JP2647309B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造装
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムの上に半導体素子を接
着材料により固定する半導体装置の製造装置に関する。
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムの上に半導体素子を接
着材料により固定する半導体装置の製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図7、図8および図9(a)乃至図9
(c)は、従来の半導体装置の製造方法において半導体
素子をリ−ドフレ−ムの上に載置する工程を示すもので
ある。リ−ドフレ−ム1を搬送するための搬送レ−ル2
には接着材料塗布部10が設けられている。前記搬送レ
−ル2の一方側にはディスペンスユニット3が設けられ
ており、前記搬送レ−ル2の他方側には複数の半導体素
子4aを有するウェ−ハ4が設置されている。前記ディ
スペンスユニット3にはノズル11を有するシリンジ5
が設けられており、このシリンジ5は第1の矢印7の方
向に移動自在に形成されている。また、前記ディスペン
スユニット3には移動手段8の基端が設けられており、
この移動手段8の先端は前記搬送レ−ル2の他方側に延
出している。前記移動手段8の先端にはピックアップヘ
ッド6が取り付けられている。
(c)は、従来の半導体装置の製造方法において半導体
素子をリ−ドフレ−ムの上に載置する工程を示すもので
ある。リ−ドフレ−ム1を搬送するための搬送レ−ル2
には接着材料塗布部10が設けられている。前記搬送レ
−ル2の一方側にはディスペンスユニット3が設けられ
ており、前記搬送レ−ル2の他方側には複数の半導体素
子4aを有するウェ−ハ4が設置されている。前記ディ
スペンスユニット3にはノズル11を有するシリンジ5
が設けられており、このシリンジ5は第1の矢印7の方
向に移動自在に形成されている。また、前記ディスペン
スユニット3には移動手段8の基端が設けられており、
この移動手段8の先端は前記搬送レ−ル2の他方側に延
出している。前記移動手段8の先端にはピックアップヘ
ッド6が取り付けられている。
【0003】上記構成において、図7に示すように、リ
−ドフレ−ム1は搬送レ−ル2により第2の矢印9の方
向に搬送され、接着材料塗布部10に送られる。この
後、前記ディスペンスユニット3から接着材料12がシ
リンジ5に供給され、この接着材料12はノズル11に
より図9(a)に示すリ−ドフレ−ム1の半導体素子載
置部1aに図9(b)に示すように数箇所滴下される。
−ドフレ−ム1は搬送レ−ル2により第2の矢印9の方
向に搬送され、接着材料塗布部10に送られる。この
後、前記ディスペンスユニット3から接着材料12がシ
リンジ5に供給され、この接着材料12はノズル11に
より図9(a)に示すリ−ドフレ−ム1の半導体素子載
置部1aに図9(b)に示すように数箇所滴下される。
【0004】次に、図8に示すように、前記ウェ−ハ4
における半導体素子4aはピックアップヘッド6の図示
せぬ吸着パッドにより吸着される。この後、この半導体
素子4aを吸着しているピックアップヘッド6は、前記
移動手段8が回転軸8aを中心として特定の角度で回転
されることにより前記塗布された接着材料12の上に移
動される。次に、この接着材料12が塗布されている半
導体素子載置部1aに半導体素子4aが押し付けられ、
図9(c)に示すように、半導体素子4aは前記接着材
料12により半導体素子載置部1aと接着される。この
後、ワイヤボンディング工程が行われる。次に、パッケ
−ジ成形工程が行われる。
における半導体素子4aはピックアップヘッド6の図示
せぬ吸着パッドにより吸着される。この後、この半導体
素子4aを吸着しているピックアップヘッド6は、前記
移動手段8が回転軸8aを中心として特定の角度で回転
されることにより前記塗布された接着材料12の上に移
動される。次に、この接着材料12が塗布されている半
導体素子載置部1aに半導体素子4aが押し付けられ、
図9(c)に示すように、半導体素子4aは前記接着材
料12により半導体素子載置部1aと接着される。この
後、ワイヤボンディング工程が行われる。次に、パッケ
−ジ成形工程が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置の製造装置においては、半導体素子載置部1
aの上に接着材料12がノズル11により塗布されてい
るため、この塗布された接着材料12の厚さにばらつき
が生じる。この際、前記接着材料12の厚さが厚くなる
ことがある。この結果、パッケ−ジを薄型化する場合、
前記接着材料12の厚さがパッケ−ジの薄型化を妨げる
原因となる。
半導体装置の製造装置においては、半導体素子載置部1
aの上に接着材料12がノズル11により塗布されてい
るため、この塗布された接着材料12の厚さにばらつき
が生じる。この際、前記接着材料12の厚さが厚くなる
ことがある。この結果、パッケ−ジを薄型化する場合、
前記接着材料12の厚さがパッケ−ジの薄型化を妨げる
原因となる。
【0006】また、上記従来の半導体装置の製造装置で
は、接着材料12はノズル11により数箇所滴下されて
いるため、前記接着材料12は半導体素子載置部1aの
全面には充分に行きわたらない。すなわち、半導体素子
載置部1aにおける接着材料12のぬれ性が悪い。この
結果、半導体素子載置部1aに半導体素子4aを接着材
料12により接着すると、前記半導体素子載置部1aと
半導体素子4aとの間には空気層が生ずる。これによ
り、例えばPCT(Pressure Cooker Test)等の信頼性
試験の際、前記空気層に水分が溜まり、半導体装置の信
頼性が劣化する。
は、接着材料12はノズル11により数箇所滴下されて
いるため、前記接着材料12は半導体素子載置部1aの
全面には充分に行きわたらない。すなわち、半導体素子
載置部1aにおける接着材料12のぬれ性が悪い。この
結果、半導体素子載置部1aに半導体素子4aを接着材
料12により接着すると、前記半導体素子載置部1aと
半導体素子4aとの間には空気層が生ずる。これによ
り、例えばPCT(Pressure Cooker Test)等の信頼性
試験の際、前記空気層に水分が溜まり、半導体装置の信
頼性が劣化する。
【0007】また、前記接着材料12が半導体素子4a
とリ−ドフレ−ム1との間を絶縁する絶縁層として設け
られている場合、前記空気層が形成されることにより、
前記半導体素子4aとリ−ドフレ−ム1との間に電気的
なリ−クが起こることがある。
とリ−ドフレ−ム1との間を絶縁する絶縁層として設け
られている場合、前記空気層が形成されることにより、
前記半導体素子4aとリ−ドフレ−ム1との間に電気的
なリ−クが起こることがある。
【0008】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、半導体素子に接着材料
を非常に薄く、且つ均一に塗布することにより、信頼性
の高い薄型化のパッケ−ジを形成できる半導体装置の製
造装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、半導体素子に接着材料
を非常に薄く、且つ均一に塗布することにより、信頼性
の高い薄型化のパッケ−ジを形成できる半導体装置の製
造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第1のロ−ラ−と、前記第1のロ
−ラ−と近設され、回転自在に設けられた第2のロ−ラ
−と、前記第2のロ−ラ−の表面上に薄く均一に延ばさ
れた前記接着材料が裏面に薄く均一に塗布され、リ−ド
フレ−ム上に接着される半導体素子を移動させる移動手
段とを具備することを特徴としている。また、前記第1
のロ−ラ−は、複数の場合には互いに近設されているこ
とを特徴としている。
解決するため、接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第1のロ−ラ−と、前記第1のロ
−ラ−と近設され、回転自在に設けられた第2のロ−ラ
−と、前記第2のロ−ラ−の表面上に薄く均一に延ばさ
れた前記接着材料が裏面に薄く均一に塗布され、リ−ド
フレ−ム上に接着される半導体素子を移動させる移動手
段とを具備することを特徴としている。また、前記第1
のロ−ラ−は、複数の場合には互いに近設されているこ
とを特徴としている。
【0010】
【作用】この発明は、回転自在の第1のロ−ラ−を設
け、この第1のロ−ラ−と近設された第2のロ−ラ−を
設けている。このため、前記第1のロ−ラ−に接着材料
を滴下させ、前記第1のロ−ラ−とともに第2のロ−ラ
−を回転させることにより、前記第1のロ−ラ−の表面
上の前記接着材料が前記第2のロ−ラ−の表面上につた
わり、前記接着材料を前記第2のロ−ラ−の表面上に薄
く均一に延ばすことができる。前記接着材料が表面上に
薄く均一に延ばされた第2のロ−ラ−を回転させて、半
導体素子の裏面全体に前記接着材料を薄く均一に塗布し
ている。この結果、前記半導体素子をリ−ドフレ−ム上
に接着すると、前記接着材料の厚さを薄くでき、且つ前
記半導体素子と前記リ−ドフレ−ムとの間に前記接着材
料が充分にいきわたっているため、パッケ−ジの厚さを
薄くすることができ、信頼性を向上させることができ
る。また、前記第1のロ−ラ−が複数の場合、前記第1
のロ−ラ−は互いに近設されているため、前記複数の第
1のロ−ラ−のうちの一つのロ−ラ−に前記接着材料が
滴下されると、前記第1のロ−ラ−の回転により隣りの
ロ−ラ−に順番に前記接着材料がつたわる。
け、この第1のロ−ラ−と近設された第2のロ−ラ−を
設けている。このため、前記第1のロ−ラ−に接着材料
を滴下させ、前記第1のロ−ラ−とともに第2のロ−ラ
−を回転させることにより、前記第1のロ−ラ−の表面
上の前記接着材料が前記第2のロ−ラ−の表面上につた
わり、前記接着材料を前記第2のロ−ラ−の表面上に薄
く均一に延ばすことができる。前記接着材料が表面上に
薄く均一に延ばされた第2のロ−ラ−を回転させて、半
導体素子の裏面全体に前記接着材料を薄く均一に塗布し
ている。この結果、前記半導体素子をリ−ドフレ−ム上
に接着すると、前記接着材料の厚さを薄くでき、且つ前
記半導体素子と前記リ−ドフレ−ムとの間に前記接着材
料が充分にいきわたっているため、パッケ−ジの厚さを
薄くすることができ、信頼性を向上させることができ
る。また、前記第1のロ−ラ−が複数の場合、前記第1
のロ−ラ−は互いに近設されているため、前記複数の第
1のロ−ラ−のうちの一つのロ−ラ−に前記接着材料が
滴下されると、前記第1のロ−ラ−の回転により隣りの
ロ−ラ−に順番に前記接着材料がつたわる。
【0011】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。
り説明する。
【0012】図1乃至図4は、この発明の第1の実施例
による半導体装置の製造方法を示すものであり、図1お
よび図3は、半導体装置の製造装置を示す斜視図であ
り、図2および図4は、半導体装置の製造装置における
要部を示す斜視図である。図1および図3に示すよう
に、リ−ドフレ−ム21を搬送するための搬送レ−ル2
2には接着材料塗布部23が設けられている。前記搬送
レ−ル22の一方側にはディスペンスユニット24が設
けられており、前記搬送レ−ル22の他方側には複数の
半導体素子25aを有するウェ−ハ25が設置されてい
る。
による半導体装置の製造方法を示すものであり、図1お
よび図3は、半導体装置の製造装置を示す斜視図であ
り、図2および図4は、半導体装置の製造装置における
要部を示す斜視図である。図1および図3に示すよう
に、リ−ドフレ−ム21を搬送するための搬送レ−ル2
2には接着材料塗布部23が設けられている。前記搬送
レ−ル22の一方側にはディスペンスユニット24が設
けられており、前記搬送レ−ル22の他方側には複数の
半導体素子25aを有するウェ−ハ25が設置されてい
る。
【0013】前記ディスペンスユニット24には接着材
料38を供給するためのチュ−ブ28の一端が設けられ
ており、このチュ−ブ28の他端にはノズル26を有す
るシリンジ27が設けられている。このシリンジ27は
第1の矢印29の方向に移動自在に形成されている。
料38を供給するためのチュ−ブ28の一端が設けられ
ており、このチュ−ブ28の他端にはノズル26を有す
るシリンジ27が設けられている。このシリンジ27は
第1の矢印29の方向に移動自在に形成されている。
【0014】前記ディスペンスユニット24には第1お
よび第2の軸35、36それぞれの基端が設けられてお
り、これら第1および第2の軸35、36それぞれの先
端にはサテライトロ−ラ−31および可動ロ−ラ−32
が設けられている。前記可動ロ−ラ−32はサテライト
ロ−ラ−31と並設されている。前記サテライトロ−ラ
−31および可動ロ−ラ−32は回転自在に形成されて
おり、前記可動ロ−ラ−32は第2の矢印37の方向に
移動自在となっている。
よび第2の軸35、36それぞれの基端が設けられてお
り、これら第1および第2の軸35、36それぞれの先
端にはサテライトロ−ラ−31および可動ロ−ラ−32
が設けられている。前記可動ロ−ラ−32はサテライト
ロ−ラ−31と並設されている。前記サテライトロ−ラ
−31および可動ロ−ラ−32は回転自在に形成されて
おり、前記可動ロ−ラ−32は第2の矢印37の方向に
移動自在となっている。
【0015】前記ディスペンスユニット24には移動手
段33の基端が設けられており、この移動手段33の先
端は前記搬送レ−ル22の他方側に延出している。前記
移動手段33には搬送レ−ル22の上方に位置する第3
の軸33aが設けられている。前記移動手段33の先端
にはピックアップヘッド34が取り付けられており、こ
のピックアップヘッド34には図示せぬ吸着手段が設け
られている。
段33の基端が設けられており、この移動手段33の先
端は前記搬送レ−ル22の他方側に延出している。前記
移動手段33には搬送レ−ル22の上方に位置する第3
の軸33aが設けられている。前記移動手段33の先端
にはピックアップヘッド34が取り付けられており、こ
のピックアップヘッド34には図示せぬ吸着手段が設け
られている。
【0016】上記構成において、図1に示すように、半
導体素子載置部21aを有するリ−ドフレ−ム21は搬
送レ−ル22により第3の矢印40の方向に搬送され、
接着材料塗布部23に送られる。次に、図示せぬモ−タ
によって第2の軸36を回転させることにより可動ロ−
ラ−32が第5の矢印42の方向に回転される。これに
より、この可動ロ−ラ−32と接しているサテライトロ
−ラ−31は第4の矢印41の方向に回転される。尚、
サテライトロ−ラ−31が可動ロ−ラ−32と接してい
るかは、前記サテライトロ−ラ−31および前記可動ロ
−ラ−32それぞれの表面の状態と接着材料38の粘性
とにより決められるものであり、前記サテライトロ−ラ
−31は前記可動ロ−ラ−32と離れていても良い。
導体素子載置部21aを有するリ−ドフレ−ム21は搬
送レ−ル22により第3の矢印40の方向に搬送され、
接着材料塗布部23に送られる。次に、図示せぬモ−タ
によって第2の軸36を回転させることにより可動ロ−
ラ−32が第5の矢印42の方向に回転される。これに
より、この可動ロ−ラ−32と接しているサテライトロ
−ラ−31は第4の矢印41の方向に回転される。尚、
サテライトロ−ラ−31が可動ロ−ラ−32と接してい
るかは、前記サテライトロ−ラ−31および前記可動ロ
−ラ−32それぞれの表面の状態と接着材料38の粘性
とにより決められるものであり、前記サテライトロ−ラ
−31は前記可動ロ−ラ−32と離れていても良い。
【0017】この後、図2に示すように、前記ディスペ
ンスユニット24から前記接着材料38が供給されたシ
リンジ27は下方に移動される。次に、前記接着材料3
8はノズル26により第4の矢印41の方向に回転して
いるサテライトロ−ラ−31に滴下される。次に、この
滴下された図示せぬ接着材料は、サテライトロ−ラ−3
1および可動ロ−ラ−32の回転により、可動ロ−ラ−
32の表面に均一に延ばされる。前記ピックアップヘッ
ド34には半導体素子25aを吸着するための吸着パッ
ド43が設けられている。
ンスユニット24から前記接着材料38が供給されたシ
リンジ27は下方に移動される。次に、前記接着材料3
8はノズル26により第4の矢印41の方向に回転して
いるサテライトロ−ラ−31に滴下される。次に、この
滴下された図示せぬ接着材料は、サテライトロ−ラ−3
1および可動ロ−ラ−32の回転により、可動ロ−ラ−
32の表面に均一に延ばされる。前記ピックアップヘッ
ド34には半導体素子25aを吸着するための吸着パッ
ド43が設けられている。
【0018】次に、図3に示すように、ウェ−ハ25に
おける半導体素子25aはピックアップヘッド34に設
けられた前記吸着パッド43により吸着される。この
後、この半導体素子25aを吸着しているピックアップ
ヘッド34は、移動手段33が回転軸33aを中心とし
て特定の角度で回転されることによりリ−ドフレ−ム2
1の上方に移動される。次に、前記可動ロ−ラ−32は
第2の矢印37の方向に移動される。
おける半導体素子25aはピックアップヘッド34に設
けられた前記吸着パッド43により吸着される。この
後、この半導体素子25aを吸着しているピックアップ
ヘッド34は、移動手段33が回転軸33aを中心とし
て特定の角度で回転されることによりリ−ドフレ−ム2
1の上方に移動される。次に、前記可動ロ−ラ−32は
第2の矢印37の方向に移動される。
【0019】この後、図4に示すように、可動ロ−ラ−
32は前記吸着パッド43に吸着されている半導体素子
25aの下に移動される。次に、この半導体素子25a
の裏面には、前記可動ロ−ラ−32が第5の矢印42の
方向に回転することにより、可動ロ−ラ−32の表面上
に延ばされた前記接着材料38が均一に塗布される。こ
の後、可動ロ−ラ−32は図1に示すサテライトロ−ラ
−31と接する位置に移動される。次に、前記塗布され
た半導体素子25aは前記移動手段33によりリ−ドフ
レ−ム21の半導体素子載置部21aに押し付けられ
る。これにより、前記半導体素子25aは前記接着材料
38により半導体素子載置部21aに接着される。
32は前記吸着パッド43に吸着されている半導体素子
25aの下に移動される。次に、この半導体素子25a
