KR100333981B1 - 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법 - Google Patents

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 위에 가로 방향으로 다수의 게이트선이 형성되어 있다. 게이트선의 내부에는 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있어, 개구부 상하로 갈려진 두 부분과 나머지 부분으로 나뉘어 있다. 인접한 두 게이트선 사이에 이중 공통 전극선이 형성되어 있고, 이중 공통 전극선을 다수의 공통 전극이 연결하고 있으며, 다수의 데이터선이 게이트선의 상하로 갈려진 두 부분과 절연되어 교차하고 있다. 이때, 데이터선과 게이트선이 교차하여 이루어지는 각각의 영역이 화소가 된다. 화소 내에는 이중 공통 전극선과 각각 중첩되는 이중 화소 전극선이 형성되어 있고, 이중 화소 전극선을 서로 연결하는 다수의 화소 전극이 형성되어 있으며, 화소 전극은 공통 전극과 번갈아 배열되어 있다. 또한, 이중 화소 전극선 중 상측 화소 전극선으로부터 전단이 화소 쪽으로 화소 전극선 연장부가 연장되어 게이트선과 중첩되어 있다. 이처럼, 개구부에 의해 두 갈래로 갈린 부분과 나머지 부분으로 나뉘어져 있는 게이트선 구조 및 후단 화소의 화소 전극선으로부터 연장되어 게이트선과 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부를 이용하여 게이트선 또는 공통 전극선과 데이터선 사이의 단락 및 게이트선의 단선 등의 결함을 용이하게 수리할 수 있다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법{a thin film transistor substrate for liquid crystal displays and repairing methods thereof}
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법에 관한 것으로서, 특히 게이트선 및 공통 전극선과 데이터선의 교차부에서의 단락 결함 또는 게이트선 단선 결함을 수리하기 위한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배선 구조 및 이를 이용한 수리 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 서로 마주보는 전극이 형성되어 있는 두 기판 사이에 액정층이 주입되어 있는 표시 장치로서, 액정층에 인가되는 전압을 조절하여 광 투과율을 조절함으로써 표시를 구현한다.
최근, 액정 표시 장치가 대면적화 됨에 따라 광시야각 특성을 나타내는 모드(mode)의 개발이 활발해지고 있다. 이중 대표적인 예는, 한 기판에 공통 전극과 화소 전극이 모두 형성되어 있는 방식의 액정 표시 장치이다. 이러한 액정 표시 장치에서는 공통 전극과 화소 전극 사이에서 형성된 전계가 기판 면에 대해 평행하기 때문에 액정 분자의 장축이 기판 면에 대해 평행하게 동작한다. 따라서, 시야각이 확대된다. 그러나, 공통 전극과 공통 전극선이 게이트선과 동일한 기판 위에 놓이기 때문에, 게이트선이 단일 배선 구조로 제한된다. 따라서, 게이트선의 단선 또는 게이트선 및 공통 전극선과 데이터선의 교차부에서의 단락 등을 수리하는 것이 어려워 수율이 저하되는 단점이 있다.
