KR0182247B1 - 리페어선을 가지고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 - Google Patents

리페어선을 가지고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 Download PDF

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Abstract

기판 위에 화소 전극이 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 화소 전극의 하부에는 절연막이 형성되어 있으며, 이 절연막에는 컨택홀이 형성되어 있어 이 컨택홀을 통하여 화소에 구동 신호를 전달하는 게이트선이 접속되어 있으며, 게이트선은 화소 전극의 상측과 하측의 끝부분과 일부분 겹치도록 평행하게 형성되어 있으며, 화소 전극의 둘레에는 보조 게이트선이 형성되어 있으며, 화소 전극에 데이터 신호를 보내주는 데이터선은 화소 전극과 겹치기 않게 보조 게이트선 위에 형성되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서, 데이터선의 일부분이 단선되었을 때 단선된 데이터선의 주변인 제1 단락 부분과 제2 단락 부분을 레이저로 단락 시킨 후 보조 게이트선의 제1 단선 부분을 단선시킨 후 데이터선과 겹치지 않은 보조 게이트선의 일부분인 제2 단선 부분을 단선시킴으로써 용이하게 리페어할 수 있게 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.

Description

리페어선을 가지고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
제1도는 데이터 리페이선을 갖고 있는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제2도는 게이트 리페이선을 갖고 있는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제4도는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 리페어 방법을 나타낸 평면도이고,
제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제6도는 본 발명의 제3실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제7도는 본 발명의 제4실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이 리페어된 것을 나타낸 평면도이다.
본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면, 이중 게이트 선을 갖는 박막 트랜지스터의 데이터선 단선시 리페어하기 용이한 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있고, 게이트선 및 데이터선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하고 있다. 이때, 상기 박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극은 게이트 선을 통해 게이트 구동 드라이브로부터 게이트 구동 신호를 전달받아 반도체층에 채널을 형성하고, 이에 따라 데이터 구동 드라이브로부터의 데이터 신호는 상기 데이터선을 통해 소스 전극에 전달되고 반도체층과 드레인 전극을 거쳐 화소 전극에 전달된다.
이와 같은 액정 표시 장치는 휴대하기 편리하고 우수한 화질로 인해 각광을 받고 있다. 이러한 액정 표시 장치는 좋은 화질의 구현을 위해서는 선결함이나 점결함들이 없어야 한다. 특히, 데이터선의 단선은 화면의 선결함으로 나타나기 때문에 치명적이다. 따라서 선결함이 발생할 경우에는 리페어선을 설치하여 단선된 데이터선을 리페어한다.
제1도는 종래의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
제1도에 도시한 바와 같이, 종래의 리페어선(2)은 리페어선(2)을 액티브 영역 외곽으로 둘러싸게 형성시키고 게이트선(1) 또는 데이터선(4)이 오픈되었을 경우 리페어한다.
제1도의 액정 표시 장치의 리페어선(2)의 형성 방법을 설명한다.
기판 위에 게이트 전극, 게이트선(1) 형성시 리페어선(2)을 동시에 형성시킨다. 그리고 양극 산화시키기 위한 쇼팅바도 함께 형성한다.
다음, 게이트 전극과 게이트선(1) 그리고 리페어선(2)을 양극 산화시킨다. 단, 게이트 패드 컨택 영역은 포토레지스트를 이용하여 양극 산화되지 않게 한다.
다음, 게이트 절연막, 비정질 실리콘막, n+ 비정질 실리콘막을 연속 증착하고 사진 식각하여 비정질 실리콘막과 n+ 비정질 실리콘막으로 이루어진 액티브막을 형성한다.
다음, 게이트 전극보다 저항이 큰 금속을 적층하고 식각하여 소스/드레인 전극과 데이터선(4), 그리고 데이터 패드부 및 게이트 패드부를 형성한다.
상기와 같은 공정 순서에 의해 형성된 액정 표시 장치는 제1도에 도시한 바와 같이, 리페어선(2)이 데이터선(4)과 교차되어 겹치게 되고, 게이트선(1)과도 교차되어 겹치는 부분이 많이 있다.
따라서, 상기와 같이 리페어선(2)이 형성되어 있는 액정 표시 장치에서 제1도의 A 부분에서 데이터선(4) 오픈(open)이 일어났을 경우, 리페어선(2)의 D, E 부분을 레이저로 단락시키고, B부분, C부분을 절단하여 리페어한다.
그러나, 리페어 후 상기 리페어선(2)과 게이트선(1) 그리고 리페어선(2)과 데이터선(4)의 교차되어 겹치는 부분에 캐패시터가 형성되므로 RC 딜레이가 생겨 신호 지연이 일어난다. 더욱이 액정 표시 장치가 고정세 대화면화되어 감에 따라 신호 지연은 더욱 심해진다.
한편, 제2도는 종래의 이중 게이트선의 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 평면도이다.
상기한 이중 게이트선(1a, 1b)의 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은 게이트 구동 신호를 발생시키는 게이트 드라이브로부터 한 화소에 대하여 두 개의 게이트선이 연결되어 있으므로 게이트선의 어느 한 부분이 단선되었을 경우에도 스스로 리페어되므로 게이트선의 리페어가 용이하다.
즉, 제2도의 도시한 바와 같이, 만약, 제Gn행의 게이트선에 단선 부분(k)이 발생하였을 경우 게이트 구동 신호가 상측 게이트선(1a)을 계속하여 통과하지 못하고 보조 게이트선(1c)을 거쳐 하측 게이트선(1b)을 통해 전달된다.
그러나 이와 같은 이중 게이트선 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터는 게이트선의 리페어는 용이하나 데이터선의 리페어는 불가능하다.
그러므로 본 발명의 목적은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 게이트선이 단선된 경우 리페어할 수 있으며, 데이터선이 단선된 경우에도 리페어할 수 있는 구조를 갖는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은,
기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극 및 게이트선,
상기 게이트 전극 및 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막,
상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막,