の裏面には、前記可動ロ−ラ−32が第5の矢印42の
方向に回転することにより、可動ロ−ラ−32の表面上
に延ばされた前記接着材料38が均一に塗布される。こ
の後、可動ロ−ラ−32は図1に示すサテライトロ−ラ
−31と接する位置に移動される。次に、前記塗布され
た半導体素子25aは前記移動手段33によりリ−ドフ
レ−ム21の半導体素子載置部21aに押し付けられ
る。これにより、前記半導体素子25aは前記接着材料
38により半導体素子載置部21aに接着される。
【0020】上記第1の実施例によれば、ディスペンス
ユニット24に第1および第2の軸35、36の基端を
設け、これら第1および第2の軸35、36の先端にサ
テライトロ−ラ−31および可動ロ−ラ−32を設けて
いる。このため、前記サテライトロ−ラ−31に接着材
料38を滴下し、前記サテライトロ−ラ−31および可
動ロ−ラ−32を回転させることにより、前記サテライ
トロ−ラ−31の表面上の接着材料38が可動ロ−ラ−
の表面上につたわり、前記可動ロ−ラ−32の表面上に
前記接着材料38を充分に薄く均一に延ばすことができ
る。この薄く均一に延ばされた接着材料38が表面上に
形成された可動ロ−ラ−32を回転させることによって
半導体素子25aの裏面に前記接着材料38を塗布して
いる。この結果、前記半導体素子25aの裏面に前記接
着材料38を非常に薄く、且つ前記裏面全体に均一にい
きわたるように、すなわちぬれ性が充分に良くなるよう
に塗布することができる。したがって、前記接着材料3
8の厚さにばらつきが発生することを防止でき、半導体
素子25aと半導体素子載置部21aとの間に空気層が
生ずることも防止することができる。このため、信頼性
の高い薄型化パッケ−ジを形成することができる。
ユニット24に第1および第2の軸35、36の基端を
設け、これら第1および第2の軸35、36の先端にサ
テライトロ−ラ−31および可動ロ−ラ−32を設けて
いる。このため、前記サテライトロ−ラ−31に接着材
料38を滴下し、前記サテライトロ−ラ−31および可
動ロ−ラ−32を回転させることにより、前記サテライ
トロ−ラ−31の表面上の接着材料38が可動ロ−ラ−
の表面上につたわり、前記可動ロ−ラ−32の表面上に
前記接着材料38を充分に薄く均一に延ばすことができ
る。この薄く均一に延ばされた接着材料38が表面上に
形成された可動ロ−ラ−32を回転させることによって
半導体素子25aの裏面に前記接着材料38を塗布して
いる。この結果、前記半導体素子25aの裏面に前記接
着材料38を非常に薄く、且つ前記裏面全体に均一にい
きわたるように、すなわちぬれ性が充分に良くなるよう
に塗布することができる。したがって、前記接着材料3
8の厚さにばらつきが発生することを防止でき、半導体
素子25aと半導体素子載置部21aとの間に空気層が
生ずることも防止することができる。このため、信頼性
の高い薄型化パッケ−ジを形成することができる。
【0021】図5は、この発明の第2の実施例による半
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
【0022】図示せぬディスペンスユニットには図示せ
ぬ第1、第2および第3の軸それぞれの基端が設けられ
ており、これら第1、第2および第3の軸それぞれの先
端には第1、第2のサテライトロ−ラ−31、45およ
び可動ロ−ラ−32が設けられている。
ぬ第1、第2および第3の軸それぞれの基端が設けられ
ており、これら第1、第2および第3の軸それぞれの先
端には第1、第2のサテライトロ−ラ−31、45およ
び可動ロ−ラ−32が設けられている。
【0023】上記第2の実施例においても第1の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも第1および第2
のサテライトロ−ラ−31、45を設けているため、さ
らに均一に接着材料を可動ロ−ラ−32の表面上に延ば
すことができる。
と同様の効果を得ることができ、しかも第1および第2
のサテライトロ−ラ−31、45を設けているため、さ
らに均一に接着材料を可動ロ−ラ−32の表面上に延ば
すことができる。
【0024】図6は、この発明の第3の実施例による半
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
【0025】図示せぬディスペンスユニットには図示せ
ぬ第1、第2、第3および第4の軸それぞれの基端が設
けられており、これら第1、第2、第3および第4の軸
それぞれの先端には第1、第2、第3のサテライトロ−
ラ−31、45、46および可動ロ−ラ−32が設けら
れている。上記第3の実施例においても第2の実施例と