본 발명의 과제는 게이트선의 단선을 용이하게 수리하는 배선 구조 및 수리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 게이트선과 데이터선의 교차부에서의 배선 단락을 용이하게 수리하는 배선 구조 및 수리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 공통 전극선과 데이터선의 교차부에서의 배선 단락을 용이하게 수리하는 배선 구조 및 수리 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배선도이고,
도 2는 도 1의 II-II' 선에 대한 단면도이고,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제1 수리 방법을 도시한 평면도이고,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제2 수리 방법을 도시한 평면도이고,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제3 수리 방법을 도시한 평면도이고,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제4 수리 방법을 도시한 평면도이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서는 절연 기판 위에 다수의 게이트선이 형성되어 있고, 각 게이트선의 내부에는 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있어서, 게이트선이 개구부를 중심으로 상하로 갈려진 제1 부분 및 제2 부분, 그리고 개구부가 존재하지 않는 부분인 제3 부분으로 이루어져 있다. 인접한 두 게이트선 사이에 가로 방향으로 서로 나란하게 제1 및 제2 공통 전극선이 형성되어 있고, 제1 및 제2 공통 전극선을 다수의 공통 전극이 세로 방향으로 연결하고 있다. 반도체층이 게이트선의 제1 부분 상부에 형성되어 있고, 다수의 데이터선이 게이트선의 제1 및 제2 부분, 그리고 제1 및 제2 공통 전극선과 절연되어 교차하고 있는데, 게이트선과 데이터선이 교차하여 구획되는 각각의 영역이 화소가 된다. 데이터선으로부터 연장된 소스 전극 및 이와 마주보는 드레인 전극이 반도체층의 양 가장자리와 중첩되어 있다. 또한, 제1 화소 전극선이 드레인 전극과 연결되어 있으며, 제1 공통 전극선과는 중첩되어 있다. 제1 화소 전극선으로부터 다수의 화소 전극이 세로 방향으로 연장되어 있으며 공통 전극선과 번갈아 배열되어 있다. 또한, 제2 화소 전극선이 제2 공통 전극선과 중첩되도록 형성되어 있고, 화소 전극과 연결되어 있으며, 제2 화소 전극선으로부터 전단에 위치한 화소쪽으로 화소 전극선 연장부가 연장되어 게이트선의 제3 부분과 중첩되어 있다.
여기에서, 드레인 전극으로부터 드레인 전극선이 연장되고, 드레인 전극선과 제1 화소 전극선 사이에 제1 절연막이 개재되어 있으며, 드레인 전극선은 제1 절연막에 뚫려 있는 접촉구를 통해 제1 화소 전극선과 연결되어 있는 것이 바람직하다.
이경우, 제1 화소 전극선, 화소 전극, 제2 화소 전극선 및 화소 전극선 연장부는 투명한 도전 물질로 형성되어 있을 수 있으며, 게이트선 및 제1 및 제2 공통 전극선과 데이터선 사이에 제2 절연막이 개재되어 있을 수 있다.
이러한 기판의 배선 구조에서는 게이트선의 제1 및 제2 부분 중 하나와 데이터선의 단락이 발생할 경우, 단락 발생 지점의 좌우측에서 단락된 제1 또는 제2 부분을 절단하여 게이트선으로부터 고립시켜 단락 결함을 일차적으로 수리한다.
여기에서, 일차 수리를 통해 단락 결함이 수리되지 않을 경우, 게이트선의 제1 및 제2 부분 중 게이트선과 고립되지 않은 나머지를 데이터선을 중심으로 좌우측에서 절단하고, 제3 부분과 화소 전극선 연장부를 데이터선을 중심으로 양측에서 레이저 단락 시키며, 제2 화소 전극선과 제2 공통 전극선을 데이터선을 중심으로 각각 좌우측에 위치하는 제1 및 제2 지점에서 서로 단락 시킨다. 다음, 단락시킨 제2 화소 전극선 및 제2 공통 전극선과 각각 연결되어 있는 화소 전극 및 공통 전극을 절단하여 제2 화소 전극선 및 공통 전극선으로부터 고립시킨 후, 제2 공통 전극선을 제1 지점의 좌측과 제2 지점의 우측에서 절단하여 완전히 수리한다.
한편, 제1 및 제2 공통 전극선 중의 하나와 데이터선 사이에 단락이 발생한 경우에는, 제1 및 제2 공통 전극선 중 하나를 데이터선을 중심으로 좌우측의 제1및 제2 지점에서 절단하고, 제1 및 제2 공통 전극선 중 절단되지 않은 나머지를 데이터선을 중심으로 좌우측의 제3 및 제4 지점에서 절단한 다음, 제2 공통 전극선과 제2 화소 전극선을 제3 지점의 좌측의 제5 지점과 제4 지점의 우측의 제6 지점에서 단락시킨다. 이후, 화소 전극선 연장부와 게이트선의 제3 부분을 제3 지점의 좌측의 제7 지점과 제 4 지점의 우측의 제8 지점에서 단락시킨 다음, 제7 지점의 좌측과 제8 지점의 우측에서 게이트선의 제2 부분을 각각 절단하고, 제3 부분의 중간을 가로 질러 절단하여, 나머지 상기 게이트선으로부터 고립시킨다.
