KR100204171B1 - 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 - Google Patents

자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100204171B1
KR100204171B1 KR1019970004680A KR19970004680A KR100204171B1 KR 100204171 B1 KR100204171 B1 KR 100204171B1 KR 1019970004680 A KR1019970004680 A KR 1019970004680A KR 19970004680 A KR19970004680 A KR 19970004680A KR 100204171 B1 KR100204171 B1 KR 100204171B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
stacked
loading
individual
soldering
Prior art date
Application number
KR1019970004680A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980068190A (ko
Inventor
김재준
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970004680A priority Critical patent/KR100204171B1/ko
Priority to DE19732028A priority patent/DE19732028C2/de
Priority to TW086110962A priority patent/TW400591B/zh
Priority to FR9709873A priority patent/FR2759616B1/fr
Priority to CN97115078A priority patent/CN1132242C/zh
Priority to JP9220390A priority patent/JP2862524B2/ja
Priority to US09/019,202 priority patent/US6092713A/en
Publication of KR19980068190A publication Critical patent/KR19980068190A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100204171B1 publication Critical patent/KR100204171B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0646—Solder baths
    • B23K3/0669—Solder baths with dipping means
    • B23K3/0676—Conveyors therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
    • B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
    • B23K37/047—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work moving work to adjust its position between soldering, welding or cutting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/10—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers
    • H01L2225/1005—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/1011—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement
    • H01L2225/1017—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support
    • H01L2225/1029—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the containers being in a stacked arrangement the lowermost container comprising a device support the support being a lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01087—Francium [Fr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

특정형태, 예컨대 J자형 외부 리드를 갖는 개별 패키지로 3차원 적층형 소자를 제조할 수 있는 자동 설비 및 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치는 적층할 상부 개별 패키지를 로딩하는 패키지 로딩 수단과, 적층할 하부 개별 패키지를 로딩하며, 적층 및 솔더링이 끝난 적층 패키지를 언로딩하는 패키지 로딩/언로딩 수단과, 상부 및 하부 개별 패키지 소자가 소정 개수씩 적층되고 적층된 개별 패키지 소자를 이동시키는 분할 수단으로서, 일정한 속도로 회전하는 분할판과, 이 분할판에 고정되며 개별 패키지 소자가 장착되는 장착홈을 갖는 가이드 핑거를 구비하는 분할 수단과, 상부 개별 패키지의 금속 리드에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포하는 도포 수단과, 패키지 로딩/언로딩 수단에 의해 로딩된 하부 개별 패키지를 분할 수단으로 이송하는 제1 이송 수단과, 패키지 로딩 수단에 의해 로딩된 상부 개별 패키지를 도포 수단에 공급하며 분할 수단으로 이송하는 제2 이송 수단 및 분할 수단에 의해 이송된 적층 패키지를 가열하여 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드가 솔더링 접합되도록 하는 가열 수단을 구비함으로써 3차원 적층형 소자의 제조가 자동화되고 생산성이 향상된다.

Description

자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 { Automatic stacking and soldering apparatus and a method for producing three dimensionally stacked package device }
본 발명은 3차원 적층형 패키지 소자를 제조하는 장치 및 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 개별 패키지 소자를 자동으로 적층하고 적층된 패키지 소자의 금속 리드 부분을 솔더링 접합하는 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원적층형 소자 제조방법에 관한 것이다.
개별 반도체 소자의 집적도가 향상되고 반도체 소자의 크기가 증가함에 따라 반도체 소자의 실장밀도를 높여야 할 필요성이 생기게 되었다. 이러한 요구에 따라 현재 3차원 적층형 소자가 널리 개발되고 있다. 3차원 적층형 소자는 패키지되지 않은 개별 칩을 여러 개 적층시킬 수도 있고, 조립 공정이 끝난 패키지 소자 여러 개를 적층시킬 수도 있다. 이러한 3차원 적층형 소자에서는 적층된 개별 소자들을 전기적으로 그리고 기계적으로 어떻게 접속시키느냐 하는 것이 중요한데, 솔더링(soldering) 특히 리플로우 솔더링 방법은 이러한 수직접속에 가장 널리 사용되는 기술 중 하나이다.
리플로우 솔더링은 솔더링 접합하고자 하는 소자들을 용융 가능한 금속을 함유한 조성물을 사용하는데, 패키지 소자를 기계적으로 고정시킨 다음 접합부에 열을 가하여 상기 금속이 녹으면서 솔더링 접합이 일어나도록 하는 접합 기술이다. 리플로우 솔더링에 사용되는 조성물은 주석-납 합금이나 여기에 소량의 은을 첨가한 주석-납-은 합금이 있다. 리플로우 솔더링은 접합부에 열을 전달하는 방식에 따라 기체 상태 리플로우 (vapor phase reflow), 적외선 리플로우 (infrared reflow), 고온 가스 리플로우 (hot air reflow) 솔더링으로 나누어진다.
종래 3차원 적층형 소자를 솔더링하는 장치가 USP 5,236,117이 개시되어 있다. 도 1a 및 도 1b는 이러한 종래 솔더링 장치의 개략도 및 부분 상세도이다. 적층하고자 하는 개별 패키지를 충격 암(10)의 왼쪽 끝에 고정시킨다. 일정한 온도로 패키지의 금속 리드를 가열한 다음 용융 상태의 플럭스가 들어 있는 용기(8)에 담근다. 충격 암(10)은 중간 부분이 회전축(6)에 의해 고정되어 있어서 패키지가 고정되어 있는 왼쪽 부분은 아래위로 움직일 수 있다. 충격 암이 위로 올라간 상태가 점선으로 표시한 충격 암(10a)이고 아래로 내려간 상태가 10b로 표시한 충격 암이다. 충격 암(10)이 아래로 내려가면, 패키지가 용기(8)에 들어 있는 플럭스에 잠기게 되고 외부 리드에 플럭스가 묻게 된다. 충격 암(10)이 아래로 내려가는 거리는 정지 수단(2)에 의해 결정된다. 진동 수단(4)은 충격 암(10)을 흔들어 주는 것인데, 이것은 패키지의 리드에 플럭스가 골고루 묻게 하며 플럭스 보이드의 발생을 방지하기 위한 것이다.
플럭스(11)에 패키지(12)의 리드 부분(13)을 담가서 플럭스를 바르게 되면, 리드 하나 하나에 플럭스를 바르는 것보다는 작업 효율이 뛰어나지만 패키지의 입출력 핀 수가 많아져서 리드 피치가 작아지는 경우에는 인접 리드에 플럭스가 함께 발라지는 플럭스 브리지 현상이 생겨 전기적으로 쇼트가 생길 수 있다. 그래서 용기(8)에서 패키지를 꺼낼 때 충격 암(10)의 반대쪽에 위치하는 누름돌(9)로 충격을 주어 패키지가 순간적으로 용기(8)에서 빠져 나오도록 한다. 누름돌(9)의 움직임은 실린더(7)에 의해 제어되며 이 실린더는 프로그램 가능한 제어기에 의해 제어된다.
그런데, 이러한 종래 솔더링 장치에서는 개별 패키지를 쌓은 다음 솔더링 장치에 로딩하는 작업은 작업자의 수작업에 의해 이루어지기 때문에 적층 소자 제조의 자동화가 이루어지지 않는다는 단점이 있다.
