JP5163742B2 - 低反射ガラスおよびディスプレイ用保護板 - Google Patents
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Description
(1)ガラス基板の表面に樹脂製の反射防止フィルムを貼着した低反射ガラス(特許文献1参照)。
(2)ガラス基板の表面に、スパッタ法により反射防止膜を形成した低反射ガラス(特許文献2〜5参照)。
(i)反射防止フィルムが樹脂フィルムであるため、表面の耐擦傷性が低い。
(ii)反射防止フィルムが樹脂フィルムであるため、耐候性が低い。
(iii)反射防止フィルムを貼着しなければならないため、生産性が低い。
(iv)貼着された反射防止フィルムが樹脂製であることから、樹脂表面の平坦性には限界があり、外観が劣る。
また、特許文献5には、低屈折率膜の材料としてSiCxOy(xは0.1〜3、yは0.1〜3)を適用することが記載されている。しかし、低屈折率膜を最表層とすることは記載されていない。低屈折率膜が最表層でないと、反射防止性能が低下する問題がある。
前記反射防止膜が、前記ガラス基板側から順に中間層と最外層とが配置され、
前記最外層が、Si原子、C原子およびO原子を含む層であり、かつSi原子、C原子およびO原子の合計100モル%のうちのC原子の含有量が、0.5〜2.0モル%であり、
前記中間層が、下記の(a)層または(b)層であることを特徴とする。
(a)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K1が、0≦K1<0.1であり、かつ波長550nmにおける屈折率n1が、2.0≦n1≦2.5である層。
(b)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K2が、0.1≦K2≦2.4であり、かつ波長380〜780nmにおける屈折率n2が0.5≦n2≦2.5であり、380nm≦p<q≦780nmを満たす波長p、qにおける消衰係数K2をそれぞれK2p、K2qとして、K2p<K2qであり、波長p、qにおける屈折率n2をそれぞれn2p、n2qとして、n2p>n2qである層。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板は、本発明の低反射ガラスからなる支持基体と、該支持基体の反射防止膜が形成されていない面側に設けられた、導電膜とを有することを特徴とする。
図1は、本発明の低反射ガラスの一例を示す断面図である。低反射ガラス10は、ガラス基板12と、該ガラス基板12の表面に形成された反射防止膜14とを有する。
ガラス基板12の材質としては、ソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス等が挙げられる。また、ガラス基板12は、風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の強化ガラス基板であってもよく、強化されていない生板ガラス基板であってもよい。
ガラス基板12の厚さは、0.1〜15mmが好ましく、1.0〜5.0mmがより好ましく、2.5〜3.5mmが特に好ましい。ガラス基板の厚さは、0.1mm以上、さらには1.0mm以上であることで、ガラス基板は実用的な剛性とすることができ好ましい。また、15mm以下、さらには5.0mm以下とすることで、実用的な軽さとすることができるため好ましい。
反射防止膜14は、ガラス基板12側から順に中間層16と最外層18とを有する。
最外層18は、ガラス基板から最も遠い位置にある層であり、最表面に位置する層である。また、最外層18は、Si原子、C原子およびO原子を含む層である。具体的には、SiO2を主成分とし、その中にC原子を含む層であることが好ましい。最外層18は、光学特性を損なわない範囲で、Si原子、C原子およびO原子を除く他の元素を含んでいてもよい。
まず、四重極型二次イオン質量分析装置(SIMS)を用いて測定する。具体的には、最外層18の深さに対するSi原子、C原子、O原子および最外層と隣接する層の成分ならびに基板の成分の濃度のSIMSデプスプロファイルを作成し、深さ4nmから、該SIMSデプスプロファイルに最外層と隣接する層の成分のプロファイルが現れる深さまでの、C原子のイオン強度の平均(Ii)を算出する。一次イオン種はCs+(セシウムカチオン)を使用する。
そして、以下の式(1)により、C原子の含有量を算出する。
C原子含有量=(Ii/Iref)×RSF (1)
上記式(1)において、O原子含有量が既知であるガラス基板中のO原子の強度をリファレンス(Iref)(O原子強度で規格化)とする。
