JP3491079B2 - 液晶表示装置の修復方法 - Google Patents
液晶表示装置の修復方法Info
- Publication number
- JP3491079B2 JP3491079B2 JP14298196A JP14298196A JP3491079B2 JP 3491079 B2 JP3491079 B2 JP 3491079B2 JP 14298196 A JP14298196 A JP 14298196A JP 14298196 A JP14298196 A JP 14298196A JP 3491079 B2 JP3491079 B2 JP 3491079B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drain electrode
- gate
- auxiliary capacitance
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の修復
方法に関する。さらに詳しくはゲート配線または共通補
助容量配線に生じた断線部分に対する修復方法に関す
る。
方法に関する。さらに詳しくはゲート配線または共通補
助容量配線に生じた断線部分に対する修復方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の説明図を図８に示す。図８にはアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の表示領域の一画素およびその周辺
のみが示されている。図９は図８のＣ−Ｃ線断面説明図
であり、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
用いられる薄膜トランジスタの断面説明図である。図８
および図９において、１はゲート配線、１ａはゲート電
極、２２ａ、２２ｂは補助容量電極、３はゲート絶縁
膜、４は半導体層、５は画素電極、６はソース配線、６
ａはソース電極、２７はドレイン電極、８は絶縁性基板
である。図８には、ゲート絶縁膜３および絶縁性基板８
は図示されておらず、図９に示されるゲート電極１ａは
図８においてはとくに示されておらず、図８に示される
ゲート配線１のうち半導体層４の下部に位置する部分を
ゲート電極１ａとする。
装置の説明図を図８に示す。図８にはアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の表示領域の一画素およびその周辺
のみが示されている。図９は図８のＣ−Ｃ線断面説明図
であり、従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
用いられる薄膜トランジスタの断面説明図である。図８
および図９において、１はゲート配線、１ａはゲート電
極、２２ａ、２２ｂは補助容量電極、３はゲート絶縁
膜、４は半導体層、５は画素電極、６はソース配線、６
ａはソース電極、２７はドレイン電極、８は絶縁性基板
である。図８には、ゲート絶縁膜３および絶縁性基板８
は図示されておらず、図９に示されるゲート電極１ａは
図８においてはとくに示されておらず、図８に示される
ゲート配線１のうち半導体層４の下部に位置する部分を
ゲート電極１ａとする。
【０００３】図８には、ゲート配線１とソース配線６と
ソース電極６ａとドレイン電極２７と半導体層４とが２
つずつ図示されている。本明細書において、２つずつ図
示されているものを互いに区別して示す必要があるばあ
いには上段と下段、または右側と左側とで区別する。ア
クティブマトリクス型液晶表示装置の表示領域の一画素
は、下段のゲート配線１に接続されているゲート電極１
ａと、補助容量電極２２ａ、２２ｂと、ゲート絶縁膜３
と、下段の半導体層４と、画素電極５と、左側のソース
配線６に接続されている下段のソース電極６ａと、下段
のドレイン電極２７とからなる。また、ゲート配線１と
ソース配線６とはゲート絶縁膜３を介して垂直に交差し
ており、補助容量電極２２ａ、２２ｂと画素電極５と
は、ゲート絶縁膜３を介して互いに一部が重なっており
補助容量を形成している。
ソース電極６ａとドレイン電極２７と半導体層４とが２
つずつ図示されている。本明細書において、２つずつ図
示されているものを互いに区別して示す必要があるばあ
いには上段と下段、または右側と左側とで区別する。ア
クティブマトリクス型液晶表示装置の表示領域の一画素
は、下段のゲート配線１に接続されているゲート電極１
ａと、補助容量電極２２ａ、２２ｂと、ゲート絶縁膜３
と、下段の半導体層４と、画素電極５と、左側のソース
配線６に接続されている下段のソース電極６ａと、下段
のドレイン電極２７とからなる。また、ゲート配線１と
ソース配線６とはゲート絶縁膜３を介して垂直に交差し
ており、補助容量電極２２ａ、２２ｂと画素電極５と
は、ゲート絶縁膜３を介して互いに一部が重なっており
補助容量を形成している。
【０００４】つぎに従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製法について説明する。まず、絶縁性基板８
上にゲート配線１を形成する。同時に、ゲート電極１ａ
および補助容量電極２２ａ、２２ｂをゲート配線１に接
続するように形成する。さらに、ゲート絶縁膜３を形成
し、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極１ａ上に半導体
層４を形成する。そののち、画素電極５を形成する。最
後に、半導体層４上の、画素電極５側の一部分と、画素
電極５上の、下段のゲート配線１側の一部分とを含む領
域にドレイン電極２７を形成し、同時にゲート絶縁膜３
を介してゲート配線１と垂直に交差するようにソース配
線６を形成する。該ソース配線６には、半導体層４上の
一部分を含む領域に形成されるソース電極６ａが接続さ
れている。
表示装置の製法について説明する。まず、絶縁性基板８
上にゲート配線１を形成する。同時に、ゲート電極１ａ
および補助容量電極２２ａ、２２ｂをゲート配線１に接
続するように形成する。さらに、ゲート絶縁膜３を形成
し、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極１ａ上に半導体
層４を形成する。そののち、画素電極５を形成する。最
後に、半導体層４上の、画素電極５側の一部分と、画素
電極５上の、下段のゲート配線１側の一部分とを含む領
域にドレイン電極２７を形成し、同時にゲート絶縁膜３
を介してゲート配線１と垂直に交差するようにソース配
線６を形成する。該ソース配線６には、半導体層４上の
一部分を含む領域に形成されるソース電極６ａが接続さ
れている。
【０００５】つぎに従来のアクティブマトリクス型液晶
表示装置のゲート配線に断線部分が生じた際に、当該ゲ
ート配線を修復する方法について説明する。
表示装置のゲート配線に断線部分が生じた際に、当該ゲ
ート配線を修復する方法について説明する。
【０００６】ゲート配線に断線部分が生じたばあい、ゲ
ート配線に入力される電気信号（以下、単に「ゲート信
号」ともいう）をゲート配線の両端から入力しない限
り、ゲート配線の一端部から入力したゲート信号はゲー
ト配線の他の端部に伝わらないので、前記断線部分を境
に他の端部側のゲート配線にかかわる画素は正常な表示
ができない。なぜなら、ゲート信号が入力されたばあい
のみ、ソース配線に入力される電気信号（以下、単に
「ソース信号」ともいう）が画素電極に入力されるから
である。
ート配線に入力される電気信号（以下、単に「ゲート信
号」ともいう）をゲート配線の両端から入力しない限
り、ゲート配線の一端部から入力したゲート信号はゲー
ト配線の他の端部に伝わらないので、前記断線部分を境
に他の端部側のゲート配線にかかわる画素は正常な表示
ができない。なぜなら、ゲート信号が入力されたばあい
のみ、ソース配線に入力される電気信号（以下、単に
「ソース信号」ともいう）が画素電極に入力されるから
である。
【０００７】したがって、たとえばツイストネマティッ
ク型の液晶を用いてノーマリーホワイトモードで表示を
制御し、かつ、ゲート配線の両端部のうち左側の端部か
らゲート信号を入力したばあい、前記断線部分を境とし
て右側のゲート配線にかかわる画素はすべて透過状態と
なるため、表示領域においては前記右側のゲート配線に
沿って輝線欠陥が生じる。かかる輝線欠陥は表示領域に
