JPS6356920A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS6356920A JPS6356920A JP20206286A JP20206286A JPS6356920A JP S6356920 A JPS6356920 A JP S6356920A JP 20206286 A JP20206286 A JP 20206286A JP 20206286 A JP20206286 A JP 20206286A JP S6356920 A JPS6356920 A JP S6356920A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の目的」
(産業上の利用分野)
本発明は、ドライエツチング装置に係わり、特に静電チ
ャックを利用したドライエツチング装置に関する。
ャックを利用したドライエツチング装置に関する。
(従来の技術)
近年、高集積デバイス製造のための微細加工には、主と
して反応性イオンエツチング法が使用されている。反応
性イオンエツチング法とは、−対の対向づ′る電極を有
する真空容器内の片方の電極上に被処理基体を置き、例
えばCF4等のハロゲン元素を含有するガスを該容器内
に導入し、上記一対の電極間に高周波1カを印加してガ
スを放電せしめ、発生したイオンやラジカルを用いて被
処理基体をエツチングする方法である。
して反応性イオンエツチング法が使用されている。反応
性イオンエツチング法とは、−対の対向づ′る電極を有
する真空容器内の片方の電極上に被処理基体を置き、例
えばCF4等のハロゲン元素を含有するガスを該容器内
に導入し、上記一対の電極間に高周波1カを印加してガ
スを放電せしめ、発生したイオンやラジカルを用いて被
処理基体をエツチングする方法である。
上記方法を利用したエツチング下置では、大形チャンバ
内に例えば10〜20枚の被処理基体を一度に入れてエ
ツチングを行うバッチ装置と、小型チャンバ内に1枚の
被処理基体をのみを入れてエツチングを行う枚葉式装置
とがある。今後LSIの寸法は益々@細化し、且っ3i
ウエハ径は6インチ、8インチと拡大する一途を辿って
いる。従って、大口径ウェハ表面上に均一に極微細パタ
ーンを形成するためには、枚葉式装置の方が有利であり
、徐々にではあるが主流になりつつある。当然のことで
あるが、枚葉式エツチング装置は、もしエツチング速度
が等しければバッチ式エツチング装置に比較して処理能
力は低い。従って、枚葉式エツチング装置では、高いエ
ツチング速度を得るために電極に印加する高周波電力を
高める等して高密度プラズマを生成し、大量のイオンを
ウェハに照射しなければならない。その結果、ウェハに
は大きな高周波T;L流が流れ、その温(9)上昇をま
ぬがれない。
内に例えば10〜20枚の被処理基体を一度に入れてエ
ツチングを行うバッチ装置と、小型チャンバ内に1枚の
被処理基体をのみを入れてエツチングを行う枚葉式装置
とがある。今後LSIの寸法は益々@細化し、且っ3i
ウエハ径は6インチ、8インチと拡大する一途を辿って
いる。従って、大口径ウェハ表面上に均一に極微細パタ
ーンを形成するためには、枚葉式装置の方が有利であり
、徐々にではあるが主流になりつつある。当然のことで
あるが、枚葉式エツチング装置は、もしエツチング速度
が等しければバッチ式エツチング装置に比較して処理能
力は低い。従って、枚葉式エツチング装置では、高いエ
ツチング速度を得るために電極に印加する高周波電力を
高める等して高密度プラズマを生成し、大量のイオンを
ウェハに照射しなければならない。その結果、ウェハに
は大きな高周波T;L流が流れ、その温(9)上昇をま
ぬがれない。
エツチングマスクに用いられるレジストは熱に弱く、ま
た昇温によりエツチング特性は大ぎく変化する。従って
、ウェハを十分に冷却する必要がある。この冷却手段と
しては、ウェハI!胃の?l1il(IIを冷却してお
き、ウェハの熱を電極側に吸収させるのが通常である。
た昇温によりエツチング特性は大ぎく変化する。従って
、ウェハを十分に冷却する必要がある。この冷却手段と
しては、ウェハI!胃の?l1il(IIを冷却してお
き、ウェハの熱を電極側に吸収させるのが通常である。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。即ち、ウェハの径が大きくなると、ウェハ自
体の反りが大きく、このウェハを電(船に十分密着させ
ることが困!#である。そこで、ウェハを電極側に押付
けることが考えられるが、真空容器内でウェハをTL権
側に押付けるI4構を設けることは極めて困難である。
があった。即ち、ウェハの径が大きくなると、ウェハ自
体の反りが大きく、このウェハを電(船に十分密着させ
ることが困!#である。そこで、ウェハを電極側に押付
けることが考えられるが、真空容器内でウェハをTL権
側に押付けるI4構を設けることは極めて困難である。
ざらにウェハの表面にはレジスト等のマスクが(a布さ
れており、ウェハ表面に押付は部材等を接触させること
は望ましくない。
れており、ウェハ表面に押付は部材等を接触させること
は望ましくない。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来装置では、大口径ウェハ等の被処理基体
を電極に十分密着させることはできず、被処理基体を十
分冷却することは困難であった。
を電極に十分密着させることはできず、被処理基体を十
分冷却することは困難であった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、真空容器内でエツチングされる?+!