한편 표면실장형 패키지 중에서 외부 리드가 J-자 형태로 구부러진 예컨대,SOJ, PLCC, QFP와 같은 패키지는 특히 리플로우 솔더링 방식에 의한 적층이 용이하다. 왜냐하면 이러한 유형의 패키지는 수직 접속을 위해 별도의 수단을 사용하지 않고 상하 패키지의 외부 리드에 의한 접속이 가능하기 때문이다. 따라서, 이러한 형태의 외부 리드를 갖는 개별 패키지를 자동으로 적층하고 솔더링 접합할 수 있는 전용 설비가 마련된다면 대량생산이 가능하기 때문에 그 필요성이 대두된다.
본 발명의 목적은 적층형 소자의 제조공정을 자동화할 수 있는 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 특정 형태의 절곡구조를 갖는 패키지에 대한 전용 적층 및 솔더링 장치를 제공하여 대량생산에 적합하도록 함으로써 3차원 적층 패키지 소자의 생산성을 높이는 것이다.
도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 솔더링 장치의 개략도 및 부분 상세도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 의해 제조하기에 적합한 3차원 적층형 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치의 절개 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 패키지 로딩부의 사시도.
도 5는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 분할 장치의 사시도.
도 6은 상부 개별 패키지와 하부 개별 패키지의 정렬 및 적층 과정을 설명하기 위한 부분 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 도포 장치의 단면도.
도 8은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 또 다른 도포장치의 단면도.
도 9는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 가열부의 정면 단면도.
도 10은 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 하부 개별 패키지를 로딩하고 이송하는 단계를 설명하기 위한 개략 평면도.
도 11은 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 하부 개별 패키지를 분할장치로 이송하는 단계를 설명하기 위한 개략 평면도.
도 12는 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 상부 개별 패키지를 로딩하고 금속리드 부분에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포한 다음 이송하는 단계를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 13은 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 상부 개별 패키지를 분할장치로 이송하는 단계를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 14는 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 적층된 상부 및 하부 개별 패키지를 솔더링 접합하는 단계를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 15는 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 솔더링 접합된 상하부 개별 패키지를 분할장치에서 제거하는 단계를 설명하기 위한 개략 단면도.
도 16은 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자를 제조하는 단계 중 솔더링 접합된 상하부 개별 패키지를 이송하여 언로딩하는 단계를 설명하기 위한 개략 단면도.
* 도면의 부호에 대한 설명*
100; 패키지 로딩부 102; 트레이 카세트
105; 트레이 승강부 106; 캐리어
120, 220; 트레이 122, 222; 로딩 위치
150; 개별 패키지 소자 200; 패키지 로딩/언로딩부
300; 이송기구 330; 픽업기구
340; 진공패드 400; 분할장치
420; 분할판 440; 가이드 핑거
442; 상부 블록 446; 하부 블록
448; 장착홈 460; 로딩 셔틀 암
462; 집게 470; 누름 기구
480; 언로딩 셔틀 암 500; 도포장치
510; 용기 600; 가열부
610; 솔더링 챔버 620; 가열판
632; 금속판 650; 상하부 개별 패키지
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 적층 및 솔더링 장치는 (A) 적층하고자 하는 복수의 상부 개별 패키지를 로딩하는 패키지 로딩 수단과, (B) 적층하고자 하는 복수의 하부 개별 패키지를 로딩하며, 적층 및 솔더링이 끝난 복수의 적층 패키지를 언로딩하는 패키지 로딩/언로딩 수단과, (C) 상기 상부 및 하부 개별 패키지 소자가 소정 개수씩 적층되고 적층된 개별 패키지 소자를 이송시키는 분할 수단으로서, 일정한 속도로 회전하는 분할판과, 상기 분할판에 고정되며 상기 개별 패키지 소자가 장착되는 상기 소정 개수의 장착홈을 갖는 가이드 핑거와, 개별 패키지를 상기 가이드 핑거의 장착홈에 장착시켜 상기 상부 개별 패키지와 상기 하부개별 패키지가 적층되게 하는 로딩 셔틀 암과, 적층 및 솔더링이 끝난 적층 패키지를 상기 가이드 핑거의 장착홈에서 꺼내는 언로딩 셔틀 암을 구비하는 분할 수단과, (D) 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포하는 도포 수단과, (E) 상기 패키지 로딩/언로딩 수단에 의해 로딩된 하부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 로딩 셔틀 암으로 이송하는 제1 이송 수단과, (F) 상기 패키지 로딩 수단에 의해 로딩된 상부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 도포 수단에 공급하며 상기 로딩 셔틀 암으로 이송하는 제2 이송 수단 및 (G) 상기 로딩 셔틀 암에 의해 상기 장착홈에 있는 상기 적층된 개별 패키지를 가열하여 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드가 솔더링 접합되도록 하는 가열 수단을 구비하고 있다.
상기 가이드 핑거는 개별 패키지가 적층되는 장착홈을 형성하는 상부 블록과 하부 블록을 구비하며 하부 블록에는 하부 개별 패키지의 금속 리드가 접하는 수평 내벽과 로딩 셔틀 암에 의해 개별 패키지가 장착홈에 장착될 때 개별 패키지의 끝면이 접하는 수직 내벽을 가지고 있어서 상부 개별 패키지와 하부 개별 패키지가 정확하게 정렬이 되도록 한다.
상기 도포 수단은 용융상태의 플럭스 또는 솔더 패이스트를 상부 개별 패키지의 금속 리드에 도포하기 위한 것으로서 플럭스 또는 솔더 패이스트가 들어 있는 용기에서 일정한 속도로 회전하는 벨트나 메탈 캠을 사용하며 벨트나 메탈 캠의 표면에 묻는 플럭스 또는 솔더 패이스트의 양을 일정하게 조절하기 위해 가이드도 함께 사용한다.
본 발명에 따른 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법은 (A) 적층하고자 하는 복수의 하부 개별 패키지를 로딩하는 단계; (B) 상기 로딩된 복수의 하부 개별 패키지를 적층위치로 이송하는 단계; (C) 적층하고자 하는 복수의 상부 개별 패키지를 로딩하는 단계; (D) 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 솔더링 접합물질을 도포하는 단계; (E) 상기 상부 개별 패키지를 적층위치로 이송하는 단계; (F) 상기 이송된 상부 및 하부 개별 패키지를 정렬하고 상부 개별 패키지의 금속 리드와 하부 개별 패키지의 금속 리드가 접하도록 상부 및 하부 개별 패키지를 적층하는 단계; (G) 상기 적층된 상부 및 하부 개별 패키지의 금속 리드를 솔더링 접합하는 단계; (H) 상기 솔더링 접합된 적층 패키지를 언로딩하는 단계를 포함한다.
적층 패키지 소자의 제조에 사용되는 개별 패키지의 금속 리드에는 외부리드 도금 공정에 의해 85%의 주석과 15%의 납 합금이 도금되어 있다.
상기 솔더링 접합단계는 상부 및 하부 개별 패키지 소자가 리플로우 솔더링 접합이 될 수 있는 고온의 솔더링 챔버 내에서 이루어지는데, 산소를 함유하지 않는 불활성 가스를 가열하여 솔더링 챔버 내의 온도를 약 360 ℃로 유지한 다음 적층된 상부 및 하부 개별 패키지가 약 100초 동안 솔더링 챔버 내에 머무르게 하면 시간당 약 800개의 3차원 적층형 패키지 소자를 제조하는 것이 가능하다.
솔더링 챔버 내에 적층된 상부 및 하부 개별 패키지 소자를 집어넣기 전에 금속 리드 부분을 미리 솔더링 온도보다 낮은 온도로 예열하여 용융상태의 플럭스 또는 솔더 패이스트가 타는 것을 방지하고 금속 리드에 갑자기 고온의 열이 가해질 때 생길 수 있는 손상을 방지한다.
실시예
도 2a 내지 도 2c는 3차원 적층형 패키지의 단면도이다. 도 2a에 도시한 것처럼 일반 J-리드형 개별 패키지(20a, 20b, 20c)에서 상부 패키지의 금속 리드(22a, 22b)의 구부러진 부분이 하부 패키지의 금속 리드(22b, 22c)의 어깨 부분과 접하도록 하면, 이 접한 부분을 솔더링하여 3차원 적층형 소자를 제조하는 것이 가능하다. J-리드 형태의 개별 패키지 소자는 여러 가지가 가능한데, 예를 들어 도 2b에 도시한 것처럼 개별 패키지(30)의 상부 몸체 일부를 제거하여 금속 리드(32)의 내부 리드가 노출되도록 하면 금속 리드(32)의 어깨 부분을 확보하기가 용이하고 J 굴곡부분이 패키지 몸체 안쪽으로 들어가게 할 수 있어 실장면적을 줄일 수 있다.
한편, 도 2c에 나타낸 3차원 적층형 패키지는 본 출원인이 출원한 제 1995-44249호에 개시되어 있는 바와 같이 개별 패키지(40) 내부에 직육면체 형상의 금속으로 이루어진 수직 접속 수단(45)과, 이것과 전기적으로 연결된 결합 리드(48) 부분을 구비하고 있다. 결합 리드(48)는 반도체 칩(44)과 본딩 와이어(46)에 의해 전기적으로 접속되며 패키지 상부면에 일부 노출되어 있다. 수직 접속 수단(45)은 패키지 하부면에 노출되어 있어서 하부 패키지(40b, 40c)의 결합 리드와 솔더링 접합이 가능하다. 이러한 구조를 갖는 3차원 적층형 소자에서는 상부 패키지(40a, 40b)의 금속 리드 절곡 공정이 필요 없고 상하부 패키지의 결합력이 향상된다는 장점이 있다.
도 3은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치의 사시도이다. 본 발명의자동 적층 및 솔더링 장치(50)는 크게 패키지 로딩부(100), 패키지 로딩/언로딩부 (200), 이송 기구(300), 분할 장치(indexing system; 400), 플럭스 또는 솔더 패이스트 도포장치(500), 가열부(600)를 구비하고 있다.
적층하고자 하는 개별 패키지들은 트레이(120, 220)에 들어 있는데, 패키지 로딩부(100)와 패키지 로딩/언로딩부(200)에 의해 동시에 공급된다.
패키지 로딩부(100)와 패키지 로딩/언로딩부(200)는 동일한 구조를 가지고 있지만, 패키지 로딩부(100)에서는 적층할 개별 패키지 소자의 로딩 동작만 이루어지는 반면 패키지 로딩/언로딩부(200)에서는 개별 패키지의 로딩 동작뿐만 아니라 적층 및 솔더링 접합이 끝난 적층 소자의 언로딩 동작이 이루어진다는 점에서 차이가 있다.
이송 기구(300)는 트레이에 들어 있는 개별 패키지들을 분할 장치(400)로 옮기기 위한 것으로서, 레일(350)을 따라 X축 방향으로 직선운동을 하는 마스터 암(310)과, 마스터 암(310)과 연결되며 Y축 방향으로 직선운동을 하는 슬레이브 암(320) 및 아래, 위 Z축 방향으로 직선운동을 하는 픽업 기구(330)를 구비하고 있다. 픽업 기구(330)는 슬레이브 암과 연결되어 있으며 패키지 소자를 집기 위한 진공 패드(340)를 구비하고 있다. 진공 패드(340)에는 진공관(342)을 통해 진공이 공급된다.
분할 장치(400)는 개별 패키지를 정렬시켜 상하 패키지의 금속 리드 부분이 직접 접촉하도록 하는 장치로서, 복수개의 가이드 핑거(guide finger; 440)가 장착된 분할 판(index plate; 420)과 로딩, 언로딩 셔틀 암(shuttle arm; 460, 480)을구비하고 있다. 로딩 셔틀 암(460)의 집게(holding finger; 462)는 적층할 개별 패키지 소자를 패키지 로딩부(100)와 패키지 로딩/언로딩부(200)로부터 받아서 분할 판(420)의 가이드 핑거(440)에 적층시킨다. 한편, 언로딩 셔틀 암(480)의 집게(482)는 가열부(600)를 거치면서 솔더링 접합이 완료된 적층 소자를 가이드 핑거(440)로부터 언로딩하기 위한 것이다.
도포장치(500)는 개별 패키지의 금속 리드 부분에 플럭스(flux) 또는 솔더 패이스트(solder paste)를 바르기 위한 것이며, 이러한 도포 공정은 분할 판(420)의 가이드 핑거(440)에 패키지가 적층되기 전에 이루어져야 한다. 도포 장치는 지지 몸체(530), 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트가 들어 있는 용기(510) 및 이 용기(510)에 일부분이 담겨 있으며 일정 속도로 회전하는 롤러(520)를 구비하고 있다.
개별 패키지는 금속 리드를 절곡하기 전에 패키지 몸체 밖으로 노출되어 있는 외부 리드가 부식되는 것을 방지하고 솔더링 접합이 용이하게 이루어지게 하기 위해 주석-납 합금(솔더 합금)을 도금하는 외부 리드 도금공정을 거치게 된다. 솔더 합금의 주석과 납의 조성비는 패키지를 인쇄회로기판에 면실장할 때에는 공정점(eutectic point)에 가까운 63%의 주석과 37%의 납으로 하는 것이 일반적이다. 그런데, 본 발명의 도포장치(500)에서 플럭스 또는 솔더 패이스트를 바른 후 솔더링 공정을 진행하여 패키지의 금속 리드끼리 접합이 이루어지도록 하기 위해서는 85%의 주석과 15%의 납으로 이루어진 솔더 합금을 사용하여 개별 패키지의 외부 리드 도금공정을 진행하는 것이 바람직하다. 플럭스는 솔더링 접합될 부분을 깨끗하게 하고 솔더링이 이루어지는 고온에서도 금속 리드 부분에 산화물이 생기는 것을 방지하는 역할을 한다. 플럭스는 또한 솔더 합금이 접합부 표면에 잘 퍼지도록 한다. 플럭스로는 송진에서 추출한 로진(rosin)을 사용하는 로진 플럭스와 수용성 플럭스가 사용될 수 있다.
한편, 공정점 비율의 조성을 갖는 솔더 합금을 사용하여 개별 패키지의 외부 리드를 도금한 후 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에서는 플럭스 대신에 솔더 패이스트를 도포하는 것도 가능하다. 솔더 패이스트는 일반적으로 솔더 합금과 플럭스로 이루어져 있다. 솔더 패이스트의 솔더 합금에 함유되는 주석의 비율이 높아지면 솔더링 공정에서 보다 높은 온도 환경을 만들어 주어야 한다.
본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치의 전체적인 동작을 설명하면 다음과 같다.
먼저 개별 패키지 소자의 제조가 끝나면, 전기적 성능, 초기 불량 유무, 신뢰성 검사 등의 검사 공정을 진행하여 양품으로 판정된 개별 패키지 소자가 트레이(120, 220)에 적재되어 본 발명에 따른 적층 및 솔더링 공정으로 넘어온다.
패키지 로딩/언로딩부(200)에 의해 트레이(220) 하나가 로딩 위치(222)에 오면, 제2 이송기구(300b)가 트레이(220)에 들어 있는 개별 패키지를 분할 장치(400)의 로딩 셔틀 암(460)으로 이송한다. 이때 도 3에 도시한 것처럼 개별 패키지는 4개의 진공 패드(340)를 구비한 이송기구(300b)에 의해 한꺼번에 이송된다. 이송된 4개의 개별 패키지는 로딩 셔틀 암(460)의 집게(462)에 물려 고정되고, 다시 가이드 핑거(440)에 장착된다. 지금 가이드 핑거(440)에 고정되어 있는 개별 패키지는적층 소자의 하부 구조를 구성하므로 이를 하부 개별 패키지라 한다.
한편 적층 소자의 상부 구조를 구성할 상부 개별 패키지는 패키지 로딩부(100)에 의해 트레이(120) 단위로 로딩 위치(122)로 공급된다. 제1 이송기구(300a)는 로딩 위치(122)에 있는 상부 개별 패키지를 분할 장치(400)의 로딩 셔틀 암(460)으로 이송한다. 이송 도중에 상부 개별 패키지의 금속 리드 부분에는 플럭스 또는 솔더 패이스트가 도포되는데, 제1 이송기구(300a)의 진공 패드(340)에 흡착되어 있는 상부 개별 패키지를 도포 장치(500)의 롤러(520)에 갖다 대면, 일정한 속도로 회전하는 롤러에 묻어 있는 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트가 개별 패키지의 금속 리드에 묻게 된다.
플럭스 또는 솔더 패이스트가 도포된 상부 개별 패키지는 로딩 셔틀 암(460)에 의해 분할 판(420)의 가이드 핑거(440)에 장착되는데, 가이드 핑거(440)에는 앞에서 설명한 것처럼 하부 개별 패키지가 이미 놓여져 있다. 따라서 상부 개별 패키지를 가이드 핑거(440)에 장착할 때에는 상하부 개별 패키지가 정확하게 정렬되어 금속 리드 부분이 서로 접촉하도록 하는 것이 매우 중요하다.
지금까지 설명한 것이 개별 패키지의 로딩과 적층 단계인데, 검사공정이 끝난 개별 패키지를 트레이에 담아서 패키지 로딩부(100)와 패키지 로딩/언로딩부(200)에 옮기는 것을 제외하고는 전 공정이 자동으로 이루어지는 것을 알 수 있다.
가이드 핑거(440)에 적층되어 있는 상하부 패키지는 회전하는 분할 판(420)에 의해 가열부(600)의 솔더링 챔버 (soldering chamber; 610)로 들어간다. 솔더링 챔버(610)에서는 적층되어 있는 상하부 패키지의 금속 리드 접합부를 가열하여 솔더링 접합이 이루어지게 한다.
솔더링이 끝난 적층 소자는 언로딩 셔틀 암(480)에 의해 가이드 핑거(440)로부터 언로딩되고, 제2 이송기구(300b)에 의해 패키지 로딩/언로딩부(200)의 로딩 위치(222)에 있던 트레이로 옮겨진다. 이렇게 적층 및 솔더링이 완료된 소자는 다음 공정, 예컨대 검사공정을 거쳐 최종 적층 소자로서 출하된다.
도 4는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 사용하기에 적합한 패키지 로딩부의 요부 사시도이다. 패키지 로딩부(100)의 캐리어 승강부(105)에는 트레이 카세트(102; tray cassette)에 들어 있던 트레이(120)가 하나씩 놓여지는 캐리어(106)가 화살표 AB 방향으로 직선 운동하는 캐리어 피드 블록(112)과 캐리어 지지바(114)에 의해 연결되어 있다. 캐리어 피드 블록(112)은 지지 블록(108)과 피드 바(110)에 의해 연결되어 있는데, 피드 바(110)를 따라 피드 블록(112)이 AB 방향으로 직선운동을 한다. 한편, 캐리어 지지체(118)는 캐리어(106)의 양쪽을 잡아주는 캐리어 홀더(124)를 구비하며 가이드 레일(128)을 따라 화살표 CD 방향으로 운동한다. 캐리어 지지체(118)가 가이드 블록(116)에 의해 지지되어 있다가 C 방향으로 상승할 때에는 2개의 수직 가이드 축(126)에 의해 지지된다. 수직 가이드 축(126)은 가이드 블록(116)을 통해 지지 블록(108)과 연결되어 있다.
트레이(120)가 로딩 위치(122)에 오면 픽업 기구(330)가 트레이(120)의 홈(121)에 들어 있는 개별 패키지(150)를 이송하는데, 도 4에 나타난 것처럼 4개의 진공 패드(340)를 구비한 픽업 기구(330)를 사용하는 경우에는 한번에 4개씩 이송되어 로딩 셔틀 암(460)에 로딩된다. 개별 패키지(150)의 이송이 끝나면, 빈 트레이는 모터(142)에 의해 구동되는 컨베이어 플레이트(144)에 의해 가이드 레일(152)을 따라 화살표 E 방향으로 이동한다. 가이드 레일(152)의 끝까지 이송된 빈 트레이는 FG 방향으로 운동하는 트레이 언로딩부(175)에 의해 언로딩된다. 패키지 언로딩부(175)는 트레이 승강부(105)와 동일한 구조를 가지고 있으므로 자세한 설명은 생략한다.
도 4에서는 패키지 로딩부(100)만 도시하여 설명하였는데, 패키지 로딩/언로딩부(200)도 이것과 동일한 구조를 가지며 동일한 작동을 한다. 다만, 앞에서 설명한 것처럼 로딩 위치(222)에 있던 트레이(220)가 컨베이어 유니트(140)에 의해 이송될 때 트레이(220)에는 적층 및 솔더링이 완료된 적층 소자가 들어 있으므로, 패키지 로딩/언로딩부(200)에서는 하부 개별 패키지의 로딩 동작뿐만 아니라 적층 패키지 소자의 언로딩 동작도 이루어진다는 점에서 차이가 있다.
도 5는 본 발명의 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 분할 장치의 요부 사시도이다. 분할 장치(400)는 크게 가이드 핑거(440)가 부착된 분할 판(420), 로딩 셔틀 암(460) 및 언로딩 셔틀 암(480)을 구비하고 있으며, 누름 기구(470)는 가이드 핑거(440)에 장착된 상하부 개별 패키지의 정렬이 보다 정확하게 이루어지도록 하는 것으로서 로딩 셔틀 암(460) 및 가이드 핑거(440)만을 사용하여도 상하부 개별 패키지의 정렬이 정확하게 이루어지는 경우에는 사용하지 않을 수도 있다.
이송기구(300)에 의해 개별 패키지는 로딩 셔틀 암(460)으로 이송되고 집게(462)에 물려 고정된다. 집게는 제1 집게(462a)와 제2 집게(262b)로 나누어지며, 제1 집게는 제1 집게판(464)에 고정되어 있고 제2 집게는 제2 집게판(466)과 연결되어 있다. 제1 및 제2 집게판(464,466)은 맞물림 블록(468)에 고정되어 직선운동을 한다. 맞물림 블록(468)은 베이스 판(469)에 고정되며, 베이스 판(469)은 회전축(467)에 고정되어 있어서 로딩 셔틀 암(460)은 직선운동과 회전운동을 한다.
제1 집게(462a)와 제2 집게(462b) 사이에는 예컨대 스프링과 같은 탄성부재(도시 아니함)가 연결되어 있어서 집게가 벌어졌다 오므라졌다 할 수 있다. 제1 및 제2 집게판(464, 466)에 의해 두겹의 제1, 제2 집게가 오므라진 상태에서 개별 패키지가 이송기구(300)에 의해 이송되면 집게판(464, 466)이 잡고 있던 집게를 놓아주면 탄성부재의 탄성에 의해 집게가 벌어지고 집게는 개별 패키지를 고정시킨다. 집게의 개별 패키지와 직접 접하는 부분에는 실리콘(silicone)과 같은 완충재를 부착하여 집게에 의해 개별 패키지가 손상되는 것을 방지하는 것이 바람직하다.
분할판(420)에는 개별 패키지가 장착될 예컨대, 4개의 장착홈(448)이 있는 복수개의 가이드 핑거(440)가 부착된다. 가이드 핑거(440)는 상부 블록(442)과 하부 블록(446)으로 나누어지며 상하부 개별 패키지가 로딩 셔틀 암(460)에 의해 장착홈(448)에 장착되면 상하부 블록(442, 446)이 오므려지면서 상하부 개별 패키지를 물어 고정시킨다. 여기서 상하부 패키지의 금속 리드끼리 정확하게 접촉되게 정렬시키는 것이 중요하다.
예컨대, 도 6에 도시한 것처럼, 집게(462)에 의해 고정되어 있는 개별 패키지 소자(150)를 장착홈(448)에 장착시킬 때 패키지(150)의 한쪽면이 하부 블록(446)의 수직 내벽(447)에 완전히 접하도록 하면 로딩 셔틀 암(460)에 의해 동시에 장착되는 4개의 개별 패키지의 길이방향 정렬이 이루어진다. 이때 개별 패키지(150)의 금속 리드(151)는 하부 블록(446)의 수평 내벽(449)에 놓여지므로 높이방향 정렬도 정확하게 맞추어진다. 한편, 개별 패키지(150)의 폭방향 정렬은 예컨대 로딩 셔틀 암(460)의 집게(462) 중 맨 끝에 있는 집게를 하부블록(446)의 맨끝부분과 일치하도록 한 다음 개별 패키지(150)를 장착홈(448)에 장착함으로써 정렬이 이루어지게 할 수 있다.
개별 패키지(150)의 정렬이 끝나면 집게(462)가 오므라들고 로딩 셔틀 암(460)이 장착홈(488)에서 빠져 나온 다음 누름 기구(470)가 상부 블록(442)을 눌러주어 장착홈(448)에 장착된 개별 패키지를 고정시킨다.
여기서 주목할 점은 도 5에서는 로딩 셔틀 암((460)과 언로딩 셔틀 암(480) 및 누름 기구(470)를 구비하는 분할 장치(400)에 대하여 도시하고 설명하였지만, 상부 및 하부 개별 패키지를 로딩 위치(122, 222)에 있는 트레이로부터 이송할 때 이송기구(300)가 직접 개별 패키지를 가이드 핑거(440)의 장착홈(448)에 올려놓는 것도 가능하다. 이 경우 장착홈(448)에서 적층되는 상하부 개별 패키지의 금속 리드 부분의 정확한 정렬이 보장되어야만 한다.
도 7은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 사용하기에 적합한 도포장치(500)의 개략 단면도이다. 용기(510)에는 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트(540)가 들어 있고, 롤러(520)는 도포 벨트(550)를 일정한 속도로 회전시켜 벨트(550)에 플럭스 또는 솔더 패이스트가 묻게 한다. 벨트(550)에 묻는 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트가 벨트(550)에 묻어 올라올 때 벨트(550)와 거의 닿아있는 가이드(570)가 그 양을 제어하여 너무 많은 플럭스 또는 솔더 패이스트가 벨트(550)에 묻지 않도록 하는 것이 바람직하다. 지지몸체(530)는 용기(510)와 결합되어 도포장치(500)를 소정 위치, 예컨대 도 3에 도시한 바와 같이 로딩 위치(122)와 로딩 셔틀 암(460) 사이에 고정시킨다.
픽업 기구(330)의 진공 패드(340)에 고정되어 있는 상부 개별 패키지(150)는 도포 벨트(550)에 놓이게 되는데, 패키지의 금속 리드(151)가 고무 벨트(550)에 닿게 함으로써 고무 벨트(550)에 묻어 있던 플럭스 또는 솔더 패이스트가 금속 리드(151)에 도포된다. 이때 계속 회전하고 있던 롤러(520)는 일시적으로 정지하고 플럭스 또는 솔더 패이스트의 도포가 끝나면 다시 회전하여 롤러(520)에는 항상 일정량의 플럭스 또는 솔더 패이스트가 묻어 있게 된다.
도 8은 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 사용하기에 적합한 또 다른 도포장치의 개략 단면도이다. 도 7에 나타낸 도포장치와 비교하여 보면 도 8의 도포장치는 롤러와 벨트 대신에 메탈 캠(560)을 구비하고 있다. 메탈 캠을 사용하게 되면 롤러와 벨트를 사용하는 경우 오랜 기간 사용으로 인해 벨트가 늘어나게 되어 벨트에 묻는 플럭스 또는 솔더 패이스트의 두께를 일정하게 유지하기가 어려워지고 또한 벨트와 롤러 회전축 사이에 플럭스 또는 솔더 패이스트가 끼어 오동작이 생기는 단점을 극복할 수 있다. 한편 메탈 캠(560)은 도 8에 나타낸 것처럼 타원형이기 때문에 가이드(570)는 메탈 캠(560)의 회전에 따라 함께 움직여야 캠(560)의 표면에 묻는 플럭스 또는 솔더 패이스트의 양을 일정하게 제어할 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시한 도포장치에서는 회전하는 롤러(520) 및 메탈 캠(560)의 속도를 제어할 수 있어야 하며, 용기(510)를 가열하여 용기(510)에 들어 있는 용융 상태의 플럭스 또는 솔더 패이스트가 굳는 것을 방지하여야 한다.
이렇게 플럭스 또는 솔더 패이스트가 도포된 상부 개별 패키지(150)는 앞에서 설명한 것처럼 분할 판(420)의 가이드 핑거(440)에 의해서 하부 개별 패키지와 적층이 이루어진다. 적층이 끝난 상하부 개별 패키지는 가열부(600)를 통과하면서 솔더링이 이루어진다.
도 9는 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치에 적합한 가열부(600)의 개략 단면도이다. 가이드 핑거의 상부 블록(442)과 하부 블록(446)에 의해 물려 있는 상하부 개별 패키지(650)는 가열 판(620)에 의해 솔더링 온도보다 조금 낮게 예열된다. 이렇게 가열 판(620)을 사용하여 상하부 개별 패키지를 예열하는 것은 상부 패키지의 금속 리드에 도포되어 있는 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트가 굳는 것을 방지함과 동시에 솔더링 접합을 위해 금속 리드 부분에 갑자기 열을 가할 경우에 생길 수 있는 손상을 방지하기 위한 것이다.