示される画像を劣化させる。なお、ノーマリーホワイト
モードとは、画素電極にソース信号が入力されないとき
画素が透過状態となるモードであり、透過状態とは画素
が輝点となっている状態を示す。
ク型の液晶を用いてノーマリーホワイトモードで表示を
制御し、かつ、ゲート配線の両端部のうち左側の端部か
らゲート信号を入力したばあい、前記断線部分を境とし
て右側のゲート配線にかかわる画素はすべて透過状態と
なるため、表示領域においては前記右側のゲート配線に
沿って輝線欠陥が生じる。かかる輝線欠陥は表示領域に
示される画像を劣化させる。なお、ノーマリーホワイト
モードとは、画素電極にソース信号が入力されないとき
画素が透過状態となるモードであり、透過状態とは画素
が輝点となっている状態を示す。
【０００８】かかる断線部分を修復するために、特公平
３−１６０２３号公報に記載されているようにＦＰＣ
（flexible printed circuit）上に設けられた修復用の
配線を用いたり、特公平３−１６０２９号公報に記載さ
れているように絶縁性基板上に設けられた修復用の配線
を用いたりするばあいがある。図１０を用いて、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置における断線部分
の修復方法について説明する。
３−１６０２３号公報に記載されているようにＦＰＣ
（flexible printed circuit）上に設けられた修復用の
配線を用いたり、特公平３−１６０２９号公報に記載さ
れているように絶縁性基板上に設けられた修復用の配線
を用いたりするばあいがある。図１０を用いて、従来の
アクティブマトリクス型液晶表示装置における断線部分
の修復方法について説明する。
【０００９】図１０は従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を示す説明図である。図１０には、互いに平
行に形成された複数のゲート配線１、該ゲート配線１に
生じた断線部分１０の修復用にあらかじめ設けられた配
線１４、および表示領域１１のみが示されている。前記
配線１４は絶縁膜を介してゲート配線１と交差してい
る。たとえばゲート配線１に生じた断線部分１０を修復
するばあい、ゲート配線１と配線１４とが交差している
部分（図１０において１３で示される部分）を電気的に
接続する。前記ゲート配線１の両端部のうち左側の端部
からゲート信号が入力されているばあい、断線部分１０
より右側のゲート配線１には配線１４を介してゲート信
号が入力される。かかる方法により断線部分１０が修復
される。
晶表示装置を示す説明図である。図１０には、互いに平
行に形成された複数のゲート配線１、該ゲート配線１に
生じた断線部分１０の修復用にあらかじめ設けられた配
線１４、および表示領域１１のみが示されている。前記
配線１４は絶縁膜を介してゲート配線１と交差してい
る。たとえばゲート配線１に生じた断線部分１０を修復
するばあい、ゲート配線１と配線１４とが交差している
部分（図１０において１３で示される部分）を電気的に
接続する。前記ゲート配線１の両端部のうち左側の端部
からゲート信号が入力されているばあい、断線部分１０
より右側のゲート配線１には配線１４を介してゲート信
号が入力される。かかる方法により断線部分１０が修復
される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
断線部分の修復方法は表示領域の周囲に設けられた修復
用の配線を用いるため、液晶表示装置の大型化にともな
い前記表示領域の周囲に設けられる修復用の配線が長く
なり、その結果、ゲート配線の両端部間の信号遅延が大
きくなるという問題がある。
断線部分の修復方法は表示領域の周囲に設けられた修復
用の配線を用いるため、液晶表示装置の大型化にともな
い前記表示領域の周囲に設けられる修復用の配線が長く
なり、その結果、ゲート配線の両端部間の信号遅延が大
きくなるという問題がある。
【００１１】本発明はかかる問題を解決し、ゲート配線
の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を
伝達できるような液晶表示装置の修復方法を提供するこ
とを目的とする。
の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を
伝達できるような液晶表示装置の修復方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
修復方法は、補助容量電極またはゲート配線にゲート絶
縁膜を介して重なりあうように配設されたドレイン電極
を用いて、ゲート配線または共通補助容量配線に生じた
断線部分を修復することを特徴とする。
修復方法は、補助容量電極またはゲート配線にゲート絶
縁膜を介して重なりあうように配設されたドレイン電極
を用いて、ゲート配線または共通補助容量配線に生じた
断線部分を修復することを特徴とする。
【００１３】本発明の液晶表示装置の修復方法は、絶縁
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極と、
前記複数のゲート配線に接続される複数の補助容量電極
とを含んでなる液晶表示装置の修復方法であって、前記
補助容量電極の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが
前記ゲート絶縁膜を介して重なりあうように前記補助容
量電極にゲート配線の断線部分を修復する信号経路を形
成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記ゲー
ト配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極と前記重な
り部分とを用いて修復し、前記断線部分が生じたゲート
配線に接続されている複数の補助容量電極のうち前記断
線部分の最も近くに形成された２つの補助容量電極の重
なり部分を用いて、当該２つの補助容量電極と前記ドレ
イン電極とを電気的に接続し、当該２つの補助容量電極
および前記ドレイン電極を、前記断線部分が生じたゲー
ト配線に入力される電気信号の信号経路として機能させ
ることを特徴とする。それにより、ゲート配線の両端部
間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を伝達でき
る。
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極と、
前記複数のゲート配線に接続される複数の補助容量電極
とを含んでなる液晶表示装置の修復方法であって、前記
補助容量電極の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが
前記ゲート絶縁膜を介して重なりあうように前記補助容
量電極にゲート配線の断線部分を修復する信号経路を形
成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記ゲー
ト配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極と前記重な
り部分とを用いて修復し、前記断線部分が生じたゲート
配線に接続されている複数の補助容量電極のうち前記断
線部分の最も近くに形成された２つの補助容量電極の重
なり部分を用いて、当該２つの補助容量電極と前記ドレ
イン電極とを電気的に接続し、当該２つの補助容量電極
および前記ドレイン電極を、前記断線部分が生じたゲー
ト配線に入力される電気信号の信号経路として機能させ
ることを特徴とする。それにより、ゲート配線の両端部
間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を伝達でき
る。
【００１４】
【００１５】前記ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ
から当該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
から当該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
【００１６】本発明の液晶表示装置の修復方法は、絶縁
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極と、