또한, 게이트선이 단선된 경우, 단선 지점의 좌우측에 각각 위치하는 화소 전극선 연장부를 게이트선과 각각 단락시키고, 단선 지점의 좌측에 위치한 제1 지점과 우측에 위치한 제2 지점에서 제2 화소 전극선과 제2 공통 전극선을 각각 단락시킨 다음, 이 단락시킨 제2 화소 전극선 및 제2 공통 전극선과 각각 연결되어 있는 화소 전극 및 공통 전극을 절단하여 제2 화소 전극선 및 제2 공통 전극선으로부터 고립시킨다. 이후, 제2 공통 전극선을 제1 지점의 좌측과 제2 지점의 우측에서 절단함으로써, 게이트선 단선 결함을 수리한다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배선 구조를 도 1 및 도 2를 참고로 하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의배선도이고, 도 2는 도 1의 II-II' 선에 대한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 가로 방향으로 게이트선(110, 120, 130)이 형성되어 있는데, 부분적으로 게이트선(110, 120, 130)의 내부가 제거되어 있다. 즉, 게이트선(110, 120, 130)은 내부가 제거되어 두 갈래로 나뉜 제1 및 제2 부분(110, 120)과 원래의 게이트선 두께를 유지하고 있는 제3 부분(130)으로 형성되어 있다.
또한, 절연 기판(10) 위에는 게이트선(110, 120, 130)과 나란하게 이중 공통 전극선(140, 160)이 형성되어 있으며, 이중 공통 전극선(140, 160)을 세로 방향으로 잇는 다수의 공통 전극(150)이 형성되어 있다.
이러한 게이트선(110, 120, 130), 이중 공통 전극선(140, 160) 및 공통 전극(150)은 게이트 절연막(20)으로 덮여 있다.
게이트 절연막(20) 위에는 비정질 규소층과 같은 반도체층(210)이 형성되어 있는데, 게이트선의 제1 및 제2 부분(110, 120) 중 하나 위에 위치한다. 본 실시예에서는 제1 부분(110) 위에 위치하는 형태로 도시하였다.
또한, 게이트 절연막(20) 위에는 세로 방향으로 다수의 데이터선(310)이 형성되어 있다. 이 데이터선(310)은 게이트선이 두 갈래로 나뉘어 있는 제1 및 제2 부분(110, 120)과 교차하고 있으며, 인접한 두 데이터선(310) 사이에 적어도 한 곳에 제3 부분(130)이 배치되어 있다. 소스 전극(320)이 데이터선(310)으로부터 연장되어 게이트선의 제1 부분(110) 위에서 반도체층(210)에 중첩하고 있고, 드레인 전극(330)이 소스 전극(320)과 마주보는 위치에서 반도체층(210)에 중첩되어 있으며, 소스 및 드레인 전극(320, 330)과 반도체층(210)이 접하는 부분에는 도핑된 비정질 규소층 등의 물질로 접촉층(211)이 형성되어 있다. 또한, 드레인 전극(330)으로부터 드레인 전극선(340)이 연장되어 가로 방향으로 놓여 있다.
데이터선(310), 소스 및 드레인 전극(320, 330), 드레인 전극선(340), 반도체층(210) 등은 보호막(30)으로 덮여 있다.
보호막(30) 위에는 이중 화소 전극선(410, 430) 및 화소 전극(420)이 형성되어 있다. 이중 화소 전극선(410, 430)은 가로 방향으로 형성되어 있으며, 각각 이중 공통 전극선(410, 440)과 중첩되어 있는데, 그 중 하나의 이중 화소 전극선(410)은 보호막(30)에 뚫려 있는 접촉구(C1)를 통해서 드레인 전극선(340)과 접촉되어 있다. 화소 전극(420)은 이중 화소 전극선(310, 430)을 서로 연결하고 있고, 공통 전극(150)과 나란하게 다수로 형성되어 있으며, 공통 전극(150)과는 하나씩 번갈아 배열되어 있다. 또한, 드레인 전극선(340)과 직접 접촉하고 있지 않은 화소 전극선(430)으로부터 화소 전극선 연장부(440)가 전단 화소의 게이트선 쪽으로 연장되어 게이트선의 제3 부분(130)과 중첩되어 있다. 이러한 이중 화소 전극선(410, 430), 화소 전극(420) 및 화소 전극선 연장부(440)는 ITO와 같은 투명한 도전 물질로 형성되어 있다.