상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극,
상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선,
상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 화소 전극
을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서,
상기 게이트선은 이중 게이트선으로서 상기 화소 전극 상부와 하부에 각각 형성되어 있으며, 상기 이중 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선과 겹치도록 형성되어 있는 보조 게이트선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 반도체막 위에 오믹 컨택을 향상시키기 위한 외인성 반도체막을 더 형성할 수 있다. 그리고 반도체막은 비정질 실리콘으로 외인성 반도체막은 n+ 비정질 실리콘으로 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 목적을 달성하기 위한 다른 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은,
기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극 및 게이트선,
상기 게이트 전극 및 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막,
상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막,
상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극,
상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선,
상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 화소 전극
을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서,
상기 게이트선은 이중 게이트선으로서 상기 화소 전극 상부와 하부에 각각 형성되어 있으며,
상기 이중 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선의 좌우에 각각 형성되어 있는 제1 보조 게이트선,
상기 데이터선 좌우의 제1 보조 게이트선을 서로 연결하는 다수의 제2 보조 게이트선 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 또 다른 발명의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은,
기판 위에 형성되어 있는 게이트 전극 및 게이트선
상기 게이트 전극 및 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막,
상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막,
상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극,
상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선,
상기 드레인 전극 위에 형성되어 있는 화소 전극
을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 있어서,
상기 게이트선은 이중 게이트선으로서 상기 화소 전극 상부와 하부에 각각 형성되어 있으며,
상기 이중 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선의 좌우에 각각 형성되어 있는 제1 보조 게이트선,
상기 제1 보조 게이트선의 분지로서 상기 데이터선과 겹치는 다수의 제2 보조 게이트선을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
먼저, 제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고, 제4도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판이 리페어된 방법을 나타낸 평면도이다.
제3도 및 제4도에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 화소 전극(4)이 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 화소 전극(4)의 하부에는 절연막(6)이 형성되어 있으며, 이 절연막(6)에는 컨택홀이 형성되어 있어 이 컨택홀을 통하여 화소에 화상 신호를 전달하는 드레인 전극이 화소 전극(4)과 접속되어 있다. 이때 게이트선(8)은 화소 전극(4)의 상측과 하측의 끝부분과 일부분 겹치도록 평행하게 형성되어 있으며, 화소 전극(4)의 둘레에는 보조 게이트선(8-1)이 형성되어 있다. 또한 화소 전극(4)에 데이터 신호를 보내주는 데이터선(10)은 화소 전극(4)과 겹치지 않게 상기 보조 게이트선(8-1) 위에 형성되어 있다.
만약, 제4도에 도시한 바와 같이, 데이터선(10)의 일부분(100)이 단선되었을 때, 단선된 부근인 데이터선(10)의 제1 단락 부분(200)과 제2 단락 부분(300)에서 데이터선(10)과 보조 게이트선(8-1)을 레이저로 단락시킨 후, 데이터선(10)과 겹치지 않는 위치에서 보조 게이트선(8-1)의 제1 부분(2000)과 제2 단선 부분(3000)을 끊어준다.
다음, 제5도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
제5도에 도시한 바와 같이, 게이트선(8)은 이중 게이트선으로서 화소 전극 상부와 하부에 게이트선(8)이 각각 형성되어 있으며, 이중 게이트선을 서로 연결하며 데이터선(10)의 좌우에 각각 형성되어 있는 제1 보조 게이트선(8-1)과 데이터선 좌우의 제1 보조 게이트선(8-1)을 서로 연결하는 다수의 제2 보조 게이트선(8-2)이 형성되어 있다.
만약, 제5도에 도시한 바와 같이, 데이터선(10)의 일부분(100)이 단선되었을 때, 단선된 데이터선(10)의 주변의 제1 단락 부분(2000)과 제2 단락 부분(3000)을 레이저로 단락시킨 후 제3 보조 게이트선(8-2)의 제1 단선 부분(200)과 제2 단선 부분(300) 그리고 제3 단선 부분(400) 및 제4 단선 부분(500)을 단선시킨다.
따라서 게이트선과 데이터선의 교차부가 적게 되어 캐패시터의 크기를 줄일 수 있어, 캐패시터에 의한 신호의 왜곡 현상을 방지한다.
제6도는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
제6도에 도시한 바와 같이, 이중으로 게이트선(8)이 형성되어 있으며, 게이트선(8)을 서로 연결되게 하는 제1 보조 게이트선(8-1)이 전극의 둘레에 형성되어 있고, 전극의 둘레에 제1 보조 게이트선(8-1)의 분지로서 데이터선(10)과 중첩되는 다수의 제2 보조 게이트선(8-2)이 형성되어 있으며, 제2 보조 게이트선(8-2)은 각각의 화소 전극(4) 단위마다 각기 데이터선(10)에 연결되어 있다. 이때 데이터선(10)은 게이트선(8)과 제2 보조 게이트선(8-2) 위를 지나게 형성되어 있다.
만약, 제6도에 도시한 바와 같이, 데이터선(10)의 일부분(100)이 단선되었을 때, 단선된 데이터선(10)의 주변의 제1 단락 부분(2000)과 제2 단락 부분(3000)을 레이저로 단락시킨 후 제2 보조 게이트선(8-2)의 제1 단선 부분(200)과 제2 단선 부분(300)을 단선시킨다. 그리고 제3 단선 부분(400)과 제4 단선 부분(500)을 단선시킨다.
제7도 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이다.
제7도에 도시한 바와 같이, 이중으로 게이트선(8)이 형성되어 있으며, 상기 게이트선(8)을 서로 연결되게 하는 보조 게이트선(8-1)이 전극의 둘레에 형성되어 있으며, 이 보조 게이트선(8-1)은 상기 데이터선(10)과 일부 겹치게 형성되어 있다. 또한 상기 보조 게이트선(8-1)은 상기 데이터선(10)의 하부에 두 줄로 형성될 수 있다.
만약, 제7도에 도시한 바와 같이, 상기 데이터선(10)의 일부분(100)이 단선되었을 때, 상기 단선된 데이터선(10)의 주변의 제1 단락 부분(2000) 및 제2 단락 부분(3000)을 레이저로 단락시킨 후 상기 보조 게이트선(8-1)의 제1 단선 부분(200)과 제2 단선 부분(300)을 단선시킨다. 그렇지 않으면, 제3 단락 부분(4000)과 제4단락 부분(5000)을 단락시킨 후 제3 단선 부분(400)과 제4 단선 부분(500)을 단선시킨다.
그러므로 본 발명은 게이트선이 단선된 경우 자동 리페어할 수 있으며, 데이터선이 단선된 경우에도 리페어 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. 기판 위에 서로 평행하게 형성되어 있는 제1 및 제2 게이트선, 상기 제1 게이트선과 전기적으로 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 제1 및 제2 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막, 상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 상기 제1 및 제2 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선과 겹치도록 형성되어 있는 보조 게이트선을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  2. 제1항에서, 상기 보조 게이트선은 상기 데이터선의 좌측에 형성되어 있는 제1 보조선과 우측에 형성되어 있는 제2 보조선을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  3. 기판 위에 서로 평행하게 형성되어 있는 제1 및 제2 게이트선, 상기 제1 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막, 상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 상기 제1 및 제2 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선의 좌우에 각각 형성되어 있는 제1 보조 게이트선, 상기 데이터선 좌우의 제1 보조 게이트선을 서로 연결하는 다수의 제2 보조 게이트선을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
  4. 기판 위에 서로 평행하게 형성되어 있는 제1 및 제2 게이트선, 상기 제1 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 및 게이트선 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 상기 게이트 전극에 대응하는 위치에 형성되어 있는 반도체막, 상기 반도체막과 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극에 연결되어 있으며 상기 게이트선과 교차되게 형성되어 있는 데이터선, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극, 상기 제1 및 제2 게이트선을 서로 연결하며 상기 데이터선의 좌우에 각각 형성되어 있는 제1 보조 게이트선, 상기 제1 보조 게이트선의 분지로서 상기 데이터선과 중첩되는 다수의 제2 보조 게이트선을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100482165B1 (ko) * 2002-10-21 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 리페어패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법
KR100488338B1 (ko) * 2000-05-09 2005-05-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이기판 및 그의제조방법
KR100679515B1 (ko) * 2000-05-10 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100686224B1 (ko) * 2000-01-07 2007-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR101090251B1 (ko) * 2004-09-24 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
US9310657B2 (en) 2004-07-27 2016-04-12 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100489872B1 (ko) * 1997-11-21 2005-08-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터매트릭스기판및그제조방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100686224B1 (ko) * 2000-01-07 2007-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법
KR100488338B1 (ko) * 2000-05-09 2005-05-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이기판 및 그의제조방법
KR100679515B1 (ko) * 2000-05-10 2007-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR100482165B1 (ko) * 2002-10-21 2005-04-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 리페어패턴을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그제조방법
US9310657B2 (en) 2004-07-27 2016-04-12 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
US9874794B2 (en) 2004-07-27 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
US10025149B2 (en) 2004-07-27 2018-07-17 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel and display device including the same
KR101090251B1 (ko) * 2004-09-24 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치

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