前記複数のゲート配線に平行に形成される複数の共通補
助容量配線に接続される複数の補助容量電極とを含んで
なる液晶表示装置の修復方法であって、前記補助容量電
極の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが前記ゲート
絶縁膜を介して重なりあうように前記補助容量電極に電
極に共通補助容量配線の断線部分を修復する信号経路を
形成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記共
通補助容量配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極と
前記重なり部分とを用いて修復し、前記断線部分が生じ
た共通補助容量配線に接続されている複数の補助容量電
極のうち前記断線部分の最も近くに形成された２つの補
助容量電極の重なり部分を用いて、当該２つの補助容量
電極と前記ドレイン電極とを電気的に接続し、当該２つ
の補助容量電極および前記ドレイン電極を、前記断線部
分が生じた共通補助容量配線に入力される電気信号の信
号経路として機能させることを特徴とする。それによ
り、ゲート配線の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正
確に電気信号を伝達できる。
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極と、
前記複数のゲート配線に平行に形成される複数の共通補
助容量配線に接続される複数の補助容量電極とを含んで
なる液晶表示装置の修復方法であって、前記補助容量電
極の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが前記ゲート
絶縁膜を介して重なりあうように前記補助容量電極に電
極に共通補助容量配線の断線部分を修復する信号経路を
形成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記共
通補助容量配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極と
前記重なり部分とを用いて修復し、前記断線部分が生じ
た共通補助容量配線に接続されている複数の補助容量電
極のうち前記断線部分の最も近くに形成された２つの補
助容量電極の重なり部分を用いて、当該２つの補助容量
電極と前記ドレイン電極とを電気的に接続し、当該２つ
の補助容量電極および前記ドレイン電極を、前記断線部
分が生じた共通補助容量配線に入力される電気信号の信
号経路として機能させることを特徴とする。それによ
り、ゲート配線の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正
確に電気信号を伝達できる。
【００１７】
【００１８】前記ドレイン電極を含む薄膜トランジスタ
から当該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
から当該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
【００１９】本発明の液晶表示装置の修復方法は、絶縁
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極とを
含んでなる液晶表示装置の修復方法であって、前記ゲー
ト配線の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが前記ゲ
ート絶縁膜を介して重なりあうように前記ドレイン電極
にゲート配線の断線部分を修復する信号経路を形成する
少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記ゲート配線
で生じた断線部分を前記ドレイン電極の重なり部分を用
いて修復し、前記断線部分を挟む前記少なくとも２つの
重なり部分を用いて、前記ゲート配線と前記ドレイン電
極とを電気的に接続し、当該ドレイン電極を前記断線部
分が生じたゲート配線に入力される電気信号の信号経路
として機能させることを特徴とする。それにより、ゲー
ト配線の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気
信号を伝達できる。
性基板上に互いに平行に形成される複数のゲート配線
と、ゲート絶縁膜を介して前記複数のゲート配線に垂直
に形成される複数のソース配線と、前記複数のゲート配
線および前記複数のソース配線の交差部付近に形成さ
れ、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極に接続される複数の画素電極とを
含んでなる液晶表示装置の修復方法であって、前記ゲー
ト配線の一部分と前記ドレイン電極の一部分とが前記ゲ
ート絶縁膜を介して重なりあうように前記ドレイン電極
にゲート配線の断線部分を修復する信号経路を形成する
少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記ゲート配線
で生じた断線部分を前記ドレイン電極の重なり部分を用
いて修復し、前記断線部分を挟む前記少なくとも２つの
重なり部分を用いて、前記ゲート配線と前記ドレイン電
極とを電気的に接続し、当該ドレイン電極を前記断線部
分が生じたゲート配線に入力される電気信号の信号経路
として機能させることを特徴とする。それにより、ゲー
ト配線の両端部間の信号遅延を抑え、かつ、正確に電気
信号を伝達できる。
【００２０】前記重なり部分を前記交差部付近に形成す
ることが、前記断線部分がより前記交差部付近に生じた
ときも、前記断線部分を前記２つの重なり部分で確実に
挟むことができるため好ましい。
ることが、前記断線部分がより前記交差部付近に生じた
ときも、前記断線部分を前記２つの重なり部分で確実に
挟むことができるため好ましい。
【００２１】
【００２２】前記ドレイン電極に接続される前記画素電
極から該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
極から該ドレイン電極を電気的に切り離すことが、より
信頼性の高い修復を実施することができるため好まし
い。
【００２３】本発明の液晶表示装置の修復方法によれ
ば、ゲート配線または共通補助容量配線に生じた断線部
分により線欠陥が発生することが防げる。前記断線部分
の修復により、該修復に用いられたドレイン電極を含む
薄膜トランジスタによって制御される画素は点欠陥とな
ってしまうが、液晶表示装置の制御がノーマリーホワイ
トモードで行われるばあい、当該画素を構成する画素電
極には常にゲート配線または共通補助容量配線に入力さ
れる電気信号が入力されるため、当該画素は黒点欠陥と
なる。表示領域に配設される画素の密度が大変高い高精
細な液晶表示装置において、前記黒点欠陥は目立ちにく
く画像の劣化を低減できる。
ば、ゲート配線または共通補助容量配線に生じた断線部
分により線欠陥が発生することが防げる。前記断線部分
の修復により、該修復に用いられたドレイン電極を含む
薄膜トランジスタによって制御される画素は点欠陥とな
ってしまうが、液晶表示装置の制御がノーマリーホワイ
トモードで行われるばあい、当該画素を構成する画素電
極には常にゲート配線または共通補助容量配線に入力さ
れる電気信号が入力されるため、当該画素は黒点欠陥と
なる。表示領域に配設される画素の密度が大変高い高精
細な液晶表示装置において、前記黒点欠陥は目立ちにく
く画像の劣化を低減できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
の液晶表示装置の修復方法の実施の形態について説明す
る。
の液晶表示装置の修復方法の実施の形態について説明す
る。
【００２５】図１は本発明にかかわるアクティブマトリ
クス型液晶表示装置（以下、単に「液晶表示装置」とも
いう）の一例を示す説明図である。図２は図１のＡ−Ａ
線断面を示す断面説明図である。図１および図２におい
て、１はゲート配線、２ａ、２ｂは補助容量電極、３は
ゲート絶縁膜、４は半導体層、５は画素電極、６はソー
ス配線、６ａはソース電極、７はドレイン電極、８は絶
縁性基板である。図１には、ゲート絶縁膜３および絶縁
性基板８は図示されていない。なお、図２においては、
絶縁性基板８上に形成される各層を明瞭に示すために、