이상에서는, 화소 전극선(310) 및 화소 전극(420) 등이 투명한 도전 물질로 형성되어 있고, 화소 전극선(310)이 드레인 전극선(340)과 접촉구(C1)를 통해 연결되어 있어 개구율 및 유지 용량 확보에 유리한 구조를 실시예로 하여 설명하였으나, 이중 화소 전극선(410. 430), 화소 전극(420) 및 화소 전극선 연결부(440)을불투명한 금속으로 형성할 수 있으며, 데이터 배선(310, 320, 330, 340)과 동일한 층에 동일한 물질로 형성하는 것이 가능하다.
본 발명의 실시예에 따른 배선 구조에서, 화소 전극선 연장부(440)와 게이트선의 제1 내지 제3 부분(110, 120, 130)은 게이트선(110, 120, 130)의 단선 및 게이트선(110, 120, 130) 또는 공통 전극선(140, 160)과 데이터선(310)의 단락을 효과적으로 수리하는 데에 사용된다. 이를 다음에서 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제1 수리 방법을 개략적으로 보여주는 평면도로서, 게이트선과 데이터선의 단락 위치가 확인되는 경우에 단락 결함을 수리하는 방법이 나타나 있다.
도 3에 도시한 바와 같이, 게이트선의 제1 부분(110)과 데이터선(310)이 단락(S1)된 경우, 단락된 지점의 양측에서 게이트선의 제1 부분(110)을 레이저로 절단하여 게이트선(110, 120, 130) 나머지 부분으로부터 전기적으로 고립시킨다. 따라서, 데이터 신호가 게이트선(110, 120, 130)에 통하는 게이트 신호에 직접적으로 영향을 미치지 않는다.
다음, 게이트선과 데이터선의 단락 위치의 확인이 불가능한 경우, 단락을 수리하는 방법을 도 4를 참고로 하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제2 수리 방법을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 게이트선의 제1 부분(110) 또는 제2 부분(120)과 데이터선(310)이 교차부의 단락에 의한 결함이 나타나지만 그 단락의 정확한 위치를 알수 없는 경우, 단락 위치를 찾아내고 수리하는 단계를 적어도 한 단계이상 거침으로써 단락 결함을 수리할 수 있다.
먼저, 게이트선의 제1 부분(110)과 데이터선(310)이 교차하는 부분에서 단락이 발생하였다는 가정 하에서, 단락점의 양쪽에서 제1 부분(110)을 일차적으로 레이저 절단(L1, L2) 한다. 이러한 일차 수리 단계를 거쳐 단락 결함이 제거되면 수리는 마무리된다.
한편, 여전히 단락에 의한 결함이 남아있는 경우, 이는 게이트선의 제2 부분(120)과 데이터선(310) 사이에 단락이 발생하였다는 것을 의미한다. 따라서, 다음과 같은 이차 수리를 실시한다. 제2 부분(120)과 데이터선(310)의 단락 발생 지점을 중심으로 양쪽에서 데이터선(310)과 화소 전극선 연장부(440) 사이에 위치하는 게이트선의 제2 부분(120)을 레이저를 이용하여 절단(L3, L4)한다. 이어, 단락 발생 지점의 건너편의 게이트선(110, 120, 130)에 게이트 신호를 전달하기 위해서, 서로 중첩되어 있는 게이트선의 제3 부분(130)과 화소 전극선 연장부(440)를 단락 발생 지점의 양쪽에서 각각 레이저 단락(a, d)시키고, 화소 전극선 연장부(440)와 직접 연결되어 있는 화소 전극선(430)을 그 하부층에 놓인 공통 전극선(160)과 레이저 단락(b, c)시킨 다음, 서로 단락시킨 화소 전극선(430) 및 공통 전극선(160)과 연결되어 있는 화소 전극(420)과 공통 전극(150)을 레이저를 이용하여 절단(L5, L6)한다. 이때, 단락 발생 지점의 좌측에서 화소 전극선(430)과 공통 전극선(160)을 단락(b)시킨 지점의 좌측 바깥에서 공통 전극선(160)을 절단하고, 단락 발생 지점의 우측에서 화소 전극선(430)과 공통 전극선(160)을 단락(c)시킨 지점의 우측 바깥에서 공통 전극선(160)을 절단함으로써, 게이트 신호가 공통 신호의 영향을 받지 않고 단락 발생 지점 건너편으로 전달될 수 있도록 하는 전달 경로가 만들어진다.
