KR0173321B1 - 스위칭 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 스위칭 회로는 한쌍의 다른 입력 전압 모두에 대해서 선택적으로 할 수 있는 모노리틱 IC로 구성되어 있다. 또한, 다이오드는 외부제어 신호에 응답하는 출력으로부터 양쪽입력 전압을 블록할 수 있도록 모노리틱 IC로 구성되어 있다.

Description

스위칭 회로
제1도는 본 발명의 스위칭 회로의 회로도.
제2도는 종래의 스위칭 회로의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,2 : 입력단자 3, 4 : 스위칭 트랜스지터
5 : 출력단자 6 : 비교기
8, 9 : 쇼트키 장벽다이오드 10 : 게이트
11 : 제어단자
본 발명의 모노리식 IC형의 스위칭 회로에 관한 것이다.
제2도는 종래의 스위칭 회로도이다. 입력단자(1 및 2)는 상이한 전압(V1, V2)를 각각 수신한다. 수신된 전압 중 어느 한 전압은 대응하는 스위칭 트랜지스터(3, 4)를 통해 출력단자(5)로 출력된다. 상기 전압(V1, V2)는 비교기(6)로 입력된다. 비교기(6)는 상기 스위칭 트랜지스터(4)의 게이트 및 인버터(7)를 통해 다른 스위칭 트랜지스터(3)의 게이트에 동시에 인가되는 출력을 발생한다.
V1V2의 경우, 비교기(6)는 하이레벨 출력을 발생해서 스위칭 트랜지스터(4)가 턴오프된다. 한편, 인버터(7)의 출력은 로우레벨로 유지되므로 스위칭 트랜지스터(3)는 턴온된다. 결국, 이러한 상태에서, 출력단자(5)는 전압(V1)을 공급한다. V1V2경우에는 스위칭 트랜지스터(3, 4)의 상태는 역으로 되어서 출력단자(5)는 전압(V2)을 출력한다. 비교기(6) 및 인버터(7)는 출력단자(5)로부터 전원을 받는다.
그러나, 이러한 회로구성에서 출력단자(5)가 부유상태(floating state)에 놓이도록 양 스위칭 트랜지스터를 턴-오프시킬 수 없다. 그 이유는 MOS형 스위칭 트랜지스터는 입력단자(1,2) 중 어느 하나에 결합된 애노드 및 출력단자(5)에 결합된 캐소드를 가진 위생 다이오드를 구조적으로 동반하고 있기 때문이다. 따라서, 출력단자(5)는 입력전압 중 높은 전압에서 기생 다이오드에 걸린 전압강하를 뺀 전압을 수신하다. 이러한 전압을 비교기(6) 및 인버터(7)를 동작시킴으로써 스위칭 트랜지스터(3),(4)를 턴온 및 턴오프시킬 수있으므로 기생 다이오드 양단의 전압강하보다 적은 전압강하를 가진 전류 경로를 구성하게 된다.
상술한 이유 때문에, 출력단자(5)는 전압(V1,V2)중에서 더 높은 전압을 필연적으로 공급하므로, 부유상태가 실현될 수 없다는 문제점이 야기된다.
이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 목적은 외부신호에 따라 출력단자가 부유상태를 유지할 수 있는 개량된 스위칭 회로를 제공하는 것이다.
상기 목적을 실현하기 위하여, 한쌍의 트랜지스터는 하나의 기판상에 복수개의 MOS 트랜지스터 형태로 집적되어 있으며 그들 소오스 영역 및 드레인 영역은 기판과 전기적으로 절연되어 있다. 또한 다이오드는 각각의 입력단자와 기판 사이에 형성되어 있으며, 또 비교기 같은 제어회로는 기판을 개재하여 전원을 공급받는다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 제1도는 본 발명에 따른 모노리식 스위칭 회로의 회로도이다. 한쌍의 입력단자(1,2)는 스위칭 트랜지스터(3,4)를 통해 출력단자(5)에 각각 접속되어 있다. 또한 입력단(1,2)는 종래의 회로와 마찬가지로 비교기(6)에 접속되어 있다. 본 발명에 따라, 스위칭 트랜지스터(3,4)의 소스 단자 및 드레인 단자, 혹은 영역이 스위칭 트랜지스터(3,4)가 형성되어 있는 기판 상에서 전기적으로 절연되어 있다. 또한 기판은 입력단자(1)에 결합된 애노드를 가진 하나의 다이오드(8)에 접속되고, 입력단자(2)에 결합된 애노드를 가진 또 다른 다이오드(9)에도 접속되어 있다. 또한, 기판은 비교기(6) 및 게이트 회로(10)의 전원라인로서 사용된다. 게이트 회로(10)는 제어신호를 수신하는 제어단자(11)에 접속된 하나의 입력단자 및 비교기(6)의 출력단자에 접속된 또 다른 입력단자를 가지고 있다.
동작시에는 전압(V1)(V2)이 입력단자(1),(2)에 각각 인가될 때, 전원이 다이오드(8)(9)를 통해 각각 공급되고 있으므로 비교기(6) 및 게이트 회로(10)는 각각 동작 상태에 있다. 이때 공급된 전원전압은 전압(V1,V2)중 높은 전압에서 대응하는 다이오드의 전압강하량을 뺀 것과 같으므로, 비교기(6) 및 게이트 회로(10)는 전압(V1)과 전압(V2)사이의 비교 전압차에 따라 동작하여, 선택적으로 스위칭 트랜지스터(3,4)를 턴온 및 턴오프시킨다. 이와 같은 동작에 있어서 제어단자(11)는 하이레벨로 유지된다.
한편, 제어단자(11)가 로우레벨로 스위치된 때, 게이트 회로(10)의 출력은 하이레벨로 되므로 스위칭 트랜지스터(3)는 턴오프된다. 이때 V1V2상태로 유지되면, 다른 스위칭 트랜지스터(4)가 턴오프되어 출력단자(5)는 부유상태를 유지한다.
본 발명의 스위칭 회로는 MOS 트랜지스터 형태로 비교기, 게이트 회로 및 다이오드를 포함하는 모든 구성요소들이 집적된 모노리식 IC 형태로 제조될 수 있다. 더욱이, 상기 다이오드는 스위칭 회로의 성능을 개량하기 위해 순방향에서 비교적 적은 전압강하를 가지는 쇼트키 장벽 다이오드로 구성하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 본 발명의 스위칭 회로에 의하면 다이오드는 스위칭 트랜지스터가 MOS 트랜지스터 형태로 집적되어 있는 기판과 각각의 입력단자 사이에 형성되고, 비교기와 같은 제어회로는 기판을 통해 전원이 공급된다. 이러한 구조에 의해서, 스위칭 회로에서 출력단자를 부유상태로 하기 위해 외부 제어신호에 응답하여 한쌍의 스위칭 트랜지스터를 동시에 턴오프시킬 수 있다는 뛰어난 효과가 있다

Claims (2)

  1. 각각의 입력 전압(V1,V2)를 각각 수신하는 복수의 입력단자(1,2)기판 상에 형성된 복수의 MOS형 스위칭 트랜지스터(3,4) 및 제어회로(6,10)를 갖는 스위칭 회로에 있어서, 상기 기판과 상기 각각의 입력단자(1,2) 사이에 형성된 복수의 다이오드(8,9); 및 상기 기판을 통해서 상기 제어회로에 전원을 공급하는 수단을 포함하며, 상기 전원은 상기 각각의 입력전압(V1,V2)을 수신하는 상기 입력단자(1,2), 상기 다이오드(8,9) 및 상기 기판을 통해 공급되는 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 다이오드는 쇼트키 장벽 다이오드로 이루어진 것을 특징으로 하는 스위칭 회로.
KR1019910002532A 1990-02-13 1991-02-13 스위칭 회로 KR0173321B1 (ko)

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