가열판(620)과 분할판(420)이 회전함에 따라 가이드 핑거(440)의 장착 홈(448)에 들어있는 상하부 개별 패키지(650)는 솔더링 챔버(610)로 들어간다. 솔더링 챔버(610)는 솔더링이 이루어질 접합부 즉, 개별 패키지의 금속 리드 부분이 일정한 온도를 유지할 수 있도록 고온 가스가 지나가는 하우징(612)에 의해 형성되는 통로를 말한다. 솔더링 챔버(610) 내에는 일정한 온도 분포가 나타나도록 하여 특정 접합부가 과열되는 것을 방지할 필요가 있다.
가스 공급관(644)을 통해 공급되는 가스는 팬(640; fan)에 의해 송풍관(642)을 지나 히터(630)에 부딪힌다. 히터(630)는 많은 구멍(634)이 뚫려 있는 금속판(632)으로 구성되어 있는데, 히터(630)에 부딪힌 가스는 금속판(632)의 구멍(634)을 통과하면서 고온으로 가열된다. 가열된 가스는 솔더링 챔버(610)로 들어가서 상하부 개별 패키지(650)의 금속 리드 부분이 일정한 솔더링 온도를 유지하도록 하여, 금속 리드에 묻어 있는 솔더 합금이 녹으면서 상하부 패키지가 솔더링 접합된다. 여기에 사용되는 가스는 솔더링 접합이 이루어지는 고온에서 금속 리드 접합부가 산화되는 것을 방지하기 위하여 산소를 함유하지 않는 가스를 사용해야 하는데, 질소나 아르곤과 같은 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
솔더링 챔버(610) 내의 온도는 상하부 개별 패키지의 금속리드에 도금 또는 도포되어 있는 주석-납 합금의 조성비에 따라 달리 설정된다. 주석의 비율이 높으면, 주석-납 합금의 녹는점이 높아지므로 솔더링 접합 온도도 높아져야 한다.
솔더링 챔버(610) 내의 온도가 360 ℃가 되도록 설정하고 상하부 개별 패키지(650)가 솔더링 챔버(610) 내에 머무는 시간이 약 100초가 되도록 분할판(420)을 회전시키면 시간당 약 800개의 적층 패키지 소자를 솔더링 접합할 수 있다. 이 경우에 개별 패키지 소자의 몸체의 온도는 최고 약 250 ℃까지 올라가고 솔더링 접합되는 금속 리드 부분은 최고 약 340 ℃까지 올라간다.
이하 도 10 내지 도 16을 참조로 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자의 제조방법에 대하여 설명한다. 도 10 내지 도 16에서는 적층 및 솔더링을 하고자 하는 개별 패키지 소자의 이동을 중심으로 나타내었다.
먼저 도 10을 참조하면, 조립공정을 거친 개별 패키지 소자는 단계 S1에서 트레이 카세트(102)에서 트레이(220) 단위로 로딩된다. 단계 S1에서 로딩된 개별 패키지는 본 발명에 따른 적층형 패키지 소자의 하부 구조를 형성하는데, 이 하부 개별 패키지는 단계 S2에서 제2 이송기구(300b)의 픽업 기구에 의해 로딩 셔틀 암(460)으로 이송된다. 하부 개별 패키지는 복수개 예컨대 4개씩 한꺼번에 이송된다.
로딩 셔틀 암(460)에 이송된 하부 개별 패키지는 도 11에 도시한 바와 같이 단계 S3에서 분할 판(420)의 가이드 핑거(440)로 이송되는데, 이때 복수개의 하부 개별 패키지의 정렬이 이루어진다.
도 12에서는 상부 개별 패키지를 로딩하고, 상부 개별 패키지의 금속 리드부분에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포한 다음 로딩 셔틀 암(460)에 이송하는 단계를 나타낸다. 단계 S4에서는 트레이 카세트(102)에 들어 있던 상부 개별 패키지가 트레이(120) 단위로 로딩된다. 단계 S5에서는 제1 이송기구(300a)의 픽업 기구(330)에 의해 복수개, 예컨대 4개의 상부 개별 패키지가 한꺼번에 도포장치(500)로 이송되어 상부 개별 패키지의 금속 리드부분에 용융 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포한다. 플럭스 또는 솔더 패이스트가 도포된 상부 개별 패키지는 단계 S6에서 로딩 셔틀 암(460)으로 이송된다.
상부 개별 패키지는 도 13의 단계 S7에서 가이드 핑거(440)로 이송되는데, 이때 상하부 개별 패키지는 로딩 셔틀 암(460)과 가이드 핑거(440)에 의해 정렬이 이루어져서 솔더링 접합될 금속 리드 부분이 정확하게 접촉이 된다.
분할판(420)의 가이드 핑거(440)에서 상하부 개별 패키지의 정렬과 적층이 끝나면 도 14의 단계 S8에서 솔더링 접합이 이루어지는데, 분할판(420)을 회전시키면 적층된 상하부 개별 패키지가 들어 있는 가이드 핑거(440)가 가열부(600)의 솔더링 챔버로 들어가고 상하부 개별 패키지의 금속 리드부분이 리플로우 솔더링 접합이 된다.
솔더링 접합이 끝난 적층 패키지는 도 15의 단계 S9에서 언로딩 셔틀 암(480)에 의해 가이드 핑거(440)에서 제거된다.
도 16의 단계 S10에서는 솔더링 접합이 끝난 상하부 적층 패키지 소자가 제2 이송기구(300b)의 픽업기구(330)에 의해 언로딩 셔틀 암(480)으로부터 트레이(220)로 언로딩된다.
이러한 단계를 거쳐 제조가 된 3차원 적층형 패키지 소자는 소정의 검사공정을 거쳐 원하는 전기적 특성을 나타내는지 확인하여 최종 제품으로 출하한다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법에 따르면, 특정 형태의 외부 리드를 갖는 개별 패키지 소자가 자동으로 적층되고 솔더링 접합되기 때문에 3차원 적층형 패키지 소자의 대량생산이 가능하게 된다.