다음, 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제3 수리 방법에 대하여 도 5를 참고로 하여 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제3 수리 방법을 개략적으로 보여주는 평면도로서, 서로 교차하는 공통 전극선과 데이터선의 교차부에서 발생하는 단락 결함을 수리하는 방법을 나타내고 있다.
공통 전극선(140, 160)과 데이터선(310)이 단락된 위치가 확인되는 경우, 단락 결함이 쉽게 수리될 수 있다. 예를 들어, 이중 공통 전극선(140, 160) 중 상측 공통 전극선(160)이 데이터선(310)과 단락된 경우, 단락 발생 지점의 좌우측에서 공통 전극선(160)을 레이저를 이용하여 절단(L1, L2)함으로써 공통 전극선(140, 160)을 흐르는 공통 신호와 데이터선(310)을 흐르는 데이터 신호가 서로 영향을 주지 않도록 한다.
공통 전극선(140, 160)과 데이터선(310)이 단락된 위치를 확인하는 것이 불가능한 경우에는 단락 위치를 확인하는 것이 우선되어야 하므로, 한 단계 이상의 수리 단계를 거쳐 단락 결함을 수리한다.
먼저, 도 5에 도시한 바와 같이, 이중 공통 전극선(140, 160) 중 하나의 공통 전극선(160)이 데이터선(310)과 교차하는 지점에서 단락이 발생하였다는 가정 하에, 단락 발생 지점의 양측에서 공통 전극선(160)을 레이저를 이용하여 일차적으로 절단(L1, L2)한다. 이러한 일차 수리 단계를 거쳐 단락 결함이 제거되었다면, 단락 결함이 수리된 것이므로 더 이상의 공정이 필요없다.
한편, 단락 결함이 여전히 남아 있는 경우, 이는 나머지 하나의 공통 전극선(140)과 데이터선(310)이 단락되었다는 것을 의미한다. 따라서, 공통 전극선(140)과 데이터선(310)의 단락 발생 지점을 중심으로 양쪽에서 공통 전극선(140)을 레이저를 이용하여 절단(L3, L4)하여 데이터선(310)과 공통 전극선(140, 160)을 전기적으로 분리한다. 다음, 단락 발생 지점 건너편에 위치하고 있는 전기적으로 고립된 공통 전극 배선(140, 150, 160)에 공통 신호를 전달하기 위해, 공통 전극선(160), 화소 전극선(430), 화소 전극선 연장부(440) 및 게이트선의 제2 부분(120) 등을 이용하여 공통 신호의 경로를 만들어 준다. 즉, 절단(L1, L2)된 공통 전극선(160)과 중첩하는 화소 전극선(430)을 단락 발생 지점의 양쪽에서 각각 공통 전극선(160)에 레이저를 이용하여 단락(b, c)시키고, 이 단락(b, c)된 화소 전극선(430)으로부터 연장된 화소 전극선 연장부(440)가 게이트선의 제3 부분(130)과 중첩하는 부분을 레이저를 이용하여 단락(a, b)시킨 다음, 단락 결함이 발생한 지점의 좌측에서 단락(a)시킨 지점의 좌측 바깥과 단락 결함이 발생한 지점의 우측에서 단락(b)시킨 지점의 우측 바깥에서 각각 게이트선의 제2 부분(120)을 레이저로 절단(L6, L9)함과 동시에 게이트선의 제3 부분(130)의 중간을 가로지르는 형태로 레이저 절단(L5, L10)한다. 또한, 공통 전극선(160)과 단락시킨 화소 전극선(430)과 연결되어 있는 화소 전극(420)도 레이저 절단(L7, L8)한다.
다음, 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제4 수리 방법에 대하여도 6을 참고로 하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 배선 구조를 이용한 제4 수리 방법을 개략적으로 보여주는 평면도로서, 게이트선의 제1 및 제2 부분과 같이 비교적 폭이 얇아 단선이 발생하기 쉬운 부분에서의 단선 결함을 수리하는 방법을 나타낸 것이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 게이트선의 제1 및 제2 부분(110, 120)에 단선(e)이 발생한 경우, 게이트선의 제3 부분(130), 제3 부분(130)과 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부(440), 화소 전극선 연장부(440)와 연결되어 있는 화소 전극선(430), 공통 전극선(160) 등을 이용하여 수리할 수 있다. 즉, 단선 지점(e)의 좌우측에 위치한 게이트선의 제3 부분(130)을 각각 화소 전극선 연장부(440)와 레이저 단락(a, d)시키고, 화소 전극선(430)은 그 하부층에 위치한 공통 전극선(160)과 각각 레이저 단락(b, d)시킨 다음, 서로 단락된 공통 전극선(160) 및 화소 전극선(430)에 연결되어 있는 공통 전극(150) 및 화소 전극(420), 그리고 단선 지점의 좌측 및 우측에서 공통 전극선(160)과 화소 전극선(430)이 각각 레이저 단락(b, d)된 지점의 좌측 바깥 및 우측 바깥에 위치하는 공통 전극선(160)을 레이저를 이용하여 절단(L1, L2)함으로써, 후단 화소의 화소 전극(420) 및 공통 전극(150)과는 전기적으로 고립되면서 게이트선(110, 120, 130)과는 단선 지점 양측에서 연결되어 되어 있는 부분을 형성한다. 이렇게 함으로써, 단선 지점 건너편 쪽으로 게이트 신호를 전달할 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판및 그 수리 방법에서는 게이트선의 단선, 게이트선과 데이터선의 교차부에서의 배선 단락 및 공통 전극선과 데이터선의 교차부에서의 배선 단락을 용이하게 수리할 수할 수 있다.

Claims (9)

  1. (정정) 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있으며, 그 내부에 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있어, 상기 개구부에 의해 두 갈래로 나뉘어진 제1 부분 및 제2 부분과 상기 개구부가 존재하지 않는 부분인 제3 부분으로 이루어지는 다수의 게이트선,
    인접한 두 상기 게이트선 사이에 가로 방향으로 서로 나란하게 형성되어 있는 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선을 연결하고 있으며 세로 방향으로 형성되어 있는 다수의 공통 전극,
    상기 제1 부분 상부에 절연되어 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 있으며 상기 제1 부분, 제2 부분, 상기 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선과 절연되어 교차하고 있는 다수의 데이터선,
    상기 게이트선과 상기 데이터선의 교차에 의하여 정의되는 다수의 화소,
    각 상기 데이터선으로부터 연장되어 있으며 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 소스 전극,
    상기 소스 전극과 마주보는 위치에서 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 드레인 전극,
    상기 드레인 전극과 연결되어 있으며 상기 제1 공통 전극선과 중첩되어 있는 제1 화소 전극선,
    상기 제1 화소 전극선으로부터 세로 방향으로 연장되어 있으며 상기 공통 전극선과 번갈아 배열되어 있는 다수의 화소 전극,
    상기 제2 공통 전극선과 중첩되어 있으며 상기 화소 전극을 연결하고 있는 제2 화소 전극선, 및
    상기 제2 화소 전극선으로부터 전단에 위치한 상기 화소쪽으로 연장되어 상기 게이트선의 상기 제3 부분과 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서,
    상기 드레인 전극으로부터 연장된 드레인 전극선, 및 상기 드레인 전극선과 상기 제1 화소 전극선 사이에 개재되어 있는 제1 절연막을 더 포함하며, 상기 드레인 전극선은 상기 제1 절연막에 뚫려 있는 접촉구를 통해 상기 제1 화소 전극선과 연결되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 화소 전극선, 상기 화소 전극, 상기 제2 화소 전극선 및 상기 화소 전극선 연장부는 투명한 도전 물질로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 제1항에서,
    상기 게이트선 및 상기 제1 및 제2 공통 전극선과 상기 데이터선 사이에 개재되어 있는 제2 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  5. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있으며, 그 내부에 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있어, 상기 개구부에 의해 두 갈래로 나뉘어진 제1 부분 및 제2 부분과 상기 개구부가 존재하지 않는 부분인 제3 부분으로 이루어지는 다수의 게이트선,
    세로 방향으로 형성되어 있으며 상기 게이트선의 상기 제1 및 제2 부분과 절연되어 교차하고 있는 다수의 데이터선,
    상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하여 구획되는 다수의 화소,
    상기 제1 부분의 상부에 형성되어 있는 반도체층,
    각 상기 데이터선으로부터 연장되어 있으며 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 소스 전극,
    상기 소스 전극과 마주보는 위치에서 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 드레인 전극,
    상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있으며 상기 화소 내에 다수로 형성되어 있으며 화소 전극, 및
    상기 화소 내에 다수로 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 번갈아 배열되어있는 공통 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서,
    상기 게이트선의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 중 하나와 상기 데이터선의 단락 발생 지점의 좌우측에서 상기 단락된 제1 부분 또는 제2 부분을 절단하여 상기 게이트선으로부터 고립시키는 단계를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 수리 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터는
    인접한 두 상기 게이트선 사이에 가로 방향으로 서로 나란하게 형성되어 있으며 상기 다수의 공통 전극에 의해 서로 연결되어 있는 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선,
    상기 드레인 전극과 상기 화소 전극을 연결하고 있으며 상기 제1 공통 전극선과 중첩되어 있는 제1 화소 전극선,
    상기 화소 전극과 연결되어 있으며 상기 제2 공통 전극선과 중첩되어 있는 제2 화소 전극선, 및
    상기 제2 화소 전극선으로부터 전단에 위치한 상기 화소쪽으로 연장되어 상기 게이트선의 상기 제3 부분과 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부를 더 포함하며,
    상기 게이트선의 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 중 상기 게이트선과 고립되지 않은 나머지를 상기 데이터선을 중심으로 좌우측에서 절단하는 단계,
    상기 제3 부분과 상기 화소 전극선 연장부를 상기 데이터선을 중심으로 양측에서 레이저 단락 시키는 단계,
    상기 제2 화소 전극선과 상기 제2 공통 전극선을 상기 데이터선을 중심으로 각각 좌우측에 위치하는 제1 지점 및 제2 지점에서 서로 단락 시키는 단계,
    상기 단락시킨 제2 화소 전극선 및 상기 제2 공통 전극선과 각각 연결되어 있는 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 절단하여 상기 제2 화소 전극선 및 상기 공통 전극선으로부터 고립시키는 단계, 및
    상기 제2 공통 전극선을 상기 제1 지점의 좌측과 상기 제2 지점의 우측에서 절단하는 단계
    를 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  7. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있으며, 그 내부에 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있어, 상기 개구부에 의해 두 갈래로 나뉘어진 제1 부분 및 제2 부분과 상기 개구부가 존재하지 않는 부분인 제3 부분으로 이루어지는 다수의 게이트선,
    인접한 두 상기 게이트선 사이에 가로 방향으로 서로 나란하게 형성되어 있는 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선을 세로 방향으로 연결하고 있는 다수의 공통 전극,
    상기 제1 부분 상부에 절연되어 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 있으며 상기 제1 부분, 제2 부분, 상기 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선과 절연되어 교차하고 있는 다수의 데이터선,
    상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하여 구획되는 다수의 화소,
    각 상기 데이터선으로부터 연장되어 있으며 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 소스 전극,
    상기 소스 전극과 마주보는 위치에서 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 드레인 전극,
    상기 드레인 전극과 연결되어 있으며 상기 제1 공통 전극선과 중첩되어 있는 제1 화소 전극선,
    상기 제1 화소 전극선으로부터 세로 방향으로 연장되어 있으며 상기 공통 전극선과 번갈아 배열되어 있는 다수의 화소 전극,
    상기 제2 공통 전극선과 중첩되어 있으며 상기 화소 전극을 연결하고 있는 제2 화소 전극선, 및
    상기 제2 화소 전극선으로부터 전단에 위치한 상기 화소쪽으로 연장되어 상기 게이트선의 상기 제3 부분과 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선 중의 하나와 상기 데이터선 사이에 단락이 발생한 경우,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선 중 하나를 상기 데이터선을 중심으로 좌우측 제1 및 제2 지점에서 절단하는 단계,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선 중 절단되지 않은 나머지를 상기 데이터선을 중심으로 좌우측 제3 및 제4 지점에서 절단하는 단계,
    상기 제2 공통 전극선과 상기 제2 화소 전극선을 상기 제3 지점의 좌측의 제5 지점과 상기 제4 지점의 우측의 제6 지점에서 단락시키는 단계,
    상기 화소 전극선 연장부와 상기 게이트선의 상기 제3 부분을 상기 제3 지점의 좌측의 제7 지점과 상기 제 4 지점의 우측의 제8 지점에서 단락시키는 단계, 및
    상기 제7 지점의 좌측과 상기 제8 지점의 우측에서 상기 게이트선의 상기 제2 부분을 각각 절단하고, 상기 제3 부분의 중간을 가로 질러 절단하여, 나머지 상기 게이트선으로부터 고립시키는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
  8. 절연 기판,
    상기 절연 기판 위에 가로 방향으로 형성되어 있는 다수의 게이트선,
    인접한 두 상기 게이트선 사이에 가로 방향으로 서로 나란하게 형성되어 있는 제1 공통 전극선 및 제2 공통 전극선,
    상기 제1 및 제2 공통 전극선을 세로 방향으로 연결하고 있는 다수의 공통 전극,
    상기 게이트선 상부에 절연되어 형성되어 있는 반도체층,
    세로 방향으로 형성되어 있으며 상기 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 다수의 데이터선,
    상기 게이트선과 상기 데이터선이 교차하여 구획되는 다수의 화소,
    각 상기 데이터선으로부터 연장되어 있으며 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 소스 전극,
    상기 소스 전극과 마주보는 위치에서 상기 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있는 드레인 전극,
    상기 드레인 전극과 연결되어 있으며 상기 제1 공통 전극선과 중첩되어 있는 제1 화소 전극선,
    상기 제1 화소 전극선으로부터 세로 방향으로 연장되어 있으며 상기 공통 전극선과 번갈아 배열되어 있는 다수의 화소 전극,
    상기 제2 공통 전극선과 중첩되어 있으며 상기 화소 전극을 연결하고 있는 제2 화소 전극선, 및
    상기 제2 화소 전극선으로부터 전단에 위치한 상기 화소쪽으로 연장되어 상기 게이트선의 일부와 중첩되어 있는 화소 전극선 연장부를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서,
    상기 게이트선이 단선된 경우,
    상기 단선 지점의 좌우측에 각각 위치하는 상기 화소 전극선 연장부를 상기 게이트선과 각각 단락시키는 단계,
    상기 단선 지점의 좌측에 위치한 제1 지점과 우측에 위치한 제2 지점에서 상기 제2 화소 전극선과 상기 제2 공통 전극선을 각각 단락시키는 단계,
    상기 단락시킨 제2 화소 전극선 및 상기 제2 공통 전극선과 각각 연결되어있는 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 절단하여 상기 제2 화소 전극선 및 상기 제2 공통 전극선으로부터 고립시키는 단계, 및
    상기 제2 공통 전극선을 상기 제1 지점의 좌측과 상기 제2 지점의 우측에서 절단하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 수리 방법.
  9. 상기 제8항에서,
    상기 게이트선의 내부에는 가로 방향으로 다수의 개구부가 뚫려 있으며, 상기 개구부에 의해 두 갈래로 나뉘어진 제1 부분 및 제2 부분과 상기 개구부가 존재하지 않는 부분인 제3 부분으로 이루어져 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 수리 방법.
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