処理基体を十分冷却することができ、エツチングの信頼
性向上をはかり得るドライエツチング装置を提供するこ
とにある。
とするところは、真空容器内でエツチングされる?+!
処理基体を十分冷却することができ、エツチングの信頼
性向上をはかり得るドライエツチング装置を提供するこ
とにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、被処理基体をgVi′friチャック
11(1の付いたトレーに載置してエツチング下への出
し入れを行い、エツチング中にトレーを電極に密着させ
ることにより、被処理基体を冷却することにある。
11(1の付いたトレーに載置してエツチング下への出
し入れを行い、エツチング中にトレーを電極に密着させ
ることにより、被処理基体を冷却することにある。
即ち本発明は、半導体ウェハ等の被処理基体をエツチン
グするドライエツチング装置において、対向配置された
第1及び第2の1!極を備えた容器と、この容器内にガ
スを導入する手段と、上記容器内のガスを排気する手段
と、前記第1の電極或いは第1及び第2の両電橿に高周
波電力を印加する手段と、前記第1の電極を冷却する手
口と、被処理基体を載置して前記M1の電極上に軟菌さ
れるトレーと、このトレーと上記被処理基体との間に電
圧を印加し該基体を!・シー上に静電的に吸着する手段
と、前記トレーを前記容器内の第1の電極上と容器外と
の間で搬送する手段と、I/i記トシトレー記第1の電
極に密着させる手段とを設けるようにしたものである。
グするドライエツチング装置において、対向配置された
第1及び第2の1!極を備えた容器と、この容器内にガ
スを導入する手段と、上記容器内のガスを排気する手段
と、前記第1の電極或いは第1及び第2の両電橿に高周
波電力を印加する手段と、前記第1の電極を冷却する手
口と、被処理基体を載置して前記M1の電極上に軟菌さ
れるトレーと、このトレーと上記被処理基体との間に電
圧を印加し該基体を!・シー上に静電的に吸着する手段
と、前記トレーを前記容器内の第1の電極上と容器外と
の間で搬送する手段と、I/i記トシトレー記第1の電
極に密着させる手段とを設けるようにしたものである。
(作用)
上記構成であれば、被処理基体はトレーに静電チャック
により吸着されるので被処理基体とトレーとの密着性は
良好なものとなる。ざらに、容器内でトレーを電極に密
着させることは容易である。従って、被処理基体から電
極までの熱伝導度を良好にすることができ、これにより
トレーを介して被処理基体を十分冷却することが可能と
なる。
により吸着されるので被処理基体とトレーとの密着性は
良好なものとなる。ざらに、容器内でトレーを電極に密
着させることは容易である。従って、被処理基体から電
極までの熱伝導度を良好にすることができ、これにより
トレーを介して被処理基体を十分冷却することが可能と
なる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示す概略構成図である。図中10は真空容器であり
、この容器10は接地されている。
置を示す概略構成図である。図中10は真空容器であり
、この容器10は接地されている。
容器10内には、第2の71B極として作用する容器上
壁12に対向して第1の電極11が収容されている。こ
の第1の電極11上には、ウェハ(被処理基体)13を
載置したトレー14が載置される。
壁12に対向して第1の電極11が収容されている。こ
の第1の電極11上には、ウェハ(被処理基体)13を
載置したトレー14が載置される。
第1の′iFLm11には、マツチング回路15を介し
て^周波電源16が接続されている。また、第1のN極
11には冷却流体を通流するための配管17が接続され
ており、これにより第1の’IL flllが冷却され
るものとなっている。
て^周波電源16が接続されている。また、第1のN極
11には冷却流体を通流するための配管17が接続され
ており、これにより第1の’IL flllが冷却され
るものとなっている。
一方、前記容器10内には、ガス導入口18を介して反
応ガス〈塩素や弗素等のハロゲン元素を含むガス)が導
入される。そして、容器10内のガスは、ガス排気口1
9及び真空バルブ20を介して排気されるものとなって
いる。なお、図中21.22は前記トレー14を容器か
ら出し入れするためのゲートバルブであり、23.24
はこれらの駆動し1構である。また、25は弗素811
1F! ’!jの絶縁物、26は第1の電極11を支持
する支持体であり、これらにより第1の電極11を容器
10と絶縁して支持している。
応ガス〈塩素や弗素等のハロゲン元素を含むガス)が導
入される。そして、容器10内のガスは、ガス排気口1
9及び真空バルブ20を介して排気されるものとなって
いる。なお、図中21.22は前記トレー14を容器か
ら出し入れするためのゲートバルブであり、23.24
はこれらの駆動し1構である。また、25は弗素811
1F! ’!jの絶縁物、26は第1の電極11を支持
する支持体であり、これらにより第1の電極11を容器
10と絶縁して支持している。
前記トレー14は、第2図にその要部拡大断面を示す如
く、アルミニウム等の比較的軽い金属板14aの表面を
カブ[−ン、ポリマー或いは酸化アルミニウム等の高誘
電体膜(絶縁Pl>14bで被償して形成されている。
く、アルミニウム等の比較的軽い金属板14aの表面を
カブ[−ン、ポリマー或いは酸化アルミニウム等の高誘
電体膜(絶縁Pl>14bで被償して形成されている。
また、トレー14の一部には、該トレー14を上下に貫
通したn通口14cが形成されると共に、その下面側の
高lid体11114bを一部除去した開口14dが形
成されている。そして、ウェハ13をトレー14上に載
置した状態で、ウェハ13及びトレー14間に直流電圧
を印加することにより、ウェハ13がトレー14上に静
電的に吸着、即ち静電チャックされるものとなっている
。また、静電チャックの解除は、ウェハ13及びトレー
14間を短絡することにより行われるものとなっている
。なお、図中27はスイッチ、28は直流電源を示して
いる。
通したn通口14cが形成されると共に、その下面側の
高lid体11114bを一部除去した開口14dが形
成されている。そして、ウェハ13をトレー14上に載
置した状態で、ウェハ13及びトレー14間に直流電圧
を印加することにより、ウェハ13がトレー14上に静
電的に吸着、即ち静電チャックされるものとなっている
。また、静電チャックの解除は、ウェハ13及びトレー
14間を短絡することにより行われるものとなっている
。なお、図中27はスイッチ、28は直流電源を示して
いる。
前記第1の電極11は、第3図にその要部拡大断面を示
す如く、内部に冷却水を通流するための流路11aが形
成されており、この流路11aに前記水冷管17が接続
されている。また、第1の?!!極11には、前記貫通
口14Cに連通ずる貫通口11Cが設けられると共に、
前記開口14dに連通する貫通口11dが設けられてい
る。
す如く、内部に冷却水を通流するための流路11aが形
成されており、この流路11aに前記水冷管17が接続
されている。また、第1の?!!極11には、前記貫通
口14Cに連通ずる貫通口11Cが設けられると共に、
前記開口14dに連通する貫通口11dが設けられてい
る。
第1の電極11の下方には、静電チャック11阿30が
設けられている。この静電チャック機構30は、前記貫
通口11C,11dに挿通される針3),32、スプリ
ング33、電源34.35、スイッチ36及び上下駆動
機構37等から形成されている。針3)は、貫通口11
c、14cに挿入されており、上下駆動機構37によリ
ーヒ界ぜられた状態で前記ウェハ13の下面に接触する
。針32は、前記貫通口11d及び開口14dに挿入さ
れており、上下駆動機構37により一ト昇ぜられた状態
で前記トレー14の金属板14aに接触する。そして、
針32と第1の1![11との間に電源34を接続する
ことにより、トレー14が第1の電極11上に静電チャ
ックされる。さらに、計32と第1の111間を短絡す
ることにより、上記静電チャックが解除される。また、
針3)゜32間に電I!!34.35を接続することに
より、ウェハ13がトレー14上に静電チャックされる
ものとなっている。
設けられている。この静電チャック機構30は、前記貫
通口11C,11dに挿通される針3),32、スプリ
ング33、電源34.35、スイッチ36及び上下駆動
機構37等から形成されている。針3)は、貫通口11
c、14cに挿入されており、上下駆動機構37によリ
ーヒ界ぜられた状態で前記ウェハ13の下面に接触する
。針32は、前記貫通口11d及び開口14dに挿入さ
れており、上下駆動機構37により一ト昇ぜられた状態
で前記トレー14の金属板14aに接触する。そして、
針32と第1の1![11との間に電源34を接続する
ことにより、トレー14が第1の電極11上に静電チャ
ックされる。さらに、計32と第1の111間を短絡す
ることにより、上記静電チャックが解除される。また、
針3)゜32間に電I!!34.35を接続することに
より、ウェハ13がトレー14上に静電チャックされる
ものとなっている。
次に、上記構成された本装置におけるエツチング工程に
ついて、第4図を参照して説明する。第4図は本装置を
上から見た時の構成を示す模式図である。
ついて、第4図を参照して説明する。第4図は本装置を
上から見た時の構成を示す模式図である。
まず、ウェハキトリア41に乗ったウェハ13をトレー
14上に搬送し、ここでウェハ13をトレー14に固定
する。即ち、ウェハ13とトレー14の金属板14aと
の間に直流電源28を接続することにより、ウェハ13
をトレー14に静電チャックする。これにより、反りの
ある大口径のウェハであっても、トレー14上に密着性
良く固定される。この静電チャックは、上記電圧印加を
停止しても、ウェハ13及びトレー14の金属板14、
8間の蓄積電荷によって保持される。
14上に搬送し、ここでウェハ13をトレー14に固定
する。即ち、ウェハ13とトレー14の金属板14aと
の間に直流電源28を接続することにより、ウェハ13
をトレー14に静電チャックする。これにより、反りの
ある大口径のウェハであっても、トレー14上に密着性
良く固定される。この静電チャックは、上記電圧印加を
停止しても、ウェハ13及びトレー14の金属板14、
8間の蓄積電荷によって保持される。
次いで、ウェハ13を静電チャックしたトレー14をゲ
ートバルブ21を介して容器10内に搬送し、第1の′
/!i極11上に載置する。ここで、前記第3図に示す
如くトレー14と第1の電極11との間に直流電圧を印
加することにより、トレー14を電極11上に静電チャ
ックする。また、この位冑でウェハ13及びトレー14
間に直流電圧を印IIOすることにより、ウェハ13を
トレー14に静電チャックする。この電圧印加は、エツ
チング終了まで続ける。この状態で、ウェハ13はトレ
ー14に密着性良く吸着され、さらにトレー14は第1
の電極11上にしっかりと固定される。
ートバルブ21を介して容器10内に搬送し、第1の′
/!i極11上に載置する。ここで、前記第3図に示す
如くトレー14と第1の電極11との間に直流電圧を印
加することにより、トレー14を電極11上に静電チャ
ックする。また、この位冑でウェハ13及びトレー14
間に直流電圧を印IIOすることにより、ウェハ13を
トレー14に静電チャックする。この電圧印加は、エツ
チング終了まで続ける。この状態で、ウェハ13はトレ
ー14に密着性良く吸着され、さらにトレー14は第1
の電極11上にしっかりと固定される。
ここで、1510内においてもウェハ13及びトレー1
4間に電圧を印加しているが、これは既にトレー14に
密着されたウェハ13がエツチング中に徐々に静電気力
が弱まるため、長時間のエツチングには容器10中でも
電位を与え続ける方が望ましいからである。また、ウェ
ハ13及びトレー14間に常に電圧を印加しない場合は
、ウェハ13及びトレー14間の高:(電体膜に蓄積し
た電荷により吸着力が発生している。従って、長時間の
強い吸着力を得ろためには、ウェハ13及びトレー14
間に多くの電荷が蓄えられるようにするとよい。即ち、
トレー14の内部に簡単なコンデンサを埋込み、電荷を
蓄えておく等すると有効である。
4間に電圧を印加しているが、これは既にトレー14に
密着されたウェハ13がエツチング中に徐々に静電気力
が弱まるため、長時間のエツチングには容器10中でも
電位を与え続ける方が望ましいからである。また、ウェ
ハ13及びトレー14間に常に電圧を印加しない場合は
、ウェハ13及びトレー14間の高:(電体膜に蓄積し
た電荷により吸着力が発生している。従って、長時間の
強い吸着力を得ろためには、ウェハ13及びトレー14
間に多くの電荷が蓄えられるようにするとよい。即ち、
トレー14の内部に簡単なコンデンサを埋込み、電荷を
蓄えておく等すると有効である。
次いで、容器10内へのガス導入及び゛[ill。
12間への高周波電力印加によりエツチングを行う。こ
のエツチングの際、ウェハ13がトレー14に十分密着
されておりしかもトレー14が第1の電極11に十分密
着されているので、ウェハ13はトレー14を介して第
1の電l111により十分冷u1されることになり、ウ
ェハ13の温度上昇を防止することができる。また、ト
レー14の径が第1の?![11の径と同等であるため
、エツチングの際に第1の電極11がプラズマに晒され
該電極11が劣化する等の不都合はない。エツチングが
終了したら、第1の電極11とトレー14との間を短絡
し、これらの静電チャックを解除する。
のエツチングの際、ウェハ13がトレー14に十分密着
されておりしかもトレー14が第1の電極11に十分密
着されているので、ウェハ13はトレー14を介して第
1の電l111により十分冷u1されることになり、ウ
ェハ13の温度上昇を防止することができる。また、ト
レー14の径が第1の?![11の径と同等であるため
、エツチングの際に第1の電極11がプラズマに晒され
該電極11が劣化する等の不都合はない。エツチングが
終了したら、第1の電極11とトレー14との間を短絡
し、これらの静電チャックを解除する。
次いで、トレー14をゲートバルブ22を介して容器1
0外に搬出したのち、ウェハ13とトレー14間を短絡
し、これらの静電チャックを解除する。そして、ウェハ
13をウェハキャリア42内に収容し、トレー14を搬
送路43を介してウェハキャリア41側に戻す。これを
繰返すことにより、枚葉式のエツチングが可能となる。
0外に搬出したのち、ウェハ13とトレー14間を短絡
し、これらの静電チャックを解除する。そして、ウェハ
13をウェハキャリア42内に収容し、トレー14を搬
送路43を介してウェハキャリア41側に戻す。これを
繰返すことにより、枚葉式のエツチングが可能となる。
かくして本実施例によれば、ウェハ13を載置したトレ
ー14を容器10内外で搬送することにより、ウェハ1
3のエツチングを枚葉式で行うことができる。そしてこ
の場合、ウェハ13は1〜レー14に静電チャックされ
るので、ウェハ13をトレー14上に密着性良く固定す
ることができる。
ー14を容器10内外で搬送することにより、ウェハ1
3のエツチングを枚葉式で行うことができる。そしてこ
の場合、ウェハ13は1〜レー14に静電チャックされ
るので、ウェハ13をトレー14上に密着性良く固定す
ることができる。
さらに、トレー14は第1のN極11上に静電チャック
されるので、トレー14を第1の電極11上に密着性良
く固定することができる。このため、ウェハ13と第1
の電力11との間の熱伝導性を良くすることができ、エ
ツチング中に加熱されるウェハ13の熱をトレー14を
介して第1の電極11に逃がすことにより、ウェハ13
の濃度上昇を未然に防止することができる。しかも、ウ
ェハ13上に押付は部材等を押付ける必要もなく、ウェ
ハ13上に塗布されたレジストに悪影響を与えることも
ない。従って、レジストの温度上背に起因するエツチン
グ特性の変化を防止でき、良好なエツチングを行うこと
ができる。また、ウェハ13とトレー14との密着及び
脱離を容器10の外部で行っているので、反応ガスが導
入され且つ真空排気される容器内に複惟な門構を設ける
必要がなくなり、これによりエツチング装置としての信
頼性が向tする。
されるので、トレー14を第1の電極11上に密着性良
く固定することができる。このため、ウェハ13と第1
の電力11との間の熱伝導性を良くすることができ、エ
ツチング中に加熱されるウェハ13の熱をトレー14を
介して第1の電極11に逃がすことにより、ウェハ13
の濃度上昇を未然に防止することができる。しかも、ウ
ェハ13上に押付は部材等を押付ける必要もなく、ウェ
ハ13上に塗布されたレジストに悪影響を与えることも
ない。従って、レジストの温度上背に起因するエツチン
グ特性の変化を防止でき、良好なエツチングを行うこと
ができる。また、ウェハ13とトレー14との密着及び
脱離を容器10の外部で行っているので、反応ガスが導
入され且つ真空排気される容器内に複惟な門構を設ける
必要がなくなり、これによりエツチング装置としての信
頼性が向tする。
また実施1ン1では、容器10内に、7?いてもウェハ
13及びトレー14間に電圧を印加しているので、長時
間のエツチングにおいてもウェハ13及びトレー14間
に十分強い吸着力を帷持することができる。さらに、ト
レー14の径を第1の電極11と同等としているので、
第1の電極11がエツチング中にプラズマに晒されるこ
とがなく、第1の電極11の劣化を未然に防止し得る等
の利点もある。
13及びトレー14間に電圧を印加しているので、長時
間のエツチングにおいてもウェハ13及びトレー14間
に十分強い吸着力を帷持することができる。さらに、ト
レー14の径を第1の電極11と同等としているので、
第1の電極11がエツチング中にプラズマに晒されるこ
とがなく、第1の電極11の劣化を未然に防止し得る等
の利点もある。
なお、本発明は上述した実浦例に限定されるものではな
い。例えば、前記トレーを偶成する金属板及び高誘電体
膜の材t1は、仕様に応じて適宜変更可能である。また
、トレーの径は、必ずしも第1の電極の径と同等である
必要(まなく、ウェハの径に応じて変更すればよい。但
し、エツチング中における第1のi+の劣化を防止する
ためには、第1の電極の径と同等若しくはそれ以上が望
ましい。さらに、トレーを第1の渭(唄に固定づる手段
は、必−すしも静電チャックに■るものではなく、押付
は部材等を用いたメカニカルチャックであってもよい。
い。例えば、前記トレーを偶成する金属板及び高誘電体
膜の材t1は、仕様に応じて適宜変更可能である。また
、トレーの径は、必ずしも第1の電極の径と同等である
必要(まなく、ウェハの径に応じて変更すればよい。但
し、エツチング中における第1のi+の劣化を防止する
ためには、第1の電極の径と同等若しくはそれ以上が望
ましい。さらに、トレーを第1の渭(唄に固定づる手段
は、必−すしも静電チャックに■るものではなく、押付
は部材等を用いたメカニカルチャックであってもよい。
この場合であっても、ウェハを直1妄押付けるのではな
くトレーを第1の電極に押付けるので、ウェハ上に塗布
されたレジストに消f1を与える等の不都合はない。そ
の仙、本発明の要旨を逸賑しない範囲で、種々変形して
天熱することができる。
くトレーを第1の電極に押付けるので、ウェハ上に塗布
されたレジストに消f1を与える等の不都合はない。そ
の仙、本発明の要旨を逸賑しない範囲で、種々変形して
天熱することができる。
[発明の効果]
以」こ詳述したように本発明によれば、大「]径の被姐
理基体であっても、該基体をトレー1に密着性良く固定
することができ、さらにトレーを第1の電(引上に密着
性良く固定Jることかできろ。
理基体であっても、該基体をトレー1に密着性良く固定
することができ、さらにトレーを第1の電(引上に密着
性良く固定Jることかできろ。
従って、第1の電極を冷却しておくことにより、被98
理基体を十分に冷却することができ、被処理基体の温度
上昇を未然に防止しエツチング中11の向上をはかり得
る。
理基体を十分に冷却することができ、被処理基体の温度
上昇を未然に防止しエツチング中11の向上をはかり得
る。
第1図は本発明の一実施例に係わるドライエツチング装
置を示テ概略(11成図、第2図(ニド配装置に使用し
たトレーの具体的構造を示す拡大断面図、第3図は上記
装置に使用した第1の電((及び静電チャック機構を示
す拡大断面図、第4図1j本実施例の作用を説明するた
めの模式図である。 10・・・真空容器、11・・・第1の雷(参、11a
・・・流路、11c、11d・・・4通口、12・・・
第2の電(唄、13・・・ウェハ(被処理車体)、14
・・・トレー、14r]・・・金属板、1.4 b・・
・高誘電体膜、14c・・・h通口、14d・・・開[
]、15・・・マッヂング回路、16・・・高周波電源
、17・・・配管、18・・・ガス導入口、1つ・・・
ガス排気口、20・・・バルブ、30・・・静電チャッ
ク機構、3).32・・・針、37・・・上下駆1)門
構。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ↓ 第7図
置を示テ概略(11成図、第2図(ニド配装置に使用し
たトレーの具体的構造を示す拡大断面図、第3図は上記
装置に使用した第1の電((及び静電チャック機構を示
す拡大断面図、第4図1j本実施例の作用を説明するた
めの模式図である。 10・・・真空容器、11・・・第1の雷(参、11a
・・・流路、11c、11d・・・4通口、12・・・
第2の電(唄、13・・・ウェハ(被処理車体)、14
・・・トレー、14r]・・・金属板、1.4 b・・
・高誘電体膜、14c・・・h通口、14d・・・開[
]、15・・・マッヂング回路、16・・・高周波電源
、17・・・配管、18・・・ガス導入口、1つ・・・
ガス排気口、20・・・バルブ、30・・・静電チャッ
ク機構、3).32・・・針、37・・・上下駆1)門
構。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ↓ 第7図
Claims (7)
- (1)対向配置された第1及び第2の電極を備えた容器
と、この容器内にガスを導入する手段と、上記容器内の
ガスを排気する手段と、前記第1の電極或いは第1及び
第2の両電極に高周波電力を印加する手段と、前記第1
の電極を冷却する手段と、被処理基体を載置して前記第
1の電極上に載置されるトレーと、このトレーと上記被
処理基体との間に電圧を印加し該基体をトレー上に静電
的に吸着する手段と、前記トレーを前記容器内の第1の
電極上と容器外との間で搬送する手段と、前記トレーを
前記第1の電極上に密着させる手段とを具備してなるこ
とを特徴とするドライエッチング装置。 - (2)前記トレーは、表面が高誘電体膜に覆われた金属
板からなるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のドライエッチング装置。 - (3)前記トレーは、前記第1の電極上に静電的に吸着
されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のドライエッチング装置。 - (4)前記トレーは、前記第1の電極上に機械的に固定
されるものであることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のドライエッチング装置。 - (5)前記トレーの径は、前記第1の電極の径と同等若
しくはそれより大きいものであることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のドライエッチング装置。 - (6)前記被処理基体を前記トレーに静電的に吸着する
手段として、前記容器外で上記被処理基体及びトレー間
に電圧を印加することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のドライエッチング装置。 - (7)前記被処理基体を前記トレーに静電的に吸着する
手段として、前記容器外で上記被処理基体及びトレー間
に一時的に電圧を印加し、且つ前記容器内で上記被処理
基体及びトレー間に電圧を印加し続けることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20206286A JPS6356920A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20206286A JPS6356920A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6356920A true JPS6356920A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16451311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20206286A Pending JPS6356920A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6356920A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5221403A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP20206286A patent/JPS6356920A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5221403A (en) * | 1990-07-20 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Limited | Support table for plate-like body and processing apparatus using the table |
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