図２において左右方向の寸法に対して上下方向の寸法を
約１００倍程度拡大して図示している。すなわち、実際
には、図２において寸法Ｗはたとえば０．０８〜０．１
５ｍｍ程度であり、一方、寸法Ｈはたとえば０．１×１
０-2〜０．２×１０-2ｍｍ程度である。
クス型液晶表示装置（以下、単に「液晶表示装置」とも
いう）の一例を示す説明図である。図２は図１のＡ−Ａ
線断面を示す断面説明図である。図１および図２におい
て、１はゲート配線、２ａ、２ｂは補助容量電極、３は
ゲート絶縁膜、４は半導体層、５は画素電極、６はソー
ス配線、６ａはソース電極、７はドレイン電極、８は絶
縁性基板である。図１には、ゲート絶縁膜３および絶縁
性基板８は図示されていない。なお、図２においては、
絶縁性基板８上に形成される各層を明瞭に示すために、
図２において左右方向の寸法に対して上下方向の寸法を
約１００倍程度拡大して図示している。すなわち、実際
には、図２において寸法Ｗはたとえば０．０８〜０．１
５ｍｍ程度であり、一方、寸法Ｈはたとえば０．１×１
０-2〜０．２×１０-2ｍｍ程度である。
【００２６】つぎに本発明にかかわる液晶表示装置につ
いて説明する。前記液晶表示装置は絶縁性基板８上に互
いに平行に形成される複数のゲート配線１と、ゲート絶
縁膜３を介して前記複数のゲート配線１に垂直に形成さ
れる複数のソース配線６と、前記複数のゲート配線１お
よび前記複数のソース配線６の交差部付近に形成され、
かつ、ドレイン電極７を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極７に接続される複数の画素電極５
と、液晶表示装置のブラックマトリクスを兼ね、かつ、
前記複数のゲート配線１に接続される複数の補助容量電
極２ａ、２ｂとを含んでなる。前記液晶表示装置に含ま
れる薄膜トランジスタは、絶縁性基板８上に形成され、
かつ、ゲート配線１に接続されるゲート電極と、該ゲー
ト電極を覆うように形成されるゲート絶縁膜３と、ゲー
ト絶縁膜３を介してゲート電極上に形成される半導体層
４と、半導体層４上に形成され、かつ、ソース配線６に
接続されるソース電極６ａと、半導体層４上に形成さ
れ、かつ、画素電極５に接続されるドレイン電極７とを
含んでなる。図１においてゲート電極は符号を用いて示
されていないが、図１に示されるゲート配線１のうち半
導体層４の下部に位置する部分がゲート電極である。本
発明においては、前記補助容量電極２ａ、２ｂの一部分
と前記ドレイン電極７の一部分とが前記ゲート絶縁膜を
介して重なりあうように、前記補助容量電極に重なり部
分を形成する。前記重なり部分は図１において９ａ、９
ｂで示される部分であり、前記重なり部分の形状はたと
えば一辺が１０μｍ程度の正方形である。
いて説明する。前記液晶表示装置は絶縁性基板８上に互
いに平行に形成される複数のゲート配線１と、ゲート絶
縁膜３を介して前記複数のゲート配線１に垂直に形成さ
れる複数のソース配線６と、前記複数のゲート配線１お
よび前記複数のソース配線６の交差部付近に形成され、
かつ、ドレイン電極７を含む複数の薄膜トランジスタ
と、前記ドレイン電極７に接続される複数の画素電極５
と、液晶表示装置のブラックマトリクスを兼ね、かつ、
前記複数のゲート配線１に接続される複数の補助容量電
極２ａ、２ｂとを含んでなる。前記液晶表示装置に含ま
れる薄膜トランジスタは、絶縁性基板８上に形成され、
かつ、ゲート配線１に接続されるゲート電極と、該ゲー
ト電極を覆うように形成されるゲート絶縁膜３と、ゲー
ト絶縁膜３を介してゲート電極上に形成される半導体層
４と、半導体層４上に形成され、かつ、ソース配線６に
接続されるソース電極６ａと、半導体層４上に形成さ
れ、かつ、画素電極５に接続されるドレイン電極７とを
含んでなる。図１においてゲート電極は符号を用いて示
されていないが、図１に示されるゲート配線１のうち半
導体層４の下部に位置する部分がゲート電極である。本
発明においては、前記補助容量電極２ａ、２ｂの一部分
と前記ドレイン電極７の一部分とが前記ゲート絶縁膜を
介して重なりあうように、前記補助容量電極に重なり部
分を形成する。前記重なり部分は図１において９ａ、９
ｂで示される部分であり、前記重なり部分の形状はたと
えば一辺が１０μｍ程度の正方形である。
【００２７】つぎに本発明にかかわる液晶表示装置の製
法について説明する。
法について説明する。
【００２８】まず、ガラス基板などからなる絶縁性基板
８上にクロムの膜を厚さ４０００Å程度堆積し、レジス
ト液の塗布、感光および現像などからなるフォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストパターンを形成し、エッチ
ングによりパターニングを行いゲート配線１を形成す
る。このとき同時にゲート配線１に接続されるゲート電
極および補助容量電極２ａ、２ｂを形成する。つぎに、
ゲート絶縁膜３としての厚さ４０００Å程度の窒化シリ
コン膜と、半導体層４となる厚さ１５００Å程度のアモ
ルファスシリコン膜および厚さ３００Å程度の不純物が
ドープされたｐ型アモルファスシリコン膜（図１におい
て、ｐ型アモルファスシリコン膜は図示されていない）
とをプラズマＣＶＤ装置により連続的に成膜する。さら
に、前記フォトリソグラフィ技術およびエッチングによ
ってアモルファスシリコン膜とｐ型アモルファスシリコ
ン膜とをゲート電極上にアイランド状にパターニングす
る。つぎに、酸化スズが添加された酸化インジウム、す
なわちＩＴＯ膜を厚さ１０００Å程度成膜し、前記フォ
トリソグラフィ技術およびエッチングによってパターニ
ングし、画素電極５を形成する。さらに、厚さ１０００
Å程度のクロムの膜と厚さ３０００Å程度のアルミニウ
ムの膜を形成し、前記フォトリソグラフィ技術およびエ
ッチングによってパターニングし、ソース配線６と該ソ
ース配線６に接続されるソース電極６ａとドレイン電極
７とを形成する。そののち、前記アイランド状のｐ型ア
モルファスシリコン膜のうち、ソース電極６ａとドレイ
ン電極７との下部に存在する部分を残して、ｐ型アモル
ファスシリコン膜を除去し、最後に液晶表示装置の表示
領域を覆う保護膜（図示せず）としての窒化シリコン膜
を成膜することにより、本発明にかかわる液晶表示装置
をうる。
８上にクロムの膜を厚さ４０００Å程度堆積し、レジス
ト液の塗布、感光および現像などからなるフォトリソグ
ラフィ技術を用いてレジストパターンを形成し、エッチ
ングによりパターニングを行いゲート配線１を形成す
る。このとき同時にゲート配線１に接続されるゲート電
極および補助容量電極２ａ、２ｂを形成する。つぎに、
ゲート絶縁膜３としての厚さ４０００Å程度の窒化シリ
コン膜と、半導体層４となる厚さ１５００Å程度のアモ
ルファスシリコン膜および厚さ３００Å程度の不純物が
ドープされたｐ型アモルファスシリコン膜（図１におい
て、ｐ型アモルファスシリコン膜は図示されていない）
とをプラズマＣＶＤ装置により連続的に成膜する。さら
に、前記フォトリソグラフィ技術およびエッチングによ
ってアモルファスシリコン膜とｐ型アモルファスシリコ
ン膜とをゲート電極上にアイランド状にパターニングす
る。つぎに、酸化スズが添加された酸化インジウム、す
なわちＩＴＯ膜を厚さ１０００Å程度成膜し、前記フォ
トリソグラフィ技術およびエッチングによってパターニ
ングし、画素電極５を形成する。さらに、厚さ１０００
Å程度のクロムの膜と厚さ３０００Å程度のアルミニウ
ムの膜を形成し、前記フォトリソグラフィ技術およびエ
ッチングによってパターニングし、ソース配線６と該ソ
ース配線６に接続されるソース電極６ａとドレイン電極
７とを形成する。そののち、前記アイランド状のｐ型ア
モルファスシリコン膜のうち、ソース電極６ａとドレイ
ン電極７との下部に存在する部分を残して、ｐ型アモル
ファスシリコン膜を除去し、最後に液晶表示装置の表示
領域を覆う保護膜（図示せず）としての窒化シリコン膜
を成膜することにより、本発明にかかわる液晶表示装置
をうる。
【００２９】つぎに本発明の液晶表示装置の修復方法に
ついて図３〜図５を用いて説明する。図３および図５は
本発明にかかわる液晶表示装置の一例を示す説明図であ
る。図４は図３のＢ−Ｂ線断面を示す断面説明図であ
る。図３〜図５に示される液晶表示装置において、図１
および図２に示される液晶表示装置と同一の部分につい
ては図１において用いられた符号と同一の符号が用いら