同様の効果を得ることができる。尚、この発明の半導体
装置は上記の実施例に限定されることなく、サテライト
ロ−ラ−を四つ以上設けることも可能である。
ぬ第1、第2、第3および第4の軸それぞれの基端が設
けられており、これら第1、第2、第3および第4の軸
それぞれの先端には第1、第2、第3のサテライトロ−
ラ−31、45、46および可動ロ−ラ−32が設けら
れている。上記第3の実施例においても第2の実施例と
同様の効果を得ることができる。尚、この発明の半導体
装置は上記の実施例に限定されることなく、サテライト
ロ−ラ−を四つ以上設けることも可能である。
【0026】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
回転自在の第1のロ−ラ−を設け、この第1のロ−ラ−
と近設された第2のロ−ラ−を設けている。したがっ
て、半導体素子に接着材料を非常に薄く、且つ均一に塗
布することができ、信頼性の高い薄型化のパッケ−ジを
形成することができる。
回転自在の第1のロ−ラ−を設け、この第1のロ−ラ−
と近設された第2のロ−ラ−を設けている。したがっ
て、半導体素子に接着材料を非常に薄く、且つ均一に塗
布することができ、信頼性の高い薄型化のパッケ−ジを
形成することができる。
【図1】この発明の第1の実施例による半導体装置の製
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てサテライトロ−ラ−を回転させる工程を示す斜視図。
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てサテライトロ−ラ−を回転させる工程を示す斜視図。
【図2】この発明の第1の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法においてサテライトロ−ラ−に接着材料を滴下す
る工程を示す斜視図。
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法においてサテライトロ−ラ−に接着材料を滴下す
る工程を示す斜視図。
【図3】この発明の第1の実施例による半導体装置の製
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てピックアップヘッドにより半導体素子をピックアップ
する工程を示す斜視図。
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てピックアップヘッドにより半導体素子をピックアップ
する工程を示す斜視図。
【図4】この発明の第1の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法において半導体素子の裏面に接着材料を塗布する
工程を示す斜視図。
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法において半導体素子の裏面に接着材料を塗布する
工程を示す斜視図。
【図5】この発明の第2の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示す斜視図。
造装置における要部を示す斜視図。
【図6】この発明の第3の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示す斜視図。
造装置における要部を示す斜視図。
【図7】従来の半導体装置の製造方法を示すものであ
り、半導体素子載置部に接着材料を塗布する工程を示す
斜視図。
り、半導体素子載置部に接着材料を塗布する工程を示す
斜視図。
【図8】従来の半導体装置の製造方法を示すものであ
り、半導体素子載置部の上に半導体素子を接着材料によ
って接着する工程を示す斜視図。
り、半導体素子載置部の上に半導体素子を接着材料によ
って接着する工程を示す斜視図。
【図9】図9(a)乃至図9(c)は、従来の半導体装
置の製造方法を示すものであり、図9(a)は、リ−ド
フレ−ムを示す斜視図、図9(b)は、半導体素子載置
部の上に接着材料を塗布する工程を示すリ−ドフレ−ム
の斜視図、図9(c)は、半導体素子載置部の上に接着
材料により半導体素子を接着する工程を示すリ−ドフレ
−ムの斜視図。
置の製造方法を示すものであり、図9(a)は、リ−ド
フレ−ムを示す斜視図、図9(b)は、半導体素子載置
部の上に接着材料を塗布する工程を示すリ−ドフレ−ム
の斜視図、図9(c)は、半導体素子載置部の上に接着
材料により半導体素子を接着する工程を示すリ−ドフレ
−ムの斜視図。
21…リ−ドフレ−ム、21a …半導体素子載置部、22…搬
送レ−ル、23…接着材料塗布部、24…ディスペンスユニ
ット、25…ウェ−ハ、25a …半導体素子、26…ノズル、
27…シリンジ、28…チュ−ブ、29…第1の矢印、31…サ
テライトロ−ラ−(第1のサテライトロ−ラ−)、32…
可動ロ−ラ−、33…移動手段、33a …第3の軸、34…ピ
ックアップヘッド、35…第1の軸、36…第2の軸、37…
第2の矢印、38…接着材料、40…第3の矢印、41…第4
の矢印、42…第5の矢印、43…吸着パッド、45…第2の
サテライトロ−ラ−、46…第3のサテライトロ−ラ−
送レ−ル、23…接着材料塗布部、24…ディスペンスユニ
ット、25…ウェ−ハ、25a …半導体素子、26…ノズル、
27…シリンジ、28…チュ−ブ、29…第1の矢印、31…サ
テライトロ−ラ−(第1のサテライトロ−ラ−)、32…
可動ロ−ラ−、33…移動手段、33a …第3の軸、34…ピ
ックアップヘッド、35…第1の軸、36…第2の軸、37…
第2の矢印、38…接着材料、40…第3の矢印、41…第4
の矢印、42…第5の矢印、43…吸着パッド、45…第2の
サテライトロ−ラ−、46…第3のサテライトロ−ラ−
Claims (2)
- 【請求項1】 接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第1のローラーと、 前記第1のローラーと近設され、回転自在に設けられ、
その表面上に薄く均一に延ばされた前記接着材料を半導
体素子の裏面に薄く均一に直接塗布する第2のローラー
と、 リードフレーム上に前記半導体素子を移動させる移動手
段と を具備することを特徴とする半導体装置の製造装
置。 - 【請求項2】 前記第1のロ−ラ−は、複数の場合には
互いに近設されていることを特徴とする請求項1記載の
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4214992A JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
US08/102,758 US5362354A (en) | 1992-08-12 | 1993-08-06 | Apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4214992A JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0661280A JPH0661280A (ja) | 1994-03-04 |
JP2647309B2 true JP2647309B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16664911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4214992A Expired - Fee Related JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5362354A (ja) |
JP (1) | JP2647309B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996013066A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-05-02 | National Semiconductor Corporation | Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers |
US5553376A (en) * | 1995-02-15 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Method of and apparatus for changing a production setup |
JP3304720B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2002-07-22 | 日立電線株式会社 | リードフレームへの接着剤塗布方法 |
US5817957A (en) * | 1996-01-29 | 1998-10-06 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Electronic parts loading device |
US6030857A (en) | 1996-03-11 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for application of spray adhesive to a leadframe for chip bonding |
US5810926A (en) * | 1996-03-11 | 1998-09-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for applying atomized adhesive to a leadframe for chip bonding |
US6132798A (en) * | 1998-08-13 | 2000-10-17 | Micron Technology, Inc. | Method for applying atomized adhesive to a leadframe for chip bonding |
JP3697315B2 (ja) | 1996-05-13 | 2005-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 接着剤塗布装置 |
US6379484B2 (en) | 1996-07-30 | 2002-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor package |
JPH1050769A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Toshiba Corp | 半導体パッケージの製造装置および製造方法 |
KR100204171B1 (ko) * | 1997-02-17 | 1999-06-15 | 윤종용 | 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 |
US7518196B2 (en) | 2005-02-23 | 2009-04-14 | Intel Corporation | Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication |
CN103170428B (zh) * | 2013-03-06 | 2015-09-30 | 莆田市涵江永德兴电子石英有限公司 | 自动滚胶机 |
CN107159513A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-15 | 贵州海悦通石业有限公司 | 一种大理石板的涂胶装置 |
CN111482323B (zh) * | 2020-05-12 | 2020-12-22 | 嘉兴市油车港贵华织造厂 | 一种墙布流动式甲醛去除设备 |
CN111686991A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 安徽可尔海思塑业有限公司 | 一种防水地板的胶水涂抹装置及其实施方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3958740A (en) * | 1974-07-08 | 1976-05-25 | Dixon Automation, Inc. | Automatic component assembly machine and method relating thereto |
US4569864A (en) * | 1983-06-30 | 1986-02-11 | Acumeter Laboratories, Inc. | Roll coating applicator and adhesive coatings and the like and process of coating |
JPH0438042U (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-31 |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP4214992A patent/JP2647309B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-06 US US08/102,758 patent/US5362354A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5362354A (en) | 1994-11-08 |
JPH0661280A (ja) | 1994-03-04 |
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