Claims (19)

  1. 3차원 적층형 패키지 소자를 제조하기 위한 자동 적층 및 솔더링 장치에 있어서,
    (A) 적층하고자 하는 복수의 상부 개별 패키지를 로딩하는 패키지 로딩 수단과,
    (B) 적층하고자 하는 복수의 하부 개별 패키지를 로딩하며, 적층 및 솔더링이 끝난 복수의 적층 패키지를 언로딩하는 패키지 로딩/언로딩 수단과,
    (C) 상기 상부 및 하부 개별 패키지 소자가 소정 개수씩 적층되고 적층된 개별 패키지 소자를 이동시키는 분할 수단으로서, 일정한 속도로 회전하는 분할판과, 상기 분할판에 고정되며 상기 개별 패키지 소자가 장착되는 상기 소정 개수의 장착홈을 갖는 가이드 핑거를 구비하는 분할 수단과,
    (D) 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포하는 도포 수단과,
    (E) 상기 패키지 로딩/언로딩 수단에 의해 로딩된 하부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 분할 수단으로 이송하는 제1 이송 수단과,
    (F) 상기 패키지 로딩 수단에 의해 로딩된 상부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 도포 수단에 공급하며 상기 분할 수단으로 이송하는 제2 이송 수단 및
    (G) 상기 분할 수단에 의해 이송된 상기 적층된 개별 패키지를 가열하여 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드가 솔더링 접합되도록 하는 가열 수단을구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  2. 3차원 적층형 패키지 소자를 제조하기 위한 자동 적층 및 솔더링 장치에 있어서,
    (A) 적층하고자 하는 복수의 상부 개별 패키지를 로딩하는 패키지 로딩 수단과,
    (B) 적층하고자 하는 복수의 하부 개별 패키지를 로딩하며, 적층 및 솔더링이 끝난 복수의 적층 패키지를 언로딩하는 패키지 로딩/언로딩 수단과,
    (C) 상기 상부 및 하부 개별 패키지 소자가 소정 개수씩 적층되고 적층된 개별 패키지 소자를 이송시키는 분할 수단으로서, 일정한 속도로 회전하는 분할판과, 상기 분할판에 고정되며 상기 개별 패키지 소자가 장착되는 상기 소정 개수의 장착홈을 갖는 가이드 핑거와, 개별 패키지를 상기 가이드 핑거의 장착홈에 장착시켜 상기 상부 개별 패키지와 상기 하부 개별 패키지가 적층되게 하는 로딩 셔틀 암과, 적층 및 솔더링이 끝난 적층 패키지를 상기 가이드 핑거의 장착홈에서 꺼내는 언로딩 셔틀 암을 구비하는 분할 수단과,
    (D) 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 도포하는 도포 수단과,
    (E) 상기 패키지 로딩/언로딩 수단에 의해 로딩된 하부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 로딩 셔틀 암으로 이송하는 제1 이송 수단과,
    (F) 상기 패키지 로딩 수단에 의해 로딩된 상부 개별 패키지를 상기 소정 개수씩 상기 도포 수단에 공급하며 상기 로딩 셔틀 암으로 이송하는 제2 이송 수단 및
    (G) 상기 로딩 셔틀 암에 의해 상기 장착홈에 있는 상기 적층된 개별 패키지를 가열하여 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드가 솔더링 접합되도록 하는 가열 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 로딩 셔틀 암과 언로딩 셔틀 암은 회전운동과 직선운동을 하며, 상기 개별 패키지와 적층 및 솔더링이 끝난 적층 패키지를 고정시키는 집게를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 집게는 탄성체로 연결되어 있으며 개별 패키지와 접하는 면에는 완충재가 부착된 제1 집게와 제2 집게를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 가이드 핑거는 상기 장착홈을 형성하는 상부 블록과 하부 블록을 구비하며 상기 하부 블록은 상기 로딩 셔틀 암에 의해 장착되는 개별 패키지의 끝이 닿는 수직 내벽과 상기 하부 개별 패키지의 금속 리드가 닿는 수평 내벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 장착홈에 하부 개별 패키지와 상부 개별 패키지가장착되었을 때 상기 상부 블록을 눌러서 상기 상부 및 하부 개별 패키지의 금속 리드가 서로 접촉하도록 하는 누름 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 도포장치는 플럭스 또는 솔더 패이스트가 들어 있는 용기와, 상기 용기에 들어 있는 플럭스 또는 솔더 패이스트가 묻는 벨트와, 상기 벨트를 일정한 속도로 회전시키는 롤러 및 상기 벨트에 묻는 플럭스 또는 솔더 패이스트의 양을 일정하게 제어하는 가이드를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 도포장치는 플럭스 또는 솔더 패이스트가 들어 있는 용기와, 상기 용기에 들어 있는 플럭스 또는 솔더 패이스트가 묻으며 일정한 속도로 회전하는 메탈 캠 및 상기 메탈 캠에 묻는 플럭스 또는 솔더 패이스트의 양을 일정하게 제어하는 가이드를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 롤러 및 메탈 캠은 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 플럭스 또는 솔더 패이스트를 묻히는 순간에는 일시적으로 정지하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  10. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 용기는 플럭스 또는 솔더 패이스트를 용융상태로 유지하기 위한 가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 이송수단과 제2 이송수단은 상기 소정 개수의 개별 패키지 소자를 집기 위한 진공 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 패키지 로딩 수단과 상기 패키지 로딩/언로딩 수단은 개별 패키지가 들어 있는 트레이를 고정시키는 캐리어와, 상기 캐리어를 상기 제1 및 제2 이송수단쪽으로 이동시키는 캐리어 승강부를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 가열수단은 불활성 가스를 공급하는 송풍관과, 상기 송풍관에 의해 공급된 가스를 가열하는 히터와, 상기 가열된 불활성 가스가 지나가며 상기 적층된 상부 및 하부 개별 패키지가 들어 있는 가이드 핑거가 통과하는 솔더링 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 자동 적층 및 솔더링 장치.
  14. 3차원 적층형 패키지 소자를 제조하는 제조방법으로서,
    (A) 적층하고자 하는 복수의 하부 개별 패키지를 로딩하는 단계;
    (B) 상기 로딩된 복수의 하부 개별 패키지를 적층위치로 이송하는 단계;
    (C) 적층하고자 하는 복수의 상부 개별 패키지를 로딩하는 단계;
    (D) 상기 상부 개별 패키지의 금속 리드에 솔더링 접합물질을 도포하는 단계;
    (E) 상기 상부 개별 패키지를 적층위치로 이송하는 단계;
    (F) 상기 이송된 상부 및 하부 개별 패키지를 정렬하고 상부 개별 패키지의 금속 리드와 하부 개별 패키지의 금속 리드가 접하도록 상부 및 하부 개별 패키지를 적층하는 단계;
    (G) 상기 적층된 상부 및 하부 개별 패키지의 금속 리드를 솔더링 접합하는 단계;
    (H) 상기 솔더링 접합된 적층 패키지를 언로딩하는 단계를 구비하는 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 솔더링 접합하는 (G) 단계는 상기 상부 및 하부 개별 패키지의 금속 리드를 솔더링 온도보다 낮은 온도로 가열하는 예열 단계와, 솔더링 온도로 가열하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 솔더링 온도로 가열하는 단계에서는 산소를 함유하지 않는 고온의 불활성 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 적층형 패키지소자 제조방법.
  17. 제 14 항에 있어서, 상기 솔더링 접합물질은 플럭스이며, 상기 적층하고자 하는 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드에는 85% 주석, 15% 납 합금이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 솔더링 접합물질은 솔더 패이스트이며, 상기 적층하고자 하는 상부 및 하부 개별 패키지 소자의 금속 리드에는 85% 주석과, 15% 납 합금이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 도포단계의 솔더링 접합물질은 용융상태인 것을 특징으로 하는 3차원 적층형 패키지 소자 제조방법.
KR1019970004680A 1997-02-17 1997-02-17 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 KR100204171B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970004680A KR100204171B1 (ko) 1997-02-17 1997-02-17 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법
DE19732028A DE19732028C2 (de) 1997-02-17 1997-07-25 Vorrichtung zum Herstellen von dreidimensionalen gestapelten elektronischen Bauelementen
TW086110962A TW400591B (en) 1997-02-17 1997-07-31 An automated stacking and soldering apparatus for three dimensional stack package devices and manufacturing method thereof
FR9709873A FR2759616B1 (fr) 1997-02-17 1997-08-01 Appareil d'empilage et de brasage automatise pour dispositifs de modules empiles tridimensionnels et procede de fabrication de celui-ci
CN97115078A CN1132242C (zh) 1997-02-17 1997-08-04 三维叠层封装器件的自动叠置和焊接设备及其制造方法
JP9220390A JP2862524B2 (ja) 1997-02-17 1997-08-15 ３次元積層型パッケージ素子の自動積層及びソルダリング装置並びにその製造方法
US09/019,202 US6092713A (en) 1997-02-17 1998-02-05 Automated stacking and soldering apparatus for three dimensional stack package devices and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970004680A KR100204171B1 (ko) 1997-02-17 1997-02-17 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980068190A KR19980068190A (ko) 1998-10-15
KR100204171B1 true KR100204171B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19497180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970004680A KR100204171B1 (ko) 1997-02-17 1997-02-17 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6092713A (ko)
JP (1) JP2862524B2 (ko)
KR (1) KR100204171B1 (ko)
CN (1) CN1132242C (ko)
DE (1) DE19732028C2 (ko)
FR (1) FR2759616B1 (ko)
TW (1) TW400591B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160090020A (ko) * 2015-01-21 2016-07-29 (주)신성하이텍 좁은 공간내에서 신속하고, 효율적인 다층회로기판의 제조장치

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100788011B1 (ko) * 1999-12-21 2007-12-21 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 플립 칩 접속부를 신뢰성 있게 하기 위해 솔더를 사용한유기 패키지
KR100607861B1 (ko) * 2000-06-28 2006-08-04 삼성전자주식회사 볼 부착 장치의 매거진 로딩/언로딩 장치
JP3848102B2 (ja) * 2001-05-22 2006-11-22 富士通メディアデバイス株式会社 電子デバイスの封止装置及びその封止方法
EP1415328A2 (en) * 2001-08-01 2004-05-06 Lilogix, Inc. doing business as RD Automation Process and apparatus for mounting semiconductor components to substrates and parts therefor
US6554174B1 (en) * 2001-12-05 2003-04-29 Manuel Aceves Integrated electronics workstation
US20060105612A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Airline Hydraulics Corp. Printed circuit board clamp
JP4168123B2 (ja) * 2005-01-17 2008-10-22 川崎重工業株式会社 加工装置
US7196427B2 (en) * 2005-04-18 2007-03-27 Freescale Semiconductor, Inc. Structure having an integrated circuit on another integrated circuit with an intervening bent adhesive element
US7098073B1 (en) 2005-04-18 2006-08-29 Freescale Semiconductor, Inc. Method for stacking an integrated circuit on another integrated circuit
CN100421863C (zh) * 2005-06-24 2008-10-01 芜湖恒信汽车内饰制造有限公司 柔性自动焊接方法及其设备
KR100773415B1 (ko) * 2005-12-30 2007-11-08 박웅기 평판디스플레이의 제조를 위한 전자부품의 접합방법 및장치
GB2473600B (en) * 2009-08-25 2013-09-25 Pillarhouse Int Ltd Quick-loading soldering apparatus
CN102198550B (zh) * 2010-03-22 2014-08-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 焊接装置
US8898893B2 (en) * 2010-12-15 2014-12-02 Universal Instruments Corporation Method and apparatus for applying fluid during a placement cycle
CN102189307A (zh) * 2011-04-21 2011-09-21 苏州工业园区高登威科技有限公司 一种太阳能电池板焊接装置
CN103962785B (zh) * 2014-04-22 2015-12-30 成都海凌达机械有限公司 车前架变位机
CN104637830B (zh) * 2014-12-31 2018-03-27 南通金泰科技有限公司 微电子芯片的软焊料装片机
CN105583488A (zh) * 2016-03-18 2016-05-18 昆山市祥云隆精密设备有限公司 全自动焊锡装置
CN107470516A (zh) * 2016-06-08 2017-12-15 浙江欣通电气有限公司 一种双金编织线焊接整机
JP7024464B2 (ja) * 2018-02-02 2022-02-24 浜名湖電装株式会社 電気部品製造装置および電気部品の製造方法
KR102576705B1 (ko) * 2018-08-30 2023-09-08 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 기판의 본딩 방법
CN111933554B (zh) * 2020-09-15 2021-05-04 深圳市三航工业技术研究院 一种芯片封装制造设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3094093A (en) * 1958-09-23 1963-06-18 Jack J Zimmerman Automatic soldering machine
DE3442114A1 (de) * 1984-11-17 1986-05-22 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und einrichtung zum manuellen bestuecken von traegerplatten mit elektrischen bauelementen
JPH07112041B2 (ja) * 1986-12-03 1995-11-29 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US5232143A (en) * 1991-07-19 1993-08-03 Motorola, Inc. Multi-chip die bonder
US5236117A (en) * 1992-06-22 1993-08-17 Staktek Corporation Impact solder method and apparatus
JP2647309B2 (ja) * 1992-08-12 1997-08-27 株式会社東芝 半導体装置の製造装置
US6019564A (en) * 1995-10-27 2000-02-01 Advantest Corporation Semiconductor device transporting and handling apparatus
US5963426A (en) * 1997-05-19 1999-10-05 Raytheon Company Electronic micropackaging assembly and its fabrication

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160090020A (ko) * 2015-01-21 2016-07-29 (주)신성하이텍 좁은 공간내에서 신속하고, 효율적인 다층회로기판의 제조장치
KR101646536B1 (ko) 2015-01-21 2016-08-23 (주)신성하이텍 좁은 공간내에서 신속하고, 효율적인 다층회로기판의 제조장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6092713A (en) 2000-07-25
KR19980068190A (ko) 1998-10-15
CN1191388A (zh) 1998-08-26
DE19732028C2 (de) 2002-06-13
JP2862524B2 (ja) 1999-03-03
FR2759616A1 (fr) 1998-08-21
JPH10233481A (ja) 1998-09-02
CN1132242C (zh) 2003-12-24
TW400591B (en) 2000-08-01
DE19732028A1 (de) 1998-08-20
FR2759616B1 (fr) 2000-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100204171B1 (ko) 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법
CN1032944C (zh) 在焊区配置上形成预先定位的焊料凸点的方法和装置
JPH0992682A (ja) ハンダ付け方法、ハンダ付け装置
KR102501497B1 (ko) 턴테이블 방식의 프로브핀 레이저 본딩장치
US5236117A (en) Impact solder method and apparatus
US4661887A (en) Surface mountable integrated circuit packages having solder bearing leads
KR20220034694A (ko) 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2880139B2 (ja) ３次元積層型パッケージ素子用積層及びソルダリング装置
JPH01118369A (ja) ハンダ付けリフロー炉
WO2017124424A1 (zh) 元件封装设备及其方法
JPH0964521A (ja) 半田供給装置及び半田供給方法
JP2510688B2 (ja) 過剰はんだ除去装置
JPH08139096A (ja) 電子部品及び電子部品の実装方法並びに電子部品の実装装置
JPH0410674A (ja) 熱電モジュールの製造方法
JP2012015477A (ja) レーザはんだ付け装置
JPS6386551A (ja) バンプ形成方法
JPH0356048Y2 (ko)
JPH10135278A (ja) キャリアテープへの電子部品の実装方法、およびその装置
KR100259874B1 (ko) 반도체 패키지용 스트립을 이송하는 장치
JPH118468A (ja) 電子部品の実装方法
JPH04219942A (ja) Ｉｃ部品のリード接合方法
JPS61263191A (ja) 電子部品の実装方法
KR19990034115A (ko) 리드 프레임의 코팅장치
JP2000332041A (ja) 実装基板製造方法、および、製造装置
JPH0684724A (ja) 電子部品の製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080303

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee