 %)의 기체 혼합물로 교체하고, 압력을 4× 10-3Torr 로 조정한다. 그 다음, 도 2 에 나타낸 것과 같은 파형의 전압을 규소 표적에 가하고, 필름을 다시 보내면서, (1) 단계에서 플라즈마 처리된 부분에 기하학적 필름 두께 4 nm 의 질화규소 필름(접착층)을 형성한다. 접착층의 형성을 완결할 때 필름을 보내는 것을 멈춘다.
(3) 그 다음, 기체의 혼합비를 10 % 질소로 변환하고, 압력을 4× 10-3Torr로 조정한다. 그 다음, 필름을 다시 보내면서, 네거티브 직류 전압을 티타늄 음극에 가하여, 티타늄 표적의 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 12 nm 의 질화티타늄 필름(흡광성 필름)을 접착층 상에 형성시킨다. 흡광성 필름의 형성 종결시 필름을 보내는 것을 멈춘다.
(4) 그 다음, 기체 혼합비를 50 % 질소로 변환하고, 압력을 4× 10-3Torr 로 조정한다. 그 다음, 필름을 다시 보내면서, 도 2 에 나타낸 것과 같은 파형의 전압을 규소 표적에 가하고, 규소 표적의 단속 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 20 nm 의 질화규소 필름(산화방지층)을 흡광성 필름에 형성한다. 산화방지층의 형성을 완결할 때 필름을 보내는 것을 멈춘다.
(5) 기체 도입을 멈추고, 진공실의 내부를 고압력의 진공으로 한다. 그 다음, 아르곤 및 산소(산소: 50 %)의 기체 혼합물을 방전 기체로서 도입하고, 컨덕턴스를 압력이 4× 10-3Torr 가 되도록 조정한다. 그 다음, 필름을 다시 보내면서, 도 2 에 나타낸 것과 같은 파형의 전압을 규소 표적에 가하고, 규소 표적의 단속 DC 스퍼터링에 의해 기하학적 필름 두께 85 nm 의 규소 필름(저굴절율 필름)을 형성하며, 표본 필름을 휘감기롤상에서 감는다.
수득된 표본 필름을 항온 및 항습도실(상대 습도 95 % 하 50℃)에 48 시간 동안 놓아두고, 그 위에 10 회 왕복 동안 약 2 kg/cm2의 하중하 에탄올이 스며든 거즈로 문지르고, 이에 의해 필름의 박리가 발생할 것인지 아닌지는 시각적으로 관찰된다. 박리는 발생하지 않는다.
실시예 17(비교예)
먼저, 실시예 16 의 (1) 단계에서와 동일한 방식으로 플라즈마 처리를 실행하고, 필름 보내기를 멈추지 않고 휘감기롤상에 필름을 감는다. 그 때, 계속해서 감긴 필름으로 미리 감긴 필름을 피복할 때까지 휘감기를 실행한다. 그 다음, 표본 필름을 실시예 16 의 (2) 내지 (5) 단계에서와 동일한 방식으로 제조한다.
수득된 표본 필름에 대해, 실시예 16 에서와 동일한 방식으로 평가를 실행한다. 결국, 미리 감긴 부분에 플라즈마 처리를 실행함에도 불구하고 미리 감긴 부분에 박리는 발생하지 않는다.
Figure pat00001
Figure pat00002
Figure pat00003
Figure pat00004
본 발명에 있어서, 전체 필름 두께를 매우 두껍게 만들지 않고 단순 필름 구조로 내구성이 우수한 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 형성할 수 있다.
추가로, 본 발명에 따라서, 감소된 색반점을 갖는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 값싸게 수득할 수 있다.
추가로, 필름 형성 방법으로서, 스퍼터링법을 이용하여, 이 방법이 안정할 것이고, 광역상의 필름 형성이 쉬우며, 이것은 상기 특징과 함께 저비용으로 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판을 제조하는 것을 가능하게 하는 장점이 있을 것이다.
더욱이 추가로, 본 발명의 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판은 필름의 양호한 접착력을 갖고 내구성이 우수하며, 이에 의해 색반점이 감소된다. 그래서, 디스플레이 앞에서 실제로 사용하는데 충분한 내구성 및 품질을 갖는다.

Claims (13)

  1. 유기 기판과, 저굴절율 필름쪽에서 입사광의 반사를 감소시키기 위해 기판상에 흡광성 필름 및 저굴절율 필름순으로 형성되어 이루어진 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판에 있어서, 유기 기판은 플라즈마 처리 표면을 갖고, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상으로 주로 이루어진 층은 플라즈마처리된 기판과 흡광성 필름 사이에 형성된, 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 흡광성 필름의 기하학적 필름 두께가 2 내지 20 nm 인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  3. 제 1 항에 있어서, 흡광성 필름은 티타늄, 지르코늄 및 하프늄으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속의 질화물로 주로 구성된 필름인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  4. 제 1 항에 있어서, 흡광성 필름은 금 및/또는 구리를 함유하는 필름인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  5. 제 1 항에 있어서, 저굴절율 필름은 주로 산화규소로 구성된 필름인 흡광성무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  6. 제 1 항에 있어서, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상으로 주로 이루어진 층의 기하학적 필름 두께는 0.5 내지 10 nm 인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  7. 제 1 항에 있어서, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상으로 주로 이루어진 층은 질화규소로 주로 이루어진 층인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  8. 제 1 항에 있어서, 질화규소 및/또는 질화알루미늄으로 주로 이루어진 산화 방지층은 흡광성 필름과 저굴절율 필름 사이에 기하학적 필름 두께 0.5 내지 20 nm로 형성되어 있는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  9. 제 1 항에 있어서, 유기 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리카르보네이트로 이루어진 유기 기판인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  10. 제 1 항에 있어서, 유기 기판은 기판상에 경질 도포층을 갖는 유기 기판인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  11. 제 10 항에 있어서, 유기 기판의 굴절율과 경질 도포층의 굴절율 사이의 차이의 절대값은 0.05 이하인 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판.
  12. 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판의 제조 방법에 있어서, 유기 기판 표면을 플라즈마 처리하고, 규소, 질화규소, 산화규소 및 옥시-질화규소로 구성된 군으로부터 선택된 1 종 이상으로 주로 이루어진 층, 흡광성 필름 및 저굴절율 필름을 이 순서대로 플라즈마 처리된 표면상에 형성시키는 것을 특징으로 하는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 유기 기판을 진공실에 설치한 후, 실내를 비산화성 분위기로 만들고, 고주파 전력을 유기 기판의 뒤쪽에 배치된 전극에 가하여 2P·t/(V·e·π)≥5×1015(식중, P는 유기 기판의 표면에 가하는 전력 밀도 (W/cm2) 이고, -V는 전극의 자기바이어스 전위(볼트)이며, t 는 처리시간(초)이고, e 는 1.6x10-19(C)의 기본 전하이다)의 조건을 만족시키는 플라즈마 처리를 실행하는 방식으로 플라즈마 처리를 실행하는 흡광성 무반사처리 필름을 갖춘 유기 기판의 제조 방법.
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