また、C原子含有量が既知のサンプル(含有量:Zモル%)について、SIMSを用いて得られたC原子のイオン強度(IiZ)と、ガラス基板中のO原子の強度(Iref)から、以下の式(2)によりRSFを算出する。
RFS=(Z/IiZ)×Iref (2)
まず、通常のNegative検出で測定し、得られたC原子含有量が1モル%以下である試料は、これをC原子含有量とする。
前記Negative検出では、C原子含有量が1%超の場合には、得られるデータの信頼性が低い。そこで、1モル%超え5モル%以下となった試料については、Positive検出とする以外は、前記のSIMSを用いた測定と同様の方法によりC原子のイオン強度を測定し、C原子含有量を算出する。
前記SIMSを用いたPositive検出による測定では、C原子含有量が5モル%超の場合、得られるデータの信頼性が低いことから、5モル%超の試料についてはX線光電子分光(XPS)でC原子含有量を測定する。
本発明における最外層18の屈折率は、分光エリプソメーター(ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製、装置名:VASE)を用いて、入射角70度の条件で測定する。
また、本発明の反射防止膜においては前記のとおり干渉によって反射光を弱めることから、最外層18の好ましい膜厚は、中間層16の材質によって異なる。中間層16が(a)層である場合、最外層18は100〜135nmであることが好ましく、110〜130nmであることがより好ましい。また、中間層16が(b)層である場合、最外層18は70〜100nmが好ましく、75〜95nmであることがより好ましい。
本発明における中間層16は、下記の(a)層または(b)層である。中間層16は、ガラス基板と最外層の間に位置するように形成される。
(a)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K1が、0≦K1<0.1であり、かつ波長550nmにおける屈折率n1が、2.0≦n1≦2.5である層。
(b)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K2が、0.1≦K2≦2.4であり、かつ波長380〜780nmにおける屈折率n2が0.5≦n2≦2.5であり、380nm≦p<q≦780nmを満たす波長p、qにおける消衰係数K2をそれぞれK2p、K2qとして、K2p<K2qであり、波長p、qにおける屈折率n2をそれぞれn2p、n2qとして、n2p>n2qである層。
また、(a)層の波長380〜780nmにおける消衰係数K1は、0〜0.05がより好ましい。
本発明における中間層16の屈折率と消衰係数は、分光エリプソメーター(ジェー・エー・ウーラム・ジャパン社製、装置名:VASE)を用いて、入射角70度の条件で測定する。
本発明においての視感反射率とは、JIS R3106 1999にしたがい、分光反射率を測定し、付表1の重価係数により加重平均を計算することにより求められた反射率のことであり、0.1〜3%が好ましく、0.1〜1%がより好ましい。
Nb原子とO原子とを主成分として含み、Nb原子とO原子との比率がNbOz(z=1〜3)(消衰係数:0以上0.1未満、屈折率:2.25)の材料(以下、NbOzと記す。)、
Si原子とN原子とを主成分として含み、Si原子とN原子との比率がSiNt(t=1.2〜1.4)(消衰係数:0以上0.1未満、屈折率:2.0〜2.2)の材料(以下、SiNtと記す。)、
Ta原子とO原子とを主成分として含み、Ta原子とO原子との比率がTaOu(u=1〜3)(消衰係数:0以上0.1未満、屈折率2〜2.3)の材料(以下、TaOuと記す。)、
Zr原子とO原子とを主成分として含み、Zr原子とO原子との比率がZrOv(v=1.9〜2.0)(消衰係数:0以上0.1未満、屈折率:2〜2.3)である材料(以下、ZrOvと記す。)等が挙げられる。
ここで、主成分とは、(a)層全体の原子のモル数に対して、該当する元素の量(たとえば、TiOyの場合は、Ti原子とO原子との合計モル数)が90モル%以上のことであり、より好ましくは95モル%以上であり、さらに好ましくは98モル%以上であり、もっとも好ましくは99モル%以上である。
本発明における(a)層の材料としては、屈折率が高く、本発明の低反射ガラスの反射率を充分低くできるという観点においては、TiOy、NbOzが好ましく、TiOyがより好ましい。
ここで、主成分とは、(b)層全体の原子のモル数に対して、該当する元素の量(たとえば、TiNxの場合は、Ti原子とN原子との合計モル数)が90モル%以上のことであり、より好ましくは95モル%以上であり、さらに好ましくは98モル%以上であり、もっとも好ましくは99モル%以上である。(b)層には、Ti原子とN原子以外に、O原子がさらに含まれていてもよい。
たとえば、(a)層の膜厚は、10〜65nmが好ましく、10〜30nmがより好ましく、10〜20nmがさらに好ましい。(a)層の膜厚が該範囲内であれば、本発明の低反射ガラスは、可視光領域である波長380nm〜780nmにおいて干渉によって反射光を弱めることができるため好ましい。より好ましい範囲、さらに好ましい範囲であれば、一般的に成膜速度が遅い高屈折率材料の層を薄くできることから、本発明における反射防止膜全体の成膜にかかる時間を短縮できるため、結果として本発明の低反射ガラスを生産性よく製造できるので好ましい。
他の層についても、低反射ガラス中に1層のみが含まれていてもよく、2層以上が含まれていてもよい。
この場合、mの値は、本発明の低反射ガラスをディスプレイ用保護板に用いる場合には、生産性や経済性の観点からは、1または2であることが好ましい。
低反射ガラス10は、ガラス基板12上に、中間層16を形成し、ついで最外層18を形成することにより製造される。必要に応じて、中間層16を形成する前または後に他の層やバリア層を形成する。
スパッタ法としては、DCスパッタ法、パルススパッタ法、ACスパッタ法等が挙げられる。
スパッタ装置のチャンバ内に、ArおよびO2の混合ガスを導入しながら、Tiメタルターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタを行い、ガラス基板12上に(a)層を製膜する。
スパッタ装置のチャンバ内に、ArおよびN2の混合ガスを導入しながら、Tiメタルターゲットを用いてDCマグネトロンスパッタを行い、ガラス基板12上に(b)層を製膜する。
スパッタ装置のチャンバ内に、CO2を含むガスを導入しながら、Siを主成分とするターゲットを用いてACマグネトロンスパッタを行い、中間層16上に最外層18を製膜する。CO2を含むガスとしては、CO2単独のガス、若しくはArおよびCO2の混合ガスが挙げられる。
本発明における最外層18の形成を、CO2を含むガスを用いてスパッタ法により行うと、成膜レートが高くなるため生産性に優れる効果を奏するため好ましい。
スパッタ時の電力密度の大きさにより、混合ガスにおけるArガスとCO2ガスとの流量比(Ar/CO2)の最適値は異なる。実用的な電力密度においては、前記流量比(体積比)(Ar/CO2)は、(0/10)<(Ar/CO2)≦(3/7)であることが好ましく、(1/9)≦(Ar/CO2)≦(3/7)であることがより好ましく、(2/8)≦(Ar/CO2)≦(3/7)であることがさらに好ましい。(Ar/CO2)の値が該範囲内であれば、膜中のC原子の含有量を適度にできるため好ましい。
また、前記のArとCO2との混合ガスにおいて、CO2の割合が小さくなるほど、膜中のC原子の含有量は多くなる傾向がある。
スパッタ装置のチャンバ内に、Arガスを導入しながら、SiCターゲットを用いてACマグネトロンスパッタを行い、中間層16上に最外層18を製膜する。
また、以上説明した本発明の低反射ガラス10にあっては、反射防止フィルムを貼着した従来の低反射ガラスに比べ、耐候性、生産性、および外観に優れる。
本発明のディスプレイ用保護板は、本発明の低反射ガラスを有する。さらに装着するディスプレイの種類によって、当該ディスプレイに必要な他の機能を有する膜をさらに有していてもよい。
本発明のプラズマディスプレイ用保護板(以下、保護板と記す。)は、本発明の低反射ガラスからなる支持基体と、該支持基体の反射防止膜が形成されていない面側に設けられた、導電膜とを有する。導電膜は、該支持基体表面に直接形成されていてもよく、樹脂フィルム表面に導電膜が積層された導電性フィルムを該支持基体表面に貼り合わせてもよい。本発明の保護板は、さらに、近赤外線遮蔽機能を有する膜、色調補正機能を有する膜等を有していてもよい。
図6に、第1の実施形態の保護板を示す。保護板20は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に着色粘着剤層22を介して貼り合わされた導電性フィルム24と、導電性フィルム24の表面に形成された保護樹脂層26とを有するものである。
粘着剤としては、市販されている粘着剤が挙げられる。たとえば、アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、エポキシ樹脂、ポリウレタン、酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、ポリエステル、ポリアミド、ポリオレフィン、スチレン−ブタジエン共重合体系ゴム、ブチルゴム、シリコーン樹脂等の粘着剤が挙げられる。粘着剤には、近赤外線吸収剤、着色剤、および紫外線吸収剤が配合される。
図7に、第2の実施形態の保護板を示す。保護板32は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に透明粘着剤層34を介して貼り合わされた導電性フィルム24と、導電性フィルム24の表面に着色粘着剤層36を介して貼り合わされた樹脂フィルム38とを有するものである。
なお、第2の実施形態において、第1の実施形態と同じ構成については図6と同じ符号を付して説明を省略する。
図8に、第3の実施形態の保護板を示す。保護板40は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に透明粘着剤層34を介して貼り合わされた導電性フィルム24と、導電性フィルム24の表面に着色粘着剤層42を介して貼り合わされた近赤外線遮蔽フィルム44とを有するものである。
なお、第3の実施形態において、第1の実施形態および第2の実施形態と同じ構成については図6、図7と同じ符号を付して説明を省略する。
図9に、第4の実施形態の保護板を示す。保護板50は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に着色粘着剤層22を介して貼り合わされた導電性フィルム24とを有するものである。
なお、第4の実施形態において、第1の実施形態と同じ構成については図6と同じ符号を付して説明を省略する。
図10に、第5の実施形態の保護板を示す。保護板52は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に透明粘着剤層34を介して貼り合わされた導電性フィルム54と、導電性フィルム54の周縁に形成された電極60と、導電性フィルム54の表面に着色粘着剤層36を介して貼り合わされた樹脂フィルム38とを有するものである。
なお、第5の実施形態において、第2の実施形態と同じ構成については図7と同じ符号を付して説明を省略する。
図11に、第6の実施形態の保護板を示す。保護板62は、低反射ガラス10(支持基体)と、低反射ガラス10のガラス基板12の表面に着色粘着剤層64を介して貼り合わされた導電性フィルム54と、導電性フィルム54の周縁に形成された電極60とを有するものである。
なお、第6の実施形態において、第5の実施形態と同じ構成については図10と同じ符号を付して説明を省略する。
最外層18中のC原子含有量は、以下の方法で測定した。
四重極型二次イオン質量分析装置(SIMS)を用いて測定した。具体的には、最外層18の深さに対するSi原子、C原子、O原子および最外層と隣接する層の成分ならびに基板の成分の濃度のSIMSデプスプロファイルを作成した。次に、深さ4nmから、該SIMSデプスプロファイルに最外層と隣接する層の成分のプロファイルが現れる深さまでの、C原子のイオン強度の平均(Ii)を算出した。一次イオン種はCs+(セシウムカチオン)を使用した。そして、以下の式(1)により、C原子の含有量を算出した。
C原子含有量=(Ii/Iref)×RSF (1)
上記式(1)において、ガラス基板中のO原子(含有量既知)の強度をリファレンス(Iref)(O原子の強度で規格化)とした。
また、C原子含有量が既知のサンプル(含有量:Zモル%)について、SIMSを用いて得られたC原子のイオン強度(IiZ)と、ガラス基板中のO原子の強度(Iref)から、以下の式(2)によりRSFを算出した。
RFS=(Z/IiZ)×Iref (2)
まず、Negative検出で測定し、得られたC原子含有量が1モル%以下である試料は、これをC原子含有量とした。Negative検出での測定においては、前記C原子含有量既知のサンプルとして、SiO2膜にC原子をイオン注入した標準試料を用いて、RSF値を算出した。
SIMSを用いたNegative検出では、C原子含有量が1%超の場合には、得られるデータの信頼性が低い。そこで、1%超となった試料については、Positive検出とする以外は、前記のSIMSを用いた測定と同様の方法によりC原子のイオン強度を測定し、C原子含有量を算出した。Positive検出においては、前記C原子の含有量既知のサンプルとして、X線光電子分光(XPS)の結果よりC原子含有量が13.2%であるサンプルを用いて、RSF値を算出した。SIMSを用いたPositive検出により得られたC原子含有量が1%超5%以下である試料は、これをC原子含有量とした。
SIMSを用いたPositive検出による測定では、C原子含有量が5%超の場合、得られるデータの信頼性が低いことから、5%超の試料についてはX線光電子分光(XPS)でC原子含有量を測定した。
連続荷重引掻強度試験機(新東科学社製、HEIDON トライボギア TYPE18、針:0.1mm)を用い、反射防止膜の表面における傷発生荷重を測定した。
本発明における耐擦傷性の評価では、連続荷重引掻強度試験機に装着する針の状態により傷発生荷重の値は変動する。したがって、同じ針を使用し、ほぼ同時期に測定した試料の傷発生荷重の値を相対比較することで評価を行った。本実施例においては、実施例1〜2および比較例1〜4は、同じ針を用い、かつほぼ同時期に測定したものである。また、実施例3〜4および比較例5〜7は、同じ針を用い、かつほぼ同時期に測定したものである。
分光光度計(日立ハイテクノロジーズ社製、U4100)を用いて、波長380〜780nmの光における、得られた低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率を測定した。
2つ以上のチャンバで構成されたインライン式スパッタ装置を、1×10−5Torr以下にまで排気し、第1のチャンバにArおよびN2の混合ガス(Ar/N2=93/7流量比(体積比、以下同じ。))を導入し、第2のチャンバにArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=3/7流量比)を導入し、各チャンバ内の圧力が3×10−3Torrとなるように各混合ガスの流量を調整した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後3〜4時間後と、4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図12に示す。また、視感反射率を表1に示す。
実施例1と同様のスパッタ装置を、1×10−5Torr以下にまで排気し、第1のチャンバにArおよびO2の混合ガス(Ar/O2=2/8:流量比)を導入し、第2のチャンバにArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=3/7:流量比)を導入し、各チャンバ内の圧力を3×10−3Torrとなるように各混合ガスの流量を調整した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後3〜4時間後と、4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図13に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスを、ArおよびO2の混合ガスに変更した以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、Cを含まないSiO2からなる最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後3〜4時間後と、4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図12に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスを、ArおよびO2の混合ガスに変更した以外は、実施例2と同様の操作を行い、TiOyからなる中間層と、Cを含まないSiO2からなる最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後3〜4時間後と、4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図13に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスとして、ArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=0/10:流量比)を用いた以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、SiCO層である最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図14に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスとして、ArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=2/8:流量比)を用いた以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、SiCO層である最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図14に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスとして、ArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=35/65:流量比)を用いた以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、SiCO層である最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図14に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入する混合ガスとして、ArおよびCO2の混合ガス(Ar/CO2=40/60:流量比)を用いた以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、SiCO層である最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、低反射ガラスの反射防止膜が形成された面の片面反射率の分光曲線を図14に示す。また、視感反射率を表1に示す。
第2のチャンバに導入するガスを、O2ガスに変更した以外は、実施例1と同様の操作を行い、TiNxからなる中間層と、Cを含まないSiO2からなる最外層を形成した。
反射防止膜の各層の膜厚、最外層の屈折率、最外層中のC原子の含有量、および反射防止膜の成膜後4〜5日後の耐擦傷性を表1に示す。また、視感反射率を表1に示す。
(実施例5)プラズマディスプレイ用保護板の作製例
実施例1で作製した低反射ガラスを用いて、図10に示すプラズマディスプレイ用保護板を作製した。
<スパッタリングターゲットの作製>
原料のZnO粉末およびTiO2粉末のモル比を、ZnO:TiO2=90:10に秤量し、ボールミル混合機で24時間湿式混合した後、エバポレーターで乾燥し、ジューサーミキサーで乾燥物を粉砕し、200メッシュのふるいを通過させて、粒度調整した原料粉末とした。得られた原料粉末を黒鉛型内に充填し、抵抗加熱式ホットプレス装置を用いて、雰囲気ガスとしてアルゴンガスを用い、昇温速度350℃/時間、最高温度1150℃、最高温度保持時間2時間、圧力99MPa(ゲージ圧)で加圧焼結することで、ZnOおよびZn2TiO4を主成分とするスパッタリングターゲットが得られた。ZnOおよびZn2TiO4の含有量(モル比)は、原料のZnOおよびTiO2の仕込み比から計算し、ZnO:Zn2TiO4=88:12となった。
前記スパッタリングターゲットの粉末X線回折を測定した。測定方法は、ます、スパッタリングターゲットを乳棒と乳鉢とを用いて粉末にした後、15mm×15mm×1mmt(厚さ)のX線回折測定用の容器に入れ、Mac Science社製のX線回折装置を用い、20°<2θ<80°の範囲を測定した。得られた前記スパッタリングターゲットの粉末X線回折のデータを図15に示す。図15に示されるように、ZnO由来のピークと、Zn2TiO4由来のピークのみ現われ、TiO2由来のピークは現れない。すなわちターゲットの組成がZnOとZn2TiO4であることを示している。この粉末X線回折測定の結果、2θ=31.7°付近にあるZnO[100]の積分強度は116966[cps]、2θ=35.2°付近にあるZn2TiO4[311]の積分強度は76676[cps]であり、その比は60%であった。
<導電性フィルムの作製>
基材である厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(PETフィルム)の一方の表面に、金属酸化物層A、および金属層、をこの順番に積層した積層膜を、基材上に4層形成し、最上層に金属酸化物層Aを形成することで、PETフィルム表面に導電膜を形成し導電性フィルムを得た。
すなわち、導電膜の構成は、基材から順番に、金属酸化物層A1(膜厚40nm)、金属層1(膜厚10nm)、金属酸化物層A2(膜厚80nm)、金属層2(膜厚10nm)、金属酸化物層A3(膜厚80nm)、金属層3(膜厚10nm)、金属酸化物層A4(膜厚80nm)、金属層4(膜厚10nm)、金属酸化物層A5(膜厚40nm)とした。積層膜の合計膜厚は360nmであった。
金属酸化物層Aは、前記のスパッタリングターゲットを用いてDCスパッタリングで成膜した。成膜条件は、アルゴンガス95体積%と酸素ガス5体積%との混合ガスをDCスパッタリング装置に導入しながら、圧力0.42Pa(ゲージ圧)、投入電力3.75W/cm2で一定とした。成膜時間は、A1、およびA5については、それぞれの膜厚が40nmとなるようにし、A2、A3、およびA4については、それぞれの膜厚が80nmとなるようにした。
金属層は、銀99原子%−金1原子%の膜である。金属層は、所望の組成となるような銀と金のスパッタリングターゲットを用いてDCスパッタリングで成膜した。成膜条件は、アルゴンガスをDCスパッタリング装置に導入しながら、圧力0.42Pa(ゲージ圧)、投入電力2.5W/cm2で一定とした。成膜時間は、膜厚が10nmとなるようにした。
<プラズマディスプレイ用保護板の作製>
得られた導電性フィルム54のPETフィルム(樹脂フィルム56)側の表面に、透明粘着剤層34(アクリル系粘着剤、厚さ25μm)を設けた。
実施例1で作製した低反射ガラス10を所定の大きさに切断、面取りし、洗浄した後、660℃まで加熱し、その後風冷してガラス強化処理を施した。
低反射ガラス10の反射防止膜14が形成されていない側に、上記透明粘着剤層34を介して、導電性フィルム54を貼り付けた。ついで、導電膜58を保護する目的で、導電膜58表面に樹脂フィルム38(東洋紡績社製、商品名:A4100)を、着色粘着剤層36(アクリル系粘着剤、厚さ25μm)を介して貼り合わせた。ただし、電極取り出しの目的から、導電性フィルムの周縁部には樹脂フィルムを貼り合わせない部分(電極形成部)を残しておいた。
そして、電極形成部に、銀ペースト(太陽インキ製造社製、商品名:AF4810)を、ナイロンメッシュ#180、乳剤厚さ20μmにてスクリーン印刷し、熱風循環炉で85℃、35分間乾燥させて電極60を形成した。
なお、2008年4月24日に出願された日本特許出願2008−113857号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
10a 低反射ガラス
10b 低反射ガラス
10c 低反射ガラス
10d 低反射ガラス
12 ガラス基板
14 反射防止膜
14a 反射防止膜
14b 反射防止膜
14c 反射防止膜
14d 反射防止膜
16 中間層
16a (a)層
16b (b)層
18 最外層
20 保護板
30 導電性メッシュ層(導電膜)
32 保護板
40 保護板
50 保護板
52 保護板
58 導電膜
62 保護板
Claims (9)
- ガラス基板と、該ガラス基板の表面に形成された反射防止膜とを有する低反射ガラスであり、
前記反射防止膜が、前記ガラス基板側から順に中間層と最外層とが配置され、
前記最外層が、Si原子、C原子およびO原子を含む層であり、かつSi原子、C原子およびO原子の合計100モル%のうちのC原子の含有量が、0.5〜2.0モル%であり、
前記中間層が、下記の(a)層または(b)層であることを特徴とする低反射ガラス。
(a)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K1が、0≦K1<0.1であり、かつ波長550nmにおける屈折率n1が、2.0≦n1≦2.5である層。
(b)層:波長380〜780nmにおける消衰係数K2が、0.1≦K2≦2.4であり、かつ波長380〜780nmにおける屈折率n2が0.5≦n2≦2.5であり、380nm≦p<q≦780nmを満たす波長p、qにおける消衰係数K2をそれぞれK2p、K2qとして、K2p<K2qであり、波長p、qにおける屈折率n2をそれぞれn2p、n2qとして、n2p>n2qである層。 - 前記最外層が、SiO2を主成分として含む層である請求項1に記載の低反射ガラス。
- 前記最外層の波長550nmにおける屈折率が、1.45以上1.5未満である、請求項1または2に記載の低反射ガラス。
- 前記反射防止膜が、ガラス基板側から順に、(b)層、最外層が配置された膜である、請求項1〜3のいずれかに記載の低反射ガラス。
- (b)層が、Ti原子とN原子を主成分として含み、Ti原子とN原子との比率が、TiNx(x=0.5〜1.0)である、請求項4に記載の低反射ガラス。
- 前記反射防止膜が、ガラス基板側から順に、(a)層、最外層が配置された膜である請求項1〜3のいずれかに記載の低反射ガラス。
- (a)層が、Ti原子とO原子とを主成分として含み、Ti原子とO原子との比率が、TiOy(y=1.9〜2.0)である、請求項6に記載の低反射ガラス。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の低反射ガラスを有する、ディスプレイ用保護板。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の低反射ガラスからなる支持基体と、
該支持基体の反射防止膜が形成されていない面側に設けられた導電膜と
を有する、プラズマディスプレイ用保護板。
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