れる。なお、図４もわかり易くするために図２と同様の
割合で拡大されている。
ついて図３〜図５を用いて説明する。図３および図５は
本発明にかかわる液晶表示装置の一例を示す説明図であ
る。図４は図３のＢ−Ｂ線断面を示す断面説明図であ
る。図３〜図５に示される液晶表示装置において、図１
および図２に示される液晶表示装置と同一の部分につい
ては図１において用いられた符号と同一の符号が用いら
れる。なお、図４もわかり易くするために図２と同様の
割合で拡大されている。
【００３０】たとえば、図３に示される２つのゲート配
線１のうち、上段のゲート配線１に断線部分１０が生じ
ているばあい、断線部分１０が生じたゲート配線１に接
続されている複数の補助容量電極のうち断線部分１０の
最も近くに形成された２つの補助容量電極、すなわち補
助容量電極２ａ、２ｂを用いて上段のゲート配線１の修
復が行われる。上段のゲート配線１を修復するために
は、補助容量電極２ａ、２ｂの重なり部分９ａ、９ｂに
おいてレーザリペア装置を用いて、補助容量電極２ａ、
２ｂと、重なり部分９ａ、９ｂ上に形成されるドレイン
電極７とを電気的に接続する。補助容量電極２ａ、２ｂ
とドレイン電極７とが電気的に接続されている様子が図
４に示されており、前記レーザリペア装置を用いて、ド
レイン電極７の一部分を溶かし、ゲート絶縁膜の一部分
に貫通孔を形成し、補助容量電極２ａ、２ｂとドレイン
電極７とを電気的に接続している。その結果、上段のゲ
ート配線１に入力された電気信号の信号経路が補助容量
電極２ａ、２ｂおよび前記ドレイン電極７によって確保
される。したがって、上段のゲート配線１の１つの端部
から入力された電気信号を上段のゲート配線１の他の端
部に伝えることができる。
線１のうち、上段のゲート配線１に断線部分１０が生じ
ているばあい、断線部分１０が生じたゲート配線１に接
続されている複数の補助容量電極のうち断線部分１０の
最も近くに形成された２つの補助容量電極、すなわち補
助容量電極２ａ、２ｂを用いて上段のゲート配線１の修
復が行われる。上段のゲート配線１を修復するために
は、補助容量電極２ａ、２ｂの重なり部分９ａ、９ｂに
おいてレーザリペア装置を用いて、補助容量電極２ａ、
２ｂと、重なり部分９ａ、９ｂ上に形成されるドレイン
電極７とを電気的に接続する。補助容量電極２ａ、２ｂ
とドレイン電極７とが電気的に接続されている様子が図
４に示されており、前記レーザリペア装置を用いて、ド
レイン電極７の一部分を溶かし、ゲート絶縁膜の一部分
に貫通孔を形成し、補助容量電極２ａ、２ｂとドレイン
電極７とを電気的に接続している。その結果、上段のゲ
ート配線１に入力された電気信号の信号経路が補助容量
電極２ａ、２ｂおよび前記ドレイン電極７によって確保
される。したがって、上段のゲート配線１の１つの端部
から入力された電気信号を上段のゲート配線１の他の端
部に伝えることができる。
【００３１】さらに、図５に示されるように修復に利用
したドレイン電極７を薄膜トランジスタの半導体層４か
ら電気的に切り離し、ドレイン電極７に伝わる電気信号
が前記半導体層４に伝わらないようにした。その結果、
前記上段のゲート配線１に入力される電気信号が、修復
に利用したドレイン電極７を含む薄膜トランジスタに影
響をおよぼすことなく、より信頼性の高い修復を実施す
ることができる。
したドレイン電極７を薄膜トランジスタの半導体層４か
ら電気的に切り離し、ドレイン電極７に伝わる電気信号
が前記半導体層４に伝わらないようにした。その結果、
前記上段のゲート配線１に入力される電気信号が、修復
に利用したドレイン電極７を含む薄膜トランジスタに影
響をおよぼすことなく、より信頼性の高い修復を実施す
ることができる。
【００３２】つぎに図面を参照しながら本発明の液晶表
示装置の修復方法を液晶表示装置の共通補助容量配線に
生じた断線部分に実施した例について説明する。
示装置の修復方法を液晶表示装置の共通補助容量配線に
生じた断線部分に実施した例について説明する。
【００３３】図６は共通補助容量配線を含む液晶表示装
置の他の例を示す説明図である。図６に示される液晶表
示装置において、図１に示される液晶表示装置と同一の
部分については図１において用いられた符号と同一の符
号が用いられる。図６に示される液晶表示装置と図１に
示される液晶表示装置とのあいだで異なる点は、図１に
示される液晶表示装置の補助容量電極はゲート配線に接
続されているが、図６に示される液晶表示装置の補助容
量電極は共通補助容量配線２に接続されているという点
のみである。
置の他の例を示す説明図である。図６に示される液晶表
示装置において、図１に示される液晶表示装置と同一の
部分については図１において用いられた符号と同一の符
号が用いられる。図６に示される液晶表示装置と図１に
示される液晶表示装置とのあいだで異なる点は、図１に
示される液晶表示装置の補助容量電極はゲート配線に接
続されているが、図６に示される液晶表示装置の補助容
量電極は共通補助容量配線２に接続されているという点
のみである。
【００３４】たとえば共通補助容量配線２に断線部分１
０が生じたばあい、断線部分１０が生じた共通補助容量
配線２に接続されている複数の補助容量電極のうち前記
断線部分の最も近くに形成された２つの補助容量電極、
すなわち補助容量電極２ａ、２ｂの重なり部分を用い
て、当該補助容量電極２ａ、２ｂと前記ドレイン電極７
とを電気的に接続する。その結果、当該補助容量電極２
ａ、２ｂおよび前記ドレイン電極７が、前記断線部分１
０が生じた共通補助容量配線に入力される電気信号の信
号経路となる。さらに、信頼性の高い修復を実施するた
めに前記ドレイン電極７を含む薄膜トランジスタの半導
体層４から当該ドレイン電極７を電気的に切り離すこと
により、断線部分１０が生じた共通補助容量配線２を修
復することができる。
０が生じたばあい、断線部分１０が生じた共通補助容量
配線２に接続されている複数の補助容量電極のうち前記
断線部分の最も近くに形成された２つの補助容量電極、
すなわち補助容量電極２ａ、２ｂの重なり部分を用い
て、当該補助容量電極２ａ、２ｂと前記ドレイン電極７
とを電気的に接続する。その結果、当該補助容量電極２
ａ、２ｂおよび前記ドレイン電極７が、前記断線部分１
０が生じた共通補助容量配線に入力される電気信号の信
号経路となる。さらに、信頼性の高い修復を実施するた
めに前記ドレイン電極７を含む薄膜トランジスタの半導
体層４から当該ドレイン電極７を電気的に切り離すこと
により、断線部分１０が生じた共通補助容量配線２を修
復することができる。
【００３５】つぎに図面を参照しながら本発明の液晶表
示装置の修復方法の他の例について説明する。図７は液
晶表示装置の他の例を示す説明図である。図７に示され
る液晶表示装置において、図１に示される液晶表示装置
と同一の部分については図１において用いられた符号と
同一の符号が用いられる。図７に示される液晶表示装置
と図１に示される液晶表示装置とのあいだで異なる点
は、図７に示される液晶表示装置の補助容量電極１２が
液晶表示装置のブラックマトリクスを兼ねていないとい
う点である。かかるばあいにおいても、下段のゲート配
線１に生じた断線部分１０に最も近いドレイン電極１７
の重なり部分１９ａ、１９ｂを用いて下段のゲート配線
１に生じた断線部分１０を修正する。なお、重なり部分
１９ａ、１９ｂをゲート配線１とソース配線６との交差
部付近に形成することにより、断線部分がより前記交差
部付近に生じたばあいでも重なり部分１９ａ、１９ｂで
断線部分を確実に挟み、断線部分１０が生じたゲート配
線１の両端部に電気信号を伝えることができる。
示装置の修復方法の他の例について説明する。図７は液
晶表示装置の他の例を示す説明図である。図７に示され
る液晶表示装置において、図１に示される液晶表示装置
と同一の部分については図１において用いられた符号と
同一の符号が用いられる。図７に示される液晶表示装置
と図１に示される液晶表示装置とのあいだで異なる点
は、図７に示される液晶表示装置の補助容量電極１２が
液晶表示装置のブラックマトリクスを兼ねていないとい
う点である。かかるばあいにおいても、下段のゲート配
線１に生じた断線部分１０に最も近いドレイン電極１７
の重なり部分１９ａ、１９ｂを用いて下段のゲート配線
１に生じた断線部分１０を修正する。なお、重なり部分
１９ａ、１９ｂをゲート配線１とソース配線６との交差
部付近に形成することにより、断線部分がより前記交差
部付近に生じたばあいでも重なり部分１９ａ、１９ｂで
断線部分を確実に挟み、断線部分１０が生じたゲート配
線１の両端部に電気信号を伝えることができる。
【００３６】たとえば下段のゲート配線１に断線部分１
０が生じたばあい、断線部分１０を挟む２つの重なり部
分１９ａ、１９ｂにおいて、ゲート配線１とドレイン電
極１７とを電気的に接続し、当該ドレイン電極１７を前
記断線部分１０が生じたゲート配線１に入力される電気
信号の信号経路として機能させる。さらに、信頼性の高
い修復を実施するために、ドレイン電極１７に接続され
る画素電極５から当該ドレイン電極１７を電気的に切り
離す。かかる修復方法により、断線部分１０が生じたゲ
ート配線１にかかわる画素が線欠陥となることを防止で
きる。
０が生じたばあい、断線部分１０を挟む２つの重なり部
分１９ａ、１９ｂにおいて、ゲート配線１とドレイン電
極１７とを電気的に接続し、当該ドレイン電極１７を前
記断線部分１０が生じたゲート配線１に入力される電気
信号の信号経路として機能させる。さらに、信頼性の高
い修復を実施するために、ドレイン電極１７に接続され
る画素電極５から当該ドレイン電極１７を電気的に切り
離す。かかる修復方法により、断線部分１０が生じたゲ
ート配線１にかかわる画素が線欠陥となることを防止で
きる。
【００３７】本発明の液晶表示装置の修復方法に用いる
前記レーザリペア装置は、たとえばＹＡＧレーザであ
る。また、前記修復に用いたドレイン電極を半導体層ま
たは画素電極から電気的に切り離すためには、たとえば
レーザカットを行う。なお、前記レーザリペア装置を用
いて重なり部分において電気的な接続を行うばあい、当
該接続によって前記重なり部分に発生する接続抵抗は１
００〜２００Ω程度であり、表示に影響を及さない程度
にまで電気信号の信号遅延を低減することができる。
前記レーザリペア装置は、たとえばＹＡＧレーザであ
る。また、前記修復に用いたドレイン電極を半導体層ま
たは画素電極から電気的に切り離すためには、たとえば
レーザカットを行う。なお、前記レーザリペア装置を用
いて重なり部分において電気的な接続を行うばあい、当
該接続によって前記重なり部分に発生する接続抵抗は１
００〜２００Ω程度であり、表示に影響を及さない程度
にまで電気信号の信号遅延を低減することができる。
【００３８】本発明にかかわるの液晶表示装置におい
て、絶縁性基板はたとえばプラスチックまたはガラス基
板からなることが好ましく、強度の点で厚さ１ｍｍ程度
のガラス基板からなることがとくに好ましく、ゲート配
線、ゲート電極および補助容量電極はたとえばアルミニ
ウムの膜またはクロムの膜からなることが好ましく、耐
熱性および耐薬品性の点でスパッタ法で形成された厚さ
４０００Å程度のクロムの膜からなることがとくに好ま
しく、ゲート絶縁膜はたとえば酸化シリコンまたは窒化
シリコン膜からなることが好ましく、所望の特性を有す
るトランジスタをうることができる点でプラズマＣＶＤ
法で形成された厚さ４０００Å程度の窒化シリコン膜か
らなることがとくに好ましく、半導体層は、たとえばア
モルファスシリコンの層とリンイオンがドープされたｎ
型アモルファスシリコンの層とからなる、またはアモル
ファスシリコンの層とヒ素イオンがドープされたｎ型ア
モルファスシリコンの層とからなることが好ましく、所
望の特性を有するトランジスタをうることができる点で
プラズマＣＶＤ法で形成された厚さ１５００Å程度のア
モルファスシリコンの層とリンイオンがドープされた厚
さ３００Å程度のｎ型アモルファスシリコンの層とから
なることがとくに好ましく、画素電極は、酸化スズまた
はＩＴＯの膜からなることが好ましく、容易に加工しう
る点でプラズマＣＶＤ法で形成された厚さ１０００Å程
度のＩＴＯの膜からなることがとくに好ましく、ドレイ
ン電極、ソース電極およびソース配線はたとえばクロム
の膜からなる、またはクロムの膜とアルミニウムの膜と
からなることが好ましく、電気抵抗が小さい点でスパッ
タ法で形成された厚さ１０００Å程度のクロムの膜と厚
さ３０００Å程度のアルミニウムの膜とからなることが
とくに好ましい。
て、絶縁性基板はたとえばプラスチックまたはガラス基
板からなることが好ましく、強度の点で厚さ１ｍｍ程度
のガラス基板からなることがとくに好ましく、ゲート配
線、ゲート電極および補助容量電極はたとえばアルミニ
ウムの膜またはクロムの膜からなることが好ましく、耐
熱性および耐薬品性の点でスパッタ法で形成された厚さ
４０００Å程度のクロムの膜からなることがとくに好ま
しく、ゲート絶縁膜はたとえば酸化シリコンまたは窒化
シリコン膜からなることが好ましく、所望の特性を有す
るトランジスタをうることができる点でプラズマＣＶＤ
法で形成された厚さ４０００Å程度の窒化シリコン膜か
らなることがとくに好ましく、半導体層は、たとえばア
モルファスシリコンの層とリンイオンがドープされたｎ
型アモルファスシリコンの層とからなる、またはアモル
ファスシリコンの層とヒ素イオンがドープされたｎ型ア
モルファスシリコンの層とからなることが好ましく、所
望の特性を有するトランジスタをうることができる点で
プラズマＣＶＤ法で形成された厚さ１５００Å程度のア
モルファスシリコンの層とリンイオンがドープされた厚
さ３００Å程度のｎ型アモルファスシリコンの層とから
なることがとくに好ましく、画素電極は、酸化スズまた
はＩＴＯの膜からなることが好ましく、容易に加工しう
る点でプラズマＣＶＤ法で形成された厚さ１０００Å程
度のＩＴＯの膜からなることがとくに好ましく、ドレイ
ン電極、ソース電極およびソース配線はたとえばクロム
の膜からなる、またはクロムの膜とアルミニウムの膜と
からなることが好ましく、電気抵抗が小さい点でスパッ
タ法で形成された厚さ１０００Å程度のクロムの膜と厚
さ３０００Å程度のアルミニウムの膜とからなることが
とくに好ましい。
【００３９】また、前記断線部分の修復により、該修復
に用いられたドレイン電極を含む薄膜トランジスタによ
って制御される画素は点欠陥となってしまうが、液晶表
示装置の制御をノーマリーホワイトモードで行うことに
より当該画素は黒点欠陥となり、さらに、表示領域に配
設される画素の密度が大変高い高精細な液晶表示装置に
おいて、前記黒点欠陥は目立ちにくいため画像の劣化を
充分に低減できる。
に用いられたドレイン電極を含む薄膜トランジスタによ
って制御される画素は点欠陥となってしまうが、液晶表
示装置の制御をノーマリーホワイトモードで行うことに
より当該画素は黒点欠陥となり、さらに、表示領域に配
設される画素の密度が大変高い高精細な液晶表示装置に
おいて、前記黒点欠陥は目立ちにくいため画像の劣化を
充分に低減できる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置に含まれ
るゲート配線または共通補助容量電極の両端部間の信号
遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を伝達できるよう
に、ゲート配線または共通補助容量電極に生じた断線部
分を修復することができる。
るゲート配線または共通補助容量電極の両端部間の信号
遅延を抑え、かつ、正確に電気信号を伝達できるよう
に、ゲート配線または共通補助容量電極に生じた断線部
分を修復することができる。
【図１】本発明にかかわるの液晶表示装置の一例を示す
説明図である。
説明図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面を示す断面説明図である。
【図３】本発明にかかわる液晶表示装置の一例を示す説
明図である。
明図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線断面を示す断面説明図である。
【図５】本発明にかかわる液晶表示装置の一例を示す説
明図である。
明図である。
【図６】本発明にかかわる液晶表示装置の他の例を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明にかかわる液晶表示装置の他の例を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】従来の液晶表示装置を示す説明図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線断面を示す断面説明図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ ゲート配線
２ａ、２ｂ 補助容量電極
５ 画素電極
６ ソース配線
７ ドレイン電極
９ａ、９ｂ 重なり部分
１０ 断線部分
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1362
G02F 1/1343
G02F 1/13 101
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に互いに平行に形成される
複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜を介して前記複数の
ゲート配線に垂直に形成される複数のソース配線と、前
記複数のゲート配線および前記複数のソース配線の交差
部付近に形成され、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄
膜トランジスタと、前記ドレイン電極に接続される複数
の画素電極と、前記複数のゲート配線に接続される複数
の補助容量電極とを含んでなる液晶表示装置の修復方法
であって、 前記補助容量電極の一部分と前記ドレイン電極の一部分
とが前記ゲート絶縁膜を介して重なりあうように前記補
助容量電極にゲート配線の断線部分を修復する信号経路
を形成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、前記
ゲート配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極と前記
重なり部分とを用いて修復し、 前記断線部分が生じたゲート配線に接続されている複数
の補助容量電極のうち前記断線部分の最も近くに形成さ
れた２つの補助容量電極の重なり部分を用いて、当該２
つの補助容量電極と前記ドレイン電極とを電気的に接続
し、当該２つの補助容量電極および前記ドレイン電極
を、前記断線部分が生じたゲート配線に入力される電気
信号の信号経路として機能させる ことを特徴とする液晶
表示装置の修復方法。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に互いに平行に形成される
複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜を介して前記複数の
ゲート配線に垂直に形成される複数のソース配線と、前
記複数のゲート配線および前記複数のソース配線の交差
部付近に形成され、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄
膜トランジスタと、前記ドレイン電極に接続される複数
の画素電極と、前記複数のゲート配線に平行に形成され
る複数の共通補助容量配線に接続される複数の補助容量
電極とを含んでなる液晶表示装置の修復方法であって、 前記補助容量電極の一部分と前記ドレイン電極の一部分
とが前記ゲート絶縁膜を介して重なりあうように前記補
助容量電極に共通補助容量配線の断線部分を修復する信
号経路を形成する少なくとも２つの重なり部分を形成
し、前記共通補助容量配線で生じた断線部分を前記ドレ
イン電極と前記重なり部分とを用いて修復し、 前記断線部分が生じた共通補助容量配線に接続されてい
る複数の補助容量電極のうち前記断線部分の最も近くに
形成された２つの補助容量電極の重なり部分を用いて、
当該２つの補助容量電極と前記ドレイン電極とを電気的
に接続し、当該２つの補助容量電極および前記ドレイン
電極を、前記断線部分が生じた共通補助容量配線に入力
される電気信号の信号経路として機能させる ことを特徴
とする液晶表示装置の修復方法。 - 【請求項３】 前記ドレイン電極を含む薄膜トランジス
タから当該ドレイン電極を電気的に切り離す請求項１ま
たは２記載の液晶表示装置の修復方法。 - 【請求項４】 絶縁性基板上に互いに平行に形成される
複数のゲート配線と、ゲート絶縁膜を介して前記複数の
ゲート配線に垂直に形成される複数のソース配線と、前
記複数のゲート配線および前記複数のソース配線の交差
部付近に形成され、かつ、ドレイン電極を含む複数の薄
膜トランジスタと、前記ドレイン電極に接続される複数
の画素電極とを含んでなる液晶表示装置の修復方法であ
って、前記ゲート配線の一部分と前記ドレイン電極の一
部分とが前記ゲート絶縁膜を介して重なりあうように前
記ドレイン電極にゲート配線の断線部分を修復する信号
経路を形成する少なくとも２つの重なり部分を形成し、
前記ゲート配線で生じた断線部分を前記ドレイン電極の
重なり部分を用いて修復し、 前記断線部分を挟む前記少なくとも２つの重なり部分を
用いて、前記ゲート配線と前記ドレイン電極とを電気的
に接続し、当該ドレイン電極を前記断線部分が生じたゲ
ート配線に入力される電気信号の信号経路として機能さ
せる ことを特徴とする液晶表示装置の修復方法。 - 【請求項５】 前記重なり部分を前記交差部付近に形成
する請求項４記載の液晶表示装置の修復方法。 - 【請求項６】 前記ドレイン電極に接続される前記画素
電極から当該ドレイン電極を電気的に切り離す請求項４
または５記載の液晶表示装置の修復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298196A JP3491079B2 (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 液晶表示装置の修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14298196A JP3491079B2 (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 液晶表示装置の修復方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09325363A JPH09325363A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3491079B2 true JP3491079B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=15328161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14298196A Expired - Fee Related JP3491079B2 (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 液晶表示装置の修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3491079B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074556A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
| CN106154663A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构、显示装置、阵列基板及其制作方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000250436A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法 |
| JP4584387B2 (ja) | 1999-11-19 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその欠陥修復方法 |
| US6627863B2 (en) | 2000-12-15 | 2003-09-30 | Mitutoyo Corporation | System and methods to determine the settings of multiple light sources in a vision system |
| CN1264059C (zh) * | 2001-01-25 | 2006-07-12 | 松下电器产业株式会社 | 液晶显示装置 |
| KR100750921B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 수리 구조를 갖추고 있는 액정 표시 장치용 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 그 수리 방법 |
| KR100885839B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2009-02-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 소자 |
| JP4491205B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2010-06-30 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | スイッチング素子アレイ基板の修復方法 |
| KR101306239B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2013-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법 |
| CN108957804B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置 |
-
1996
- 1996-06-05 JP JP14298196A patent/JP3491079B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007074556A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、表示装置、テレビジョン受像機、アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法 |
| JPWO2007074556A1 (ja) * | 2005-12-26 | 2009-06-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
| JP2009169436A (ja) * | 2005-12-26 | 2009-07-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
| US7583354B2 (en) | 2005-12-26 | 2009-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display device, television receiver, and method for repairing defects of active matrix substrate |
| US8045076B2 (en) | 2005-12-26 | 2011-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, display device, television receiver, and method for repairing defects of active matrix substrate |
| CN101866085B (zh) * | 2005-12-26 | 2012-07-25 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其缺陷修正方法、显示装置、电视接收机 |
| CN106154663A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构、显示装置、阵列基板及其制作方法 |
| CN106154663B (zh) * | 2016-08-09 | 2019-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构、显示装置、阵列基板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09325363A (ja) | 1997-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5943106A (en) | Liquid crystal display with branched of auxiliary capacitor pattern and its manufacture method | |
| US7430024B2 (en) | Active matrix substrate and display device | |
| US8294839B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| US6441401B1 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same | |
| KR100283733B1 (ko) | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법 | |
| US5517341A (en) | Liquid crystal display with TFT and capacitor electrodes with redundant connection | |
| US7973871B2 (en) | Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof | |
| KR100318539B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| JPH1138449A (ja) | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 | |
| JPH1026771A (ja) | 液晶表示パネルおよびその補修方法 | |
| KR100405236B1 (ko) | 매트릭스 어레이기판 | |
| US6798442B1 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| US6429908B1 (en) | Method for manufacturing a gate of thin film transistor in a liquid crystal display device | |
| JP3491079B2 (ja) | 液晶表示装置の修復方法 | |
| JP2004198718A (ja) | 表示装置及びその欠陥修正方法 | |
| KR100612992B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법 | |
| JP3335567B2 (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 | |
| JP2962932B2 (ja) | 液晶表示装置の修正方法 | |
| JPH03171034A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| KR100293503B1 (ko) | 박막트랜지스터형 액정 디스플레이소자 및 그 장치의 리페어방법 | |
| KR20000065687A (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법 | |
| KR100333981B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 수리 방법 | |
| KR950004218B1 (ko) | 매트릭스 어드레스 표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH04278928A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH10104648A (ja) | アクティブマトリクス基板及びその欠陥修正方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101114 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |