KR0165851B1 - 판상체 지지테이블 및 그것을 이용한 처리장치 - Google Patents

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Abstract

마그네트론 플라즈마 에칭장치의 진공챔버(10)내에 웨이퍼의 지지테이블(20)이 설치되어 있다. 이 지지테이블(20)은 웨이퍼의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재(22)와, 제1부재(22)의 위에 설치되고, 상면에 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 정전척(24)이 설치된 제2부재(21)와, 제1 및 제2부재(21,22)의 사이에 가스를 도입하는 가스도입기구(25, 25a)를 구비하고 있다.

Description

판상체 지지테이블 및 그것을 이용한 처리장치
제1도는 본 발명의 일 태양에 따른 지지테이블을 이용한 마그네트론 플라즈마 에칭 장치를 나타내는 개략 구성도.
제2도는 제1도의 장치에 이용되는 지지테이블의 상세 단면도.
제3도는 제1도의 장치의 지지테이블에 이용되는 웨이퍼 지지용의 정전척을 나타내는 단면도.
제4도는 열전달용 가스의 압력을 제어하기 위한 기구를 나타내는 도면.
제5도는 열전달용 가스의 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
본 발명은 예를들면 플라즈마 에칭장치 등의 진공장치에 있어서 웨이퍼 등의 판상체를 지지하는 지지테이블 및 그것을 이용한 처리장치에 관한 것이다.
예를들면, 플라즈마 에칭 장치에 있어서는 웨이퍼를 지지하기 위해 서셉터라 칭하는 지지테이블이 이용되고 있다. 에칭 처리시에 플라즈마에 의해 웨이퍼가 고온으로 승온하기 때문에, 서셉터에는 웨이퍼를 미리 정해진 온도로 냉각하기 위한 온도 조절기구가 설치되어 있다. 이 서셉터는 플라즈마 에칭장치의 하부 전극으로서 기능한다.
그런데, 근년 웨이퍼의 대구경화(大口經化)가 진행되고, 또 품종 증가에 대응하여 웨이퍼의 지름의 종류도 늘고 있으며, 각종 사이즈의 웨이퍼에 맞춘 서셉터를 사용할 필요가 있다. 이와같은 각종 웨이퍼에 맞춘 서셉터를 사용 가능한 장치가 특개소 59-115521호 공보에 개시되어 있다.
또, 예를들면 프라즈마 에칭에 사용되는 웨이퍼의 지지테이블은 그 표면측이 손상(damage)을 받기 때문에 소모품으로서 교환할 필요가 있으며, 또한, 예를들면 정전척(chuch)시트를 가지는 경우에는 정전척의 교환작업도 필요하다.
상기와 같은 이유에 의해, 지지테이블을 고정부와 분리부로 2분할하고, 웨이퍼의 사이즈에 따라, 또는 표면이 손상을 받았을 경우에 분리부를 떼어내는 것 만으로 교환작업을 행할 수 있는 것이 요망되고 있다. 즉, 지지테이블을 2분할한 경우에는 온도 조절기능을 가지는 고정부는 항상 설치해 둘 수 있으며, 분리부만 웨이퍼사이즈에 대응한 종류분 용으로 교환함으로써 각종 사이즈에 대응할 수 있으며, 또, 지지 테이블 표면 또는 정전척의 교환시에도 분리부만 떼어내면 좋기 때문에, 간이하게 교환작업을 할 수 있다.
그렇지만, 지지테이블을 분할 구조로한 경우에는 분리부와 고정부는 반드시 공극이 생긴 상태 또는 더스트가 낀 상태에서 접합되기 때문에, 고정부와 분리부와의 사이의 열전달 특성이 악화되어 버린다.
이 때문에, 피처리체를 효율좋게 온도 조절할 수 없다는 문제가 생긴다. 특히, 에칭 장치 등의 진공처리 장치내에서 이용되는 지지테이블의 경우에는 고정부와 분리부와의 사이도 진공 상태로 되어 있으므로, 기체에 의한 열전달은 행해지지 않고, 양자 간의 볼트 체결부 부근에서의 고체 접촉 열전달밖에 기대할 수 없다. 이때, 볼트 체결부는 지지테이블의 주연부에 있어서 유효한 열전달은 기대할 수 없고, 웨이퍼의 균일한 온도 조절이 매우 곤란하다.
본 발명은, 상기와 같은 상황에 비쳐보아 이루어진 것이며, 그 목적은, 그위에 지지된 피처리체의 온도를 유효하게 조절할 수 있는 2분할 타입의 피처리체의 지지테이블을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 이와같은 지지장치를 이용한 진공처리장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 그 온도를 유효하게 조절할 수 있는 2분할 타입의 전극을 제공하는데 있다.
본 발명은 판상체를 지지하는 지지테이블로서, 상기 판상체의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 설치되고, 판상체를 지지하는 제2부재와, 상기 제1 및 제2부재의 사이에 열전달용의 가스를 도입하는 가스 도입수단을 구비하는 지지테이블을 제공한다.
본 발명은 또, 진공분위기주에서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 시행하기 위한 처리장치로서, 소정의 진공도에 유지되는 진공실과, 상기 피처리체의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1 부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 설치되고, 피처리체를 지지하는 제2부재와 상기 제1 및 제2 부재의 사이에 가스를 도입하는 가스도입수단을 가지고, 상기 진공실내에 설치된 지지테이블과, 피처리체에 대하여 적당한 처리를 시행하기 위한 처리수단을 구비하는 처기장치를 제공한다.
본 발명은 또한, 진공 분위기중에서 이용되는 전극으로써, 이 전극의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 떼어내기 가능하게 설치된 제2부재와 상기 제1 및 제2 부재의 사이에 가스를 도입하는 가스도입수단을 구비하는 전극을 제공한다.
본 발명에 의하면, 지지테이블 또는 전극이 분할 타입의 경우에 그 제1부재와 제2부재의 사이에 가스를 도입하므로, 이 가스에 의해 이들 부재 사이의 열전달을 효율 좋게 실시할 수 있으며, 온도를 고 정밀도로 제어할 수 있다.
이하, 본 발명을 플라즈마 에칭에서 사용되는 정전척 방식의 지지테이블에 적용한일 태양에 대해 상세하게 설명한다.
제1도는 본 발명의 일 실시예에 관한 지지테이블을 적용한 플라즈마 에칭장치의 개략 구성도 이다. 이 장치는 그 상벽이 제2 전극으로서 기능하는 진공챔버(10)와, 챔버(10)내에 설치되어 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 제1 전극으로서 기능하는 지지 테이블(20)과, 챔버(10)의 외측 상방에 설치된 마그네트 섹션(30)과, RF전원(40)을 구비하고 있다.
진공챔버(10)는 상부챔버(11)와 하부챔버(12)를 가지고 있다. 상부챔버(11)의 측벽하부에는 배기구(13)가 설치되어 있으며, 이 배기구(13)에 접속된 배기펌프(도시하지 않음)에 의해 진공챔버(10)안에 배기된다 그리고, 이 진공챔버(10)안은 예를들어 10-6Torr 정도 까지 감압할 수 있도록 설계되어 있다. 또, 상부챔버(11)의 상벽에는 에칭가스를 도입하기 위한 복수의 가스도입구(14)가 설치되어 있어, 이들 도입구(14)에는 도시하지 않은 가스 공급원에서 에칭가스를 공급하기 위한 가스 공급관(14a)이 접속되어 있다.
지지테이블(20)은 전기 절연성의 세마믹부재(15)를 통하여 하부챔버(12)상에 설치되어 있으며, 하부 챔버(12)와 지지테이블(20)과는 전기적으로 절연되어 있다. 이 지지테이블(20)은 웨이퍼의 지지부를 가지는 상부부재(21)와, 웨이퍼의 온도조절을 행하기 위한 액체통류로(23)를 구비한 하부부재(22)를 가지고 있다. 또한, 이 지지테이블(20)의 상세한 구조는 후술하겠다.
고주파 전원(40)은 지지테이블(20)의 상부부재(21)에 접속되어 있으며, 상부챔버(11)는 접지되어 있다. 따라서, 지지테이블(20)과 챔버(10)와의 사이에 고주파 전력이 공급되었을 때에, 상부챔버(11)의 상벽이 상부전극으로서 기능하고, 상부부재(21)가 하부전극으로서 기능하여, 이들 사이에 프라즈마가 발생한다.
마그네트섹션(30)은 전극 사이에, 그 사이에 형성되는 전계와 직교하는 방향으로 자장을 인가하는 역할을 가지고 있으며, 수평하게 설치된 지지부재(31)와, 이것에 지지된 영구자석(32)과, 이들 도면중 화살표 방향으로 회전시키기 위한 모터(33)를 가지고 있다.
이와같은 마그네트론 프라즈마 에칭장치에 있어서는, 챔버(10)내에 에칭가스를 도입하고, 고주파 전력을 상부전극과 하부전극과의 사이에 인가하면서, 회전되고 있는 영구자석(32)에 의해 전극간에 자장을 인가하므로 직교 전자계에 의해 전극간에 존재하는 전자가 사이클론 운동을 하고, 전자가 분자에 충돌함으로써 분자가 전리하는 회수가 증가하고, 10-2∼10-3Torr라는 비교적 저압력에서도 1㎛/min이라는 높은 에칭속도를 얻을 수가 있다. 따라서, 1 매당의 처리가 단시간으로 끝나고, 에칭의 신뢰성이 향상한다는 이점이 있다. 또, 이온의 평균에너지가 낮아지기 때문에, 웨이퍼에 대한 손상도 작다.
다음으로 피처리체로서의 웨이퍼의 지지테이블(20)에 대하여 상세하게 설명한다.
제2도는 지지테이블(20)을 상세하게 나타내는 단면도이다. 이 지지테이블(20)은 상술한 바와같이 상부부재(21)와 하부부재(22)를 가지고 있으며, 또한 상부부재(21)의 상면에는 웨이퍼를 정전기력(쿨롱력)으로 흡착하기 위한 정전척(24)이 설치되어 있다. 이 정천척(24)은 예를들면 플라즈마 발생에 의해 플라즈마를 통하여 웨이퍼가 도통되었을때에 정전흡착력이 발생하도록 되어 있다. 그리고, 하부부재(22)는 고정설치되고, 타방의 상부부재(21) 및 정천척(24)은 교환할 수 있도록 되어 있다.
상부부재(21)는 외주부에 턱부를 가진 원판형상을 이루고 있으며, 하부부재(22)는 단순한 원판형상을 이루고 있다. 그리고, 상부부재(21)의 외주근방에는 외주연을 따라 등간격으로 볼트 삽입구멍(28)이 형성되어 있으며, 하부부재(22)에는 볼트 삽입구멍(28)에 대응하는 위치에 나사구멍(28a)이 형성되어 있으며, 삽입구멍(28)에는 볼트(29)가 삽입되고, 볼트(29)에 의해 상부부재(21)와 하부부재(22)가 체결된다. 그리고, 볼트(29)를 떼어냄으로써, 상부부재(21)를 하부부재(22)에 떼어낼 수 있다.
정전척(24)는 제3도에 도시한 바와 같이, 2매의 절연시트(예를들면, 폴리이미드시트)(24a,24b)와 이들의 사이에 개재된 동 등으로 형성된 도전성 시트(24c)로 구성되어 있다. 그리고, 이 정전척(24)상에 웨이퍼(1)를 탑재한 후에 그 웨이퍼(1)와 도전성 시트(24c)와의 사이에, 플라즈마를 통하여 도시하지 않은 전원에서 고전압을 인가함에 따라, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(1)를 흡착한다. 이 정전척(24)에 의해 상부부재(21)와 웨이퍼(1)와는 전기적으로 절연되어 있다.
하부부재(22)에는 상술한 바와같이, 환형의 액체통류로(23)가 설치되어 있으며, 이 액체통류로(23)에는 액체도입로(23a)와 액체도출부(23b)가 접속되어 있으며, 액체통류로(23)에 소정온도의 액체를 적당한 유량으로 공급함에 따라, 웨이퍼(1)의 온도가 조절된다. 이 경우에 처리하는 웨이퍼의 류에 따라, 적당한 액체의 온도가 설정된다. 즉, 에칭 동작시에, 예를들면 플라즈마의 열에 의해 에칭화학반응이 이외의 불필요 반응을 일으켜서 소정의 에칭이 곤란한 경우에는 액체통류로(23)에 냉각매체 예를들면 -25℃정도의 부동액을 순환시켜서 웨이퍼 온도를 -15℃부근으로 냉각 유지한다. 또, 에칭처리에 있어서는 예를들면 웨이퍼(1)의 온도가 70∼80℃정도인 것이 적당한 경우가 있으나, 그 경우에는 액체통류로(23)에 가열매체 예를들면 온열수를 순환시켜서 웨이퍼(1)의 온도를 콘트롤 한다.
하부부재(22)에는 그 상면의 외주근방에, 외주를 따라 0링용 홈(26a)이 형성되어 있으며, 또한 그 내측에는 외주를 따라 가스충전용 링홈(25a)이 형성되어 있다. 이 홈(25a)에는 가스도입로(25)가 접속되어 있으며, 도시하지 않은 가스공급원에서 후술할 제어기구 및 이 도입로(25)를 통하여 열전달용의 가스가 홈(25a)으로 공급되고, 상부부재(21)와 하부부재(22)의 사이에 그 가스가 개재된다. 이 실시예에서는 0링용 홈(26a)내에는 0링용(26)이 끼워 넣어져 있으며, 열전달용의 가스가 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이에서 누출하는 것이 방지된다. 그러나, 조금이면 이 가스가 누출되어도 좋다.
이 열전달용 가스의 상부부재(21)와 하부부재(22)의 사이에 있어서 압력은 예를들면 제4도에 도시하는 바와같은 기구(60)에 의해 제어된다. 이 기구(60)에 있어서 가스 도입로(25)는 가스공급관(50)에 대하여, 그 도중에서 상방으로 분기하도록 접속되어 있다. 이 가스공급관(50)의 IN측에는 레귤레이터(52) 및 조임밸브(54)가 배설되고, 그 OUT측에는 조임밸브(56)가 배설되어 있다. 그리고, 상기 레귤레이터(52)로 측정된 게이지압을 OUT측의 조임밸브(56)를 구동하는 밸브구동부(58)에 피드백하고, 측정된 게이지압이 항상 일정하게 되도록 OUT측의 조임밸브(56)의 걔폐구동을 행한다. 또, 밸브 구동부(58)을 이용하지 않고, 게이지압을 보면서 밸브를 조절하도록 하여도 좋다.
종래의 열전달용 가스를 도입하지 않은 타입의 지지테이블의 경우에는 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이에는 평활도의 차이 등에 따른 갭, 또 표면 거칠음에 의한 갭, 또한 먼지가 침입하여 생긴 갭 등이 생기게 된다. 이와같은 갭이 생긴 상태에서 하부부재(22)측으로 온도조절을 행하여도 진공처리실 내부가 진공되어 있기 때문에, 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이에서의 기체에 의한 열전달은 거의 생기지 않고, 이들 양 부재의 체결용 볼트(29)주변에서의 고체 접촉에 의한 열전달 밖에 기대할 수 없다.
이것에 대하여, 본 발명과 같이, 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이에 열전달용의 가스를 소정압력으로 유지시키는 경우에는, 이들 양 부재간의 열전달 특성을 양호하게 할 수 있으며, 피처리체로서의 웨이퍼를 효율좋게 온도 조절할 수가 있다.
열전달용의 가스로서 이용하는 가스의 종류는 특히 한정되지 않는다. 그러나, 그 목적에서는 열전도율이 높은 가스가 바람직하고, He, O2, Ar, N2등이 매우 적당하다. 이중에서는 특히 He가 바람직하다.
또, 열전달용 가스이 압력은 어느 특정치 이상이면 그 효과를 충분히 얻을 수가 있다. 이 때문에, 상술한 바와같이 가스압을 콘트롤 하는 것이다. 가스의 압력이 그 특정치 이상이 되면, 가스에 의한 열전도는 그 가스압력에는 그다지 의존하지 않고, 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 갭 거리에 많이 의존하게 된다. 결국, 열전달용의 가스 효과는 이들 부재 사이의 갭이 작을수록 크게 된다. 따라서, 이들 부재 사이의 갭을 가능한한 작게 함으로써, 가스에 의한 열전도가 양호하게 되며, 고정밀도로 온도 제어를 행할 수가 있다. 이들 부재의 맞붙는 면을 정밀도 좋게 올림으로써 갭을 예를들면 10㎛이하로 하는 것이 가능하게 되며 이것에 의해 고효율로 열이 전달되고, 고정밀도의 온도제어가 실현된다.
이와같은 열전달용의 가스의 효과에 대하여 제5도에 도시한다. 제5도는 열전달 가스로서 He 및 O2를 이용하고, 횡축에 열전달용 가스의 상부부재와 하부부재와의 사이에 있어서 압력을 잡고, 종축에 상부부재(21)와 하부부재(22)의 사이의 온도차를 잡고, 이들 사이의 관계의 일예를 나타내는 그래프이다. 여기서는, 제2도에 도시한 상부부재(21)의 A점 및 하부부재(22)의 B점의 온도를 측정하여, 그 사이의 온도차를 얻고 있다. 또한, 하부부재에 통류시키는 냉매로서는 -25℃의 부동액을 이용하고 있다. 또, 챔버(10)내의 압력은 3.5x10-3Torr로 하고 있다.
이 도면에 도시한 바와같이, 가스도입전은 온도차가 15℃이상이였던 것이, 어느 가스가 도입되어도, 그것에 의해 온도차가 감소하고 있는 것을 알 수 있다. 또, 가스압력이 150Torr에서 온도 감소효과가 포화하고 있는 것을 알 수 있다. 온도 감소의 효과는 가스에 의해 달라 있으며, O2가스에서는 온도차가 10℃ 정도까지 저하하고 있음에 지나지 않지만, He가스에서는 온도차가 4℃정도까지 저하하고 있는 것이 확인된다.
또한 웨이퍼(1)와 정전척(24)과의 사이에도 가스도입로(27)에서 열전달용의 가스가 공급되도록 되어 있으며, 이것에 의해 웨이퍼(1)의 온도 콘트롤 제어가 더욱 높아진다. 이 가스로서는 특히 제한은 안하지만, 상술한 열전달용 가스와 같은 He, O2, Ar, N2등이 매우 적당하다.
다음으로, 이와같이 구성되는 마그네트론 에칭장치의 동작에 대해 설명한다. 우선, 챔버내를 소정의 진공도로 배기한후, 로드록 챔버(도시하지 않음)에서 로보트에 의해 피에칭처리 웨이퍼를 정전척(24)상에 공급하고, 상부챔버(11)와 정전척(24)의 도전성 시트(24c)와의 사이에 예를들면 2K볼트의 고전압의 정전척 전압을 인가한다.
후술할 공정에 의해 프라즈마가 발생했을때, 이 플라즈마를 통하여 웨이퍼(1)가 도통되기 때문에, 정전척(24)에 정전기가 유기하고, 쿨롱력에 의해 웨이퍼(1)가 정전척(24)상에 흡착된다.
다음으로, 진공챔버(10)내의 압력이 0.1∼10m Torr정도가 되도록 진공 제어하고, 가스도입구(14)에서 에칭가스 예를들면, O2가스, CI가스, SF6가스를 상온 상압 환산으로 예를들면 50cc/s의 유량으로 도입한다. 이 상태에서, 고주파 전원(40)에서 상부 전극으로서의 상부 챔버(11)의 상부벽과 하부전극으로 상부부재(21)와의 사이에 RF전력을 공급한다. 이것에 의해, 전극간에 형성된 직교전자계에 의해 전극간에 프라즈마가 생성된다. 이 결과, 라디칼 및 이온이 생성되고, 웨이퍼(1)의 표면이 반응성 이온 에칭된다. 이때에, 상술한 바와같이, 영구자석(32)에서의 자력에 의해 전극간에 전자가 사이클론 운동을 하므로 에칭가스의 플라즈마화가 촉진되고, 10-2∼10-3Torr라는 비교적 저압력에서도 1㎛/min이라는 높은 에칭속도를 얻을 수가 있다. 이 경우에 지지테이블(20)의 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이에는 상술한 바와 같이 열전달용의 가스가 공급되므로, 상부부재(21)와 하부부재(22)와의 사이의 열전도 특성을 양호하게 할 수가 있으며 이들 사이의 온도차를 매우 작게 할 수가 있다. 따라서, 하부부재(22)에 있어서 액체 통류로(23)에 온도제어용의 액체를 통류시킴에 따라 웨이퍼의 온도제어를 확실하게 행할 수가 있다. 따라서, 2분할 타입의 지지 테이블이면서, 단일구조의 재치대와 거의 동등하게 웨이퍼의 온도 제어를 행할 수가 있다.
또한, 지지테이블(20)을 고정측으로 하부부재(22)와 분리 가능한 상부부재(21)와의 분할 타입으로 함으로써, 웨이퍼(1)의 인치 사이즈가 변경될 경우에는 상부부재(21)만을 교환하는 것 만으로 대처할 수 있으며, 또, 소모품인 정전척(24)의 교환시에 있어도, 새로운 정전척을 구비한 상부부재(21)를 교환하는 것 만으로 좋다는 이점을 확보할 수가 있다.
또한, 이 상태에서는 진공챔버(10)의 상부벽을 제2 전극으로 했으나, 제2전극을 챔버와 별도 부재로 하여도 좋다.
또, 이상의 설명에서는 본 발명의 피처리체의 지지테이블을 마그네트론 플라즈마 에칭장치에 적용하는 예를 나타냈으나, 본 발명의 주지로 부터 진공처리장치이면 본 발명을 적용할 수가 있다. 이와같은, 진공처리장치로서는 여기에 나타낸 마그네트론 플라즈마 에칭장치 외에, RIE방식 플라즈마 에칭장치, 스퍼터, CVD, 이온주입등의 다른 플라즈마 처리장치, 및 이온원, 열 CVD등의 비플라즈마 처리장치가 있다. 온도조절되는 전극을 구비한 장치이면 본 발명을 적용할 수가 있으며, 이와같은 장치로서는 상기 장치외에 이온원 장치가 있다. 또, 지지테이블 또는 전극은 고온으로 제어되는 것이라도 저온으로 제어되는 것이라도 좋은 것은 말할 것도 없다. 판상체로서도 반도체 웨이퍼에 한하지 않고, LCD 기판 등이여도 좋다.
또한, 상부부재와 하부부재의 사이에 도입되는 가스로서는 열전달 특성을 높일 수 있는 각종 가스를 채용할 수 있으며, 프로세스이 종류에 따라 적당한 가스를 사용할 수가 있다.

Claims (16)

  1. 진공분위기중에서 피처리체에 대하여 소정의 처리를 시행하기 위한 처리장치로서, 이 장치는 소정의 진공도에 유지되는 진공실과, 상기 피처리체의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 설치되고, 피처리체를 지지하는 제2부재와, 상기 제1 및 제2 부재의 사이에 가스를 도입하는 가스도입수단을 가지고, 상기 진공실내에 설치된 지지테이블과, 피처리체에 대하여 적당한 처리를 시행하기 위한 처리수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 소정의 처리를 시행하기 위한 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리수단은 플라즈마 발생수단을 구비하고, 발생한 플라즈마에 의해 소정의 처리를 하는 것을 특징으로 하는 소정의 처리를 시행하기 위한 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2부재는 상기 피처리체를 쿨롱력으로 유지하기 위한 정전척을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 소정의 처리를 시행하기 위한 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 정전척과 상기 피처리체와의 사이에 열 전달용의 가스를 도입하는 가스도입수단을 가지는 것을 특징으로 하는 소정의 처리를 실시하기 위한 처리장치.
  5. 반도체 웨이퍼를 드라이 에칭하기 위한 플라즈마 에칭 장치로서, 이 장치는 소정의 진공도에 유지되는 진공실과, 상기 반도체 웨이퍼의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1 부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 설치되고, 웨이퍼를 지지하는 제2부재와, 상기 제1 및 제2부재 사이에 가스를 도입하는 가스도입수단을 가지고, 상기 진공 실내에 설치된 지지테이블과, 상기 웨이퍼의 주위에 에칭 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 생성 수단과, 상기 플라즈마가 생성되는 영역에 자계를 인가하기 위한 자계인가수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
  6. 판상체를 지지하는 지지테이블로서, 상기 판상체의온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 설치되고, 판상체를 지지하는 제2부재와, 상기 제1 및 제2부재의 사이에 열전달용의 가스를 도입하는 가스도입수단을 구비하는 지지테이블을 제공하는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2부재는 상기 피처리체를 쿨롱력으로 유지하기 위한 정전척을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1부재는 상기 진공장치에 고정되고, 상기 제2부재는 분리 가능한 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  9. 제6항에 있어서, 상기 가스도입수단은 열전달용 가스를 상기 제1 및 제2 부재의 사이에 도입하기 위한 가스도입로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  10. 제9항에 있어서, 상기 가스도입수단은 상기 제1 및 제2 부재 사이의가스압을 제어하기 위한 가스압 제어기구를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  11. 제6항에 있어서, 상기 열전달용 가스가 He, O2, Ar, N2로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 것인 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  12. 제6항에 있어서, 상기 온도를 조절하기 위한 기구는 제1부재에 설치된 온도 조절용 액체의 통류로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  13. 제6항에 있어서, 상기 온도를 조절하기 위한 기구는 상기 판상체를 냉각하기 위한 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  14. 제6항에 있어서, 상기 온도를 조절하기 위한 기구는 상기 판상체를 가열하기 위한 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  15. 제6항에 있어서, 상기 정전척과 상기 판상체의 사이에 열전달용의 가스를 도입하는 가스도입수단을 가지는 것을 특징으로 하는 판상체를 지지하는 지지테이블.
  16. 진공중에서 사용되는 전극으로서, 이 전극은, 이 전극의 온도를 조절하기 위한 기구를 가지는 제1부재와, 상기 제1부재에 접촉하여 떼어내기 가능하게 설치된 제2부재와, 상기 제1 및 제2 부재 사이에 가스를 도입하는 가스도입수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 진공중에서 사용되는 전극.
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